【課題】 ８００℃から８５０℃程度の低温で焼結が行える磁気組成物を提供すること
【解決手段】 ４０〜５０ｍｏｌ％のＦｅ_２Ｏ_３，１５〜２５ｍｏｌ％のＮｉＯ，５〜２０ｍｏｌ％のＣｕＯ，１５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯからなるフェライト材料に、下記組成のビスマス系ガラスを１〜１０ｖｏｌ％を混合して形成される組成とし、当該ビスマス系ガラスの成分は、Ｂｉ_２Ｏ_３を４０〜９６ｗｔ％，ＺｎＯを０〜３０ｗｔ％，ＳｉＯ_２を０ｗｔ％〜２０ｗｔ％，Ｂ_２Ｏ_３を０ｗｔ％〜２５ｗｔ％，ＢａＯを０ｗｔ％〜８ｗｔ％，Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８ｗｔ％という関係を満たす組成配分とした。目的とする低温で焼結が行えるようになり、誘電率も５０以上の値を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、かつ、結晶性が高く、誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末とを分散する分散工程と、前記分散工程において得られた混合粉末を焼成する焼成工程と、を備えており、前記焼成工程の温度上昇過程において、前記混合粉末の重量が減少しはじめる温度が５８０℃以下であるようにした。 （もっと読む）

【課題】８００℃〜９５０℃の低温焼成が可能であり、４．５〜６．０（１ＭＨｚ）の低い誘電率及び低い誘電損失率を有する低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物及びこれを低温で焼成して製造した低誘電率セラミック誘電体を提供する。
【解決手段】低温焼成用低誘電率セラミック誘電体組成物において、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、アルカリ土類酸化物及びアルカリ金属酸化物を含有するホウケイ酸塩ガラスフリット４４重量％〜６５重量％、充填材３４重量％〜５５重量％、及びＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、Ｌａ_２Ｏ_３及びＷＯ_３の中から選択された１種又は２種以上の核形成剤０．１重量％〜５重量％とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電性無機粒子を含む非フッ素系樹脂フィルムの電気絶縁性と耐電圧を向上させることができる積層型高誘電性フィルムを提供する。
【解決手段】（Ａ）非フッ素系熱可塑性樹脂（ａ１）および高誘電性無機粒子（ａ２）を含む高誘電性樹脂フィルム層、および（Ｂ）該高誘電性樹脂フィルム層（Ａ）の少なくとも片面に設けられている絶縁性樹脂（ｂ）の塗膜層を含む積層型高誘電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】電極材料との接着力が大きく、且つ膜強度が大きい誘電体組成物を構成するコア−シェル構造粒子、これを用いた組成物、誘電体組成物及びキャパシタを提供する。
【解決手段】ペロブスカイト系結晶構造を有する高誘電率無機粒子を含有するコアと、（ａ）重合性基を有する樹脂を含有するシェルを有するコア−シェル構造粒子であって、シェルの平均厚さが１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であるコア−シェル構造粒子。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度を制御できる範囲が広く、室温付近の相転移が無く、優れた強誘電特性を示すチタン酸バリウムを主成分とした強誘電セラミック材料を提供する。
【解決手段】 （１００−ａ−ｂ）ＢａＴｉＯ_３・ａＢｉ_２Ｏ_３・ｂＭ_２Ｏ_３（式中、ＭはＢｉ以外の３価の金属を示す。ａ、ｂは１≦ａ≦１５、０≦ｂ≦５、５≦ａ＋３ｂ≦１５である。）で表される酸化物からなる強誘電セラミック材料。前記Ｍが第５周期の遷移金属、原子番号が５９以上６９以下の希土類金属から選ばれる３価の金属であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、該積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及びジルコン酸化物とチタン酸化物との組み合わせからなる高誘電フィラーを含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び／又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 （もっと読む）

【課題】高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が小さく、しかも耐熱性、及び冷熱衝撃試験での耐クラック性に優れた積層体の製造に有用な、重合性組成物及びプリプレグ、並びに該積層体、さらに該積層体を用いてなる誘電体デバイスを提供すること。
【解決手段】シクロオレフィンモノマー、重合触媒、架橋剤、架橋助剤、及び比誘電率が１５以上で、かつ比誘電率の温度変化率が正である無機充填剤を含有してなる重合性組成物、前記重合性組成物を強化繊維に含浸させた後に重合してなるプリプレグ、前記プリプレグと、当該プリプレグ及び／又は他の材料とを積層した後、硬化してなる積層体、並びに該積層体を用いてなる誘電体デバイス。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１０００℃以下でも焼成可能であるとともに、１００ＭＨｚにおける比透磁率および比誘電率を高くできる磁性体と誘電体との複合焼結体およびそれを用いたＬＣ複合電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶を含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、前記複合焼結体の結晶中のＹ型六方晶ＢａフェライトおよびＭ型六方晶Ｂａフェライトの合量の割合が７３．４〜７６．８質量％であり、ＳｒＴｉＯ_３結晶およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ結晶の合量の割合が２２．３〜２６．２質量％であるとともに、前記複合焼結体にＢｉがＢｉ_２Ｏ_３換算で５．７〜１２．０質量％含まれている磁性体と誘電体との複合焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率でありかつ静電容量の温度特性に優れるとともに、高温負荷試験での寿命特性が高い積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５を構成する誘電体磁器が、チタン酸バリウムを構成するバリウム１００モルに対して、バナジウムをＶ_２Ｏ_５換算で０．０５〜０．３モル、イットリウム，ジスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる１種の希土類元素（ＲＥ）をＲＥ_２Ｏ_３換算で０．５〜１．５モル含有するとともに、その誘電体磁器を構成する結晶粒子はカルシウムの濃度が０．２原子％以上の結晶粒子から構成されており、前記誘電体磁器のＸ線回折チャートにおいて、正方晶系のチタン酸バリウムを示す（００４）面の回折強度が、立方晶系のチタン酸バリウムを示す（４００）面の回折強度よりも大きく、かつキュリー温度が１００〜１２０℃である。 （もっと読む）

【課題】 積層セラミックコンデンサに用いられるＢａＴｉＯ₃系誘電体材料に関し、誘電率が高く、温度特性が良好で、かつ信頼性の高い、誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、上述の誘電体セラミックに適したセラミック粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 一般式ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型化合物（ＡはＢａを必ず含み、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる少なくとも１種を含む。ＢはＴｉを必ず含み、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆから選ばれる少なくとも１種を含む。モル比Ａ／Ｂは０．９５〜０．９８である）を主成分とする組成を有し、かつ、個数割合にして５０％以上の粒子が単結晶である、主成分粉末を用意する第１の工程と、前記主成分粉末の粒子の表面に、少なくともＢａ化合物を担持させる第２の工程と、前記粒子の表面にＢａ化合物を担持させた主成分粉末を熱処理する第３の工程と、
を備える製造方法によって得られたセラミック粉末を用いて、積層セラミックコンデンサを作製する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が比較的高く、それゆえ、薄くかつ可撓性を有するキャパシタを構成するために有利に用いることができる誘電体シートを提供する。
【解決手段】セラミック粒子１６が、樹脂のような可撓性のある基材１５中に分散している、誘電体シート１２において、セラミック粒子１６の粒径をＲとし、誘電体シート１２の厚みをＴとしたとき、Ｒ／Ｔ≧１となるようにし、セラミック粒子の形状が略球形であるとき、より好ましくは、Ｒ／Ｔ≧２／√３となるようにする。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、良好な寿命特性が得られるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分がＢａＴｉＯ_３系であり、副成分としてＬｉを含み、Ｌｉ含有量ｅ［モル部］が、主成分１００モル部に対し、０．５≦ｅ≦６．０であり、当該誘電体セラミックのグレインについて、グレイン径の平均値Ｒｇ［μｍ］が０．０６＜Ｒｇ＜０．１７、より好ましくは０．０６＜Ｒｇ＜０．１４であり、その標準偏差σｇ［μｍ］がσｇ＜０．０７５であるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層の厚みを１μｍ未満と薄くしても、高い絶縁性および寿命特性の維持を可能とする。
【解決手段】誘電体セラミック層２の厚みをｔとし、誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックの結晶粒子の平均粒径をｒとしたとき、Ｎ＝ｔ／ｒ−１で定義される平均粒界個数Ｎを０＜Ｎ≦２とするとともに、誘電体セラミックの組成を、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ、またはＢａならびにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含む。Ｂは、Ｔｉ、またはＴｉならびにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含む。）で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とし、かつＭｎおよびＶを副成分とし、主成分１００モル部に対して、Ｍｎを０．０５〜０．７５モル部、Ｖを０．０５〜０．７５モル部それぞれ含有し、ＭｎおよびＶの合計で０．１０〜０．８０モル部含有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃に対する耐性が高く、それゆえ、大容量化のために薄層化された積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を形成するために用いるのに適した誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミックであって、ＡＢＯ_３がたとえばＢａＴｉＯ_３であるとき、その結晶粒子は、主成分からなるＢａＴｉＯ_３結晶粒子１１を含むとともに、二次相として、少なくともＭｇ、ＮｉおよびＴｉを含む結晶性酸化物からなるＭｇ−Ｎｉ−Ｔｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１２と、少なくともＢａおよびＳｉを含む結晶性酸化物からなるＢａ−Ｓｉ−Ｏ系結晶性酸化物粒子１３とを含むようにする。 （もっと読む）

【課題】高温負荷寿命およびＤＣバイアス特性が良好な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３と副成分としてＢａＺｒＯ_３と希土類（Ｒ）酸化物とを含む誘電体磁器組成物が、非拡散相と拡散相とからなる表面拡散粒子を有している。拡散相内の微小領域に対して、ＺｒおよびＲの濃度を測定し、Ｒ濃度がＺｒ濃度以上である微小領域の集合を第１領域、Ｚｒ濃度がＲ濃度よりも大きい微小領域の集合を第２領域とする。第１領域において、Ｚｒ濃度が１．０原子％以上２．０原子％未満、Ｒ濃度が２．０原子％以上３．５原子％未満である領域を第１拡散相、第２領域において、Ｚｒ濃度が２．０原子％以上４．０原子％未満、Ｒ濃度が１．０原子％以上２．０原子％未満である領域を第２拡散相とすると、第１拡散相２０ｂ〜２４ｂは、第２拡散相２０ｃ〜２４ｃよりも非拡散相２０ａ〜２４ａの近傍に存在している。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を、ＴｉＯ₂と、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種とで被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記被覆が、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体と、Ｎｄ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ及びＳｍの群から選択される少なくとも１種の塩とを加水分解した後、焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能な誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製した電子部品を提供する。
【解決手段】（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３系磁器組成物１００質量部を主成分として、これに対し、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜１７質量部、ＳｉＯ_２ １〜５質量部、ＺｎＯ １〜５質量部、ＭｇＯ ０．５〜３．５質量部、Ｂ_２Ｏ_３ ０．５〜３．０質量部、Ｌｉ_２Ｏ ０．２〜１．０質量部及びＣｕＯ ０．２〜１．５質量部を含有する、誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】ＤＣバイアス特性を良好に維持しつつ、高温負荷寿命を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】チタン酸バリウムを含む主成分と、ＢａＺｒＯ_３を含む第１副成分と、希土類酸化物を含む第２副成分と、Ｍ酸化物（Ｍは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＣｏおよびＦｅから選ばれる１種以上）を含む第３副成分と、Ｓｉ酸化物を含む第４副成分と、を含有する誘電体磁器組成物であって、誘電体磁器組成物が、複数の誘電体粒子と、結晶粒界相と、を有しており、誘電体粒子と結晶粒界相との境界におけるＳｉ元素の含有割合を測定したときに、Ｓｉ元素の含有割合が１．０ａｔｏｍ％以上である測定点の割合が、全測定点の５０％以上であり、かつ誘電体粒子におけるＳｉ元素の含有割合について、複数の誘電体粒子における平均値を算出したときに、その平均値が０．５ａｔｏｍ％以上である。 （もっと読む）