【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板２に半導体素子３を実装する半導体装置１の製造方法において、回路基板２に形成された電極２１および半導体素子３に形成された半田バンプ３１の少なくとも一方にフラックス７を供給する工程と、フラックス７を供給した後、電極２１と半田バンプ３１とを接合する工程と、電極２１と半田バンプ３１とを接合した後、回路基板２と半導体素子３との隙間に蒸気８１を供給して、回路基板２と半導体素子３との隙間を洗浄する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

ウエハのような半導体基材の表面を洗浄、調整する装置である。回転可能なチャックやチャンバー、１つ以上のドレン排出口を有して洗浄液を集める回転可能なトレイ、多数の洗浄液を集める多数の受容器、チャックを駆動する第１のモータ、トレイを駆動する第２のモータを含む。トレイのドレン排出口は、その下方に配置された所定の受容器の直上に位置させることができる。トレイに集められた洗浄液は、所定の受容器に導くことができる。最小限の相互汚染での確実で正確に制御された洗浄溶液の再利用がこの装置の１つの特徴である。
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【課題】半導体ウエハの表面に貼り付けられた保護テープをウエハ外形に沿って切り抜く半導体ウエハの保護テープ切断方法において、保護テープ切断処理によって発生した塵埃を適切に除去する。
【解決手段】半導体ウエハＷの外周に沿ってカッタ刃１２を相対移動させるとともに、カッタ刃１２によるテープ切断部位に発生して保護テープＴの上面に付着した塵埃を、半導体ウエハＷに対してカッタ刃１２とともに相対移動する集塵部材５６で掃き集め、テープ切断終了後に、所定箇所に掃き集めた塵埃を吸引ノズル６１で吸引除去する。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板洗浄装置及び方法を開示したものであり、基板の移動方向と直交する方向に対して傾斜してブラシを配置し基板を洗浄処理することを特徴とする。
前記特徴によると、基板の洗浄效率を向上させ、基板の移動安全性を向上させ、洗浄液のチャンバ外部への漏出を抑制する基板洗浄装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスが系外へ漏洩、拡散するのを防止又は抑制できる表面処理装置を提供する。
【解決手段】ノズル部の被処理物Ｗと対面する面３３に、処理ガスを噴出する噴出口３１と、吸引口３４を開口形成する。吸引口３４における噴出口３１側とは反対側の縁を、噴出口３１側の縁より上側（対面方向の逆側）に引っ込ませ、吸引口３４より外側の第２面部分３３ｂを、吸引口３４と噴出口３１の間の第１面部分３３ａより上側（対面方向の逆側）に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を用いた表面処理における安全性を向上させる。
【解決手段】貯留容器１０に無水または含水の液体フッ化水素１１を貯留する。吸込加圧手段２０によって、容器１０内を大気圧以下または前記被処理物の配置環境の圧力以下にし、気化したＨＦガスを吸い込んで加圧し、被処理物Ｗへ供給して表面処理を行なう。氷を蓄熱剤３２とする温調手段３０によって、貯留容器１０内をＨＦの大気圧下での沸点（約２０℃）より低温に保つ。 （もっと読む）

【課題】円形基板を加圧された気体と処理薬液を混合し吐出させて洗浄処理において、基板面内を均一に洗浄する基板処理方法を提供する。
【解決手段】加圧された気体と薬液を混合し、ミストを形成する２流体ノズルを用いて、パターン形成された基板にミストを吐出する処理を行うことで、基板上のパーティクルを除去することができる。その基板処理において、２流体ノズル移動速度ｖの基板動径成分ｖ_rが、基板中心からの距離ｒに反比例するように設定することで、基板面内において、単位面積あたりの洗浄走査時間のばらつきを低減し、洗浄ばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を含む処理ガスにより表面処理する際、被処理物の取り替え等で一時停止した後、ガス状態の安定化工程を省き直ちに処理を再開可能にし、タクト時間を短縮する。
【解決手段】表面処理の実行時には、複数の生成部１０を用いて所要の流量及びフッ化水素濃度の処理ガスを生成し、噴出路画成部２０の噴出路２３，２４，２５に通して被処理物Ｗに噴き付ける。選択手段５１にて一時停止モードを選択すると、フッ化水素を生成する生成部１０の数を減らし、表面処理実行時より小さい流量で、かつ表面処理実行時と略同じフッ化水素濃度の処理ガスを噴出路２３〜２５に通す。 （もっと読む）

【課題】 下層の金属膜の抵抗増大、及び水の吸湿による低誘電率絶縁膜の誘電率上昇を招くことなく、銅付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 銅を用いた電気的接続部材４が形成された第１の層間絶縁膜２上に形成され、電気的接続部材４に達する溝７を有する第２の層間絶縁膜６の表面から、有機酸ガスと酸化性ガスとを用いて銅付着物１３を除去する工程と、第２の層間絶縁膜６の溝７の底に露出した電気的接続部材４の表面を還元する工程と、還元された電気的接続部材４上、及び第２の層間絶縁膜６上に、バリアメタル層８を形成する工程と、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、高誘電率膜が形成された基板を処理室内に搬入するステップと、前記処理室に接続されたプラズマユニットによるプラズマによって活性化した窒素原子を含むガスを前記処理室内に供給して前記高誘電率膜に対してプラズマ窒化処理を施すステップと、前記処理室内に成膜ガスを供給して前記プラズマ窒化処理後の高誘電率膜上に電極膜を形成するステップと、前記電極膜形成後の基板を前記処理室内から搬出するステップと、前記プラズマユニットによるプラズマによって活性化したクリーニングガスを前記処理室内に供給して前記処理室内をクリーニングするステップと、を有する。
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【課題】プラズマ処理装置において、熱応力で誘電体等が損傷するのを防止し、かつ漏洩ガスによる電極等の腐食を防止する。
【解決手段】第１方向に並べられた複数の電極２１を含む電極群２０を骨組み状のフレーム３０で囲んで保持する。フレーム３０は、電極群２０の第１方向の外側において第１方向と直交する第２方向に延びるフレーム部材３３を含む。フレーム部材３３の長手方向の少なくとも一箇所が支持系４２に連結されて変位が拘束される被拘束部３３ａとなり、その他の箇所が第１方向へ弾性変位可能な変位可能部３３ｂとなっている。フレーム部材３３の変位可能部３３ｂと電極群２０との間には、これら変位可能部３３ｂと電極群２０とを第１方向に沿って互いに離間する向きに押圧する押圧手段５０を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの端部Ｗ１を洗浄する基板洗浄装置１Ａ、１Ｂであって、前記基板Ｗを略水平姿勢に保持し、該基板Ｗを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段２と、前記基板保持手段２により保持され、所定の回転速度で回転する基板Ｗの端部Ｗ１に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段７とを備え、前記洗浄液噴射手段７は、前記洗浄液を前記基板Ｗの端部Ｗ１に対し側方から噴射する。 （もっと読む）

基材の処理を容易にするためにプラズマ処理環境内のプラズマ均一性を管理する統合ステアアビリティアレイ配置が提供される。配置は、電気素子のアレイを含む。また、配置は、ガスインジェクタのアレイを含み、電気素子のアレイおよびガスインジェクタのアレイは複数のプラズマ領域を形成するように配置され、複数のプラズマ領域の各プラズマ領域は実質的に同じである。配置は、さらに、ポンプのアレイを含み、ポンプのアレイの個々は電気素子のアレイおよびガスインジェクタのアレイの中に組み入れられている。ポンプのアレイは、プラズマ処理環境内の均一なプラズマ領域を維持するために排ガスの局所的除去を容易にするように構成される。 （もっと読む）

【課題】ゲッタリング能力を向上させることができ、かつ基板表面にエピタキシャル層を形成しても、積層欠陥が生じることを防止することのできるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープして引き上げられたシリコン単結晶を切り出して得られる基板上に、エピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、基板表面に基板洗浄装置１のバブリングタンク１１で気化させたフッ酸を噴射して、該基板Ｗの表面を洗浄するフッ酸洗浄工程と、洗浄された基板Ｗの表面上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。
【解決手段】基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン１０６を形成する不活性ガス供給部１２と、基板表面を所定温度に維持する加熱部１６と、酸素遮断ゾーン３０に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部１４を有する。 （もっと読む）