（Ａ）それぞれの試験液（ＡＢ）の全質量に対する百分率で表して、０．０６〜４質量％の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウム、及び
（Ｃ）少なくとも１個の第１級アミノ基を含む、少なくとも１種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び／又はメッキ及びバンピングすることによって３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水を用いたフォトレジスト除去装置において、基板表面の洗浄領域へのフォトレジストとオゾンの反応生成物の再付着を防止する。
【解決手段】洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の回転中心からそれぞれ所定の距離をおいて配置された複数の単位洗浄ノズルで構成し、各単位洗浄ノズルを、各単位洗浄ノズルから吐出された高濃度オゾン水の基板上における流れの方向の重なりが少なくなるように基板の周方向にずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハＷを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、制御装置７と、を有し、上部ノズル体５１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第１温度調整ユニット６１及び第１濃度調整ユニット６２を具備し、斜方ノズル体７１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第３温度調整ユニット７６及び第２濃度調整ユニット７７を具備し、制御装置７は、上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハＷ上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 （もっと読む）

【解決手段】 実施形態は、基板表面から、なかでも特にパターン化基板（またはウエハ）の表面から粒子を除去するための装置と方法とを提供する。洗浄の装置および方法は、微細な特徴を伴うパターン化基板を基板表面上のそれらの特徴を実質的に損傷させることなく洗浄することにおいて有利である。洗浄の装置および方法は、１０，０００ｇ／モルを上回るなどの高分子量のポリマ化合物を含む粘弾性洗浄材料を使用することを伴う。粘弾性洗浄材料は、基板表面上の粒子の少なくとも一部を取り込む。十分短い期間にわたって粘弾性洗浄材料に対して力が付与されると、材料は、取り込まれた粒子を伴った粘弾性洗浄材料の除去を促進する固体様の性質を示すようになる。粘弾性洗浄材料の固体様特性にアクセスするためには、短い期間にわたって幾種かの力を付与することが可能である。あるいは、粘弾性洗浄材料は、温度を下げられたときにも固体様の性質を示す。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を超音波洗浄したときに微細なパターンやホール等がダメージを受けることを極力防止する。
【解決手段】半導体基板１を薬液を用いて洗浄する構成において、薬液に含まれる水分の濃度を検出する水分濃度検出装置５を備え、薬液または半導体基板１に超音波を印加して超音波洗浄を実行する超音波振動子９を備え、水分濃度検出装置５により検出された水分濃度に基づいて超音波振動子９をオンオフする制御装置６を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板から離脱した汚染物質による処理槽の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽１０の下方に下部タンク４０を設けている。リフター５０によって基板Ｗを投入する前に、排液バルブ１５を開放して処理槽１０の底部から下部タンク４０に一旦全ての処理液を排出する。下部タンク４０から処理槽１０に処理液が再供給される過程において、全ての処理液が循環ライン２０に設けられたフィルタ２３を通過することとなるため、処理液に含まれている全ての汚染物質がフィルタ２３によって取り除かれる。このため、基板Ｗから処理液中に離脱した汚染物質が処理槽１０に付着して汚染するのを防止することができる。また、そのような汚染物質が基板Ｗに付着するのを防止することもできる。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 （もっと読む）

【課題】高温の薬液による処理により基板の裏面をエッチングする際に、エッチングの均一性を高くすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板であるウエハＷに形成された膜を高温薬液によるエッチングにより除去する薬液処理装置１は、ウエハＷを裏面を下側にして水平にした状態で回転可能に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３を鉛直に延びる中空の回転軸１２を介して回転させる回転機構４と、回転軸１２の中に設けられ下方から上方に向けて高温薬液を吐出してウエハＷ裏面に高温薬液を供給する薬液吐出ノズル５と、薬液吐出ノズル５に薬液を供給する薬液供給機構６とを具備し、薬液吐出ノズル５は、薬液を吐出し、ウエハＷ裏面の中心以外の、互いにウエハＷ裏面の中心からの距離が異なる位置に高温薬液を当てる複数の吐出口１８ａ，１８ｂ，１８ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた洗浄性、および耐泡立ち性を呈し、さらにＣＯＤの少ないＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いたＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＮｉ−Ｐ含有層を有するＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、重量平均分子量が１,０００〜１０,０００であるポリアクリル酸アルカリ金属塩（成分(a)）と、ｐ−トルエンスルホン酸アルカリ金属塩（成分(b)）と、水溶性アミン化合物（成分(c)）と、キレート剤（成分(d)）と、水（成分(e)）とを含有し、実質的に非イオン性界面活性剤は含まず、成分(a)、成分(b)、成分(c)、および成分(d)の総量中、成分(a)を５〜３５重量％、成分(b)を１５〜５０重量％、成分(c)を１５〜５０重量％、成分(d)を５〜２５重量％含有し、かつ成分(c)と成分(d)の重量比｛成分(c)/成分(d)｝が０．８〜５である。 （もっと読む）

【課題】ガスが飽和した状態の液体を基板の処理時に瞬時に加熱して微小気泡の脱離と破壊を行うことで、簡単な構成でありながら微小気泡を有効に利用して基板の処理を確実に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗに対して微小気泡を含む液体Ｌを供給して基板Ｗを処理する基板処理装置１は、気体と液体から前記微小気泡を含む液体を生成する微小気泡生成部１０と、微小気泡を含む液体Ｌを基板に吐出すノズル１５と、ノズル１５から吐出された微小気泡を含む液体Ｌを加温する加熱手段５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体から除去する。
【解決手段】３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変える。ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス１２４；ii）ガス源からガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス１３０；iii）第２ガス源から第２ガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス１４０、を有するノズルを装備し；そしてｂ）中央オリフィス１２４からの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス１３０及び第２ガスオリフィス１４０の少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、ノズル１２２からの液体のスプレー方向を調節する。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で被処理体を容易に且つ確実にすることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】超音波洗浄装置１は、上部が開口された略直方体の箱状容器であって、その内部に洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、内部に水を貯留すると共に洗浄槽１０を収容する外槽１５と、洗浄槽１０の内部に配設され、洗浄すべき被処理体としての半導体ウエハＡを支持する支持部材２０と、外槽１５の外部に配設され、洗浄槽１０内部に超音波を発振する超音波発振装置６０を備える。洗浄槽１０は、超音波発振装置６０からの超音波を透過する側面部１２ｂと、側面部１２ｂに対向して配され、超音波発振装置６０からの超音波を反射する側面部１２ａとを有している。そして、超音波発振装置６０は、外槽１５に貯留された水を介して洗浄槽１０に超音波を発振し、且つ洗浄槽１０の側面部１２ｂから側面部１２ａに向かって超音波を伝播させる。 （もっと読む）

【課題】基板のフォトリソグラフィー処理前に、基板の周縁部に付着した付着物を適切に除去する。
【解決手段】洗浄装置１は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２０を有している。洗浄装置１には、内部に常温より高い温度の純水を貯留する浸漬容器３０が設けられている。浸漬容器３０のウェハＷ側の側面には、ウェハＷの周縁部Ｂを挿入するための側面開口部３３が形成されている。浸漬容器３０は、高温の純水でウェハＷの周縁部Ｂを浸すことができる。洗浄装置１には、ウェハＷの周縁部Ｂに常温より高い温度の洗浄液を所定の圧力で吹き付ける第１の洗浄液ノズル５０と第２の洗浄液ノズル５１が設けられている。これらノズル５０、５１から供給される洗浄液は、洗浄液供給部７０で純水と不活性ガスが混合された洗浄液である。 （もっと読む）

【課題】有機物質、特に半導体ウエハーのような支持体からのホトレジスト物質を除去する処理のための他の技術及び組成物を明らかにする。
【解決手段】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体１８から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。支持体は、液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、液状硫酸組成物は、液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。支持体は次いで好ましくは洗浄されて物質を除去する。 （もっと読む）

【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段１５を具備するロードバッファ部１０とアンロードバッファ部５０と、ブラシ洗浄手段２５を具備するロールブラシ部２０と、バブルジェット手段３５を具備するバブルジェットアクアナイフ部３０と、エア噴射手段４５を具備するエアナイフ部４０と、純水供給制御手段６４を具備する純水供給部６０と、装置コントロール手段７５を具備する装置制御部７０とを有し、装置コントロール手段７５は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段６４は、待機信号を受けて純水供給手段６２の純水の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）