【課題】基板処理部に対する処理液の供給流量を調整するときの調整時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを処理液で処理するための処理ユニット６と、処理ユニット６に処理液を供給するための処理液供給配管１４と、処理液供給配管１４に介装され、開度を変更するためのモータ２４を有するニードルバルブ１５とを備えている。処理液供給配管１４およびニードルバルブ１５は、流体ボックス７内に収容されており、この流体ボックス７によってニードルバルブ１５全体が覆われている。制御部８がモータ２４を制御してニードルバルブ１５の開度を変更することによって、処理ユニット６に対する処理液の供給流量が変更される。 （もっと読む）

【課題】反応槽のクリーニングのためのドライエッチングの終点判断を正確に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】製造装置の反応槽内で基板上に構造膜を形成することにより半導体装置を製造するプロセスにおいて、反応槽内のクリーニングを行う。すなわち、反応槽の内壁にホウ素を含有したシリコン窒化膜からなるプレコート膜を堆積させ（ステップＳ１１）、反応槽内において基板上に構造膜としてホウ素を含まないシリコン窒化膜を形成し（ステップＳ１２）、反応槽の内壁をドライエッチングしてクリーニングする（ステップＳ１３）。このとき、ドライエッチングは、反応槽から排出されるガスにホウ素が検出された後で終了させる。 （もっと読む）

【課題】チップ領域数を減らすことなく半導体ウェハにウォーターマークモニタ用パターンを配置する方法の提供。
【解決手段】半導体ウェハのスクライブライン領域５に、ウォーターマークモニタ用パターンとして第１モニタ用パターン７、第２モニタ用パターン９及び第３モニタ用パターン１１が形成されている。第１モニタ用パターン７は半導体基板表面に形成された凹部によって形成されている。第２モニタ用パターン９は半導体基板表面に形成された複数の絶縁材料パターン９ａによって形成されている。第３モニタ用パターン１１は、半導体基板上に形成された半導体膜１１ａからなり、半導体膜１１ａには不純物が導入されていない第１半導体膜領域１１ｂと第１半導体膜領域１１ｂに隣接して形成された不純物が導入されている第２半導体膜領域１１ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 シールリングの劣化による液漏れリスクを低減し、メンテナンスコストの削減を図るとともに、信頼性向上に寄与する。
【解決手段】 外面に形成した熱交換面を冷却又は加熱することにより内部に流通する薬液Ｌに対して熱交換を行う薬液用熱交換器１を構成するに際して、所定の焼成素材Ｍを焼結して全体を一体形成することにより、内部に薬液Ｌを流通させる薬液流通路Ｒを設け、かつ少なくとも外面となる上面２ｕ及び下面２ｄに熱交換面Ｃｕ，Ｃｄを設けるとともに、上面２ｕ及び下面２ｄの少なくとも一方に薬液流通路Ｒに臨む流入口Ｒｉ及び流出口Ｒｅを設けた熱交換ブロック２と、上面２ｕ及び下面２ｄの少なくとも一方２ｕ（２ｄ）に固定し、かつ流入口Ｒｉに連通する流入側接続部Ｊｉ及び流出口Ｒｅに連通する流出側接続部Ｊｅを設けた接続用ヘッダ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面の有機物と金属不純物の両方を除去して清浄化できる方法と、清浄化した酸化物基板に酸化物薄膜を形成する方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、真空雰囲気中に置いた酸化物基板５を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板５の表面から金属不純物を除去する第１の清浄化工程と、前記酸化物基板５の表面に酸素プラズマを接触させて該酸化物基板５の表面から有機系不純物を除去する第２の清浄化工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐久性とコストを両立する合板素材の振動板について、共振性能を向上させることができる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】 洗浄液を保持する洗浄槽と、洗浄槽に振動を伝播可能に設けられる振動板と、振動板を振動させる超音波振動素子とを具備する超音波洗浄装置であって、振動板は、第１素材により形成される第１板材と、第１板材に重ね合わされ第２素材により形成される第２板材からなり、第１板材の厚さをｔ_１、第２板材の厚さをｔ_２、第１板材の音速をｖ_１、第２板材の音速をｖ_２、超音波振動素子の発振周波数をｆ、自然数をｎとすると、
【数１】


の関係を満たすことを特徴とする超音波洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】
洗浄液を効率的に処理してミストを発生させず、部品交換の必要のない低コストのウェーハ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
洗浄槽２１と、回転テーブル２２と、洗浄ノズル１４と、回転テーブル２２外周部近傍に設けられたリング２３と、回転テーブル２２の底部外周縁に設けられた複数の板状部材２５とにより、洗浄液を飛散させず、ミストを吸引しながらウェーハの洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプの放電容器が不意に破損しないように、エキシマランプの点灯の可否を判断する方法を提供する。
【解決手段】放電容器１０内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間１０を挟んで一対の電極１７，１８が前記放電容器１０の外表面に形成され、前記放電容器１０の内面に前記密閉空間内に発生した紫外線を光出射方向に向けて反射する紫外線反射膜が形成されたエキシマランプ１において、前記放電容器１０が被処理体Ｗから遠ざかる方向に変形することを規制することにより生じる負荷を圧電素子３で電気信号に変換し、該負荷に対応する実測値と前記放電容器に割れが生じる危険性を有する水準の負荷に対応する基準限界値とを対比して、前記エキシマランプ１の点灯の可否を判断する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、ＣＦ_４以外の最適なフッ素系ガスを使用すると共にプラズマ処理能力を向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】この発明は、処理ワークが配される処理空間と、該処理空間内にガスを導入するガス導入手段と、前記処理空間内に放電プラズマを形成するプラズマ生成手段とによって少なくとも構成されるプラズマ処理装置において、前記処理空間に導入されるガスは、フッ化カルボニル（ＣＯＦ_２）又はトリフルオロメタン（ＣＨＦ_３）を含むガスであり、このガス圧力は、０．００１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲内であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】被処理物の種々のサイズに対応可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置Ｍは、長手方向に連なる複数の電極ユニット１０，１０を備えている。各電極ユニット１０は、互いに対応する長さの第１、第２電極部材１１，１２と、第１誘電部材１３と、一対のサイドフレーム１６を有している。複数の電極ユニット１０，１０における第１電極部材１１，１１どうし、第１誘電部材１３，１３どうし、及び幅方向の同側のサイドフレーム１６，１６どうしが、それぞれ互いに同一規格に形成されるとともに長手方向に連ねられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス３０には、紫外線ランプ３２群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング３３が設けられている。開放ハウジング３３の天井部には、例えばステンレス板に１〜３ｍｍの孔を多数形成した多孔のガス拡散板３５を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス（不活性ガス）を供給して、紫外線ランプ３２の周囲からワークＷの紫外線照射空間Ｘにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 （もっと読む）

【課題】Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎの成膜工程で使用した成膜装置部品の表面に付着・堆積した堆積物を、基材をできる限り傷めることなく、しかも短時間で除去する洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム、ステンレス又はアルミナセラミックス等から構成される成膜装置部品の表面を算術平均粗さＲａとして５ミクロン以上に粗面化することで、Ｔａ、Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔｉ−Ｎ堆積膜の形状を粒状に制御し、次いで硫酸とフッ化水素酸からなる洗浄液で洗浄することにより、堆積膜を除去する方法であり、粗面化した部品表面としては、部品表面にアルミニウム又はチタンの溶射膜を設けて粗面化したものが好ましい。 （もっと読む）

【課題】筐体内部等に対するメンテナンス性を阻害することのない筐体カバー機構を提供する。
【解決手段】少なくとも開口部２３３ａを閉塞し得る大きさを有し可撓性を有するシート状カバー部材２０２を、移動手段２１５によって開口部２３３ａを閉塞する閉塞位置と開口部２３３ａを開放する開放位置との間で移動させることで、開口部２３３ａを開閉するように構成し、開口部２３３ａの開放時にはシート状カバー部材２０２を筐体２３３内部のメンテナンス性を阻害しない状態に維持することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板処理装置及びその製造方法を開示し、工程設備の工程ユニットをモジュール化し、モジュール化された工程ユニットをメインフレームに脱着可能に設置することを特徴とする。
【解決手段】工程設備の製造に必要とする作業時間及び作業量を減少させることができるだけでなく、各工程ユニットの維持補修をより容易に実施できる基板処理装置及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを、凹部が形成された裏面を露出した状態に全面載置型のスピンナテーブルに保持して洗浄した後に、該ウェーハを安全、かつ確実に取り上げて所定の搬送先に円滑に搬送する。
【解決手段】スピンナテーブル７１に保持して洗浄したウェーハ１の環状凸部５Ａをウェーハ取り上げ機構９０の吸着パッド９４で吸着して取り上げ、次いで、露出した表面側を搬送ロボット２３のロボットピック２３ｃで受け取って吸着、保持し、搬送ロボット２３を作動させてウェーハ１を回収カセット２２Ｂ内に移送して収容する。 （もっと読む）