【課題】 気液分離装置から排出される気体中の溶剤濃度を低減する。
【解決手段】この基板処理装置は、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から気体を排気する排気管６９と、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から処理液を排出する排液管６３と、排気管６９の他端側が接続され、チャンバ２７から排気された気体を取り込むとともに、排液管６９の他端側が接続され、排液管６９を介して排出された処理液を取り込み、気体と液体とを分離する気液分離部６１を備えている。
気液分離部６１の内部において、ノズル８１を上下に移動させると、第１金網７７の表面全体に純水が供給され、蒸気になっているイソプロピルアルコールを純水の液滴に溶解し、液体として排出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、レギュレータ４２ｔによって制御された加圧力に従って第２液タンクから第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに、流量調整バルブ４２ｄが設けられている。混合液の混合比調整のために、流量調整バルブ４２ｄとレギュレータ４２ｔとが連動して制御される。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの表面を短時間で確実に洗浄することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブルに保持されたウエーハの表面に洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射してウエーハの表面を洗浄するウエーハの洗浄方法であって、スピンナーテーブルに保持されたウエーハの回転中心に洗浄水噴射ノズルを位置付ける噴射ノズル位置付け工程と、スピンナーテーブルを回転させ洗浄水噴射ノズルから洗浄水を噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心から外周に向けて移動せしめる洗浄工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに、流量調整バルブ４２ｄが設けられており、更に、当該流量調整バルブ４２ｄに対して直列的に、補助流量調整機構４２ｅが設けられている。混合液の混合比調整のために、流量調整バルブ４２ｄと補助流量調整機構４２ｅとが連動して制御される。 （もっと読む）

【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高いスループットが得られる現像装置を提供すること。
【解決手段】処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に搬入された基板の表面に現像液を結露させて液膜を形成するために、当該処理容器内に現像液のミストを供給する雰囲気ガス供給部と、前記液膜による現像を停止するために基板を乾燥する乾燥部と、を備えるように現像装置を構成する。現像液とレジストとの反応を停止させることができるので、洗浄モジュールによる洗浄処理と並行して現像処理を行うことができ、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、ＣＭＰブラシであって、ブラシの内側領域の中央ノジュールおよびブラシの端領域の１つまたは複数のエッジノジュールの組合せを有する、ＣＭＰブラシを含み、中央ノジュールおよびエッジノジュールは、互いに千鳥状または整合した配置構成にあり、ブラシ上の各エッジノジュールの上側表面は、中央ノジュールの上側表面と同じかまたはそれより大きい接触エリアを有する。各エッジノジュールの上側表面と基板エッジ領域との接触エリアは、中央ノジュールの上側表面と基板中央領域との接触エリアと同じかまたはそれより大きい。
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【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体ウェーハの超音波洗浄装置の、保持具等により超音波が遮蔽された部分のウェーハ表面の洗浄が不十分となるという問題のない半導体ウェーハの超音波洗浄方法及び半導体ウェーハの超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの超音波洗浄装置１００において、洗浄液６中の半導体ウェーハ４の上方に超音波反射板２０が傾斜して設けられている。超音波発生装置１から発振される入射超音波８が超音波反射板２０に反射される。超音波反射板２０は、反射面として平面２０ａを有しており、超音波反射板２０は、平面２０ａの法線方向に、影部分７が位置するように位置決めされている。 （もっと読む）

【課題】一の被処理面と、被処理面の外周に配置された他の露出面とに、それぞれ別々の処理を施すことができる処理装置および処理方法、ならびに、表面処理治具を提供する。
【解決手段】本発明にかかる処理装置１００は、第２被処理面１８ｂと、該第２被処理面１８ｂの外周に配置された第１被処理面１８ａとを含む被処理面を有する被処理体１８に対して処理を行なう処理装置であって、前記被処理体１８を載置する載置部１０と、第１被処理面１８ａと第２被処理面１８ｂとの略境界に第１処理液を供給する第１供給部２４と、第２被処理面１８ｂに第２処理液を供給する第２供給部４６と、を含む処理治具２０と、を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】超音波洗浄で問題となっていた洗浄ムラを解消し、パーティクル除去を効果的に行うことのできる超音波洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、洗浄槽中の洗浄液に被洗浄物を浸漬し、超音波振動子から発生する超音波を伝播槽中の伝播水を介して前記洗浄液に伝播させて前記被洗浄物を洗浄する超音波洗浄方法であって、前記伝播水として、脱気した純水に、溶存ガスを飽和濃度に対して３５〜７０％の濃度で溶解させたものを用いることを特徴とする超音波洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 全長が１８００ｍｍ以上ある大型のエキシマランプ４０を光源に備えていても、中間部と端部とで一定の水準の処理効果を保つことができるランプユニット２０を提供すること。
【解決手段】 放電容器４１における上壁面４２と下壁面４３との外表面に電極４６、４７が設けられると共に放電容器内にキセノンガスが封入されてなり、当該放電容器内にエキシマ放電を発生させるエキシマランプ４０と、
エキシマランプ４０の両端をランプ保持体２６によって支持して筐体２１内にエキシマランプ４０を配置したランプユニットにおいて、
前記エキシマランプ４０の長手方向の中間部下方に中間支持体５０を配置し、エキシマランプ４０を下側から支持したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】検査対象基板上の異物を確実に除去することができる基板検査装置の提供。
【解決手段】基板検査装置１は、マスク１１６、複数の粘着性粒子が離脱可能に設けられた剥離シート２０、および粘着部材２２が装着されるマスクホルダ１１７と、マスクホルダ１１７に対してマニピュレータ（例えばナノピンセット１０）と検出部４１とが設けられた検出ヘッド１１３を相対移動させる移動手段である鉛直方向駆動機構１２３および水平方向駆動機構１２４と、制御装置２００を備えている。制御装置２００は、剥離シート２０に設けられた複数の微小吸着粒子のいずれか一つをマニピュレータで保持して離脱させ、微小吸着粒子を保持したマニピュレータを異物の位置へ移動し、異物を粘着性粒子に付着させてマスク１１６から除去し、異物が付着した微小吸着粒子を粘着部材２２に付着させて移送する。 （もっと読む）

【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４と、磁石４を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段５とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４を、基板に接近させ、磁石４を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。 （もっと読む）

【解決手段】枚葉式ウエハ湿式処理のための装置におけるスピンチャックは、ウエハのエッジ周りでウエハのチャック対向面から流れるガスを方向付けてウエハの非チャック対向面から離れるようにガスを排出する一連の環状ノズルを、支持されたウエハと共に形成する構造を周囲に有しており、それによって、非チャック対向面に供給された処理流体がウエハのエッジ領域に触れることを防止する。拡大ヘッドを備えた保持ピンがウエハエッジと係合し、高流量のガスが利用された場合にウエハが上方にずれることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプに対して、隣接ランプ管から放射される紫外線の影響を減少させること
【解決手段】この紫外線照射装置(16-2)は、複数本の紫外線ランプ(L1,L2,…)を並列配置した紫外線照射装置であって、座標軸を、前記複数本の紫外線ランプの並列方向をＸ方向、各紫外線ランプの照射方向を−Ｙ方向、各紫外線ランプ軸線方向をＺ方向と規定したとき、隣接する２本の紫外線ランプ相互間にＺ方向に延在する遮蔽板(26)を備え、前記遮蔽板の−Ｙ方向高さは、隣接する紫外線ランプ(L1)の光源をランプ中心(C1)にある点光源(S1)と見なして、各紫外線ランプ管のいずれの箇所からも隣接する紫外線ランプの点光源を視認できない高さとする。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された半導体デバイス等へのダメージを抑制し、基板の表面から、異物を除去することができる、基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理基板上に、第１の洗浄液による第１の洗浄液層と、第１の洗浄液層上に形成され第１の洗浄液よりも比重の小さい第２の洗浄液による第２の洗浄液層とを形成し、第２の洗浄液層に超音波を印加して被処理基板を洗浄する。 （もっと読む）