【課題】 本発明は、ＧＨｚ帯領域で使用可能な磁性焼結体、および磁性体と誘電体との複合焼結体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 六方晶Ｂａフェライト粉末と、Ｌｉ_２Ｏ換算で５．０モル％以上のＬｉ、およびＳｉＯ_２換算で１７．０〜２４．１モル％のＳｉを含み、軟化点が４００〜４７０℃のガラス粉末とを、前記六方晶Ｂａフェライト粉末および前記ガラス粉末の合量に対して前記ガラス粉末が１５〜３０体積％となるように混合し、成形し得られるＬｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｆｅ−Ｏスピネル型結晶を主結晶とする磁性焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】誘電率の温度特性が平坦化され、かつ、高温高電界での信頼性に優れた誘電体セラミックを形成することが可能なチタン酸バリウム系誘電体原料粉末、その製造方法などを提供する。
【解決手段】ＢａＴｉＯ₃粉末の表面が、ＢａＣＯ₃とＢａＯの割合がモル比で、ＢａＣＯ₃／ＢａＯ＝０．５５以上であるバリウム化合物により被覆された構成とする。
ＢａＴｉＯ₃粉末を用意し、このＢａＴｉＯ₃粉末を１６時間以上、水系溶媒に浸漬する。
ＢａＴｉＯ₃粉末として、特性調整用の添加成分が添加されたＢａＴｉＯ₃粉末を用いる。
本発明のチタン酸バリウム系誘電体原料粉末と、バインダーと、分散媒を含むシート成形用スラリーを調製し、このスラリーをシート状に成形してセラミックグリーンシートとする。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率及び高い破壊強度、さらには良好な機械的強度及び加工性を有するポリマー複合材料を提供する。
【解決手段】本明細書に開示されているのは、ポリマー材料前駆体とナノ粒子とを混合し、それぞれのナノ粒子が基材及び基材上に配置されるコーティング組成物を含むようにすることと、ポリマー材料前駆体を重合してポリマー材料を形成し、ナノ粒子をポリマー材料内に分散させてポリマー組成物を形成することとを含む、ポリマー組成物を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】 比較的高い比誘電率（たとえば、６００以上）を示すとともに、誘電損失が小さく（たとえば１００ＫＨｚにおいて０．３％以下）、容量温度特性に優れた（たとえば、ＪＩＳ規格のＳＬ特性を満足）誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る誘電体磁器組成物は、
ＳｒＴｉＯ_３：５０．４７〜５５．４８重量％、
ＣａＴｉＯ_３：１４．３０〜２１．３６重量％、
Ｂｉ_２Ｏ_３：１６．７０〜１９．４０重量％、
ＴｉＯ_２：８．２９〜１０．０１重量％、
ＣｅＯ_２：０．２４〜０．５０重量％、
ＣｕＯ：０．０２７〜０．３４７重量％、および
Ｍｎ化合物をＭｎＯ換算で０．１６〜０．４６重量％の割合で含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の誘電率３０〜４０を有するＬｉＮｂ_３Ｏ_８セラミックスの低損失特性を維持しつつ低温焼成化が可能な誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】誘電体磁器組成物は、主成分として、組成式ＬｉＮｂ_３Ｏ_８で表される成分を含み、主成分に対する副成分として、Ｂ_２Ｏ_３を０．５〜３．０重量％の範囲で含む。さらに、副成分として、必要に応じて、Ｂｉ_２Ｏ_３をわずかに含む。また、電子部品は、上記誘電体磁器組成物と内部配線とを含む。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層を１．０μｍ以下に薄層化した場合であっても、所望の誘電特性や温度特性を確保しつつ信頼性を向上させる。
【解決手段】ＢａＴｉＯ_３系の主成分粉末と、焼成によりＬｉ_２ＯとなるＬｉ化合物及び焼成によりＴｉＯ_２となるＴｉ化合物を用意し、それぞれ所定量秤量して混合し、セラミック原料粉末を作製し、該セラミック原料粉末を成形した後、焼成する。Ｌｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＬｉ_２Ｏに換算して０．２〜６．０モル部添加し、Ｔｉ化合物は焼成後の主成分１００モル部に対し焼成後のＴｉＯ_２に換算して０．０５〜４．０モル部添加する。副成分として特定希土類元素酸化物、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｖ化合物、Ｂａ化合物、Ｃａ化合物、Ｓｉ化合物を適量添加してもよい。Ｂａの一部をＣａ又は／及びＳｒ、Ｔｉの一部をＺｒ又は／及びＨｆで置換してもよい。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した形成用組成物等を提供する。
【解決手段】一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）の複合金属酸化物Ａに、一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨ（但し、３≦ｎ≦７）で、かつ、上記金属に配位したときに式（１）の構造をとり得る、カルボン酸Ｂが混合した液状組成物であり、酸化物Ａ構成原料並びにカルボン酸Ｂがモル比０＜Ｂ／Ａ＜０．２になるように溶解している有機金属化合物溶液からなる。


但し、式中、上記一般式Ｃ_nＨ_2n+1ＣＯＯＨのｎを満たす範囲内で、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ６は水素、メチル基又はエチル基を示し、ＭはＰｂ，Ｌａ，Ｚｒ又はＴｉを示し、ｍはＭの価数を示す。 （もっと読む）

本発明は、下記化学式１で表されるチタン酸バリウム系粉末に関する。
［化学式１］
（Ｂａ_ｘＲ^１_ｒ１Ｒ^２_ｒ２）（Ｔｉ_ｙＲ^３_ｒ３Ｒ^４_ｒ４）Ｏ_３
（前記Ｒ^１は、イットリウム（Ｙ）、ランタン族元素からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^２は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）からなる群から選択される１種以上であり、前記Ｒ^３は、リン（Ｐ）及びニオブ（Ｎｂ）からなり、前記Ｒ^４は、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種以上であり、前記ｒ_１とｒ_３は、互いに独立して０より大きく０．０５以下の実数であり、前記ｒ_２とｒ_４は、互いに独立して０より大きく０．１以下の実数であり、（ｘ＋ｒ_１＋ｒ_２）／（ｙ＋ｒ_３＋ｒ_４）は、０．８５以上１．１５以下である実数である。） （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜などの単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】たとえば、ＭｇＯ（１００）基板のＭｇＯ（１００）面上に形成されたＢａＺｒＯ₃の薄膜上に、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）の単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理することによって、（Ｂａ_xＳｒ_yＣａ_z）ＴｉＯ₃の単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 誘電率の温度係数が正でありながら、誘電率の高い、温度補償用セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 Ｓｎ_mＮｂ₂Ｏ₆（０．７≦ｍ≦１．３）を主成分とする。 （もっと読む）

本発明は、誘電体製造用焼結前駆体粉末およびその製造方法に関する。より詳しくは、本発明は、第１物質の粉末と第２物質の粉末を含む誘電体製造用焼結前駆体粉末、第１物質からなるコアと第２物質からなるシェルの構造を持つコア−シェル構造の誘電体製造用焼結前駆体粉末、およびこれらの製造方法に関する。前記第１物質の相対誘電定数が前記第２物質の相対誘電定数より大きい。
（もっと読む）

【課題】ＰｂおよびＢｉを含まず、広周波数領域において誘電損失を低減し、容量温度特性および誘電率に優れる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】組成式（Ｓｒ_ｘＢａ_１−ｘ）_ｍＴｉＯ_３（０．１５９≦ｘ≦０．２３８、０．９９７≦ｍ≦１．０１１）で表される化合物を含む主成分と、副成分として、ＣａＴｉＯ_３を１１〜２５重量％、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる１つ以上の酸化物を、ＦｅＯ_３／２、ＣｏＯ_４／３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ換算で、０．１０〜０．５０重量％、Ａ元素の酸化物（ＡはＭｎおよび／またはＣｒ）を元素換算で０．５９０〜１．９４０モル％、およびＤ元素の酸化物（ＤはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹから選ばれる１つ以上）を有し、Ｄ元素とＡ元素とのモル比（Ａ／Ｄ）が２．２５０〜７．４５０である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が１μｍまで薄層化した場合でも積層セラミックコンデンサの信頼性を確保。
【解決手段】組成式が１００（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ｍＴｉＯ_３＋ａＭｎＯ＋ｂＣｕＯ＋ｃＳｉＯ_２＋ｄＭｇＯ＋ｅＲＯ（但し、係数１００、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはモル比、ｍは（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）のＴｉに対するモル比、ＲＯはＹ_２Ｏ_３、Ｌａ_２Ｏ_３、２ＣｅＯ_２、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｇｄ_２Ｏ_３、Ｔｂ_２Ｏ_３、Ｄｙ_２Ｏ_３、Ｈｏ_２Ｏ_３、Ｅｒ_２Ｏ_３、Ｔｍ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３、Ｌｕ_２Ｏ_３から選択される希土類元素酸化物）で表される誘電体セラミックであって、上記組成式のｍ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、それぞれ、０．９９８≦ｍ≦１．０３０、０≦ｘ＜０．０４、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦５、０．２≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦２．５の関係を満足し、且つ平均粒径が０．３５μｍ以上、０．６５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｓｉを含む、誘電体セラミックについて、その誘電率を高める。
【解決手段】誘電体セラミック１１は、ＡＢＯ_３系の主成分からなる主相粒子１２と、主相粒子１２とは異なる組成を有する二次相粒子１３とを含む。この誘電体セラミック１１中のＳｉの全含有量に対する、二次相粒子１３中のＳｉ含有量の割合を４０％以上とし、Ｓｉの分布を二次相粒子１３により多く集中させる。二次相粒子中のＳｉ含有量は３０モル％以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】積層セラミックコンデンサの寿命特性および絶縁破壊電圧をより向上させ得る、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層２を構成するために用いられる誘電体セラミックを、コアシェル構造を有するコアシェル結晶粒子と、均一系の構造を有する均一系結晶粒子とを備えるものとする。この誘電体セラミックにおいて、コアシェル結晶粒子と均一系結晶粒子とは、９１：９〜９９：１の範囲の面積比率で存在する。好ましくは、コアシェル結晶粒子の平均粒子径をＲ１、均一系結晶粒子の平均粒子径をＲ２としたとき、Ｒ２／Ｒ１の比率が０．８以上かつ３以下となるようにされる。 （もっと読む）

【課題】 還元雰囲気下において焼成されても、安定した絶縁性を有する、積層セラミックコンデンサに好適な誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】 ＣａＴｉＯ₃系において、Ｓｎを含む組成とする。特に、ＳｎをＢａサイトに固溶させた、（Ｃａ_1-x-yＢａ_xＳｎ_y）ＴｉＯ₃（ただし０≦ｘ＜０．２、０．０１≦ｙ＜０．２）を主成分とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックは一般に誘電率が低いとされるが、ＳｒＴｉＯ_３系誘電体セラミックにおいて、より高い誘電率が得られるようにし、これを用いた積層セラミックコンデンサの小型化を図れるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が組成式：（Ｓｒ_{１−x−ｙ}Ｓｎ_ｘＢａ_ｙ）ＴｉＯ_３で表わされ、かつこの組成式において、ｘが０．００５≦ｘ≦０．２４、ｙが０≦ｙ≦０．２５である、誘電体セラミックを用いる。上記主成分１００モルに対して、Ｍ（Ｍは、ＭｎおよびＶの少なくとも一方）を、ＭＯに換算して、０．０１モル〜５モル、および／または、Ｓｉを、ＳｉＯ_２に換算して、０．２モル〜５モル含むことが好ましく、さらに、上記主成分１００モルに対して、Ｃａを、ＣａＯに換算して、０．１モル〜２５モル含むことがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミック誘電体を低温で焼結することができ、積層セラミックキャパシタの高温絶縁抵抗特性を向上させることのできる焼結助剤用ホウケイ酸塩系ガラス組成物を提供し、これを含む誘電体組成物、及びこれを利用した積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】本発明による焼結助剤用ホウケイ酸塩系ガラス組成物は、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、及び希土類酸化物を含むもので、セラミック誘電体を低温で焼結することができ、積層セラミックキャパシタの高温絶縁抵抗特性を向上させる。これにより、これを含む誘電体組成物及びこれを利用した積層セラミックキャパシタは、１１００℃以下の低温焼結が可能であり、高容量を有し、電気的特性及び高温絶縁抵抗（Ｈｏt ＩＲ）特性に優れて高信頼性が確保される。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、結晶性が高く、かつ、粒径のバラツキが少ない誘電体層の薄層化に適した誘電体セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】アルカリ土類金属化合物と二酸化チタンとを固相反応により反応させて誘電体セラミックス材料を製造する方法であって、比表面積が３５ｍ^２／ｇ以上で、粒度分布を表すＤ９０／Ｄ５０が１．２５以下である、前記アルカリ土類金属化合物の粉末と二酸化チタンの粉末との混合粉末を焼成する焼成工程を備えているようにした。 （もっと読む）