【課題】オン抵抗の低減を図ることが可能な炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１０は、主表面を有する炭化珪素基板１０であって、主表面の少なくとも一部に形成されたＳｉＣ単結晶基板１と、ＳｉＣ単結晶基板１の周囲を囲むように配置されたベース部材２０とを備える。ベース部材２０は、境界領域１１と下地領域１２とを含む。境界領域１１は、主表面に沿った方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、内部に結晶粒界を有する。下地領域１２は、主表面に対して垂直な方向においてＳｉＣ単結晶基板１に隣接し、ＳｉＣ単結晶基板１における不純物濃度より高い不純物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防止することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素から作られた第１および第２の被支持部１１、１２の各々と、炭化珪素から作られた支持部３０とが互いに対向し、かつ第１および第２の被支持部１１、１２の間に隙間ＧＰが設けられるように、第１および第２の被支持部１１、１２、および支持部３０が配置される。支持部３０の炭化珪素を昇華および再結晶させることで、第１および第２の単結晶基板１１、１２の各々に支持部３０が接合される。この際、隙間ＧＰにつながるように支持部３０に貫通孔ＴＨが形成されることで、隙間ＧＰおよび貫通孔ＴＨを通って流体が通過し得る経路ＰＴが形成される。この経路ＰＴを塞ぐことで、炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１は、炭化珪素からなるベース層１０と、単結晶炭化珪素からなり、ベース層１０上に配置され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低いＳｉＣ層２０と、炭化珪素からなり、ベース層１０の、ＳｉＣ層２０とは反対側の主面１０Ｄ上に形成され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低い被覆層９０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、坩堝７０内においてＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに面するようにベース基板１０を配置する工程と、坩堝７０内において、ベース基板１０を、ベース基板１０を構成する炭化珪素の昇華温度以上の温度域に加熱することによりＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに接触するように炭化珪素からなるベース層１０を形成する工程とを備えている。そして、ベース層１０を形成する工程では、坩堝７０内に、ＳｉＣ基板２０およびベース基板１０とは別の、珪素を含む物質からなる珪素発生源９１が配置される。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板１０および単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、ベース基板１０の主面１０Ａ上に接触するようにＳｉＣ基板２０を載置して、積層基板を作製する工程と、積層基板を、ＳｉＣ基板２０よりもベース基板１０の温度が高くなるように加熱することにより、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とを接合する工程と、ＳｉＣ基板２０が接合されたベース基板１０の、ＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂ上にエピタキシャル成長層３０を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、坩堝８０内においてＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに面するようにベース基板１０を配置する工程と、坩堝８０内において、ベース基板１０を、ベース基板１０を構成する炭化珪素の昇華温度よりも高い温度域に加熱することにより、ＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに接触するように炭化珪素からなるベース層１０を形成する工程とを備えている。そして、ベース層１０を形成する工程では、坩堝８０内に珪素を含有するガスが導入される。 （もっと読む）

【課題】アモルファス薄膜の溶融結晶化時に生じる凹凸の影響を受けないようなトップゲート型ＴＦＴ素子などの作製が可能な結晶化半導体薄膜の製造方法および該凹凸が表面にない結晶化半導体薄膜を提供する。
【解決手段】本発明の結晶化半導体薄膜の製造方法は、第１基板１上層に剥離層２を介して剥離可能に形成したアモルファス半導体薄膜４ａを溶融結晶化させ、その後、結晶化した結晶化半導体薄膜４ｐの表面側を接合面にして接着剤６を介して第２基板５上層に前記結晶化半導体薄膜４ｐを接合するとともに該結晶化半導体薄膜４ｐを第１基板側１から剥離する。本発明の結晶化半導体薄膜は、基板上層に設けられた結晶化半導体薄膜であって、該結晶化半導体薄膜は、前記基板上層に接合層を介して接合されており、かつ該接合層に対する接合面側に溶融結晶化に伴う凹凸形状を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、能動領域の欠陥を低減した半導体デバイスの制作方法を提供する。
【解決手段】本願発明は、表面照射光センサを製作する方法であって、
（ａ）能動領域の半導体ピクセルのアレイを形成する工程と、
（ｂ）各ピクセル内に、隔離された互いに反対の導電性タイプの接触領域を形成する工程と、
（ｃ）前記接触領域への金属コンタクトを形成し、各ピクセル内で、前記金属コンタクトが、前記接触領域の上部表面面積の総計の少なくとも約３０％を覆う工程とを含む、方法に関する。 （もっと読む）

【課題】第１のコンタクトプラグのゲート電極への短絡を防止する。第1の不純物拡散層と第１のコンタクトプラグの接続抵抗、及び第１と第２のコンタクトプラグの接続抵抗を低減することにより、縦型ＭＯＳトランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】シリコンピラー上部に、非晶質シリコン層及び単結晶シリコン層を形成する。次に、２度の選択エピタキシャル成長法により、シリコンピラー上に順に非晶質シリコン層、及び非晶質シリコンゲルマニウム層を形成する。この後、熱処理により、シリコンピラー上部に単結晶シリコン層を有する第１の不純物拡散層を形成すると同時に、シリコンピラー上に単結晶シリコン層及び多結晶シリコンゲルマニウム層を有する第１のコンタクトプラグを形成する。次に、第１のコンタクトプラグに接続されるように、金属から構成される第２のコンタクトプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶層を有する炭化珪素基板中にボイドが形成されることを防止することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】材料基板２２の主面の第１の領域上に炭素層３１が形成される。第１の単結晶層１１の第１の裏面Ｂ１と、第２の単結晶層１２の第２の裏面Ｂ２との各々が材料基板２２の主面の第２の領域Ｒ２に面する部分を有するように、かつ第１の単結晶層１１の第１の側面Ｓ１と第２の単結晶層１２の第２の側面Ｓ２とによって挟まれた空隙ＧＰが炭素層３１上に配置されるように、第１および第２の単結晶層１１、１２が材料基板２２上に並べられる。材料基板２２と第１および第２の単結晶層１１、１２とを加熱することによって、第１および第２の裏面１１、１２の各々と接合したベース基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶層を有する炭化珪素基板中にボイドが形成されることを防止することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】材料基板２２の主面Ｍ２の第１の領域Ｒ１を覆う昇華防止層３１が形成される。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２によって挟まれた空隙ＧＰが昇華防止層３１上に配置されるように、材料基板２２上に第１および第２の単結晶層１１、１２が並べられる。材料基板２２と第１および第２の単結晶層１１、１２とを加熱することによって、主面Ｍ２の第２の領域Ｒ２から昇華した炭化珪素を、第１の単結晶層１１の第１の裏面Ｂ１および第２の単結晶層１２の第２の裏面Ｂ２の各々の上に再結晶させることで、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と接合したベース基板３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法、半導体基板の再生に適した方法を用いた再生半導体基板の作製方法、及び当該再生半導体基板を用いたＳＯＩ基板の作製方法の提供を目的とする。
【解決手段】損傷した半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層が除去されるエッチング処理と、半導体基板を構成する半導体材料を酸化する物質、酸化された半導体材料を溶解する物質、及び、半導体材料の酸化の速度及び酸化された半導体材料の溶解の速度を制御する物質、を含む混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域が優先的に除去されるエッチング処理と、レーザ光照射工程と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】単結晶構造を有するＳｉＣから作られた領域と、炭化珪素から作られた支持部とを有し、かつ両者の界面の電気抵抗を低減することができる半導体基板を提供する。
【解決手段】支持部３０は炭化珪素から作られている。少なくとも１つの層１１の各々は第１および第２の面Ｂ１、Ｆ１を有する。第１の面Ｂ１は支持部３０に支持されている。少なくとも１つの層１１の各々は第１および第２の領域６１、６２を有する。第１の領域６１は単結晶構造の炭化珪素から作られている。第２の領域６２はグラファイトから作られている。第２の面Ｆ１は第１の領域６１によって形成された面を有する。第１の面Ｂ１は、第１の領域６１によって形成された面と、第２の領域６２によって形成された面との各々を有する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減することができるＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ、ＧａＮ−ＩＧＢＴ、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（Ｍ）１６とＳｉＮゲート絶縁膜（Ｉ）１３と半導体層（ＧａＮ）１２とのＭＩＳ構造を有するＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ１５０であって、半導体層は、オーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域１４が離間した２箇所に形成され、ＳｉＮゲート絶縁膜は、２箇所のオーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域の基板反対側表面に熱ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ膜である。 （もっと読む）

【課題】第１導電型カラムと第２導電型カラムのチャージバランスばらつきを低減する超接合半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】高濃度第１導電型半導体基板１の主面に垂直方向に長い形状であって、主面に平行方向では交互に隣接配置される第１導電型カラム４と第２導電型カラム５からなる並列ｐｎカラムを有する超接合構造部１０を形成する超接合半導体装置の製造方法において、前記第２導電型カラム５を形成するための第２導電型不純物のイオン注入をする際に、前記高濃度第１導電型半導体基板１を室温（２４℃）未満に冷却された状態に保持してイオン注入する超接合半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度のような電気的特性の優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、＜０１−１０＞方向における（０−３３−８）面に対するオフ角が−３°以上＋５°以下である主表面２Ａを有し、炭化珪素からなる基板２と、基板２の主表面２Ａ上にエピタキシャル成長により形成され、炭化珪素からなるｐ型層４と、ｐ型層４の表面に接触するように形成された酸化膜８とを備えている。そして、ｐ型層４と酸化膜８との界面から１０ｎｍ以内の領域における窒素原子濃度の最大値は１×１０^２１ｃｍ^−３以上となっている。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の構造的及び化学量論的特性を保ったまま、窒化物本体を横方向及び縦方向で空間的に規定された選択ドーピングを達成しうるインシチュドーパント注入及び成長を提供する。
【解決手段】窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を可能にする方法は、ドーパント注入装置及び成長室を有する複合窒化物室中に、窒化物半導体本体に対する成長環境を確立するステップと、成長室内で窒化物半導体本体を成長させる成長ステップと、ドーパント注入装置を用いて成長室内で窒化物半導体本体にインシチュ状態でドーパント注入を行う注入ステップとを具える。この方法を用いて形成する半導体デバイスは、サポート基板上に形成した第１導電型の窒化物半導体本体と、窒化物半導体本体の成長中にこの窒化物半導体本体のインシチュドーパント注入により形成され、第２導電型を有する少なくとも１つのドープ領域とを具える。 （もっと読む）

【課題】周縁耐圧構造部における低濃度第１導電型エピタキシャル層の形成の際の不純物濃度変動またはオートドープによる不純物濃度ばらつきを防ぎ、耐圧の低下を防ぐことのできる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】超接合半導体装置のドリフト層を構成する並列の第１導電型領域４と第２導電型領域５からなる超接合構造のうち、前記第１導電型領域４をエピタキシャル成長によって形成する際に、第１導電型ドーピングガスを半導体ソースガスよりも早くエピタキシャル成長ラインへ導入する超接合半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）