【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第１循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の接触角が小さい場合であっても、パーティクルの除去率を増大させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗは、表面Ｗｆを上方に向けた略水平姿勢の状態でスピンチャック２に保持される。その後、疎水化剤吐出ノズル５から基板Ｗの表面Ｗｆに疎水化剤が供給されて、基板Ｗの表面Ｗｆが疎水化される。その後、処理液吐出ノズル９７から基板Ｗの表面Ｗｆに処理液が供給されることにより処理液の液膜が形成される。その後、冷却ガス吐出ノズル３から基板Ｗの表面Ｗｆに冷却ガスが吐出されて、液膜が凍結される。その後、融解液吐出ノズル６から基板Ｗの表面Ｗｆに融解液が吐出されて、凍結膜が融解、除去される。 （もっと読む）

【課題】各構成装置の配置の自由度が低下するのを防止することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造システム１０は、高温でウエハＷを処理する熱処理装置１２と、低温でウエハＷを処理する洗浄装置１３と、熱処理装置１２及び洗浄装置１３と着脱自在であり、熱処理装置１２と接続された場合に高温の冷却ガスが供給され、洗浄装置１３と接続された場合に低温の加熱ガスが供給される蓄熱モジュール１４とを備え、蓄熱モジュール１４は相変化材料５７が含浸された蓄熱材５２を内蔵し、供給される高温の冷却ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも高い場合には、相変化材料５７が高温の冷却ガスから熱エネルギーを受け取って蓄積し、供給される低温の加熱ガスの温度が相変化材料５７の温度よりも低い場合には、相変化材料５７が低温の加熱ガスへ蓄積された熱エネルギーを受け渡す。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において処理液の飛散を抑制する。
【解決手段】基板処理装置では、回転する基板９の上面に向けてノズル３４から処理液を吐出することにより、基板９に対する洗浄処理が行われる。基板処理装置では、ノズル３４から吐出された処理液が基板９に接触する位置における処理液の接触方向の水平成分が、接触位置における基板９の回転の接線方向を向く、または、当該接線方向から径方向外側に傾斜する。これにより、基板９上の処理液の基板９の回転に伴う移動が、ノズル３４からの吐出される処理液により阻害されることが抑制される。その結果、基板９上を移動する処理液とノズル３４から吐出される処理液との衝突の勢いが低減され、基板９から上方へと処理液が飛散することをより抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置において、基板中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止する。
【解決手段】基板処理装置のチャンバ内では、複数の開口６３０が形成された整流板６３が、基板の上方に配置される。整流板６３は、チャンバ上部の導入口から導入されたエアを整流し、チャンバ内にダウンフローを発生させる。整流板６３では、基板の中央部の真上に位置する中央領域６３１における開口６３０の分布密度が、中央領域６３１の周囲の周辺領域６３２における開口６３０の分布密度よりも大きいため、中央領域６３１の開口率が周辺領域６３２の開口率よりも大きい。これにより、基板の中央部におけるダウンフローを、基板の中央部以外の部位におけるダウンフローよりも強くすることができる。その結果、基板の中央部から上方へと処理液雰囲気が拡散することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。
【解決手段】 連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、
前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするＳＰＭ洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 （もっと読む）

【課題】密閉された真空容器の内部を洗浄し、真空容器内に堆積した塩化物を除去することができるドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】真空容器１０と、前記真空容器１０内にハロゲン系ガスを導入するガス供給手段１１と、前記真空容器１０内を排気して所定の圧力にする排気手段１２と、前記真空容器１０内に被処理物を載置するための置台１３と、前記真空容器１０内を加熱する加熱手段１４とを具備するドライ洗浄装置１において、前記真空容器１０内に洗浄液２０を導入して排出する液導入排出手段１５と、前記排気手段１２とは別に設けられ前記真空容器１０内を排気して乾燥する乾燥排気手段１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸０．０５〜５０重量％、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の錯化剤０．０１〜３０重量％、〔III〕炭素数１〜５の飽和脂肪族１価アルコール、炭素数３〜１０のアルコキシアルコール、炭素数２〜１６のグリコール、炭素数３〜２０のグリコールエーテル、炭素数３〜１０のケトン及び炭素数２〜４のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒０．０５〜５０重量％を含んでなる洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなく洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、ターシャリーブタノールを供給した後、ＤＩＷを基板表面Ｗｆに供給してパターン間隙内部にのみターシャリーブタノールを残留させる。その後基板を冷却し、ターシャリーブタノールとＤＩＷを凝固する。ターシャリーブタノールはＤＩＷに対して凝固点が高く、また凝固した際の体積の増加が小さい。従って、ＤＩＷが凝固する前にパターン間隙内部で凝固し、パターンを構造的に補強する。また、体積の増加が少ないためパターンへ与える応力がＤＩＷに比較して小さくなる。従って、パターンへのダメージを防止しながら基板表面Ｗｆを洗浄することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】確実な基板保持を実現しつつ、基板表面を効率的に液処理可能な液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される液処理装置は、基板を裏面から支持する基板支持部材と、前記基板支持部材を回転する回転機構と、前記基板支持部材に支持される前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板支持部材に支持される前記基板に対して気体を噴出し、前記基板を前記基板支持部材に押圧する気体噴出部であって、前記基板支持部材を介して前記回転機構により回転される前記基板の回転方向における前記処理液供給部の上流側に配置される当該気体噴出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板上のパターンにダメージを与えることなく基板を良好に乾燥処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結する。次に、凍結膜を昇華乾燥すると侵入防止液の表面が露出することで平行して侵入防止液の除去が行われる。この除去工程によって凍結膜が除去されることでパターンへのダメージを生ずることなく基板表面Ｗｆを乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）