【課題】表面に微細な溝がある被洗浄物についても良好に洗浄することのできる洗浄方法及び洗浄装置を提供することである。
【解決手段】被洗浄物を洗浄液によって洗浄する洗浄方法及び装置であって、液体に気体を溶融させて気体溶存の洗浄液を生成し（Ｓ２）、洗浄槽において前記生成された洗浄液中に前記被洗浄物を浸け（Ｓ１、Ｓ３）前記洗浄槽内における前記洗浄液中の溶存気体を気化させて微細バブルを発生させる（Ｓ４、Ｓ５）する構成となる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式のＳＰＭ洗浄方法及び装置において、高濃度のイオン注入が施されたレジストを短時間で且つ残渣の発生を抑制しながら除去する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板上に処理液を供給して洗浄を行なう基板洗浄方法において、次の各工程を備える。つまり、レジストパターン３４を有する基板３１上に第１の温度の第１処理液を供給し、基板３１の表面を覆う工程（ａ）と、第１処理液に覆われた基板３１の表面に第２処理液を供給し、第１の温度よりも高温である第２の温度の第２処理液により基板３１の表面を覆ってレジストパターン３４を除去する工程（ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの排出を制御できるバルブを提供すること。
【解決手段】バルブ１１は、流入口１５、排出口１６、および吐出口１７を含む。排出口１６は、第１流路１８、２０によって流入口１５に接続されている。吐出口１７は、第２流路１９によって第１流路１８、２０に接続されている。第２流路１９は、流入口１５と排出口１６との間に設けられた接続位置ＣＰ１において第１流路１８、２０に接続されている。第２流路１９は、第１弁体２５が第１アクチュエータ２４によって移動されることにより開閉される。また、絞り部３７は、接続位置ＣＰ１よりも排出口１６側において第１流路１８、２０に設けられている。絞り部３７は、吐出口１７および第２流路１９の流路面積よりも小さい流路面積を有している。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、所定のパターンＦＰが形成され液体としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、第一処理液供給手段２５から第一処理液としてのＨＦＥ液を供給し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段３１から基板裏面Ｗｂに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンＦＰの間隙内部に残留させたＤＩＷを凝固させ、パターンＦＰの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるＨＦＥ液の液膜の上に第二処理液としてのＤＩＷの液膜を形成し、ＤＩＷの液膜に対し超音波洗浄手段１７により超音波振動を付与して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに、凝固点近傍まで冷却したＤＩＷ（冷水）を下面ノズル２７から供給する。このとき、ＤＩＷの凝固点よりも低温の窒素ガス（冷却ガス）と、ＤＩＷの蒸気または微小な液滴を含む高湿度の窒素ガス（高湿度ガス）との混合気体をＤＩＷに吹き付ける。高湿度ガス中のＤＩＷ蒸気または液滴が凍結してなる氷の粒がＤＩＷ中に混入され、これが核となってＤＩＷ注の氷の生成が促進される。氷の粒を含むＤＩＷが基板裏面Ｗｂに沿って流れることで基板に付着したパーティクル等の除去を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板洗浄方法および基板洗浄装置において、高いスループットを得られ、しかもパーティクル等を効果的に除去することのできる技術を提供する。
【解決手段】基板の上面に液膜を形成し（ステップＳ１０１）、凍結ガスとして例えば低温の窒素ガスを吐出する凍結用ノズルをスキャンして液膜を凍結させた後（ステップＳ１０２，Ｓ１０３）、凍結ガスよりも冷却能力の高い流体、例えば凍結ガスよりさらに低温の窒素ガスを吐出する冷却用ノズルをスキャンして凍結した液膜をさらに低温まで冷却する（ステップＳ１０４，Ｓ１０５）。その後、リンス処理により凍結膜とともにパーティクルを除去し（ステップＳ１０７）、基板を乾燥させる（ステップＳ１０８）。 （もっと読む）

【課題】基板の表面や裏面を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄液ＣＬを循環させるとともに洗浄液ＣＬにＤＩＷの液滴ＬＤを供給して凝固させて新たな氷粒ＩＧを生成し、洗浄液ＣＬ中に混合させている。したがって、氷粒ＩＧ同士が結合するのを抑制しながら洗浄液ＣＬ中に氷粒ＩＧを均一に分散させることができる。そして、この洗浄液ＣＬにより基板の表面や裏面を洗浄しているため、洗浄液ＣＬの氷粒ＩＧが基板に対して均一に作用して基板の表面や裏面を均一に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有濃硫酸溶液などの流体を短時間で高温に加熱できる流体加熱方法、液体加熱装置、ならびに電子材料の洗浄方法および洗浄システムを提供する。
【解決手段】流路厚みまたは流路径が１０ｍｍ以下の流路に液体を通液し、該流路の厚み方向または周囲の一方向から流路面に向けてマイクロ波を照射し、流路厚みまたは流路径が２５ｍｍ以下の流路には厚み方向両側または全周囲から流路面に向けてマイクロ波を照射することで、流路内を通液される液体を瞬時に均一に加熱でき、液体を加熱することによる化学変化などを抑制することができ、過硫酸を洗浄液として用いる電子材料の洗浄システムなどに好適に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 （もっと読む）

処理チャンバ（２０）が、任意に過酸化水素などの酸化剤とともに硫酸などの酸の存在下で基板上に直接赤外線放射を行うことを通じて硬化フォトレジストをうまく除去する。この処理チャンバは、ウェハを保持して任意に回転させるためのウェハホルダ（２６）を含む。赤外線照射アセンブリ（１２６）が、処理チャンバ内に赤外光を放射するように配置された、処理チャンバの外側の赤外線ランプ（１４０）を有する。これらの赤外線ランプは、ホルダ上のウェハ表面の実質的に全体を照射するように配列することができる。この赤外線放射アセンブリに冷却アセンブリ（１５０）を組み合わせて、迅速な冷却を行うとともに過剰処理を回避することができる。少量の薬品溶液を使用してフォトレジストが除去される。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基とを含有する。水溶性有機溶剤は、双極子モーメントが３．０Ｄ以上である高極性溶剤と、グリコールエーテル系溶剤と、多価アルコールとを含み、上記高極性溶剤とグリコールエーテル系溶剤との合計含有量が、全量に対して３０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】 可燃性の処理流体又はその蒸気を基板に供給して処理を行う装置において、基板周辺からの排気を冷却することにより排気中の引火性のガスの濃度を低下することを可能にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンチャック２に保持され液体が付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し可燃性の処理流体であるＩＰＡを供給することにより、基板Ｗを洗浄等する装置において、スピンチャック２及び基板Ｗから飛散して処理カップ２０１により受け止められ、スピンチャック周辺に浮遊する液体の微粒子を含む雰囲気を排気する排気液ライン２０２に排気冷却部２０３を介挿し、排気冷却部２０３に冷却用の冷媒を供給することにより排気液ライン２０２内を流れる排気を冷却し、排気に含まれる可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。これにより、装置内の可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】 超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラ（洗い残し）の問題を解消し、パーティクル除去を効果的に行うこのできる超音波洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を前記洗浄槽中の洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記超音波振動子から発生する超音波による被洗浄物の洗浄を、少なくとも２以上の超音波出力条件で行うことを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】有機および無機汚染物質を半導体ウェハから清浄化すると同時に、半導体ウェハをマイクロエッチングする方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハをインゴットから薄く切り出した後に、切断流体、並びに切断プロセスにおいて使用されるソウから汚染される金属および金属酸化物を、１種以上の水酸化第四級アンモニウムと、１種以上の水酸化アルカリと、１種以上のミッドレンジアルコキシラートとを、含むアルカリ水溶液により清浄化し、同時にマイクロエッチングする。 （もっと読む）

マスキング材料、例えば、フォトレジストを除去するための方法、およびマスキング材料を除去することによって形成される電子デバイスが示される。例えば、マスキング材料を除去するための方法は、マスキング材料を、セリウムおよび少なくとも１つの追加的な酸化剤を含む溶液と接触させる工程を含む。セリウムは塩に含まれてもよい。塩は硝酸セリウムアンモニウムであってもよい。少なくとも１つの追加的な酸化剤は、マンガン、ルテニウムおよび／またはオスミウム含有化合物であってもよい。
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【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）