キャリア上の基板をクリーニングする装置であって、キャリアは、その内部において、互いに平行に延び、開口によってキャリアの下側で外に接続する複数の縦方向の通路を有し、装置は、互いに平行に延び、パイプホルダに配置されて液体供給源に対して液体を導くように接続された複数の細長いパイプを有している。センタリングプレートが、パイプの周囲に設けられ、パイプホルダから離れたパイプの端部領域にある取付け位置と、取付け位置及びパイプホルダ間の作用位置との間でパイプの長手方向にパイプに対して移動可能である。センタリングプレートがキャリアに支持され、パイプが縦方向の通路に対して正確に配列される。
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【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

本発明の目的は、乾燥時間が短く、染みなどが発生せず、ＩＰＡを使用しないことにより、火事の危険性を低減し、有機汚染が発生しないようにする真空乾燥機およびこれを用いた乾燥方法を提供することである。本発明は、蓋部分にディスペンサノズルが形成され、下部にガスが排出される排出口が形成されている真空チャンバと、前記真空チャンバ内に位置し、複数のウエハまたはディスクが配列されるようにするスタンドと、真空チャンバ内において前記スタンドと前記排出口との間に位置し、複数のホールが形成されているパンチングプレートとを備える乾燥機と、これを利用した乾燥方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム照射部の窓を保護するとともに良好な表面処理結果を得ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１は、処理溶液８１により処理対象物９０の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部１０，溶液供給部２０，ガス吹出部３０，ガス吸引部４０，ガス量調整部５０および回転部６０を備える。電子ビーム照射部１０は、窓１４を通過した電子ビームを処理対象物９０表面上の処理溶液８１に照射して、その処理溶液８１を活性化させる。ガス吹出部３０は、電子ビーム照射部１０の窓１４に対し略平行に不活性ガス８２を吹き出す。ガス吸引部４０は、ガス吹出部３０から吹き出された不活性ガス８２を吸引する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第２に、もって微細化，高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して表面処理する。スプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤを混合して噴射すると共に、基板材Ａとスプレーノズル７間が、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅとなっており、エアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。そして基板材Ａに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Ｆへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーＤは、圧送源１４のブロワから温度上昇して圧送供給される。 （もっと読む）

【課題】 従来の超音波エッジ洗浄装置では、円錐形状に形成したホーン３の先端に二股部３ａ、３ｂを形成しているため、その二股部３ａ、３ｂが非常に短いので、被洗浄物１の端部の僅かな部分しか洗浄できないという問題がある。
【解決手段】 背面部６に洗浄液の供給部７及び排出部８装着し、背面部６の上端及び下端から傾斜壁９，１０が対向するように形成され、傾斜壁９，１０の間に挿入部１１を形成し、傾斜壁９，１０の間に側壁１２，１３を形成することにより、筐体１４が形成され、挿入部１１が側壁１２，１３に延長して切り欠き部１５が形成されるように構成し、傾斜壁９，１０にそれぞれ超音波振動子１４，１５が装着され、さらに、超音波振動子１４，１５に発振器（図示せず）から発振出力が印加されており、超音波振動子１４，１５を覆うように外壁１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の洗浄効率を向上させること。
【解決手段】基板２を回転させるための基板回転手段１９と、回転する洗浄体３２で基板２の周縁部を洗浄するための周縁洗浄手段２１と、基板２に洗浄液を供給するための洗浄液供給手段２２とを有する基板液処理装置を用いて、回転する基板２の周縁部に回転する洗浄体３２を接触させて、洗浄液で洗浄するときに、基板回転手段１９による基板２の回転方向と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転方向とを反対方向として、基板２と洗浄体３２とが接触する洗浄部分での基板２と洗浄体３２の進行方向が同一方向となるようにし、かつ、基板回転手段１９による基板２の回転速度と、周縁洗浄手段２１による洗浄体３２の回転速度との回転速度比（基板：洗浄体）が１：１〜３．５：１の範囲となるようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理物の被処理領域が均一に処理されるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１００２は、被処理領域１９０８の平面形状と同一の平面形状を有する第１の対向面１０２０を持つ第１の電極１０１２を備える第１の電極構造体１００４に支持されたワーク１９０２を線状の第２の対向面１０５０を持つ第２の電極１０４６を備える第２の電極構造体１０３６で走査する。また、プラズマ処理装置１００２は、第２の電極構造体１０３６でワーク１９０２を走査しながら第１の電極１０１２と第２の電極１０４６との間に電圧を印加し、第１の電極構造体１００４と第２の電極構造体１０３６との間隙１０３８にプラズマを発生させることにより、ワーク１９０２の上面１９０４にプラズマを作用させる。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料、粒子、または化学物質を基板から除去するためのブラシまたはパッドを作製する方法および材料を提供する。
【解決手段】ブラシまたはパッドは、多孔性パッド材料を支持するための回転可能ベースを含む。ベースは、内表面および外表面を含み、かつ多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせるための複数のチャネルをベースに含む。多孔性パッド材料は、ベースの外表面の少なくとも一部を覆い、材料を様々な基板から除去するために使用される。多孔性パッド材料は、ベースのチャネルの１つまたは複数を充填し、多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせる。チャネルは、ベースの前記内表面を外表面と流体接続し、多孔性パッド内における多孔性パッドノードの位置合わせおよび流体の分布を補助することが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 （もっと読む）

【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、１０〜８０μｍの空間波長領域に関して１ｎｍ ＲＭＳよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第１の工程で水素雰囲気中で１〜１００ｓｌｍの流量で処理を行い、更に第２の工程でエッチング媒体を０．５〜５ｓｌｍの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】透過窓とチャンバとの間で気密保持するＯリングの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波透過窓２０の下面２０ａの外周部であって円柱体１５の上面１５ａと連結する部分に位置する領域に、環状の導電性膜２５を形成し、マイクロ波透過窓２０の外周部分を透過するマイクロ波を該導電性膜２５にてシールドしてトッププレート側に透過させないようにした。そして、間隔保持板２３によってＯリング２１の内側に生じるマイクロ波透過窓２０の下面２０ａと円柱体１５の上面１５ａとの隙間Ｄにマイクロ波が導入されないようにした。 （もっと読む）

【課題】研磨工具等を囲む筺体内の洗浄を容易に行えるようにする。
【解決手段】洗浄機構２０は、筐体内に配設され、水源３１等に連通する第１の連通路２２ａを有する第１の回転支持部２２と、第１の回転支持部２２によって回転可能に支持され、第１の連通路２２ａに連通する第２の連通路２３ａを有する第１のノズル体２３と、第１のノズル体２３において第１の回転支持部２２を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第２の連通路２３ａに連通する第１の噴射口２４と、第１のノズル体２３に配設され、第２の連通路２３ａに連通する第３の連通路を有する第２の回転支持部２５と、第２の回転支持部２５によって回転可能に支持され、第３の連通路に連通する第４の連通路を有する第２のノズル体２６と、第２のノズル体２６において第２の回転支持部２５を中心として描かれる円の接線方向に開口し、第４の連通路に連通する第２の噴射口２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】電極を処理対象物の上方に位置させてプラズマ処理を施す構成をとりつつメンテナンス性の向上を図ることができるようにしたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ベース部４の上面に処理対象物Ｂを保持する保持部１４を備え、ベース部４の上方には、ベース部４の上面に上方から当接してベース部４の上面との間に保持部１４を覆う密閉空間ＳＰを形成する蓋部材５を移動自在に設ける。電極３１は、蓋部材５のベース部４と対向する面に電気絶縁部材３０を介して取り付けられ、密閉空間ＳＰ内で保持部１４の上方に位置する。ベース部４には、蓋部材５がベース部４の上面に当接したときに密閉空間ＳＰ内に露出した上端が電極３１と接触する導電部４０を設け、高周波電源部５２からベース部４の下方に設けた整合器５１及び導電部４０を通じて電極３１に高周波電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックが確実に再生されたことを判断し得る静電チャックの再生方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１２内にプラズマを発生させ、このプラズマにより誘電体たるチャックプレート３の表面をクリーニングする。次に、チャックプレート表面にダミー基板を搬送し、チャック本体の電極４ａ、４ｂ間に電圧を印加してダミー基板を吸着させる工程と、前記ダミー基板の裏側に画成された空間３ｂに不活性ガスを供給し、そのときの前記空間からのガス漏洩量を測定する工程とを含む。そして、前記ダミー基板の複数枚を順次搬送して前記各工程を行い、前記ガス漏洩量が所定の閾値以下になると、静電チャックの再生が終了したと判断する。なお、ガス流量は、所定流量まで段階的または連続して増加させるようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の下面への処理液による処理時にのみ対向部材を当該基板の下面に近接させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】下面処理液配管１０の管壁の途中部には、ベローズ部２４が設けられている。下面処理液配管１０内を処理液が流通するときは、その処理液の圧力によってベローズ部２４が伸長状態となり、下面処理液配管１０内を処理液が流通しないときよりも、下面処理液配管１０の配管長が長くなる。下面処理液配管１０の上端部に、対向棒２０が固定されている。処理液の吐出時には、対向棒２０を前記近接位置に位置し、また、処理液を吐出しないときは、対向棒２０を前記離間位置に位置する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理部が搬送路に沿って配列されている場合でも、基板搬送時間の増加を抑制または回避することができる基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、複数の処理ユニット６と、シャトルＳＴと、メインロボットＭＲと、ＭＲ移動機構７と、シャトル移動機構とを含む。複数の処理ユニット６は、それぞれ基板Ｗを１枚ずつ処理するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って配列されている。また、シャトルＳＴは、基板Ｗを待機させておくためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。また、メインロボットＭＲは、シャトルＳＴと各処理ユニット６との間で基板Ｗを搬送するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。シャトル移動機構は、搬送路Ｃ１に沿ってシャトルＳＴを移動させる。また、ＭＲ移動機構７は、搬送路Ｃ１に沿ってメインロボットＭＲを移動させる。 （もっと読む）