【課題】 ビーム断面が長尺化しても、シリンドリカルレンズのコスト増を抑制することができるレーザ照射装置を提供する。
【解決手段】複数のレーザ出射面が、相互に直交するＸ方向及びＹ方向に配列し、Ｚ方向にレーザビームを出射する。Ｘ方向に並ぶレーザ出射面の列に対応して第１のシリンドリカルレンズが配置されている。第１のシリンドリカルレンズは、レーザ出射面から出射したレーザビームを、ＹＺ面内において平行光線束にする。第１のシリンドリカルレンズを透過した複数のレーザビームが、第２のシリンドリカルレンズに入射する。第２のシリンドリカルレンズは、複数のレーザビームを、Ｘ方向に長い長尺領域に重ね合わせる。第２のシリンドリカルレンズは、Ｘ方向に配列された複数の光学部材を含ム。光学部材の各々は、Ｘ方向に平行な母線からなる柱面と、鏡面研磨されたＸ方向に垂直な端面とを含ム。相互に隣り合う光学部材の端面同士が密着している。 （もっと読む）

【課題】ラインビームとして成形されたレーザとの相互作用に対して膜を位置決めし、かつ例えばアモルファスシリコン膜を溶融させて例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するために膜を結晶化するように成形ラインビームのパラメータを制御するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に堆積されたアモルファスシリコンのような膜を選択的に溶融させるためのレーザ結晶化装置及び方法。装置は、膜を溶融させる際に使用される伸張レーザパルスを生成するための光学システムを含むことができる。本発明の実施形態の更に別の態様では、レーザパルスを伸張するためのシステム及び方法を提供する。別の態様では、ビーム経路に沿ったある位置でパルスレーザビーム（伸張又は非伸張）の発散を予め決められた範囲に維持するためのシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】円形以外の楕円ビームやラインビームを走査させ、照射対象面を改質するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】照射対象物１５を照射するレーザビーム３の走査位置を直交関係のＸ走査部４とＹ走査部５とで移動させるレーザビーム位置移動手段（４、５）と、前記レーザビーム３を光軸中心に走査角（θ_i）を回転させるレーザビーム回転手段２と、これらの手段の動作を制御するマイクロプロセッサ８と、前記制御に係る情報を記憶するメモリ９とを具備するレーザ照射装置１であって、前記レーザビーム３の短軸方向３ｂに走査方向Ｐ１を一致させ、刻々変化する前記レーザビーム３の所定の移動位置ごとに設定した前記走査角（θ_i）の方向に前記レーザビーム３を走査させる。 （もっと読む）

【課題】複数台の光学ユニット毎のアニールのばらつきの影響を抑制できる半導体薄膜結晶化方法及び半導体薄膜結晶化装置を提供する。
【解決手段】ｎ（ｎは２以上の整数）の光学ユニット１３のそれぞれで、第１のレーザービームＬＢをＬ（Ｌは２以上の整数）本の第２のレーザービームＬＢｓに分岐して基板１４に照射して、当該基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化させる半導体薄膜結晶化方法は、前記基板上に形成される画素４３が第１のピッチａで離間し、前記Ｌ本の第２のレーザービームはａ×ｎ×ｍ（ｍは１以上の整数）で表される第２のピッチで離間する場合、前記第２のピッチ内に在って、前記ｎ台の光学ユニットのある一台から照射された第２のレーザービームによって照射されず、当該第２のレーザービームで照射された画素に隣接する画素を前記ある一台の光学ユニットとは別の一台の光学ユニットにより照射する。 （もっと読む）

【課題】レーザ発振器からのレーザ光を伝送する光ファイバが大きなコア径を有していても、短手方向の寸法の小さなラインビームに成形することのできるレーザ光学系を提供する。
【解決手段】レーザ発振器２より出力されたレーザ光を伝送する第１の光ファイバ３と、第１の光ファイバ３より出射されたレーザ光をコリメートするコリメートレンズ４と、コリメートレンズ４より出射されたレーザ光を複数のセル５ａによって多点スポットのレーザ光に分光する球面アレイレンズ５と、第１の光ファイバ３よりも小さなコア径を有し、球面アレイレンズ５により多点に集光された各レーザ光を入射させ、且つ出射端６ｂがその軸線を互いに平行にして直線状に一列に配列された複数の第２の光ファイバ６と、複数の第２の光ファイバ６より出射されたレーザ光を照射面１２で直線状をなすレーザ光に成形する光学系７〜１１とによりファイバ転送レーザ光学系１を構成する。 （もっと読む）

【課題】小型のレーザ照射装置で光干渉がなく、連続した結晶成長を実現することである。
【解決手段】メガヘルツレーザビームを用い、分割したレーザビームを半導体膜に照射して、半導体膜を結晶化する。その際に分割ビームに光路差を設けて光干渉を抑える。光路差はメガヘルツレーザビームのパルス幅に相当する長さ以上、パルス発振間隔に相当する長さ未満に設定され、非常に短い光路差で光干渉を抑えることができる。そのためレーザのエネルギー劣化がなく効率的に且つ連続的にレーザビームを照射することができる。 （もっと読む）

【課題】 光学系を複雑化させることなく、均一なエネルギー密度のレーザ光を被照射体
に照射することができる、レーザ照射装置の提案を課題とする。
【解決手段】本発明のレーザ照射装置は、レーザ発振器と、被照射体の表面における一軸方向に、前記レーザ発振器から発振されたレーザ光によって形成されるビームスポットを繰り返し走査するための光学系と、前記表面において前記一軸方向と交差する方向に向かって、前記レーザ光に対する前記被照射体の相対的な位置を移動させるための位置制御手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体薄膜を低熱負荷で均一に改質することのできる熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１００の光学系は、一対の透明基板１０Ａ、１０Ｂと、透明基板１０Ａ、１０Ｂのそれぞれに設けられた透明電極１１Ａ、１１Ｂと、透明電極１１Ａ、１１Ｂに挟まれた液晶材１２と、透明基板１０Ａ、１０Ｂ、透明電極１１Ａ、１１Ｂおよび液晶材１２を挟む一対の偏光板１３Ａ、１３Ｂとを備えたライトバルブアレイ４を有している。透明電極１１Ｂは、ライトバルブアレイ領域１４内でマトリクス状に細分化され、それぞれの透明電極１１Ｂには、駆動回路１５の選択スイッチを介して独立に電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】エキシマレーザを光源として用いることなく、アモルファスシリコンの膜をムラ無くかつ安価に結晶化させることのできる光照射装置を提供する。
【解決手段】光照射装置１００は、複数の光源部１４と、複数の光源部１４から出射された光を集光して被照射物に向けて線状に照射するための板状のプリズム２０とを備えている。複数の光源部１４は、それぞれ、発光部１０及び発光部１０から発せられる光を反射する楕円鏡１２によって構成されている。楕円鏡１２の第１焦点もしくはその近傍に発光部１０が配置されており、楕円鏡１２の第２焦点もしくはその近傍にプリズム２０の光の入射面２２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】ビームスポットの面積を飛躍的に広げ、結晶性の劣る領域の占める割合を低減することができるレーザ照射装置の提供を課題とする。また連続発振のレーザ光を用いつつ、スループットをも高めることができる、レーザ照射装置の提供を課題とする。さらに本発明は、該レーザ照射装置を用いたレーザ照射方法及び半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】高調波のパルス発振の第１のレーザ光により溶融した領域に、連続発振の第２のレーザ光を照射する。具体的に第１のレーザ光は、可視光線と同程度かそれより短い波長（８９０ｎｍ以下程度）を有する。第１のレーザ光によって半導体膜が溶融することで、第２のレーザ光の半導体膜への吸収係数が飛躍的に高まり、第２のレーザ光が半導体膜に吸収されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３５ｎ秒以下、最大高さから最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンのアニーリングに高調波のＹＡＧレーザ光を使用した場合においても、安定して大きな結晶粒径のポリシリコンが得られるＹＡＧレーザアニーリング装置及びＹＡＧレーザ光によるアニーリング方法を提供する。
【解決手段】ＹＡＧレーザアニーリング装置１は、レーザ光源２からＰ偏光又はＳ偏光のＹＡＧレーザ光を出射する。レーザ光の光路上には、偏光ビームスプリッタ３と、λ／４板４と、部分透過ミラー５と、レーザ光の位相を遅らせる位相遅延部６とがこの順に配置されている。そして、レーザ光源２から出射した１パルスのレーザ光を部分透過ミラー５及び位相遅延部６により複数個のパルスに分割して、アニーリング用のレーザ光として順次取り出し、レーザ光の照射時間を延長するとともに、アモルファスシリコンを徐々に冷却し、結晶粒径を拡大する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長のレーザ光をそれぞれにパルス幅を延ばした上で出射させることができるようにする。
【解決手段】基本波と共に第２高調波，第３高調波を含むレーザ光を、ダイクロイックミラー３１，３２によって波長毎のレーザ光Ｌ１〜Ｌ３に分離する。それぞれを、偏光ビームスプリッタ５１（Ｌ１）〜５１（Ｌ３）によってＰ偏光成分Ｌ１Ｐ〜Ｌ３ＰとＳ偏光成分Ｌ１Ｓ〜Ｌ３Ｓとに分離する。Ｓ偏光成分Ｌ１Ｓ〜Ｌ３Ｓを、一対の全反射ミラー４２（Ｌ１）〜４２（Ｌ３），４３（Ｌ１）〜４３（Ｌ３）によって、Ｐ偏光成分Ｌ１Ｐ〜Ｌ３Ｐに直交する方向に屈折させる。そして、Ｐ偏光成分Ｌ１Ｐ〜Ｌ３ＰとＳ偏光成分Ｌ１Ｓ〜Ｌ３Ｓとを、偏光ビームスプリッタ５２（Ｌ１）〜５２（Ｌ３）で波長毎に同一光軸上に合成する。更に、偏光成分を合成した波長毎のレーザ光Ｌ１〜Ｌ３を、ダイクロイックミラー３３，３４によって同一光軸上に合成して出力する。 （もっと読む）

【課題】同種の基板の基板搬送方向と交差方向にオフセットした位置に光を照射する場合にも、移動中の基板に対する追従性を良好にする。
【解決手段】基板の搬送方向と交差する方向に一定の配列ピッチで形成され、光を通過させる複数のマスクパターン２と、基板上に設けられた複数のパターンの基板搬送方向と交差方向の配列ピッチの整数倍に等しい間隔を有して基板搬送方向に平行に形成された一対の細線４ａ，４ｂを備えた構造をなし、複数のマスクパターン２に対して基板搬送方向と反対側の位置に基板搬送方向に相互に一定距離はなれて配置されると共に、一対の細線４ａ，４ｂ間に予め設定された基準位置が基板搬送方向と交差する方向に予め定められた距離だけ相互にずれた状態に形成された複数のアライメントマーク４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールに際し、レーザ出力の変動に拘わらず結晶化の均一性を確保する。
【解決手段】パルスレーザ光を非単結晶半導体膜であるシリコン膜に照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する半導体膜のレーザアニール装置において、第１ピークに最大ピーク高さを有するパルスレーザ光を出力するレーザ発振器１と、パルスレーザ光を非単結晶半導体膜に導く光学系４と、非単結晶半導体膜に照射されるパルスレーザ光のパルス波形における最大ピーク高さを測定する最大ピーク高さ測定部と、最大ピーク高さ測定部の測定結果を受けて、レーザ発振器１の発振条件の変化により変化するパルス波形において最大ピーク高さが所定の高さとなるように、レーザ発振器１から出力されるパルスレーザ光のレーザパルスエネルギーまたは可変減衰器２の減衰率を制御する制御部８を備える。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用いた被処理体のアニール処理においてレーザエネルギーの利用効率を改善する。
【解決手段】被処理体表面にレーザ光を照射して該被処理体のアニール処理を行うレーザアニール装置において、レーザ光を前記被処理体に導いて照射する第１の光学系と、前記被処理体に照射されて反射したレーザ光を前記被処理体に導いて再照射する第２の光学系とを有するレーザアニール装置を用いて、レーザ光を前記被処理体に導いて照射するとともに、該被処理体に照射されて反射したレーザ光を前記被処理体に再照射してレーザアニールすることで、被処理体表面から反射されるレーザ光を利用してレーザエネルギー利用率を上げることができ、また、前記再照射を前提にしてラインビームの長軸の長さを長くしたり、最大エネルギー密度を上げたりすることができる。 （もっと読む）

【課題】被照射物内に厚さのばらつきが存在する場合であっても、被照射物に対してレーザ光の照射を均一に行うレーザ光の照射方法を提供する。
【解決手段】厚さのばらつきが存在する被照射物にレーザ光を照射する際に、オートフォーカス機構を用いることによって、被照射物の表面にレーザ光を集光するレンズと被照射物間との距離を一定に保ちながらレーザ光の照射を行う。特に、レーザ光に対して被照射物を被照射物の表面に形成されたビームスポットの第１の方向および第２の方向に相対的に移動させて、被照射物にレーザ光の照射を行う場合に、第１の方向および第２の方向のいずれかの方向に移動させる前にオートフォーカス機構によってレンズと被照射物間との距離を制御する。 （もっと読む）

【課題】レーザを照射して薄膜トランジスタに用いる微結晶薄膜を形成する工程において、結晶性の周期的な劣化を回避し、安定して均一性能の微結晶膜を形成することができる平面表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】連続発振レーザ光を非晶質シリコン膜表面に照射し、一定の速度でレーザを基板に対して相対的に走査しながら結晶化する際に、非晶質シリコン膜の一領域あたりへのレーザ照射時間が０．１ｍｓ以上となるように走査し、結晶化を行う。 （もっと読む）