【解決手段】処理対象とされるウエハ表面の層に、気液分散系、すなわち硫酸中にオゾンの発泡体が含まれたものが適用されるように、気体オゾンと加熱硫酸とを組み合わせることによって、枚葉式フロントエンドウェット処理ステーションにおける、イオン注入されたフォトレジストの除去が改善された。 （もっと読む）

【解決手段】 洗浄装置を提供する。洗浄装置は、ベースから延びる側壁によって形成されたタンクを含む。対向する側壁の上部分に形成された複数の流体出口は、上部分の長さと上部分の深さにわたって延びる配列として配置される。複数の流体出口は、水平流体流れをタンクの内部に提供するように構成される。水平流体流れは、一番上の流れがタンクの内側中間領域まで進み、各々の引き続く下方の流れが、その引き続く下方の流れが出る側壁により近く進むように配置され、水平整列流体流れの各々の方向は、タンクの底に向かう垂直整列流体流れに層流的に変えられる。支持体群が、タンクの下部分に配置される。再循環ポンプが、タンクのベースより下に配置される。基板洗浄方法も提供する。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】純水の表面張力を低減することにより、微細パターン倒れを防止する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】制御部５９は、処理槽１に疎水化溶液を供給させて、処理槽１内の純水を置換させるとともに、疎水化溶液により基板Ｗの改質処理を行わせる。改質処理により基板Ｗの表面全体が疎水化される。制御部５９は、純水を処理槽１に供給させて基板Ｗをリンス処理させた後、保持機構３９を上方位置に移動させるが、基板Ｗは疎水化されているので、純水の液残りを少なくすることができるともに、純水により基板Ｗの微細パターンにかかる表面張力を非常に小さくできる。したがって、純水から上方へ基板Ｗを持ち上げても、基板Ｗの微細パターンが純水の表面張力により受ける力を低減でき、基板Ｗの微細パターンが倒れるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理時間の短縮を図ることができる洗浄方法、洗浄システム、及び微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】希釈硫酸溶液を電気分解して酸化性物質を含む酸化性溶液を生成し、高濃度の無機酸溶液と、前記酸化性溶液と、を洗浄対象物の表面に、個別に、順次または略同時に供給すること、を特徴とする洗浄方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に形成されたパターンの倒壊を防止するとともに濡れた基板を短時間で乾燥することができる基板乾燥方法及び基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】 基板表面Ｗｆ上の液体膜１１に対し、液体と互いに混合し難く、かつ液体の凝固点よりも凝固点が低い置換液を供給する。この置換液は液体の凝固点より高い温度を有しており、液体の流動性を損なわないままパターン上層に存在する液体のみ排除する。基板表面が置換液膜１２で覆われた後、基板を冷却して残留した液体を凝固させる。その後、基板表面Ｗｆ上の置換液を除去し、更に液体の凝固体を除去することで基板を乾燥する。これにより、パターン倒壊を防止するとともに、おおむねパターン深さに相当する薄さの液体の凝固体１５を形成することができ、乾燥に要する時間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる温度の二つの液を、それぞれ、所望の温度で吐出することができる処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置１０は、第１の液を吐出する吐出開口３０ａを有した第１供給ライン３０と、第２の液を吐出する吐出開口４５ａを有した第２供給ライン４５と、第１および第２の供給ラインの吐出開口を支持する支持部材６０を有した処理ユニット５０と、を有する。支持部材は、前記仕切り部材６３を有する。第１および第２供給ラインの一方が仕切り部材の一側を延び、他方が仕切り部材の他側を延びている。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、循環ライン２０と、循環ラインから分岐した複数の供給ライン３０と、各供給ラインに対応して設けられた複数の処理ユニット５０と、循環ラインから各供給ラインに流れ込んだ液を循環ラインへ戻す複数の戻しライン３５と、を有する。処理ユニットは、各供給ラインから吐出される温度調節された液を用いて被処理体を処理するように構成されている。戻しラインは、複数の供給ラインのうちの最下流側の供給ラインとの接続位置よりも下流側の位置において循環ラインに接続している。 （もっと読む）

【課題】被処理体の処理に用いられる液の温度変動を抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、液供給機構１５と、液供給装置に接続され温度調節された液を吐出する吐出開口３０ａを有した供給ライン３０と、供給ラインの吐出開口を支持しする処理ユニット５０と、供給ラインに供給された液を液供給機構へ戻す戻しライン３５と、処理ユニットでの被処理体の処理に用いられる液の供給および供給停止を切り替える液供給切り替え弁３８ａと、を有する。液供給切り替え弁３８ａは、供給ライン３０上に設けられ、供給ライン３０から戻しライン３５を介して液供給機構１５へ戻る液の経路上に、位置している。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第２に、もって微細化，高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して表面処理する。スプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤを混合して噴射すると共に、基板材Ａとスプレーノズル７間が、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅとなっており、エアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。そして基板材Ａに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Ｆへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーＤは、圧送源１４のブロワから温度上昇して圧送供給される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物に対するダメージを抑え、所望な洗浄性能を発揮することができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、振動子２００を圧電効果によって超音波振動させるために、所望の周波数で、且つ所望の振幅の電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００中に所望の気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、洗浄液７００に溶解している気体４１０の濃度を測定する気体濃度測定部５００と、データベースに基づいて超音波の出力範囲を算出する制御部６００とを有している。制御部６００は、気体４１０の濃度と、超音波の出力範囲との関係に基づいて、発振器３００が振動子２００へ付与する超音波の出力値を制御し、発振器３００が振動子２００に付与する電気信号を制御する。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第１の薬液(21)を供給する第１薬液供給機構(25)と、第１の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第２の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第２薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第１及び第２の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第２の薬液(22)の供給を開始するとともに第２の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、少なくともアルコール溶媒を含む有機溶媒が混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）