【課題】チャックテーブルに侵入した数μｍの研削屑も良好に除去することができ、かつ、チャックテーブル上に保持された被加工物の表面を良好に洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧エアー及び液体で構成される２流体洗浄水８２０ａを高圧噴射する構成とすることにより、数μｍほどの屑も洗浄できるようにして、ブラシ等を不要とする。また、飛散防止チャンバー８３と、飛散防止チャンバー８３においてチャックテーブル２の上面２ａ又は被加工物Ｗの表面Ｗａ上で飛散するミスト８２０ｂを外部へ排出する排出手段８４とを備え、洗浄時は、飛散防止チャンバー８３の側壁８３０の下端がチャックテーブル２の上面２ａ又は上面２ａに保持された被加工物Ｗの表面Ｗａと所定の隙間Ｃ１をもち、チャックテーブル２の上面２ａ上又は被加工物Ｗの表面Ｗａ上に形成された洗浄水層８７により隙間Ｃ１が封止されるようにすることにより、ミストが飛散しないようにする。 （もっと読む）

【課題】マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物が付着したウェハＷを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハＷ及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハＷの面に沿って相対移動させる手段を備える。 （もっと読む）

【課題】供給管からの反応ガスを吹出方向と交差する方向に均一に分布させて吹き出す表面処理用ノズル装置を提供する。
【解決手段】ノズル本体１０の耐反応ガス材料製の部材１２内に導入流路２０を形成し、その両端に反応ガスの供給管３をそれぞれ連ねる。複数の分岐流路２１を導入通路２０から吹出方向の先端側に延ばし拡散室２２に連ねる。拡散室２２内に整流板３０を設け、拡散室２２を整流板３０より基端側の室部２３と先端側の室部２５とに仕切る。整流板３０の両側の連通路２４にて室部２３，２５を連通する。好ましくは、支持部材４０にて整流板３０を支持し、室部２３内にスペーサ５０を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着した異物を取り除きつつ、基板や該基板上に形成された膜の劣化を防止することができる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】異物２２が付着し且つほぼ真空の雰囲気中に配されるウエハＷに向けて０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａのいずれかの圧力で洗浄ガスを噴霧して複数のガス分子２０からなるクラスター２１を形成し、該クラスター２１をイオン化することなくウエハＷへ衝突させる。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、（１）微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、（２）減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、（３）部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は（４）部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。 （もっと読む）

【課題】使用済みスチームを拡散させることなく効率よく回収することができる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水スチーム生成容器１２と、スチーム供給管１７及びスチーム回収管１８からなる洗浄ノズル１６を有する半導体製造装置の洗浄装置１０のスチーム供給管１７の先端部に、スチーム供給口１９から噴射され、洗浄対象物３０に衝突した使用済み純水スチームが、スチーム供給管１７の先端部の外形表面に沿った流れを形成するような凸状の湾曲面１７ａが形成される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを具備し、対向面に形成された排気のための複数の排気孔と、載置台の周縁部に沿って設けられ上下動可能とされた環状部材であって、上昇位置において載置台とシャワーヘッドと当該環状部材とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内にガスを供給するための複数の環状部材側ガス吐出孔と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内を排気するための複数の環状部材側排気孔とを具備したプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】スループットが高く、かつ被処理基板の回転にともなうパーティクルの発生および熱ストレスによるポリマーの剥がれの発生を抑制しつつ被処理基板の周縁部に環状に付着したポリマーを除去すること。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部に環状に付着したポリマー２を除去するポリマー除去装置であって、周縁部に環状にポリマーが付着した被処理基板Ｗを収容する処理容器１１と、被処理基板Ｗを載置する載置台１２と、被処理基板Ｗに環状に付着したポリマー２にリング状レーザー光を一括照射するレーザー照射部２０と、被処理基板Ｗに環状に付着した前記ポリマーにオゾンガスを供給するオゾンガス供給機構１５，１９と、オゾンガスを排気する排気機構２３，２４とを具備する。 （もっと読む）

本発明は、作製が簡単でかつ作製費が低いのはもとより、窒素ガスの噴射方向を反応副産物の流れ方向と一致させ、反応副産物ガスの流れを損なわず、効果的に噴射されるようにした半導体装備やＬＣＤ装備の窒素ガス噴射装置に関し、フランジを有する一対のフランジ配管と、一対のフランジ配管間でフランジ配管の壁体に沿ってリング状に結合され、フランジ配管の内部に窒素を供給する噴射ノズルと、窒素ガスの供給のために噴射ノズルと連結された窒素供給ラインと、を備え、噴射ノズルは、円周方向に沿って供給された窒素が移動可能に内部に中空が形成され、内部中空と連通し、供給された窒素がフランジ配管の内部に噴射されるようにする多数の噴射孔を備えるが、噴射孔は、フランジ配管の内周面から突出した位置において、前記反応副産物ガスの流れ方向に噴射されるように形成される。
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【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法において、従来のウェット処理等、拡散律速型処理による表面処理で問題視されていた反応ムラを効果的に抑制し、表面性状に優れたウェーハを提供する。
【解決手段】化学処理を伴うウェーハ表面処理方法であって、前記化学処理が、反応律速型処理工程と、該反応律速型処理工程に続く拡散律速型処理工程とを含むことを特徴とする、ウェーハ表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面をスピン洗浄するにあたり、基板上に残存する水滴を低減し、例えば露光後の加熱処理時における水滴あるいはウオータマークによる加熱むらを抑えること。
【解決手段】 洗浄液ノズル５の吐出口よりもウエハＷの回転方向における下流側に洗浄液を拘束する液押さえ面部を設ける。具体的には洗浄液ノズル５の底面７０は長方形状に成形され、底面７０にはスキャン方向前方に向けて開いている概ねＶ字状の凹部７１が形成されると共に凹部７１の天井面７２における根元側に吐出口７３が形成される。洗浄液ノズル５からの洗浄液の供給位置を基板の中央部から周縁に向かって移動させると、洗浄液ノズルから吐出された洗浄液は、液押さえ面部により拘束されて液の塊ができるので、低回転でも遠心力が大きくなってその液の塊が外に向かう作用が大きくなる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム照射部の窓を保護するとともに良好な表面処理結果を得ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１は、処理溶液８１により処理対象物９０の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部１０，溶液供給部２０，ガス吹出部３０，ガス吸引部４０，ガス量調整部５０および回転部６０を備える。電子ビーム照射部１０は、窓１４を通過した電子ビームを処理対象物９０表面上の処理溶液８１に照射して、その処理溶液８１を活性化させる。ガス吹出部３０は、電子ビーム照射部１０の窓１４に対し略平行に不活性ガス８２を吹き出す。ガス吸引部４０は、ガス吹出部３０から吹き出された不活性ガス８２を吸引する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で有機ガス供給装置から供給される混合ガス中の有機ガス濃度を検出できる有機ガス濃度検出方法、及び有機ガス供給装置を提供すること。
【解決手段】ガス導入管１２及びガス吐出管１３を備えたバブリングタンク１１内にＩＰＡ等の有機溶剤を収容し、該タンク内の有機溶剤１０４中に不活性ガスを通気して気化させ、ガス吐出管１３から不活性ガスと有機ガスの混合ガスを吐出す有機ガス供給装置において、ガス導入管１２に第１マスフローコントローラ１５を設け、ガス吐出管１３にマスフローメータ１６を設け、第１マスフローコントローラ１５からのガス流量測定値とマスフローメータ１６のガス流量測定値から、混合ガス中の有機ガス濃度を検出する。 （もっと読む）