【課題】ナノバブル水（ゼータ高電位水）の生成に適用される気体溶解液生成装置を提供する。
【解決手段】気体溶解液生成装置は、気体と液体とを混合する気液混合部１０１と、この気体を含む液体が流入し、この液体中に含まれる気体をマイクロバブルに変換するマイクロバブル生成部１０４と、このマイクロバブルを含む液体が流入し、この液体中に含まれるマイクロバブルをナノバブルに変換するナノバブル生成部１０５と、このナノバブルを含む液体を、気液混合部、マイクロバブル生成部、及びナノバブル生成部を介して循環させることで、この液体中の気体溶解濃度を高める循環機構２０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】ワーク１を支持する支持面４２１に負圧を伝達する多孔質体からなる吸着部４２と、絶縁性を有する部材で形成された枠体４１とを有するワーク支持部４０と、ワーク支持部４０を回転可能に支持する回転支持部５０と、回転支持部５０とワーク支持部４０との間に形成された軽量化空間４３と、吸着部４２と負圧を発生させる負圧源８０とを連通させる吸引経路７０Ａとを有し、吸引経路７０Ａは軽量化空間４３と連通しない構成とする。ワーク支持部４０を厚くして絶縁距離を大きくして帯電を抑えることができ、軽量化空間４３を有することから重量増を招かない。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化および複雑化や消費電力の増大などを回避しつつ検査等の処理に要求される環境を得る。
【解決手段】ＦＰＤ検査装置１は、ワークＷを搬送する搬送ステージ１４〜１６と、搬送ステージ１４〜１６上を移動するワークＷに検査ラインＬ１５（処理部）で検査する検査ユニット１０と、搬送ステージ１４〜１６と検査ユニット１０とを収容する搬送部外装１７および１９ならびに検査部外装１８と、外装（１７〜１９）内にクリーンエアを送出するＦＦＵ１０１と、ＦＦＵ１０１から送出されたクリーンエアを検査ユニット１０に導く風洞Ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】異種金属が露出した基板表面の洗浄において卑金属の溶解を防止する。。
【解決手段】基板保持台２６に保持された基板２４表面の周縁部の上方にノズル２１を配置し、カーボン電極２３Ａを通じて電圧発生装置２９により電圧を印加された薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の周縁部に供給する。次に、薬液２１３をノズル２１から供給しながら、基板２４表面の中央部の上方にノズル２１を移動させた後、薬液２１３をノズル２１から基板２４表面の中央部に供給する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】異物除去の効率を向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、超音波を発する振動子１１と、紫外線を通過する材料により形成され、振動子１１が発する超音波を、異物と化学反応する機能水３によって覆われた基板表面２ａに対して、基板表面２ａに対向するように配置されたホーン底部１３から伝達するホーン部１２と、ホーン部１２の内部に配置され、ＵＶ光を発光するＵＶ光源２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノズルを移動しながら基板を処理することができ、かつ、密閉チャンバの内部空間の狭空間化を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ２は、密閉された内部空間を区画する隔壁９を有している。密閉チャンバの内部空間でウエハＷが保持される。密閉チャンバ２には、移動ノズルとしての形態を有する処理液ノズル４が設けられている。処理液ノズル４を支持するノズルアーム１５は、隔壁９に形成された通過孔１４を介して密閉チャンバ２の内外に跨って延びている。このノズルアーム１５は、密閉チャンバ２外に配置された直線駆動機構３６によって駆動されるようになっている。隔壁９とノズルアーム１５の外表面との間は、第３シール構造によってシールされるようになっている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの排出を制御できるバルブを提供すること。
【解決手段】バルブ１１は、流入口１５、排出口１６、および吐出口１７を含む。排出口１６は、第１流路１８、２０によって流入口１５に接続されている。吐出口１７は、第２流路１９によって第１流路１８、２０に接続されている。第２流路１９は、流入口１５と排出口１６との間に設けられた接続位置ＣＰ１において第１流路１８、２０に接続されている。第２流路１９は、第１弁体２５が第１アクチュエータ２４によって移動されることにより開閉される。また、絞り部３７は、接続位置ＣＰ１よりも排出口１６側において第１流路１８、２０に設けられている。絞り部３７は、吐出口１７および第２流路１９の流路面積よりも小さい流路面積を有している。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】ティーチング作業を軽減することができるとともに、より正確なティーチングを実現することができる基板処理装置のためのティーチング方法を提供すること。
【解決手段】透明シート３０がノズル３に取り付けられる。このとき、透明シートの基準線上にノズル３が位置する。スピンベース６の上面には、模様シート５０が貼着される。スピンベース６が鉛直軸線まわりに回転される。スピンベース６の上面１６に、回転中心ＢＣを中心とする同心円パターン５２が表れる。回転中のスピンベース６の上面１６の上方を、ノズル３および透明シート３０が軌道に沿って移動する。透明シート３０の縞パターンが同心円パターン５２に重なると、線対称のモアレパターンが表れる。カメラによって撮像された画像に含まれるモアレパターンの対称軸が基準線に一致した時、ステッピングモータの回転量が取得される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長前の表面処理（エッチング処理、洗浄処理、乾燥処理）において、半導体ウェハの表面パーティクル数が増大するのを効果的に抑制し、表面パーティクル数が少ない半導体ウェハを実現できる技術を提供する。
【解決手段】ウェハカセットを、当該ウェハカセットの前面を構成する前方支持体と、前方支持体に対向配置され、当該ウェハカセットの背面を構成する後方支持体と、収容される半導体ウェハを下方に案内する上溝部を有し、前方支持体と後方支持体を上部で連結する上側部フレームと、上溝部に対応して設けられ、収容される半導体ウェハを支持する下溝部を有し、前方支持体と後方支持体を下部で連結する下側部フレームとを備えた構成とする。上側部フレームと下側部フレームの間が開口し、側部周縁が開放された状態で半導体ウェハを収容可能となっている。 （もっと読む）

【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハＷはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハＷの下面の中央部には、下ノズル６からの処理液が供給される。下下ノズル６は、ウエハＷの下面から間隔Ｇ１を隔てて対向する上面５２を有している。上面５２には、処理液吐出口６ａが形成されている。ウエハＷを回転させつつ、処理液吐出口６ａから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハＷの下面と下ノズル６の上面５２との間の空間５３が液密状態にされる。ウエハＷの下面に接液する処理液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハＷの周端面１０２から上面に回り込む。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、所定のパターンＦＰが形成され液体としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、第一処理液供給手段２５から第一処理液としてのＨＦＥ液を供給し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段３１から基板裏面Ｗｂに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンＦＰの間隙内部に残留させたＤＩＷを凝固させ、パターンＦＰの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるＨＦＥ液の液膜の上に第二処理液としてのＤＩＷの液膜を形成し、ＤＩＷの液膜に対し超音波洗浄手段１７により超音波振動を付与して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置３は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器８を備える。処理液容器８の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口１２となっている。処理液容器８の上部には、配管１３が接続されており、配管１３を介して負圧源としての真空装置（図示せず）が接続され、配管１３には処理液容器８内に気体（たとえば大気）を導入するための気体導入配管１４が分岐接続されている。処理液容器８に貯留された処理液は、処理液容器８に気体を導入することによって重力落下により基板Ｗに吐出され、処理液容器８への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面や裏面を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄液ＣＬを循環させるとともに洗浄液ＣＬにＤＩＷの液滴ＬＤを供給して凝固させて新たな氷粒ＩＧを生成し、洗浄液ＣＬ中に混合させている。したがって、氷粒ＩＧ同士が結合するのを抑制しながら洗浄液ＣＬ中に氷粒ＩＧを均一に分散させることができる。そして、この洗浄液ＣＬにより基板の表面や裏面を洗浄しているため、洗浄液ＣＬの氷粒ＩＧが基板に対して均一に作用して基板の表面や裏面を均一に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減するとともに排液量を少なくすることができ、また処理時間を短縮し、さらに装置全体の省スペース化と製造コストの低減化が達成できる基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】薬液処理後の基板Ｗに対し水洗処理を行う水洗処理室１０が、基板搬送方向において置換水洗領域２０１、水洗領域２０２および直水洗領域２０３にこの順に画定され、置換水洗領域２０１内に、入口ノズル１６と、高圧ノズル１８と、強制排出ノズル１００と、エアーノズル２２と、がそれぞれ配設される。置換水洗領域２０１内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗領域２０１内から基板Ｗが搬出された後に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】薬液の溶存酸素を低減して基板の処理効率を向上させるとともに信頼性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理部１０と、薬液を貯留する薬液貯留容器２０と、薬液貯留容器２０から処理部１０に薬液を供給する薬液供給駆動部２３と、薬液貯留容器２０に貯留され薬液を循環する循環ライン３０と、循環ライン３０に設けられた混合体生成部３１とを備えている。混合体生成部３１には、不活性ガス供給源４０により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部３１は、薬液貯留容器２０から供給される薬液と、不活性ガス供給源４０から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板からの剥離物（例えば、レジストや金属膜）等が周囲の飛散防止カバーに付着するのを効果的に防止する半導体基板の処理装置を提案する。
【解決手段】半導体基板１１を保持する基板保持部材１２と、これの回転駆動手段１４と、半導体基板１１に処理流体を噴射するノズル１５と、基板保持部材１２の周囲に設けられた飛散防止カバー１６とを有する半導体基板の処理装置１０において、飛散防止カバー１６の内側上部に、シャワーヘッダー１７を設け、飛散防止カバー１６の下方には、不要物３０を回収する取り外し式のメッシュ籠２９を備えている。 （もっと読む）