【課題】櫛形タイプの冷却フィンを備えた熱交換器であっても、パワーモジュールに使用して、Ｘ線検査によりボイドを正確に検出すること。
【解決手段】パワーモジュール２の熱交換器１は、ケース３と、ケース３に収容された櫛形タイプの冷却フィン４と、ケース３の上面に接合剤１０により接合されたヒートスプレッダとを備える。ＩＧＢＴ６は、ヒートスプレッダの上面に接合剤１０により固定される。冷却フィン４は、平板状のベース部４ａの下面から複数のフィン部４ｄが互いに隙間９を置いて平行かつ斜めに突き出している。冷却フィン４は、複数のフィン部４ｄにつき、隣り合う一方のフィン部４ｄ１の先端４ｅと他方のフィン部４ｄ２の基端４ｆとが同じ幅Ｗ２を有すると共に、ベース部４ａの上面及び下面と直交する方向に重なるように配置される。 （もっと読む）

【課題】筐体のうち放熱フィンが配置された面と同じ面の上部からコネクタが突出していても、自然対流で発生した空気を停滞させずに流すことができる車載用電子装置を提供する。
【解決手段】車載用電子装置は、回路基板２を内部に収容した筐体と、筐体正面の上方から外部に向かって突出したコネクタ３と、コネクタ３より下方の筐体正面から外部に向かって突出した放熱フィン４とを備え、放熱フィン４は、筐体の下方から上方に沿って延びた直線部４ａと、途中で筐体の左右の辺のうち近い方の辺１ｃ側に向かって斜めに折れ曲がった折り曲げ部４ｂとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して積層された各半導体チップが発生する熱を効率的に放熱させる。
【解決手段】複数の半導体チップ５の間及び最下層の半導体チップ５の下側の少なくとも１箇所にバンプ７を介して電気的及び熱的に接続され、熱を拡散させるサーマルインターポーザ６を、内部空間１５と、内部空間から上方の外部へ貫通する上部貫通導体１６Ａと、内部空間から下方の外部へ貫通する下部貫通導体１６Ｂとを有するインターポーザ基板１１ＡＢと、内部空間に設けられ、上部貫通導体と下部貫通導体とを接合するバンプ接合部１２Ｘと、内部空間に設けられ、バンプ接合部に接する多孔質体１３と、内部空間に封入された冷媒１４とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】大量のチップに放熱部を設けるに際してその生産性の向上を図るとともに、放熱効果の向上を図る半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１が、半導体基板１１と、絶縁膜１４の表面１４ｂに積層された封止層２６と、半導体基板１１の外周面１１ｃに設けられた第１の放熱部４０と、半導体基板１１の裏側の主面１１ｂに設けられた第２の放熱部３０と、を備える。第１の放熱部及び第２の放熱部は半導体ウエハのレベルで設け、それらをダイシングする。 （もっと読む）

【課題】ヒートシンクの放熱性能を高めてその軽量化を図ることができる照明装置の冷却構造を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤ（光源）１０が搭載されたベースプレート２の背面に複数のプレート状放熱フィン３，４を平行に立設して成るヒートシンク１を備える照明装置の冷却構造として、前記ベースプレート２と平行な方向を冷却風の流れ方向とし、前記冷却風の流れ方向に３枚以上の放熱フィン３，４が配置されており、前記ＬＥＤ１０に近い位置に配置された放熱フィン４と、前記ＬＥＤ１０に近い位置の放熱フィン４よりも冷却風の流れ方向において左方及び右方に位置する放熱フィン４とが、冷却風の流れ方向の直交方向において互い違いに形成されている構成を採用する。 （もっと読む）

【課題】ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールの冷却特性を改善した冷却装置を提供する。
【解決手段】ヒートシンク２１におけるヒートパイプ１５の埋設位置を半導体パワーチップ１１ａなどの搭載位置から外れた位置に設け、同様に、ヒートパイプ１７の埋設位置を半導体パワーチップ１１ｄなどの搭載位置から外れた位置に設け、さらに、ヒートパイプ１６の埋設位置を半導体パワーチップ１１ｂなどと、半導体パワーチップ１１ｃなどとのほぼ中間位置に設けたことにより、半導体パワーチップ１１ａ〜１１ｄなどの温度上昇値それぞれの差をより小さくすることができるとともに、これらの温度上昇値もより小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡易な方法で半導体パッケージ部と放熱フィンとの間の密着性を高め、放熱性を高めることができる半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、放熱フィン１３、１４と、放熱フィン１３、１４上面の一部を露呈して当該上面に接合された絶縁シート４と、絶縁シート４上に配置されたヒートスプレッダ２と、ヒートスプレッダ２上に配置されたパワー素子１と、放熱フィン１３、１４上面の一部を含む所定の面と、絶縁シート４と、ヒートスプレッダ２と、パワー素子１とを覆って形成されたトランスファーモールド樹脂８とを備え、放熱フィン１３、１４上面は、絶縁シート４の端部を拘束すべく形成された凸形状および／又は凹形状を有する。 （もっと読む）

【課題】局所的に腐食し難い水冷式放熱器付き金属−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】内部にセラミックス基板１８を配置した鋳型内にアルミニウムまたはアルミニウム合金の溶湯を注湯して冷却することによって、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる回路用金属板２０を形成してセラミックス基板１８の一方の面に直接接合させるとともに、互いに所定の間隔で離間して配置された複数のフィンまたは柱状突起部を備えたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるベース板１２を形成してセラミックス基板１８の他方の面に直接接合させた後、セラミックス基板１８を鋳型から取り出して、ベース板１２の表面（水冷式放熱器１６の内面に対応する部分）のダブルジンケート処理を行い、その後、ベース板１２のフィンまたは柱状突起部を取り囲むように蓋体１４を取り付ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、パワーモジュールの放熱性能を低下させずに実装密度を高めることを目的とする。
【解決手段】パワーモジュール１０は、基板１２、基板１２に埋め込まれた熱伝導部材１４、熱伝導部材１４に実装された第１の電子部品１６、基板１２に実装された第２の電子部品１８ａ、１８ｂ、熱伝導部材１４に取り付けられた放熱器２０を備える。熱伝導部材１４は、第４平面３０を第２平面２４から基板１２の外側に突出させている。第２平面２４と放熱器２０とが離れ、第２平面２４に第２の電子部品１８ａ、１８ｂを実装できるようにする。 （もっと読む）

【課題】冷却効率の向上を図ることにより、信頼性の向上した電源装置を提供する。
【解決手段】電源装置は、設置面を有する受熱ブロック２６と、受熱ブロックに接続され、それぞれ第１方向に延びているとともに、第１方向と直交する第２方向に間隔を置いて並んだ複数の放熱フィン３４と、設置面上に配置された半導体素子２２ａ〜２２ｄと、第１方向に沿って受熱ブロックに設けられ、第１方向に沿って高温部位から低温部位へ熱を伝える複数のヒートパイプ３０と、を備え、各ヒートパイプは、放熱フィン３４の各々の中心軸Ｃからずれた位置に配設されている。 （もっと読む）

【課題】 電子部品において発生する熱に関する放熱性の向上及び電磁ノイズによる影響の低減を図る。
【解決手段】 外筐２の内部に配置されると共に部品搭載部１７と接地回路に接続されたグランド部１３ｃ、１３ｄとを有し部品搭載部の一方の面に駆動時に熱源となる電子部品１８が搭載された回路基板１３と、回路基板の電子部品が搭載された面側に配置され電子部品において発生した熱を放出するヒートシンク１４と、回路基板を挟んで電子部品が搭載された側と反対側に配置されると共に平板状のベース部１６ａとベース部から回路基板側へ突出され部品搭載部の他方の面に対向する対向面１６ｃが形成された突出部１６ｂとを有する放熱板１６と、回路基板の部品搭載部の他方の面と放熱板の突出部における対向面とに密着されると共に電子部品において発生した熱を放熱板に伝達する第１の熱伝達体２３とを設けた。 （もっと読む）

【課題】一体型ヒートシンクを作る場合に、部材を同時に接合して多くの工程を減らすことで、コストダウンを図るヒートシンクの製造方法を提供する。
【解決手段】焼結装置を用いたヒートシンクの製造方法において、複数の金属板１０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積み重ねた状態で必要な接合部のみを拡散接合・焼結した後、未接合部を折り曲げて放熱フィンを形成する。接合部には、拡散接合・焼結を促進する接合材を介在させる。また、複数の金属板１０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに加えて、絶縁基板３０を、焼結装置により一体的に接合する。 （もっと読む）

【課題】ベース板上に半導体パワーチップを複数個搭載してなるパワーモジュールの冷却装置の冷却特性を改善する。
【解決手段】半導体パワーチップ１１ｂ，１１ｆなどと、半導体パワーチップ１１ｃ，１１ｇなどとのほぼ中間位置に設けられたヒートパイプ１６の溝とベース板１１〜１３との隙間に、熱拡散板３１を挿入し、この熱拡散板３１をベース板側に凸形状に形成することにより、ベース板１１〜１３からのヒートパイプ１６への直接の熱伝導を改善することができ、また、前記溝に段差を持たせたことによりベース板１１〜１３から熱拡散板３１を経由してヒートシンク２１に放熱する経路ができ、その結果、これらの半導体パワーチップでの温度上昇値をより小さくなり、従って、その温度差もより少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の冷却構造において、構造的な安定性を有しつつ半導体素子を効率的に冷却する。
【解決手段】ベース板１１０は、他方の主面に、対向板の主面に向けて突出した複数の放熱用突出部１１１を有する。ベース板１１０の他方の主面と対向板の主面とが、２つの流路側壁部１３０Ａ，１３０Ｂを介して繋がれることにより、複数の放熱用突出部１１１が位置する冷媒流路１９０の一部である耐圧領域１９４を互いの間に有する冷媒流路１９０の流入口１９１と流出口１９２とが形成されている。冷媒流路１９０は、流入口１９１と流出口１９２とを結ぶ方向において、耐圧領域１９０の端部におけるベース板１１０に負荷する静圧に比較して、耐圧領域１９４の中央部におけるベース板１１０に負荷する静圧が低くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上に並べて設けられた複数の電子部品を均一且つ効率よく冷却する。
【解決手段】回路基板１２上には複数のデバイスが並べて配置されている。各デバイスにはヒートシンク２１ａ〜２１ｄが設けられている。ファンによって、複数のデバイス及びヒートシンク２１ａ〜２１ｄの配列方向に沿って冷却用空気Ａが流通する。ヒートシンク２１ａ〜２１ｄは、複数の平板形状のフィン４１が冷却用空気Ａの流通方向に沿って平行配置されている。ヒートシンク２１ａ〜２１ｄにおいて隣り合うフィン４１、４１間を流通した冷却用空気Ａが当該ヒートシンク２１の下流側のヒートシンク２１における一のフィン４１に衝突するように、隣り合うヒートシンク２１ａ〜２１ｄの複数のフィン４１は千鳥状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】受熱部の受熱面の温度を均温化しうる冷却装置を提供する。
【解決手段】冷却装置１は、上面が受熱面となされた受熱部３と、受熱部３の下方に固定状に設けられた放冷部４とを備えている。放冷部４内に、２つの冷却流体通路15,16を、熱伝導材料からなる仕切部材18を介して上下方向に並んで積層状に形成する。放冷部４に、下側冷却流体通路15に冷却流体を流入させる冷却流体入口21と、上側冷却流体通路16から冷却流体を流出させる冷却流体出口22とを設ける。放冷部４に、受熱部２の受熱面から下側冷却流体通路15を流れる冷却流体に熱を伝える伝熱部29を設ける。 （もっと読む）

【課題】冷熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が接合されてなり、この回路層１２の表面に電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、アルミニウムの母相中に析出物粒子が分散された析出分散型のアルミニウム合金で構成されており、回路層１２の断面の走査型電子顕微鏡観察において、回路層１２のうちセラミックス基板１１との接合界面部分には、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％未満とされた析出物欠乏層１２Ａが形成されており、回路層１２の一方の面側においては、粒径０．１μｍ以上の析出物粒子の存在比率が３％以上とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱フィンの放熱面積を大きくして優れた放熱特性を実現しながら、極めて軽くする。安価に多量生産できる紙シートの放熱器を提供する。
【解決手段】紙シートの放熱器は、放熱フィン１を熱伝導部２に固定している。放熱フィン１は、繊維に熱伝導粉末を添加してなる湿式抄紙の紙シート３で構成している。紙シート３は、折曲ライン４で折曲して、折曲ライン４を境界として放熱フィン１と固定紙シート部６とに区画している。放熱器は、紙シート３の固定紙シート部６を熱伝導部２に熱結合状態に固定して、熱伝導部２の熱を固定紙シート部６から放熱フィン１に熱伝導して放熱している。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れるパワーモジュールを提供すること。
【解決手段】パワーモジュール１が、絶縁層５、および、絶縁層５の上に形成される導体回路６を備えるパワーモジュール用基板２と、パワーモジュール用基板２の上に設けられ、導体回路６に電気的に接続されるパワー素子３と、パワーモジュール用基板２および／またはパワー素子３から生じる熱を放熱するための、板状の窒化ホウ素粒子１４を含有し、熱伝導性シート２０の厚み方向に対する直交方向の熱伝導率が、４Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導性シート２０とを備える。 （もっと読む）

【目的】Ｓｉ−半導体素子とＳｉＣ−半導体素子を有する半導体装置において、それぞれの半導体素子を動作可能温度で動作させることができて、冷媒の圧力損失を小さくできるフィン付ベースを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４同士をまとめ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５同士をまとめることで、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５下のフィン１ａ間隔を広くすることができる。その結果、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４は１７５℃まで動作させ、ＳｉＣ−Ｄｉチップ５は２５０℃まで動作させることができる。また、Ｓｉ−ＩＧＢＴチップ４とＳｉＣ−Ｄｉチップ５に接続する配線バー５６，５７，５９を介しての相互の熱干渉６５，６６，６７を小さくするができる。その結果、全体のフィン１ａ間隔を広くすることができて圧力損失を小さくできる。 （もっと読む）