【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】少ない薬品の使用量で、ウェーハ表面に付着した有機物および金属等の微粒子をより精度高く除去することができるシリコンウェーハの表面浄化方法を提供する。
【解決手段】オゾンガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に酸化膜を形成させ（ステップＳ１）、フッ化水素ガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去し（ステップＳ２）、シュウ酸またはクエン酸のジカルボン酸の薬液を用いてウェーハ表面を洗浄し、微粒子の再付着防止と金属粒子の除去とを行い（ステップＳ３）、さらに、オゾン水を用いてウェーハ表面を洗浄して微粒子を除去するとともに、更なる酸化膜の形成を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下とすることが可能な液浸露光装置を提供する。
【解決手段】投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、露光対象膜を有する半導体基板を載置し、退避可能な基板ステージ１７、投影光学１４系下端部と露光対象膜との間に液浸液を満たすように供給する液浸液供給部３２及び液浸液を排出する液浸液排出部３６と液浸液排出管３７、基板ステージ１７を置き換えて、投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、供給口から排出口へ流れる洗浄液２５または液浸液を保持し、退避可能な洗浄ステージ１５、洗浄ステージ１５中に、液浸液と接した接触領域を含むように洗浄液２５を供給する洗浄液供給部２１及び洗浄液を排出する洗浄液排出管２８、並びに、液浸液排出管３７に配設され、液浸液中の洗浄液２５の濃度を測定する濃度測定器３０を備える。 （もっと読む）

【課題】オゾン水による効率的な洗浄を可能とする洗浄装置、及びそのような洗浄装置に用いることができるオゾン水生成装置を提供する。
【解決手段】電子部品洗浄装置１は、オゾンガスを濃縮するオゾンガス濃縮部３０と、オゾンガス濃縮部３０で得られた濃縮オゾンガスを水に溶解させてオゾン水を得るオゾンガス溶解部５０と、オゾンガス溶解部５０で得られたオゾン水で電子部品を洗浄する洗浄部７０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ２の表面にノズル２１からエッチング液を供給してウェーハ２の表面を１枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル２１をウェーハ２の回転中心Ｏ_１を通る揺動軌跡Ｌでウェーハ２の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置２４を備えるとともに、ノズル２１が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口２１ａを有するように構成する。 （もっと読む）

【解決手段】ガスを分散されて含む洗浄流体は、ガスを溶解されて含む液体をバブルマシン内で減圧して気液分散を発生させることによって、キャビテーションを誘発するための超音波エネルギの使用を回避している。洗浄流体は、ホルダと、超音波エネルギまたはメガソニックエネルギを物品に供給するための振動器とを含む装置を使用して半導体ウエハなどの物品を洗浄するために使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む硝酸を用いずに、シリコン原料の表面に付着した異物又は表層に拡散した異物等を効率良く除去する。
【解決手段】シリコン原料に清浄化水溶液を適用することによりシリコン原料の表面を清浄化する。清浄化水溶液はマイクロバブル状態のオゾンと液中に溶存するオゾンとフッ化水素酸とを含み、上記マイクロバブルが平均直径１〜１００μｍで１〜２０体積％のボイド率で清浄化水溶液中に分散する。清浄化水溶液中のフッ化水素のモル濃度を[ＨＦ](ｍｏｌ／リットル)とし、オゾンマイクロバブルのボイド率及び平均直径をそれぞれｆ(体積％)及びｄ(μｍ)とし、フッ化水素とマイクロバブルの混合比率に関する指数をＡとするとき、清浄化水溶液がフッ化水素とマイクロバブルを[ＨＦ]／（[ＨＦ]＋１００ｆ／ｄ）＝Ａで規定する組成で含みかつ混合比率指数Ａが０．０５〜０．３である。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】洗浄ムラの発生を防止して、洗浄後の被洗浄物の品質の低下を防止することができる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄装置１は、基板１２を搬送する搬送コンベア３と、搬送される基板１２に対して、搬送コンベアの搬送方向と直交する全幅に渡って、洗浄剤１０を帯状に連続的に吹き付けて、基板１２を洗浄する洗浄剤吹き付けノズル４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）

【解決手段】枚葉式ウエハ湿式処理のための装置におけるスピンチャックは、ウエハのエッジ周りでウエハのチャック対向面から流れるガスを方向付けてウエハの非チャック対向面から離れるようにガスを排出する一連の環状ノズルを、支持されたウエハと共に形成する構造を周囲に有しており、それによって、非チャック対向面に供給された処理流体がウエハのエッジ領域に触れることを防止する。拡大ヘッドを備えた保持ピンがウエハエッジと係合し、高流量のガスが利用された場合にウエハが上方にずれることを防ぐ。 （もっと読む）

【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）

【課題】処理液補充方法と関連させることによって、より効率的に処理液を交換できるような、枚葉式の基板液処理装置における循環ラインの液交換方法を提供すること。
【解決手段】枚葉式の基板液処理装置１０であって、処理液を循環させる循環ライン１２と、前記循環ライン内に設けられたタンク１３と、前記タンクに設けられた液面レベルセンサ１４と、前記液面レベルセンサの出力に従って、前記タンク内に新しい処理液を補充する液補充部１５と、所定の液廃棄条件と連動して設定される所定の補充停止条件に従って、前記液補充部の作動を停止させると共に、前記所定の液廃棄条件で前記タンク内の処理液を全て廃棄させる液交換制御部１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための硫酸と過酸化水素水との混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を循環させる循環路４１０、２２に設けられて混合液を加熱し、過酸化水素水供給部４２０は、循環路４１０、２２における加熱部４１２の下流側であって、当該循環路４１０、２２の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給する。制御部５は、液温検出部２５の温度検出値に基づいて処理槽２１内の液温を１３５℃〜１７０℃の範囲の設定温度に調節すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために硫酸供給部４３０より硫酸を補充供給するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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平坦な基板の基板表面を基板下面においてプロセス媒質によって処理する方法において、プロセス媒質は、基板表面に対する除去又はエッチング効果を有する。基板は、水平に配置された方式により、下方からプロセス媒質によって湿潤される。上向きの基板上面は、基板上面に対して作用するプロセス媒質に対する保護として、水又は対応する保護液体により、大きなエリアにわたって又はエリアの全体にわたって、湿潤又はカバーされる。
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【課題】不具合が発生した場合でも、装置全体を停止することなく基板処理を継続できる可能性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送するための第１、第２の基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂと、当該基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂの左右両側に各々設けられ、同一の処理が行われる処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４と、を備えた第１、第２の処理ブロック１４ａ、１４ｂを備えている。処理ユニットの列Ｕ１、Ｕ３及び、他方側の処理ユニットの列Ｕ２、Ｕ４は各々共通化された処理流体の供給系３ａ、３ｂと接続されている。そしていずれかの基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂ、処理流体の供給系３ａ、３ｂに不具合が発生すると、健全な基板搬送機構１４１ｂ、１４１ａ、処理流体の供給系３ｂ、３ａが受け持つ処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４にて基板Ｗを処理する。 （もっと読む）

【課題】煩雑な操作を必要とすることなく、比較的簡単な操作で、ウエハの洗浄に使用する超純水中にｎｇ／Ｌ（ｐｐｔ）レベルの金属イオンが存在していても、ウエハ表面を金属元素で汚染させることのないウエハの洗浄技術を提供する。
【解決手段】金属イオンと親和性のある物質を超純水に添加してなるウエハ用洗浄水。このウエハ用洗浄水を用いたウエハの洗浄方法。ウエハ洗浄用の超純水中に、金属イオンと親和性のある物質を添加しておくことにより、これが超純水中の金属イオンを捕捉して水中に安定に存在させることにより、洗浄時にウエハ表面へ移行して付着することを有効に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】他の基板に優先して処理開始すべき基板と、通常のスケジュールで処理される基板とを並行して処理することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
処理ブロック１４ａ（１４ｂ）は、基板搬送部１４１ａ、１４１ｂを用いて、基板搬入ブロック１１から搬入された基板Ｗに対し、複数の処理ユニット２にて同種の処理を行い、制御部５は他の基板Ｗよりも処理を優先する優先基板ＷＰが搬送される場合に、複数の処理ユニット２の一部または全部が割り振られた優先処理ユニット２Ｐのうち、次の基板Ｗの搬入が可能になった優先処理ユニット２Ｐに、他の基板Ｗに優先して優先基板ＷＰを搬入して処理を行う。 （もっと読む）