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Fターム[5F157CF72]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 構成要素の配置 (451)

Fターム[5F157CF72]に分類される特許

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【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル142に現像液を供給する現像液供給装置190は、現像液貯槽201と、現像液ノズル142との間に設けられた中間貯槽203と、現像液に直流電圧を印加する電極204と、電極204に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット205と、中間貯槽203へ洗浄液を供給する洗浄液供給管210と、中間貯槽203から洗浄液を排出する廃液管220と、を有している。電極204は、中間貯槽203に設けられている。 (もっと読む)


【課題】
試料台保護部材の消耗を抑制することで試料台保護部材の寿命を延長し、装置稼働率の向上と試料台が露出することによる試料台の消耗を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
円板状の試料台112と、試料台112の側面の消耗を低減するための試料台保護部材(206、203、200)とを備えたプラズマ処理装置において、試料台保護部材(図面上では203)を冷却するための冷却用ガス流路205を有する。また、イオンを試料台保護部材200へ引き込む導体リング201や、試料台保護部材203と試料128との距離を調整する機構(204、250〜252、260、132)を有する。 (もっと読む)


【課題】被洗浄基板へのダメージの発生を抑えることができ、また、エレクトロニクス産業等で使用される高精密度の基板等に対して高清浄度の洗浄を行うことが可能な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供すること。
【解決手段】被洗浄物を超音波振動子の振動面から延びた垂線の液面までの成す領域(超音波照射領域)外の洗浄液の液面下の近傍に位置するように保持して、超音波によって洗浄液の表面に表面張力波を励起させ、被洗浄物に超音波を直接照射することなしに、表面張力波による音圧によって被洗浄物の微粒子汚染物を剥離するようにして、被洗浄基板へのダメージの発生を抑える。 (もっと読む)


【課題】液交換後の温調時に内槽ドレイン配管への通液を行うことにより、廃液設備への悪影響が生じることを防止するとともに、装置への悪影響が生じること及びプロセス不良を防止することができる。
【解決手段】制御部33が、古い燐酸溶液を排出した後、処理槽1に新たな燐酸溶液を供給する。その燐酸溶液をポンプAPで外槽5、循環配管7、内槽3に至る通常循環経路で循環させつつ燐酸溶液の温調を行うが、温調が完了するまでに少なくとも一度は内槽ドレイン配管11を通る一時経路に処理液を流通させる。したがって、古い燐酸溶液が内槽ドレイン配管11に残留していたとしても、新たな燐酸溶液で置換することができる。その結果、内槽ドレイン配管11に残留していた古い燐酸溶液に起因して廃液設備に悪影響が及ぶことを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したSPM液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板32の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル82aが一のノズル支持アーム82qにより支持されており、このノズル支持アーム82qは、天板32の下方にノズル82aが位置するような天板洗浄位置と、天板32の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 (もっと読む)


【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Wの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル2と、ノズル2に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路30と、過酸化水素水供給路30上においてノズル2までの流路長が異なる複数の混合位置MP1,MP2,MP3,MP4にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路31,32,33,34と、硫酸供給源25からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット35とを含む。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。回転カップ40の周囲には、上部に上部開口50nが形成された筒状のカップ外周筒50が昇降自在に設けられている。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時にSPM液が基板に再付着することを抑制することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32には、水平面上で当該天板32を回転させる天板回転機構が設けられている。カップ40の周囲に配設された筒状のカップ外周筒50は、その上端がカップ40の上方にある上昇位置と、上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降するようになっている。ノズル82aを支持するノズル支持アーム82は、カップ外周筒50が上昇位置にあるときに当該カップ外周筒50の側面の側面開口50mを介してカップ外周筒50内に進出した進出位置とカップ外周筒50から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】ロードポートの個数を見かけ上増加させることにより、装置コストを抑制しつつも収納器の搬送効率を向上させることができる。
【解決手段】仮想ロードポート管理部は、物理ロードポートR−LP1,2に対して2個の仮想ロードポートV−LP1,2を割り当てる。さらに、仮想ロードポート管理部は、基板処理装置5と、キャリア搬送システム7と、ホストコンピュータ9とに対して、2個の仮想ロードポートV−LP1,2を2個の物理ロードポートとして扱わせる。したがって、現実の物理ロードポートの個数以上にロードポートが存在するようにFOUP3の搬送を行うことができ、見かけ上、ロードポートの個数を増加させることができる。その結果、装置コストを抑制しつつも、FOUP3の搬送効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体を利用して基板を乾燥させる基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる工程チャンバー2500と、前記工程チャンバーから排出された前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する再生ユニット4000と、を含む基板処理装置である。また、超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる段階と、前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する段階と、を含む基板処理方法である。 (もっと読む)


【課題】基板の膜種、表面状態等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板が載置される載置台32と、載置台32に載置されている基板の周縁部を保持する保持部44と、保持部44に光を照射する光源98と、保持部44からの光の光量を検出することによって、保持部に保持されている基板の保持状態を検出する検出部99とを有する。 (もっと読む)


【課題】ノズルを支持するノズル支持アームに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21および当該基板保持部21の周囲に配設されるカップ40が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して流体を供給するためのノズル82aと、ノズル82aを支持するノズル支持アーム82とを備えている。ノズル支持アーム82には、ノズル支持アーム82の先端面82eに向けてガスを噴出するガス噴出機構75が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハWを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハWを非接触状態で保持する保持部60を有している。保持部60の保持面61には、気体を噴出する複数の噴出口62と気体を吸引する複数の吸引口63とが形成されている。複数の噴出口62と複数の吸引口63は、保持部60に保持される被処理ウェハWに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部60は、被処理ウェハWを搬送する搬送装置、被処理ウェハWの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハWと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハWを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハWを検査する検査装置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板が汚れるのを抑えること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板の第一面に噴霧状の液状体を吐出するノズルと、前記基板保持部に保持された前記基板の外周に前記第一面とは反対の第二面又は前記基板の端部へ向けて気体を噴出する気体噴出部と、前記基板保持部に保持された前記基板に対して前記ノズルから前記液状体が吐出されている状態で、前記気体噴出部に前記気体を噴出させる制御部とを備える。 (もっと読む)


【課題】エッチング等における基板に付着するパーティクルを減らす。
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理するための基板処理部(21)と、基板(2)を処理する処理流体を基板処理部(21)に供給するための処理流体供給部(22)と、基板処理部(21)から排出された処理流体を含有する排気を処理するための排気処理部(23)とを有し、排気処理部(23)は、排気が流れる排気処理流路(44)の下流側に下方から上方に向けて排気を流す排気上昇流路(46)を形成し、排気上昇流路(46)の断面積を排気処理流路(44)の断面積よりも大きくして、排気上昇流路(46)を流れる排気の流速を排気処理流路(44)を流れる排気の流速よりも遅くなるようにした。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層(52)を形成するノズル(40)を備えた液層保持手段(25)と、基板(2)の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段(24)と、ノズル(40)を基板(2)に近接させる昇降機構(41a)とを有し、ノズル(40)に形成した液層(52)を基板加熱手段(24)で加熱した基板(2)の表面の熱で沸騰させて基板(2)の表面と液層(52)との間に蒸気層(60)を形成するように昇降機構(41a)を制御して、基板(2)の表面を洗浄することにした。 (もっと読む)


【課題】基板のダメージを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するスピンチャックと、基板Wの上面内の噴射領域T1に吹き付けられる処理液の液滴を生成する液滴ノズル5と、基板Wを保護する保護液を基板Wの上面に向けて吐出する保護液ノズル6とを含む。保護液ノズル6は、保護液が基板Wの上面に沿って噴射領域T1の方に流れるように基板Wの上面に対して斜めに保護液を吐出し、噴射領域T1が保護液の液膜で覆われている状態で処理液の液滴を噴射領域T1に衝突させる。 (もっと読む)


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