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Fターム[5F157BB66]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 洗浄の補助 (842) | 洗浄液の加熱冷却 (296)

Fターム[5F157BB66]に分類される特許

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【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る2以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び/又はC4以上のモノアルコールのうち少なくとも1種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 (もっと読む)


【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】a)処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること;b)液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること;及びc)水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び/または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 (もっと読む)


【課題】 高圧蒸気を用いて被洗浄物を洗浄し且つ該被洗浄物の乾燥を行う洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】 所定の軸を中心に被洗浄物を回転可能に支持するステージユニットと、被洗浄物に対して飽和蒸気を吹き付け可能なノズル部と、ステージユニット及びノズル部を収容する筐体と、筐体から洗浄により生じた物質を排出するための排気系と接続される排気管と、飽和蒸気を生成する飽和蒸気発生ユニットと、を有しステージユニットは飽和蒸気の吹き付け時の低速回転モードと、被洗浄物を乾燥させるための高速回転モードとを有する。 (もっと読む)


【課題】蛋白質汚れに対して良好な洗浄力を示し、アルマイトに対する防食性に優れ、且つ保存安定性に優れたアルマイト用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルカノールアミン、(B)脂肪族カルボン酸及び/又はその塩、並びに、(C)ポリカルボン酸及び/又はその塩を、それぞれ特定範囲の質量%で含有するアルマイト用洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、ウエハ21に対してSPM液を吐出する吐出機構50と、吐出機構50に硫酸を供給する第1液供給機構12と、吐出機構50に過酸化水素水を供給する第2液供給機構14と、を備えている。第1液供給機構12は、第1温度に加熱された第1の液を保持する一次温調機構30と、一次温調機構30に接続された二次温調機構40と、二次温調機構40と吐出機構50を接続する吐出ライン51と、を有している。二次温調機構40は、一次温調機構30の第1循環ライン33から分岐し、一次温調機構30に戻る第2循環ライン41と、第2循環ライン41に設けられ、第1の液を第1温度よりも高い供給温度に加熱する第2加熱器42と、を有している。吐出ライン51は、第2加熱器42よりも下流側で第2循環ライン41から切替弁44を介して分岐している。 (もっと読む)


【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽4内の第1の処理液に、物品Wを浸漬させたまま、処理槽4内に第2の処理液を供給し、処理槽4の上部から第1の処理液を排出し、処理槽4内の第1の処理液を第2の処理液に置換する。物品Wを第2の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第2の処理液から物品Wを引き上げる。この際に、第1の処理液としてアルコール水溶液を用い、第2の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 (もっと読む)


【課題】薬液処理中あるいは天板の洗浄中に、天板に付着した薬液または洗浄液が望ましくない態様で飛散することを防止する。
【解決手段】液処理装置は、基板(W)を水平に保持して回転させる基板保持部(21)と、基板保持部に保持された基板に対して処理液を供給する処理液ノズル(82)と、基板保持部に保持されたときの基板の周縁の外方に位置するよう設けられた、処理液ノズルにより基板に供給された後の処理液を受けるためのカップ(40)と、基板保持部に保持された基板を上方から覆う天板(32)と、天板を回転させる天板回転駆動機構と、天板の周縁を囲んで天板の外方に位置するように設けられ、天板から飛散する液体を受ける環状の液受け空間(132)を有する液受け部材(130)とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ312を形成する。フランジ312の下面312aが基板表面Wfに近接対向配置される。ノズル筐体311の中央下部に設けたガス吐出口30から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Wfとフランジ312の下面312aとの間隙空間を基板表面Wfに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】小径の処理液の液滴を均一に噴霧できる2流体ノズル及び同2流体ノズルを用いた基板液処理装置並びに基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、液体吐出部(48)から吐出した処理液と気体吐出口(52)から吐出した気体とを混合して生成した処理液の液滴を被処理体に向けて噴霧する2流体ノズル(34)及び同2流体ノズル(34)を用いた基板液処理装置(1)並びに基板液処理方法において、液体吐出部(48)は、気体吐出口(52)の内側に円周中心部に対して外側方向へ向けて処理液を吐出する複数の液体吐出口(47)を同一円周上に配置することにした。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。回転カップ40の周囲には、上部に上部開口50nが形成された筒状のカップ外周筒50が昇降自在に設けられている。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時にSPM液が基板に再付着することを抑制することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32には、水平面上で当該天板32を回転させる天板回転機構が設けられている。カップ40の周囲に配設された筒状のカップ外周筒50は、その上端がカップ40の上方にある上昇位置と、上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降するようになっている。ノズル82aを支持するノズル支持アーム82は、カップ外周筒50が上昇位置にあるときに当該カップ外周筒50の側面の側面開口50mを介してカップ外周筒50内に進出した進出位置とカップ外周筒50から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。清浄化されたガスを下方向に流すためのエアフード70は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で昇降するようになっている。 (もっと読む)


【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したSPM液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板32の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル82aが一のノズル支持アーム82qにより支持されており、このノズル支持アーム82qは、天板32の下方にノズル82aが位置するような天板洗浄位置と、天板32の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 (もっと読む)


【課題】DHF処理後に実施されるHPM処理またはAPM処理を、良好に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、槽内で、シリコン基板を含むウエハを希フッ酸処理する工程と、槽内に水を導入して、槽内から希フッ酸を排出する工程と、槽内から希フッ酸が排出された後、温水の導入時点が、Hの導入時点と同時かHの導入時点よりも遅くなるように、槽内に、Hと、上記水よりも温度の高い温水とを導入する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器25、硫酸溶液を電解する電解セル4、バッチ式洗浄機2で使用された硫酸溶液を冷却器25、電解セル4をこの順に介してバッチ式洗浄機2に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機2で使用された硫酸溶液を冷却器25を介さずにバッチ式洗浄機2に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機2から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン10を有し、共通排液ライン10の下流側端部にある分岐点10aからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン10に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ21を備える。 (もっと読む)


【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート1100及びインデックスロボット1200を有するインデックス部1000と、基板処理を遂行する処理部200と、処理部200とインデックス部1000との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット4000と、を含み、処理部200は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 (もっと読む)


【課題】研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】平均付加モル数が10〜90である炭素数2〜4のオキシアルキレン基と、アニオン性基(カルボン酸基を除く)又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25℃におけるpHが0.5を超え5.0未満である、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】液処理の工程に応じて基板の上方における気流の状態を最適化可能な液処理装置、および液処理方法を提供すること。
【解決手段】基板Wを液処理する液処理装置1において、基板Wを水平に支持し、回転可能な支持部材10と、支持部材10の外周部13との間に環状間隙GPを形成する間隙形成部材20と、基板Wに上方から処理液を供給する液供給部材30と、環状間隙GPを取り囲み、環状間隙GPを介して、回転する基板Wから振り切られる処理液を回収するカップ40と、間隙形成部材20を昇降させる昇降機構122とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層(52)を形成するノズル(40)を備えた液層保持手段(25)と、基板(2)の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段(24)と、ノズル(40)を基板(2)に近接させる昇降機構(41a)とを有し、ノズル(40)に形成した液層(52)を基板加熱手段(24)で加熱した基板(2)の表面の熱で沸騰させて基板(2)の表面と液層(52)との間に蒸気層(60)を形成するように昇降機構(41a)を制御して、基板(2)の表面を洗浄することにした。 (もっと読む)


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