【課題】高い降伏電圧を有する高耐圧トランジスタ及びそれの製造方法を提供する。
【解決手段】高い降伏電圧を有する高耐圧トランジスタ及びそれの製造方法において、半導体基板の所定部位が酸化された第１絶縁膜パターン、及び第１絶縁膜パターンを少なくとも部分的に取り囲む第２絶縁膜パターンを形成する。基板上に導電性物質を蒸着して、第１端部は第１絶縁膜パターン上に位置し、第２端部は第２絶縁膜パターン上に位置するゲート電極を形成した後、基板表面の所定部位に不純物を注入してソース／ドレイン領域を形成する。ゲート電極のエッジ部分に集中される電界を緩和して高い降伏電圧を有するトランジスタを製造することができ、熱酸化膜パターンとＣＶＤ酸化膜パターンをゲート酸化膜として使用することで、ＭＯＳトランジスタにおいて電流特性及びＯＮ抵抗特性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜をＨｉｇｈ−ｋ材料で構成し、ゲート電極をメタル材料で構成するＨＫ／ＭＧトランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】素子分離部２で囲まれた活性領域１４に位置し、後の工程でコア用ｎＭＩＳのゲートＧが形成される領域Ｇａ１のみに、Ｎｃｈ用ゲートスタック構造ＮＧを構成する積層膜を形成し、上記領域Ｇａ１以外の領域ＮＧａ１には、Ｐｃｈ用ゲートスタック構造ＰＧを構成する積層膜を形成する。これにより、コア用ｎＭＩＳのゲートＧが形成される領域Ｇａ１へ素子分離部２から引き寄せられる酸素原子の供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】基板に対して斜め方向からイオン注入を行う工程を含む半導体装置の製造方法においてゲート電極サイズの縮小化とリーク電流特性の改善を両立することができる製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板の表面にゲート電極を形成する。ゲート電極のゲート長方向と交差するゲート幅方向における両端面を被覆するレジストマスクを形成する。半導体基板にゲート長方向成分およびゲート幅方向成分を有する注入方向で不純物イオンを注入して半導体基板の表面のゲート電極を挟む両側にゲート電極とオーバーラップした低濃度不純物層を形成する。ゲート電極の側面を覆うサイドウォールを形成する。ゲート電極およびサイドウォールをマスクとして不純物イオンを注入して半導体基板の表面のゲート電極を挟む両側にゲート電極から離間した高濃度不純物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】好適な電界効果トランジスタ、その使用、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】窪み（７２）に沿ってドープチャネル領域が配置された半導体基板（１０）を有する、縦型電界効果トランジスタが説明される。「埋め込まれた」接続領域（１８、５４）は、半導体基板（１０）の表面に達する。第２の接続領域（１６）が、同一の表面の窪みの開口部の近傍内に配置される。好ましくは、分離窪み（７０、７４、７６）が、チャネル領域と導電性配線（５４）との間、および電界効果トランジスタと隣接する電気部品との間に製造される。電界効果トランジスタは優れた電気特性を有し、容易に製造される。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタとしての機能が低下することなく、安定性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】活性領域Ｔ及び活性領域Ｔを区画する素子分離領域３が形成されて成る半導体基板１と、活性領域Ｔに設けられた凹部９内に形成され、上面が半導体基板１の主面からなる第１ピラー１Ａと、活性領域Ｔ及び素子分離領域３に渡って形成され、第１ピラー１Ａに隣接する第２ピラー２と、第１ピラー１Ａ及び第２ピラー２の各側面を覆うように形成されたゲート電極層１０と、第１ピラー１Ａ上に形成されたエピタキシャル半導体層６と、を具備してなり、第２ピラー２が、活性領域Ｔ内において第1ピラー１Ａから離間して形成された半導体凸部１Ｂと、素子分離領域３に埋設された埋め込み絶縁膜からなる絶縁体凸部３Ａとから構成され、半導体凸部１Ｂの上面が埋め込み絶縁膜の一部によって被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規なＤＴＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１領域と、第１領域に接続しこれより幅狭の第２領域と、第２領域に接続しこれより幅狭の第３領域とを含む半導体領域の画定工程、半導体領域に第１導電型不純物でウェル領域を形成する工程、ウェル領域上へのゲート絶縁膜形成工程、第３領域を幅方向に横断する第１部と、第１部から第１領域上に延びた第２部とを含むゲート電極を形成する工程、ゲート電極側面に、第２領域の一部を覆い他の一部を露出させるサイドウォールを形成する工程、第１領域及び第２領域の他の一部にゲート電極及びサイドウォールをマスクとし第２導電型不純物を注入する工程、熱処理による第２導電型不純物拡散工程、サイドウォールの一部を薬液で除去する工程、第１領域及び第２領域の他の一部へのシリサイド層形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】サリサイドプロセスにより金属シリサイド層を形成した半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】部分反応方式のサリサイドプロセスによりゲート電極８ａ、８ｂ、ｎ^＋型半導体領域９ｂおよびｐ^＋型半導体領域１０ｂの表面に金属シリサイド層４１を形成する。金属シリサイド層４１を形成する際の第１の熱処理では、熱伝導型アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理し、第２の熱処理では、マイクロ波アニール装置を用いて半導体ウエハを熱処理することにより、第２の熱処理を低温化し、金属シリサイド層４１の異常成長を防ぐ。これにより金属シリサイド層４１の接合リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】構造が簡単なトランジスタにより、サステイン耐圧を改善し且つサステイン耐圧のばらつきの抑制及びトランジスタ形成後のドレイン抵抗及び接合プロファイルの調整が可能な、自由度が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ｐ型ウェル１０２に形成され、互いに並行に延びると共に、ゲート長方向の幅が比較的に大きい第１ゲート電極１２５と、ゲート長方向の幅が比較的に小さい第２ゲート電極１２６と、ｐ型ウェル１０２における第１ゲート電極１２５及び第２ゲート電極１２６同士の間に形成されたＬＤＤ低濃度領域１３５と、該ｐ型ウェル１０２における第１ゲート電極１２５及び第２ゲート電極１２６のそれぞれの外側に形成されたＬＤＤ中濃度領域１３４とを有している。ＬＤＤ低濃度領域１３５の不純物濃度は、ＬＤＤ中濃度領域１３４の不純物濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐圧を向上させる。
【解決手段】半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。ｐ型ボディ領域４の側面とｎ型ドリフト領域３とのｐｎ接合部２２の上方に、そのｐｎ接合部２２に沿って、環状のゲート電極６が設けられる。このゲート電極６の一部を挟んでｎ型ドリフト領域３内及びｐ型ボディ領域４内にそれぞれ、ｎ型ドレイン領域７及びｎ型ソース領域８が設けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明はコンタクト開口をエッチングにより形成した場合にその下に位置する埋込絶縁膜がエッチングされないようにした構造の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、半導体基板と、半導体基板の主面に形成され活性領域を横断して素子分離領域まで延在するトレンチと、トレンチの下部側に形成された埋込型ゲート電極と、活性領域において埋込型ゲート電極の上方のトレンチ内を充填し、かつ、素子分離領域において埋込型ゲート電極の上方のトレンチ内を完全には充填せずにトレンチの内側面に接して配置されるサイドウォールを構成するキャップ絶縁膜と、素子分離領域においてサイドウォールの内側のトレンチを埋めて埋込型ゲート電極に接続形成されたパッドコンタクトプラグと、パッドコンタクトプラグおよびキャップ絶縁膜上を覆う層間膜と、パッドコンタクトプラグに接続するゲートコンタクトプラグとを具備してなる。 （もっと読む）

【課題】ＮＢＴＩを改善することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上部に形成されたｎ型ウェル領域１０２と、ｎ型ウェル領域１０２上に形成され、ゲート絶縁膜１０４と、下部ゲート電極１０５、及び下部ゲート電極１０５上に形成された上部ゲート電極１０６を含むゲート電極１２０とを有するｐチャネル型ＭＩＳトランジスタとを備える。下部ゲート電極１０５は、結晶粒界を有する多結晶の金属窒化物で構成されており、当該結晶粒界には金属窒化物を構成する元素とは異なる元素が偏析されている。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小面積化を実現する。
【解決手段】電極と、第１絶縁体と、バンドギャップが２ｅＶ以上の第１半導体と、第２絶縁体と、第２半導体とが積層されており、第１半導体に接する１つ以上の電極と、第２半導体に接する２つ以上の電極とを少なくとも備えることを特徴とする半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を回避すると共に、高い有効仕事関数値を得ることにより、高歩留まり及び高性能の半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】ダミー電極２２をマスクとして、ｎ型活性領域１３にｐ型の不純物イオンを導入することにより、ｎ型活性領域１３におけるダミー電極２２の両側方にｐ型のソースドレイン領域２５ｐを形成し、形成されたソースドレイン領域２５ｐに熱処理を施す。熱処理を施した後に、ｎ型活性領域１３の上に、ダミー電極２２を覆うように層間絶縁膜２６を形成し、形成された層間絶縁膜２６からダミー電極２２を露出し、露出したダミー電極２２を除去する。続いて、層間絶縁膜２６におけるダミー電極２２が除去された凹部２６ａに、第２の金属電極２７を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅ半導体層に、極浅かつ高濃度のキャリアからなるｎ型不純物領域を形成する。
【解決手段】ｎ型とｐ型のうちの一方の導電型の半導体基板と、半導体基板表面に選択的に設けられ、一方の導電型と異なる導電型の一対の不純物拡散領域と、一対の不純物拡散領域により挟まれた半導体基板上に設けられたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層の上に設けられたゲート電極とを備え、不純物拡散領域の少なくとも一部は、基板に含まれる不純物と同じ導電型で、かつ基板の不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電圧の閾値電圧がばらつくことを抑制することができると共に、チャネル抵抗を低減させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース領域４、ソース領域６、ドレイン領域７の不純物濃度を均一とし、第１、第２トレンチ８ａ、８ｂをベース領域４よりも浅く形成する。このような半導体装置では、ベース領域４、ソース領域６、ドレイン領域７の不純物濃度が均一とされているため、ゲート電圧の閾値電圧がばらつくことを抑制することができ、また、ソース領域６およびドレイン領域７を深くすることによりチャネル領域を有効に活用でき、チャネル抵抗を低減することができる。さらに、第１、第２トレンチ８ａ、８ｂをベース領域４より浅く形成しているため、ベース領域４のうち第１、第２トレンチ８ａ、８ｂより深く形成されている部分にはチャネル領域が形成されず、ソース領域６から深さ方向に電流が流れることを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの耐圧を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０内に形成された第１導電型の第１の不純物領域３２、４６と、半導体基板内に形成され、第１の不純物領域に隣接する第２導電型の第２の不純物領域３４、４８と、第２の不純物領域内に形成された第１導電型のソース領域３０ａ、４４ａと、第１の不純物領域内に形成された第１導電型のドレイン領域３０ｂ、４４ｂと、ソース領域とドレイン領域との間における第１の不純物領域内に、第２の不純物領域から離間して埋め込まれた、二酸化シリコンより比誘電率が高い絶縁層１４と、ソース領域とドレイン領域との間における第１の不純物領域上、第２の不純物領域上及び絶縁層上に、ゲート絶縁膜２２を介して形成されたゲート電極２４ａ、２４ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。
【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10¹⁹cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜（あるいは酸化膜）-半導体（MISあるいはMOS）構造を有する半導体装置（電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET)）に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、６００°Ｃ以下の低温においてゲート絶縁膜／シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図る。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタにおいて、ボロンの染み出しを抑制して閾値電圧を安定させると共に、ノイズを低減できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタをシリコン基板１上に備える半導体装置であって、
シリコン基板１上に設けられ、窒素とフッ素とを含有するシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜５と、ゲート酸化膜５上に設けられ、ポリシリコンからなるゲート電極７、８と、を有し、ゲート酸化膜５中のゲート電極７、８近傍の位置に窒素濃度のピークがあり、ゲート酸化膜５とシリコン基板１との界面付近の窒素濃度は０．５atom％以下であり、ゲート酸化膜５中におけるフッ素濃度は１atom％以上であり、当該フッ素によりゲート酸化膜５とシリコン基板１との界面のダングリングボンドが終端化されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留りを向上させる。
【解決手段】ウエハ（半導体ウエハ）ＷＨの主面１ａ側に、周縁領域１ｄからデバイス領域１ｃを経由して前記周縁領域に至る走査軌道１５に沿ってレーザ光ＬＺを照射し、ウエハＷＨの主面１ａ側を加熱するレーザアニール処理工程を以下のように行う。ウエハＷＨの周縁領域１ｄには、第１出力ＰＷ１でレーザ光ＬＺを照射し、ウエハＷＨのデバイス領域１ｃには、第１出力ＰＷ１よりも高い第２出力ＰＷ２でレーザ光ＬＺを照射する。そして、半導体基板１の線膨張係数をα１、絶縁膜の残存膜２の線膨張係数をα２、レーザ光ＬＺが照射された時の半導体基板１の温度をＴ１、レーザ光ＬＺが照射された時の残存膜２の温度をＴ２とした時、α１×Ｔ１≧α２×Ｔ２とする。 （もっと読む）