【課題】半導体装置の素子形成後のストレス、環境による劣化を抑え、特性の変動を抑えることを可能にする手段を提供する。
【解決手段】第１の基板１１と、第１の基板表面に形成された素子領域１２と、素子領域と接続され、第１の基板上に形成された電極１３ｂ、１４ｂ、１５ｂと、第１の基板上に第１の面で積層される第２の基板１６と、第２の基板を貫通し、電極上に配置されるビアホール１７と、ビアホール内に形成される金属層１８と、第１の基板と第２の基板間に設けられ、素子領域、電極、及びビアホールを含む領域を封止する封止部１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンククーラによって冷却される発熱体とは別の発熱体を効率的に冷却する。
【解決手段】冷却ファン２と、冷却ファン２の下流側に設けられているとともに第一の伝熱管４と熱的に接続され、第一の伝熱管内を流れる熱媒体と送風空気とを熱交換するヒートシンク本体部３と、冷却ファン２からヒートシンク本体部３へ至る流路の外側に設けられているとともに第一の伝熱管４に連通する第二の伝熱管５と熱的に接続され、第一の発熱体２１からの熱を第二の伝熱管５内の熱媒体に熱伝導させる第一の熱伝導体６と、第一の熱伝導体６および第二の伝熱管５の少なくとも一方の方向へ冷却ファン２から送風空気を導く整流板９と、を有するヒートシンククーラ１。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュールの冷却性能の向上を図る。
【解決手段】電力変換装置は、冷却流路１０を形成する筐体１と、冷却流路１０内に配置されて冷媒との間で熱交換を行う放熱フィン群３３を有しているパワーモジュール３を備え、パワーモジュール３は、半導体素子を収容する筒部３１と、筒部３１の開口に形成されるフランジ部３２とを有し、筒部３１は対向配置される１対の側板３１ａを有し、１対の側板３１ａのそれぞれには、フランジ部３２に対して所定長さの隙間１６を介して放熱フィン群３３が冷却流路１０に突出するように立設されており、筒部３１の１対の側板３１ａのそれぞれに立設される放熱フィン群３３とフランジ部３２との間の隙間１６に配置されて、冷媒を放熱フィン群３３へと導く少なくとも１対の邪魔板１３が、筐体１からパワーモジュール３の筒部３１の側板３１ａ側に向かって突出するように設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱伝導特性に優れた材料が微粒子の状態で、樹脂成分からなるマトリックス中に、均一に分散した硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）ケイ素に結合したアルケニル基を1分子中に2個以上有するオルガノポリシロキサン：100質量部、（Ｂ）ケイ素に結合した水素原子を、１分子中に２個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）融点が０〜７０℃のガリウムおよび／またはガリウム合金、（Ｄ）平均粒径が０．１〜１００μｍの銀粉末、（C）成分と（D）成分の合計が３００〜５０００質量部であり、これらは質量比において（C）成分／｛（C）成分＋（D成分）｝＝０．１〜０．９である。（Ｆ）白金系触媒、並びに（Ｇ）付加反応制御剤を含有する硬化性でグリース状の熱伝導性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】基板に対する仮止め操作において、実装された電子部品に対して安定した押圧力を作用させ、基板との間で位置ずれが起きることのないヒートシンクを提供する。
【解決手段】本発明のヒートシンクは、基板５０の発熱部からの熱を放熱する平板部２を具備しており、平板部２には、基板に対して固定される基板係止部材１０と、基板の発熱部に対して平板部を押圧させる押圧係止部材２０が設けられている。基板係止部材１０は、基板側に突出して基板と係合すると共に、基板と平板部との間隔を維持する位置決め部を有し、押圧係止部材２０は、弾性を有する板材で構成されており、平板部２に面接固定される押圧部２１と、押圧部２１から平板部２の縁部外方に突出すると共に基板側に向けて屈曲形成され、基板に形成されている貫通孔に挿通、係止される連結部２２と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 樹脂モールド成形時におけるパイプの変形を抑制できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール2と、上面に半導体モジュール2が接合され側面20,22に冷媒流通用のパイプ14,15が固定された冷却器3と、半導体モジュール2と冷却器3の外周を覆う樹脂モールド層4と、を備え、冷却器3の側面20,22に、側面20,22から突出しパイプ14,15を囲む凸部25,26を設けた。 （もっと読む）

【課題】水冷設備を準備できない使用環境でサイリスタチップを冷却する。
【解決手段】サイリスタチップ113,123を具備する圧接型大電力用サイリスタモジュール100において、複数の放熱フィン1bを有するヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板11とコモンバー12とアノードサブスペーサ181とサイリスタチップ113とカソードサブスペーサ183とカソードスペーサ14とカソード端子バー18とを圧接手段19によって上下方向に圧接し、ヒートシンク1のベース部分1aに対して絶縁板21とコモンバー12とカソードスペーサ24とカソードサブスペーサ193とサイリスタチップ123とアノードサブスペーサ191とアノード端子バー22とを圧接手段29によって上下方向に圧接した。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させ、発熱による特性低下を抑えることを可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１の基板１１と、第１の基板１１表面に形成された素子領域１２と、素子領域１２と接続され、第１の基板１１上に形成された電極１３、１４、１５と、第１の基板１１上に第１の面で積層される第２の基板１６と、第２の基板１６を貫通し、電極上に配置されるビアホールと、ビアホール内に形成される金属層１８と、第２の基板１６の第２の面側に形成され、金属層と接続される放熱板１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ小型で高機能なパワーモジュールを得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるパワーモジュール１００は、金属ベース３と、前記金属ベース３の上に搭載されたパワー素子９と、前記パワー素子９を制御する部品７を搭載し、貫通穴６を備えた制御基板４と、前記金属ベース３の一面のみ露出させ、前記金属ベース３、前記パワー素子９、及び前記制御基板４を覆って封止する樹脂５とを備える。 （もっと読む）

【課題】異種材料で構成された基板とヒートシンクの間の接合部の信頼性向上。
【解決手段】本発明による半導体装置１，２，３は、放熱面４０ｂを有し、放熱面とは逆側に放熱面に略平行な接合面４０ａを備え、該接合面に凹部４６を備えたヒートシンク４０，４０’と、ヒートシンクに接合され、ヒートシンクの接合側とは逆側に半導体素子１０が配置された基板２０，２０’であって、ヒートシンクよりも熱膨張係数が小さく、接合面に平行な方向でヒートシンクの凹部４６に対して離間する態様で、ヒートシンクの凹部４６内に配置される基板２０，２０’と、凹部４６内に絶縁樹脂を充填して形成され、接合面に平行な方向で基板の側面２０ａとヒートシンクの凹部４６内の側面４６ａとの間に形成される絶縁樹脂部７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】包絡体積が小さく放熱量の大きいヒートシンクを提供する。
【解決手段】電子部品上に装着して電子部品の発熱を放熱するヒートシンク１において、平板状の底面部１１ａ、１２ａと底面部１１ａ、１２ａの両端を折曲して立設したフィン部１１ｂ、１１ｃ、１２ｂ、１２ｃとを有した金属板から成る複数の放熱部材１１、１２を備え、対向するフィン部１１ｂ、１１ｃ、１２ｂ、１２ｃの間隔が各放熱部材１１、１２で異なるともに、フィン部１１ｂ、１１ｃ間の間隔の大きい放熱部材１１の底面部１１ａ上にフィン部１２ｂ、１２ｃ間の間隔の小さい放熱部材１２の底面部１２ａを順に重ねて一体に形成し、最も外側に配される放熱部材１１の厚みを内側に配される放熱部材１２よりも厚くした。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子を樹脂で適切に被覆する技術を提供する。
【解決手段】 冶具６０によって支持される半導体装置１２は、放熱板４０と半導体素子２０とを備える。放熱板４０は、第１の部分４６と第２の部分４８とを備える。冶具６０は、半導体素子部２０を樹脂材料で被覆する際に、半導体装置１２を支持する。この冶具６０は、第１の支持部４６と第２の支持部４８とを備える。第１の支持部４６は、複数個のフィン４４が配置される側から第１の部分４６に接触することによって、半導体装置１２を支持する。第２の支持部６８は、複数個のフィン４４が配置される側から第２の部分４８に接触することによって、半導体装置１２を支持する。 （もっと読む）

【課題】導電性基材の一方面にセラミックス粉末を溶射して形成された絶縁層を備えた絶縁基板における側面部端面の絶縁性を簡単な構造かつ低コストでもって向上させる。
【解決手段】導電性基材１Ａの第１面１ａ側の角部にテーパ面１Ａｃを形成し、第１面１ａおよびテーパ面１Ａｃにセラミックス粉末を溶射して絶縁層７Ａを形成することにより絶縁基板１１Ａを構成する。 （もっと読む）

【課題】プレス刃と拡幅溝の当たりを均一にでき、フィンと金属ベース間のフィンと金属ベース間の嵌合性が高く、金属ベースとフィンの接触熱抵抗の低い放熱器を製造することができる放熱器製造装置と半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベース４と放熱フィン５とを含み、金属ベースに設けられた凸部４aの上の溝４gを押し拡げることによって前記放熱フィンがその一端部で金属ベースに固定される放熱器を製造する放熱器製造装置であって、放熱フィンの側面に沿って移動して溝を押し拡げるプレス刃を備え、プレス刃を放熱フィンの側面に交差する方向に移動可能に設けた。 （もっと読む）

【課題】熱を効率良く放散することのできるパッケージキャリアの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁カバーを提供する。絶縁カバーは、互いに向かい合う内表面および外表面と、複数の開口と、収容空間とを有する。絶縁カバーの外表面にパターン化金属層を形成する。パターン化金属層の上に表面処理層を形成する。絶縁層の収容空間内に放熱素子を形成し、絶縁層に構造的に接続する。放熱素子の表面に導熱層を形成し、絶縁カバーの開口によって導熱層の一部を露出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ベースの機械的強度が高く、変形しない放熱装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る放熱装置は、底板と頂板と前記底板及び頂板の間に挟持されるヒートパイプとを含むベースと、前記ベースに設置される複数のフィンと、前記ベースに貫設される固定部品と、を備え、前記ベースは、前記底板と前記頂板との間に挟持され且つ前記ヒートパイプを囲むフレームをさらに備え、前記フレームは、順に連接される複数の辺部を備え、複数の前記辺部、前記底板及び前記頂板は、前記ヒートパイプを収容する収容空間を形成し、前記固定部品は、前記底板、前記フレーム及び前記頂板を貫通する。 （もっと読む）

【課題】 どのような姿勢であってもヒートパイプとして熱移送機能を発揮できるループ型ヒートパイプを提供することを課題とする。
【解決手段】
第１のループ型ヒートパイプは、発熱体２０に熱的に接する第１の蒸発器３２−１と、第１の凝縮器３４−１とを有する。第２のループ型ヒートパイプは、発熱体２０に熱的に接する第２の蒸発器３２−２と、第２の凝縮器３４−２とを有する。第１の蒸発器３２−１と第２の蒸発器３２−２とが平面視において同じ位置に配置され、且つ第１の凝縮器３４−１と第２の凝縮器３４−２とが平面視において互いに異なる位置に配置された状態で、第１のループ型ヒートパイプと第２のループ型ヒートパイプは積層して配置される。 （もっと読む）

【課題】電気的絶縁性及び低熱抵抗性に優れた層をアルミニウム単体の表面上に形成する工程をアルミニウムの融点以下の温度で行う。
【解決手段】アルミニウムとマグネシウムとを含む混合物５をアルミニウム単体２の表面２ａ上に配置し、窒素雰囲気でアルミニウムの融点以下の温度である約４５０〜６６０℃の範囲に加熱し、アルミニウム単体２の表面２ａ上でアルミニウムとマグネシウムと窒素とを反応させ、電気的絶縁性及び低熱抵抗性に優れた窒素とアルミニウムとマグネシウムとを含む３元化合物７をアルミニウム単体２の表面２ａ上に形成する。 （もっと読む）

【課題】圧力損失の増大を回避しつつ、ヒートシンクの性能を向上させる。
【解決手段】ヒートシンク１の放熱部３には、複数のフィン３１が並び方向に所定間隔を空けて配置され、隣り合うフィン３１の側面同士の間に、当該フィン３１の前端、後端及び先端のそれぞれにおいて開口する複数のスリット状流路３０が、前後方向に延びるように区画形成される。各スリット状流路３０の先端の開口は、ダクトの内壁４によって実質的に塞がれている。各フィン３１の少なくとも一方の側面には、少なくとも基端側の領域を除く先端側の領域に、スリット状流路３０内の流れを乱流にすることで伝熱を促進する伝熱促進加工５が施されている。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクのフィンの振動を低減する。
【解決手段】ヒートシンク１６１は、受熱ブロック６１ａと、受熱ブロック６１ａからそれぞれ上方に延び、間隔を空けて並ぶ複数のフィン６１ｂと、複数のフィン６１ｂに掛け渡され、複数のフィン６１ｂの振動を低減可能な連結部材１６３とを備える。 （もっと読む）