【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Ｓは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部１８を有し、このプラズマ発生部１８からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置６と、プラズマ発生部１８の下方で処理対象であるワークＷを支持する搬送装置２とを備え、ワークＷに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部１８がワークＷ上に位置するようにプラズマ発生装置６を据え付けるための据付枠４を備えている。そして、プラズマ発生装置６は、プラズマ発生部１８がワークＷ上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠４に対して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。
【解決手段】搬送手段によって搬送されるウエハを処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理において、ウエハＷの処理前に、搬送手段であるメインアームＡ２によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートＰＬを塗布処理ユニット３２に搬入して、塗布処理ユニット内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニット８０内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去し、塵埃が除去された捕集プレートを、塵埃を捕集可能な状態例えばイオナイザ２００によって帯電して再生する。塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、メインアームによって処理前の処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する洗浄効果を向上させることができるとともに、被処理基板の表面に洗浄液の液膜が形成されやすくなり、被処理基板にウォーターマークが形成されることを抑止することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１（２、３）は、洗浄液を供給する洗浄液供給部と、液滴生成用ガスを供給する液滴生成用ガス供給部と、洗浄液供給部から供給される洗浄液と液滴生成用ガス供給部から供給される液滴生成用ガスとを混合することにより生成される洗浄液の液滴を被処理基板Ｗの一部分に噴霧する二流体ノズル２０と、被処理基板Ｗの一部分の加熱を行う加熱部４０（６０）と、を備えている。被処理基板Ｗにおける一の箇所に二流体ノズル２０が洗浄液の液滴を噴霧する直前に、この一の箇所の加熱を加熱部４０（６０）により行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマの放射状態を画像イメージとして取得した後、該画像イメージのピクセル情報を制御部で分析して、プラズマの放射状態をリアルタイムに観察することができるようにしたプラズマモニタリング装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマモニタリング装置は、プラズマモニタリング装置であって、電源を供給する電源供給部と、反応ガスを供給する供給ラインと、内部で発生するプラズマを処理対象物に向かって放射する放射ノズルとが形成されるプラズマ供給手段と、該プラズマ供給手段から放射されるプラズマの放射状態を画像イメージとして取得するカメラ部と、該カメラ部の画像イメージのピクセル情報を数値化させて得た測定値を正常的な放射状態の基準値と比較して、プラズマの放射状態を検査する制御部とを備えて達成される。
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【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら基板表面に凍結膜を生成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。そして、回転駆動されている基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ノズル３を基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１が凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、印加電極２と、ワーク１００を載置するとともに印加電極２の対向電極としての機能を併有するパレット（第１の電極）４と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段１１と、印加電極２とパレット４との間に電圧を印加する第１の回路（電源部）８を備え、パレット４を載置するテーブル６の下面６３には、振動子９が配設され、印加電極２とパレット４との間に印加する電圧の大きさを調整する電力調整手段８５と、電力調整手段８５の作動を制御する制御手段７０とを有しており、この振動子９によりパレット４とワーク１００とを一体的に振動させながら被処理面１１０を処理するに際し、制御手段７０により、電力調整手段８５が作動するよう構成されている。 （もっと読む）

真空の中で基板を放射エネルギーに曝す露光装置は、中に前記真空が形成されるチャンバーと、前記チャンバーの中に配された供給ノズルを含み、前記真空が形成された前記チャンバーの中に配された物体に対して前記供給ノズルを介してガスを噴射する噴射デバイスと、前記チャンバーの中に配された回収ノズルを含み、前記供給ノズルを介して前記チャンバー内に噴射されたガスを、前記回収ノズルを介して回収する回収デバイスとを備え、前記噴射デバイスから前記回収デバイスへ向かう方向とは逆の方向であって前記噴射デバイスによる噴射とは平行に前記物体が移動するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

基板（１３）の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を該表面と接触させることを含む方法により、パーティクルが基板（１３）の表面から除去される。
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【課題】ディスク状対象物の少なくとも下面の処理を行うための装置において、ディスク状対象物の汚染が回避できるような装置を提供する。
【解決手段】本発明の装置は、上面（２ｏ）を有しかつディスク状対象物（１）を位置決めするための少なくとも２つの部材（１９）が上面から垂直に突出している回転可能保持器（２）と、ディスク状対象物（１）の下面（１ｕ）に処理媒体を供給するために固定的に設けられかつ保持器（２）を貫通するように配置された少なくとも１つの配管（２４，２６）と、保持器（２）の下面（２ｕ）の少なくとも一部から離隔して固定配置され環状間隙（１６）を形成しているカバー（４）と、を備え、前記少なくとも１つの配管（２４，２６）は、隙間のない状態でカバー（４）を貫通していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 （もっと読む）

【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、基板１から飛散する液体を受けるカップ２０を設ける。カップ２０に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を組み合わせる。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体をカップ２０の外へ導く。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体をカップ２０内へ導く。 （もっと読む）

【課題】基板の表面と溝内部のクリーニングを同時に行うとともに、一旦除去された微粒子の再付着を防止して、高い洗浄度の洗浄を行なうことができる基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１０により基板Ｗを保持して回転させ、揺動アーム１４を下降させて回転する基板Ｗの表面に洗浄体４２の下端を接触させ、揺動アーム１４を揺動させて洗浄体４２で基板Ｗのスクラブ洗浄を行うとともに、高圧ノズル３６から高圧洗浄液を噴出して洗浄体４２の内壁と基板Ｗで囲まれる空間を洗浄液で満たし、空間内に満たされた洗浄液と該洗浄液中を通過する高圧ノズル３６から噴出する高圧洗浄液との界面付近にキャビテーションによる気泡を発生させ、該キャビテーションによる気泡が潰れることで基板の高圧液洗浄を並行して行う。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。
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ワーク処理装置Ｓは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０と、マイクロ波を伝搬する導波管１０と、導波管１０のワークＷとの対向面に設けられたプラズマ発生部３０とを具備するプラズマ発生装置ＰＵと、プラズマ発生部３０を通過するようにワークＷを搬送するワーク搬送手段Ｃとを備える。プラズマ発生部３０は、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル３１が、複数個配列して取り付けられてなる。ワークＷは、ワーク搬送手段Ｃで搬送されつつ、プラズマ発生部３０においてプラズマ化したガスが照射される。
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物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体（１８）から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5：1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。該支持体は、該液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。該支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、該液状硫酸組成物は、該液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。該支持体は次いで好ましくは洗浄されて該物質を除去する。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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本発明は、加工物の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバーに横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法に関する。
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洗浄後にプラズマエッチングチャンバで誘電体材料をエッチングするために使用することができる電極アセンブリの洗浄方法は、好ましくは黒色シリコン汚染をシリコン表面から除去するように、電極アセンブリのシリコン表面を研磨することを含む。 （もっと読む）