【課題】複数の導体層や絶縁層をロウ材等で接合していた従来の半導体装置部材に比較して、部材の構造及び製造工程を簡略化する。
【解決手段】半導体装置１０は、ＩＧＢＴなどの半導体素子２と冷却フィンや冷却ジャケット等の放熱体４との間に半導体装置部材１２が配置されたものである。半導体装置部材１２は、半導体素子２で発生した熱を拡散しながら放熱体４に伝達するものである。この半導体装置部材１２は、半導体素子２がロウ付け等によって固定された第１の熱伝導性導体層１４と、この第１の熱伝導性導体層１４の放熱体４側に配置される絶縁性及び熱伝導性を有する第１の無機系接合層１６とを備えている。半導体装置部材１２によれば、第１の無機系接合層１６を備えることで、第１の熱伝導性導体層１４と放熱体４との間の絶縁性を容易に確保すると共に、第１の熱伝導性導体層１４と放熱体４とを接合することができる。 （もっと読む）

【課題】熱疲労に対する信頼性を高めたパワー半導体モジュールを提供すること。
【解決手段】本発明のパワー半導体モジュールは、パワー半導体素子と、素子の下側に接合した下側電極と、下側電極の下側に接合され、両面に金属箔が接合された第１の絶縁基板と、パワー半導体素子の上側に接合した上側電極と、上側電極の上側に接合され、両面に金属箔が接合された第２の絶縁基板と、第１の絶縁基板の下側に接合した第１の放熱板と、第２の絶縁基板の上側に接合した第２の放熱板とを備え、パワー半導体素子と第１の絶縁基板と第２の絶縁基板とを樹脂で封止した。 （もっと読む）

【課題】 セラミック粒体とアルミニウムまたはアルミニウム合金との充填密度を均一として性能のばらつきを抑えることができる複合材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 複合材１が、粒度が比較的大きなセラミック粒体４を４０〜８５容積％、アルミニウム５を１５〜６０容積％含み、セラミック粒体４間の間隙にアルミニウム５が連続相を形成し、かつ、セラミック粒体４とアルミニウム５との界面に隙間がないようにした本体部２と、この本体部２の厚さ方向の表面を高精度の平滑度で覆う熱伝導性に優れた被覆部３とを備えて構成され、本体部２を、アルミニウム５をキャビティの下方から真空で吸引するとともに当該キャビティの上方から圧力を付与しながらセラミック粒体４間に含浸させて形成し、被覆部３を、無電解メッキにより形成されたメッキ層で形成する。 （もっと読む）

【課題】発熱体から供給される熱を、熱拡散板に均一かつ効率よく熱拡散させることのできる熱拡散板、およびその熱拡散板を使用した放熱構造を提供する。
【解決手段】熱伝導率の高い金属で構成されている薄板状の熱拡散板１は中空部２を有しており、該中空部２には金属よりも熱伝導の高いカーボンナノファイバーが隙間なく密な状態で入っている。このため、発熱体から供給される熱は、カーボンナノファイバーにより垂直方向、水平方向共に急激に拡散され、熱拡散板全体に均一に熱伝達を行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】微細な組織を有し、高強度で熱電特性に優れた熱電材料及び生産性の高い熱電材料の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＳｅのうち少なくとも２種を含み、平均粒径が３０μｍ以下の合金粉末からなる成形体を作製し、該成形体を常圧で焼成して常圧焼結体を作製した後に、該常圧焼結体の緻密化処理を行って緻密体を作製する。特に、緻密体の相対密度は９８％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて半導体チップで発生する熱をパッケージ又はヒートシンクに効率よく伝達できる熱拡散シート及びその熱拡散シートを使用した半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダ（熱拡散シート）２４は、パッケージ２１の長さ方向に伸びる複数のカーボンナノチューブ３２により構成される第１の層と、パッケージ２１の幅方向に伸びる複数のカーボンナノチューブ３４により構成される第２の層とが交互に積層されて構成されている。第１の層のカーボンナノチューブ３２と第２の層のカーボンナノチューブ３４との交差部にはＴｉ等の金属粒子３５が付着しており、それらの金属粒子３５を介して厚さ方向に熱を伝達する。 （もっと読む）

【課題】搭載されるダイオード素子の発熱に対処するため放熱性を高める高熱伝導材料を選択使用して効率の低下を阻止したレーザダイオード用ステムを提供する。
【解決手段】レーザダイオード用ステムは、金属ベース１２の貫通孔１３にガラス１４を介して一対のリード１６を気密封着したアイレット１０と、この金属ベース１２にろう付けしたＭＩＣＣヒートシンク２０とを具備し、ヒートシンク２０は結晶配向面の熱伝導率４５０〜５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）の高熱伝導カーボン単一材２２を使用して構成する。このヒートシンク２０はダイオード素子の搭載台となり、満足な放熱効果を発揮する。高熱伝導カーボン材としての金属含浸炭素材（ＭＩＣＣ）はカーボン粉末あるいはカーボン繊維を固めて焼成し、ＣｕまたはＡｌ等の金属を含浸させたものである。 （もっと読む）

【課題】 冷却能力もしくは冷却効率の向上を図れる発熱部材の冷却構造を提供する。
【解決手段】 発熱部材３に対向して放射冷却板４が設けられるとともに、その放射冷却板４の表面の少なくとも一部にナノカーボン層１が設けられている。このナノカーボン層１に含まれるナノカーボンは、黒体に限りなく近い物質である。そのため、ナノカーボン層１は、発熱部材３から発生した熱をほぼ完全に吸収し、効率よく放射冷却板４に伝達する。その結果、放熱量を増大させて優れた放熱性能を得ることができるので、冷却能力もしくは冷却効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】従来必要とされていたヒートスプレッダ材を使用せずに構成できるようにして、軽量化、低背化、小型化及びコストの低廉化を図り、しかも、熱サイクルに対する信頼性も向上させる。
【解決手段】ヒートスプレッダモジュール１０は、接合体１２を具備し、該接合体１２は、板部材１４と、該板部材１４上に配された絶縁基板１６と、該絶縁基板１６上に配された回路基板１８とを有する。接合体１２の上面、すなわち、回路基板１８の上面には半田層２０を介してＩＣチップ２２が実装され、接合体１２の下面、すなわち、板部材１４の下面にはヒートシンク２４が例えば半田層２６を介して接合されてヒートシンクモジュール２８が構成される。 （もっと読む）

【課題】 電子部品を冷却するための放熱板を不要として、電子機器の大型化を抑制しつつ、その電子部品を高効率に冷却することができるプリント基板を提供すること。
【解決手段】 絶縁材部の内層又は表層には、熱伝導性を有するカーボン層部５が積層状に設けられており、そのカーボン層部５に接触し、その接触部分から絶縁材部４の表面（基板表面）へ向かって延びる熱伝導性を有する放熱部材３１，３２が設けられている。よって、電子部品から発生した熱は、カーボン層部５へ伝えられ、そのカーボン層部５において拡散された後、カーボン層５に拡散された熱が、放熱部材３１，３２を介して基板表面に向かって伝導（放熱）され、さらに該放熱部材３１，３２が接続された外部の筺体へ熱を伝導させることにより、基板の放熱性が格段に向上する。その結果、電子部品の放熱及び冷却を確実かつ高効率に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】形状面積の制限を受けなく、質量は軽くて、熱伝導が速く、伝熱面積及び方向の制限受けないことを実現する、放熱基材とそれを応用した放熱構造を提供する。
【解決手段】一種の放熱基材１０と前記応用した放熱構造に関わるもので、放熱基材１０は一つの黒鉛層１１及び黒鉛層表面に被覆する熱伝導金属層１２より構成する。黒鉛による熱伝導は異方性があるため、黒鉛層１０の表面に被覆した異方性を持たない熱伝導性の金属層１２により、熱を素早く外部に放出できる。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブがコーティングされた放熱板及びその製造方法が提供される。
【解決手段】所定の容器または部品などから発生される熱を熱交換を通じて外部に放出する放熱板の表面上に炭素ナノチューブを分散コーティングまたは図案コーティングして炭素ナノチューブ構造物を形成することによって、熱放出特性を向上させて、放熱板の大きさを減らすことができ、これによって、電子素子の小型化が可能になり、高集積化された電子回路チップの熱放出問題を解決することによって、動作回路の寿命と性能とを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く放熱性に優れた半導体装置を低コストで形成する。
【解決手段】 半導体素子４と放熱部材である蓋７を、炭素焼結体に半田を含浸させた半田含有炭素焼結体６ａの表面に外側半田層６ｂ，６ｃが形成された半田含有炭素部材６を介して接合する。半導体素子４と蓋７の接合部に炭素焼結体を用いることにより、高い放熱性を確保しつつ、半導体素子４の発熱時の熱応力を緩衝することができる。また、安価な半田を含浸させることにより、炭素焼結体と外側半田層６ｂ，６ｃを強固に接合することができ、さらに、外側半田層６ｂ，６ｃにより、半導体素子４と蓋７を強固に接合することができる。これにより、信頼性が高く、放熱性に優れた半導体装置１が低コストで実現できる。 （もっと読む）

高電力半導体構成要素構造は、電気信号に応答して動作するように構成された半導体デバイスを備え、この半導体デバイスは、動作中に電気信号に応答して昇温する。ヒートシンクが、半導体デバイスからの熱が第１のヒートシンク内に伝達するように、半導体デバイスに熱接触して配置される。ヒートシンクは、３次元細孔構造の形をとる熱伝導性材料からなる多孔質材料領域を少なくとも部分的に備え、細孔構造の表面が、熱が周囲空気中に放散する表面積をもたらす。
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【課題】 優れた熱伝導性能を発揮する熱伝導性成形体を容易に製造することができる熱伝導性成形体の製造方法、及び熱伝導性成形体を提供する。
【解決手段】 熱伝導性成形体１１は熱伝導性高分子組成物から成形される。熱伝導性高分子組成物は、高分子マトリックス１２と、熱伝導性充填材１３とを含有する。熱伝導性充填材１３の少なくとも一部は繊維状に形成されている。成形体１１は、前記組成物の調製工程と、繊維状充填材１４に磁場及び振動を印加して、繊維状充填材１４を一定方向に配向させる配向工程と、繊維状充填材１４の配向を維持した状態で熱伝導性成形体を成形する成形工程とを経て製造される。振動の周波数は０．１〜４５００Ｈｚに設定されているとともに、振動の加速度は１Ｇ以上に設定されている。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの電気または電子コンポーネントから形成されるかそのようなコンポーネントを備えた熱源、吸熱源、および熱源と吸熱源の間に置かれて熱伝導材料から作られた中間層を含む新規なデバイスに関する。前記熱伝導材料は、ナノファイバを組み込まれた有機マトリックスから構成される。
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熱交換器などの基体上に非晶質炭素層を堆積させる方法、及び、そのように形成された被覆された基体。例えば、アルミニウムフィンを有する熱交換器など。熱交換器は、硬度が少なくとも２０００Ｋｇ／ｍｍ^２、比抵抗が少なくとも１０^８Ω・ｃｍ、及び、絶縁耐力が少なくとも１０^６Ｖ／ｃｍである非晶質炭素被膜（ＤＬＣ）の層をその拡張表面上に堆積させたヒートシンクを含む。
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可撓性サーキットリはその主要側面の一方又は両方に沿って配設されたＩＣを備える。可撓性サーキットリに沿って配付された接点はモジュールと応用環境の間に接続を提供する。ＩＣを備える可撓性サーキットリは、望ましくは熱伝導の素材から作られた剛性基板のエッジの周りに配設され、屈曲回路が基板の周りに持って来られるときＡＭＢなどのより高い熱エネルギデバイスの基部近くに配設される高熱伝導コア又は領域を含んでいる。他の変形例は、モジュールの対向両側面上のそれぞれのＩＣを把持してＩＣから熱をさらに逃す熱伝導クリップを含んでいる。基板本体又は基板コアから伸びる好適延長部はモジュールのＩＣ間の熱変差を小さくする。
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【課題】半導体チップの上面主電極に重ねて半田接合する放熱板に関して、高い伝熱性と導電性を確保しつつ、半田接合部に発生する熱応力を十分に低減して高い熱サイクル耐量を確保できるように放熱板の複合材質，板厚を選定した高信頼性の半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板２にマウントした半導体チップ３に対し、該半導体チップの上面に導電性の放熱板４を重ねて半導体チップの主電極面に半田接合した上で、該放熱板の上面に配線リード５を接合した組立構造の半導体装置において、前記放熱板４を、炭素，炭化珪素，またはその混合物の粒子成形体にアルミニウムを加圧鋳造法により含浸させて作製した複合材で構成し、かつその板厚ｔを０．２〜２mmの範囲に設定する。さらに、放熱板の半田接合面にはＮｉメッキ層７形成しておき、半導体チップ３の上面主電極に重ねて半田接合する。 （もっと読む）

熱管理素子は、封入材料で封入された異方性カーボンを含む温度管理構造（１０，２６，２８）に包囲された電子素子（２０）を含む。
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