【課題】基板の洗浄処理を効率よく行うことができ、設置スペースを小さくすることができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給台３０と、回収台３６と、供給台３０から回収台３６までの搬送経路に沿って配置され、基板を洗浄する一連の洗浄処理工程を行う複数個の洗浄処理槽２２，２４，２６と、互いに隣接する洗浄処理槽２２，２４，２６の間に配置された仮置台３２，３４と、基板が収納されたラック２，４，６，８を搬送する複数の搬送アーム部４４，４６，４８とを備える。搬送アーム部４４，４６，４８は、それぞれ、搬送経路の互いに異なる区間において、基板が収納されたラック２，４，６，８を、供給台３０又は仮置台３２，３４から洗浄処理槽２２，２４，２６に搬送する第１の動作と、洗浄処理槽２２，２４，２６から仮置台３２，３４又は回収台３６に搬送する第２の動作とを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ウエハ形状の物品、特にウエハの規定された領域に対する液体処理のための装置を提供する。
【解決手段】 マスク（２）は、毛管作用力によってマスクとウエハ形状の物品の規定された領域との間に液体が保持されるように、ウエハ形状の物品までの規定された短い距離で維持される。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）

【課題】ＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、周回方向にも径方向にも均一なプラズマプロセスを容易に実現する。
【解決手段】この誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘導結合プラズマを生成するために誘電体窓５２の上に設けられるＲＦアンテナ５４が径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイル６２に分割されている。内側コイル５８は、単一または直列接続の内側コイルセグメント５９を有する。中間コイル６０は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている２つの中間コイルセグメント６１(1)，６１(2)を有する。外側コイル６２は、周回方向で分割されていて、電気的に並列に接続されている３つの外側コイルセグメント６３(1)，６３(2)，６３(3)を有する。 （もっと読む）

【課題】基板主面の全面に亙るウェット処理の均一化を図り、処理の歩留まりの向上や品質改善を達成することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スプレーパイプ部２２と、スプレーパイプ部２２の長手方向に一列に互いに近接して形設され薬液をその吐出口２６から基板Ｗの表面１０２へ吐出する複数のノズル部２４から構成される複数のスプレーノズル１４とを備え、基板Ｗの表面１０２に対する複数のノズル部２４の吐出口２６の対向角度を、傾斜させた姿勢で搬送される基板Ｗの表面１０２の傾斜下端方向に向けて、基板Ｗの表面１０２の傾斜上端部付近から傾斜下端部付近にかけて、基板Ｗの表面１０２の法線３００に対して漸次小さくなるように、複数のノズル部２４を複数のスプレーパイプ部２２に形設することにより、基板Ｗの表面１０２上において吐出後の薬液の流速を傾斜上端部付近では相対的に小さく傾斜下端部付近では相対的に大きくする。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、互いに並列に設けられたインデクサブロック１０、第１の処理ブロック１１および第２の処理ブロック１２からなる。インデクサブロック１０には、インデクサロボットＩＲが設けられている。第１の処理ブロック１１には、第１のメインロボットＭＲ１が設けられている。第２の処理ブロック１２には、第２のメインロボットＭＲ２が設けられている。インデクサブロック１０と第１の処理ブロック１１との間には、複数の基板Ｗを同時に反転させるための反転ユニットＲＴ１ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ裏面側の空間において上昇気流や乱流の発生を防止し、ウェーハの裏面の汚れを防止することが可能なウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ洗浄装置１０は、回転可能に軸支されると共に中心部に開口１１ａを有するステージ１１と、ステージ１１上においてウェーハ１を支持する複数のガイドピン１４と、ステージ１１の開口１１ａ内に設けられ、ウェーハ１の裏面に処理液又はガスを供給する複数の裏面洗浄ノズル１６と、開口１１ａ内において裏面洗浄ノズル１６を保持するノズル保持部材１７とを備えている。ノズル保持部材１７の上部は、ステージ１１の開口１１ａに装入されており、ノズル保持部材１７の上面１７ａはステージ１１の上面１１ｂと実質的に面一か又は上面よりも上方に位置し、裏面洗浄ノズル１６の先端はノズル保持部材１７を貫通してノズル保持部材１７の上面１７ａに露出している。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、矩形導波管２２の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部４０とを備えている。アンテナ部４０は、その断面において短辺をなす壁４０ａに１又は複数のスロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】横方向に一列に配置された基板保持部を備えた複数の液処理部と、これら液処理部に対して共用化された処理液ノズルと、を備えた液処理装置において、前記処理液ノズルからの基板への処理液の落下を抑え、歩留りの低下を防ぐこと。
【解決手段】横方向に一列に配列された複数のカップ体の開口部間において処理液ノズルの移動路の下方側に、移動手段により移動する処理液ノズルから垂れた前記処理液の液滴に接触して、その液滴を処理液ノズルから除去するための液取り部が設けられている。従って、処理液ノズルが基板に処理を行うために待機部と各液処理部とを移動するにあたって、基板上への処理液ノズルからの前記液滴の落下を防ぐことができる。その結果として歩留りの低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び／又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び／又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び／又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び／又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び／又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】液中に微細バブルを効率的に生成し、その微細バブルを含有する液体を被洗浄物の表面に良好な洗浄が期待できるように吹付けることのできる流体噴出ノズルを提供することである。
【解決手段】気体導入口１６４ａと、気体噴出口１６４ｂの形成された気体噴出面１６３とを有するユニット本体１６０と、ユニット本体１６０に設けられ、液体が通る液体通路１６１ａの形成された液体導入部１６１とを有し、ユニット本体１６０には、気体通路１６４と、液体導入部１６１の液体通路１６１ａが結合するキャビティ１６２とが形成され、ユニット本体１６０の気体噴出面１６３は、気体噴出口１６４ｂの形成される面を底面部分１６３ａとしたすり鉢状に形成され、ユニット本体１６０には、気体噴出面１６３のすり鉢状の周面部分１６３ｂで開口し、キャビティ１６２から続く複数のノズル孔１６５が形成された構成となる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板１２を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板１２を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板１２の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板１２を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段９と、それに設けられる観察窓１０と、観察窓１０から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の１／１０以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部を簡便かつ効率的に洗浄することができ、省スペース化にも有利な基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による基板洗浄装置は、基板の裏面中心部を保持し、当該基板を回転する基板保持回転部と、第１の洗浄部、前記第１の洗浄部の周りに配置される第２の洗浄部、並びに前記第１の洗浄部および前記第２の洗浄部が取り付けられる台座を含む洗浄部材と、前記基板保持回転部に保持される前記基板の裏面に前記第１の洗浄部と前記第２の洗浄部とを接触可能に、前記基板保持回転部および前記洗浄部材を相対的に昇降する昇降部と、前記第２の洗浄部の一部を前記基板の外側に露出可能に、前記基板の裏面に沿った方向に、前記基板および前記洗浄部材を相対的に駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】洗浄液の液滴が噴射されるべき箇所における基板の表面の洗浄液の液膜の厚さを制御して所望の厚さで一定にすることができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しながら、基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗに対して洗浄液の液滴を噴射する二流体ノズル３０と、保持部１２により保持された基板Ｗにガスを噴射するガスノズル４０と、を備えている。保持部１２により保持された基板Ｗにおいてガスノズル４０によりガスが噴射される位置が二流体ノズル３０により洗浄液の液滴が噴射される位置よりも基板Ｗの回転方向において上流側となるよう、二流体ノズル３０およびガスノズル４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に付着するリンス液に起因する基板の処理不良を防止することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが回転するとともに、気液供給ノズル４５３の液体ノズル４５３ａが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方の位置まで移動する。この状態で、液体ノズル４５３ａから回転する基板Ｗにリンス液が吐出される。気液供給ノズル４５３が基板Ｗの外方位置に向かって移動する。ガスノズル４５３ｂが回転する基板Ｗの中心部ＷＣの上方位置に到達することにより、気液供給ノズル４５３が一時的に停止する。気液供給ノズル４５３が停止した状態で、回転する基板Ｗ上の中心部ＷＣに一定時間不活性ガスが吐出される。その後、気液供給ノズル４５３が再び基板Ｗの外方位置に向かって移動する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、洗浄液としてのＤＩＷの液膜が形成された基板Ｗの表面Ｗｆに対し、媒介液供給機構５５から媒介液としてのトルエンを供給し、ＤＩＷの液膜の上にトルエンの液膜を更に形成する。その後、超音波付与機構５１によりトルエンを介してＤＩＷに超音波を付与しながら、凝固手段３１から基板表面Ｗｆに凍結用の窒素ガスを吐出し、ＤＩＷを凝固させる。これにより、結晶サイズの小さいＤＩＷの凝固体を形成し、その後のリンス工程で短時間に解凍することを可能とし、リンス液中に遊離するＤＩＷの結晶を減少し、パターンへのダメージを防止する。 （もっと読む）

【課題】スピンナ乾燥時にチャンバー内に発生する気流に淀みを生じさせることのないスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】洗浄水供給手段６２は、ウエーハＷを洗浄する洗浄位置と退避位置との間で移動する駆動手段に接続された回転軸６６と、該回転軸６６と一体的に連結され水平方向に伸長するアーム６８と、該アーム６８の先端に形成され該スピンナテーブル３８に保持されたウエーハＷに洗浄水を噴射する洗浄水噴射ノズル７０とを含み、該環状外周側壁４８ａには、該洗浄水供給手段６２を退避位置に位置づけた際、該洗浄水供給手段６２を収容する収容開口部７１が形成されており、該洗浄水供給手段６２には、該洗浄水供給手段６２が該収容開口部７１に収容された際、該収容開口部７１を閉塞する閉塞カバー７２が配設されている。 （もっと読む）