本発明は、スペイン特許第２２５９９１９号にこれまで説明されている解決手段を出発点として利用して、１０％の最大のフッ素含有量を有している有機金属の前駆物質の溶液を得ることに言及する。この変更は、超伝導の分解層の熱処理（熱分解）、および結晶の成長を一段階において実施可能にする。さらに、低いフッ素含有量は毒性および腐食のリスクを低下させる。 （もっと読む）

【課題】テープ状の超電導線材を用いた超電導コイルにおいて、コイル全体を大型化することなく、また、コイルの作製を困難とすることなく、超電導線材の広幅面に対して略平行な磁場がかかるようにして臨界電流の低下を防止し、運転電流の向上を図る。
【解決手段】超電導線材の少なくとも一部を、基板１、超電導層３及び安定化層２からなる断面形状が、円形、半円形、楕円形、もしくは、多角形状となっているものとして、この超電導線材が、コイル内の部位によって、超電導層の広幅面の方向が巻枠５の軸線に対する所定の方向となされて保持されるようにする。 （もっと読む）

【課題】中間層の成膜工程を改善することで、所望の超電導特性（例えば臨界電流特性）を実現できるとともに、中間層の薄膜化により超電導線材の生産性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。具体的には、配向層を２００℃以上１０００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下で加熱することにより、配向層に所定の熱履歴を与える。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】優れたＪｃ（臨界電流密度）やＩｃ（臨界電流値）を有する高温超電導線材を製造することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上１に、中間層２および超電導層３が形成されている酸化物超電導薄膜の製造方法であって、配向金属基板を、真空雰囲気あるいは還元雰囲気に設けた熱処理室２２内で、配向金属基板上に形成された酸化層を還元除去する温度で加熱し、その後、１００℃以下まで冷却する熱処理工程と、熱処理工程後の配向金属基板を、熱処理室より取り出して大気中に曝露する曝露工程と、成膜室２３内で、曝露工程後の配向金属基板上に、酸化物薄膜層を形成させる中間層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地となる高配向度のキャップ層において従来必要とされていたＬＭＯの下地層を用いることなく優れた結晶配向性を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基板１と、該金属基板１上にイオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成したＭｇＯの中間層３と、該中間層３上に直接形成されて前記中間層３の結晶配向性よりも優れた結晶配向性を示すキャップ層５とを具備してなる酸化物超電導導体用基材Ａであって、前記ＭｇＯの中間層３に前記キャップ層５の形成前に加湿処理が施され、該キャップ層５が優れた自己配向性を備えて前記中間層３の結晶配向性よりも優れた結晶配向性を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を提供することを第１の目的とする。また、本発明は交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を、生産性良好に製造することのできる製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】長尺の基材１上に中間層２を介して形成された超電導層３と、超電導層３の上に形成された金属安定化層４とを具備してなる超電導線材Ａにおいて、（ｉ）基材１の長手方向に沿って、金属安定化層４から超電導層３を介し中間層２に達し、中間層２を露出させた溝２０が、基材１の幅方向にわたり、平行に複数形成されており、かつ、（ｉｉ）超電導層３下部の溝幅ｄ１と金属安定化層４下部の溝幅ｄ２との差δｄ（＝ｄ１−ｄ２）が１０μｍ以下であることを特徴とする低交流損失マルチフィラメント型超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導導体の複合化をスロットを用いて効率的、かつ、簡便に行うことができ、個々の酸化物超電導導体について外部から作用すると思われる負荷を軽減して酸化物超電導導体の損傷の問題を回避することができる酸化物超電導ケーブルの提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、テープ状の基材上に中間層を介し酸化物超電導層が形成され、この酸化物超電導層上に安定化層が形成されてなる酸化物超電導導体と、管体からなりその外周面に溝部が複数、その長さ方向に沿って形成されてなるスロットとが備えられ、前記酸化物超電導導体が、その基材側を前記溝部の底部側に向けた状態で前記溝部に収容されるとともに、前記スロットの周方向に複数本、前記スロットの長さ方向に配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】交流損失が小さい超電導ケーブル、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】超電導ケーブル1は、磁性材料からなる磁性基板上に超電導相が形成された薄膜線材120を螺旋状に巻回してなる多層構造の超電導線材層(超電導導体層12,超電導シールド層14)を具える。各超電導線材層は、薄膜線材120を巻き付け半径R_(n)(m)、巻き付けピッチP_(n)(m)で巻回することで形成されている。n層目の超電導線材層に実効値I_(n)(Arms)の交流電流が流されたときに、この層の外側に形成される外側磁場をB_(n)out(T)、内側に形成される内側磁場をB_(n)in(T)とし、B_(n)out＞B_(n)inを満たすとき、薄膜線材120の超電導相が外周側を向いて巻回され、B_(n)out＜B_(n)inを満たすとき、薄膜線材120の超電導相が内周側を向いて巻回されていることで、交流損失が小さい。 （もっと読む）

【課題】長尺のテープ状基材に対して安定した組成のＹ系超電導層を形成できるとともに、装置の小型化と生産性の向上を図ることができる超電導線材の製造方法及びＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基材導入領域においてテープ状基材を移動させながら加熱する第１工程と、成膜領域においてテープ状基材を移動させながら成膜温度に加熱するとともに、このテープ状基材表面にＹ系超電導層を成膜する第２工程と、を有する超電導線材の製造方法において、第１工程では、テープ状基材の表面温度が成膜温度よりも３０℃を超えて高くならないように温度制御を行う。第２工程では、成膜されるＹ系超電導層内に含まれるＢａとＹの原子比をＸ_Ｂａ／Ｘ_Ｙ、ＣｕとＹの原子比をＸ_Ｃｕ／Ｘ_Ｙ、ＣｕとＢａの原子比をＸ_Ｃｕ／Ｘ_Ｂａとしたときに、Ｘ_Ｂａ／Ｘ_Ｙ＞１．０、Ｘ_Ｃｕ／Ｘ_Ｙ＜３．０、Ｘ_Ｃｕ／Ｘ_Ｂａ＞１．２となるように原料ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】低コストで結晶の緻密度や配向性の高い酸化物超電導体の薄膜を形成することが可能な酸化物超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る酸化物超電導線材の製造方法は、酸化物超電導体からなる粉末を準備する工程（Ｓ１０）と、粉末をエアロゾル化する工程（Ｓ３０）と、エアロゾル化する工程により形成されたエアロゾルを、基板の主表面上に噴射する工程（Ｓ４０）とを備える。上記粉末は酸化物超電導体を形成するための前駆体からなる粉末であってもよい。噴射する工程の後に、噴射する工程により形成される薄膜を酸化物超電導体の緻密膜に変換する工程（Ｓ５０）をさらに備えており、変換する工程における薄膜の内部の温度が、薄膜の基板から離れた領域から基板に近づくにつれて高くなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶配向性に優れ、超電導特性に優れた酸化物超電導層を形成するための基となるＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の下地として望ましい層を備え、ＩＢＡＤ−ＭｇＯなどの中間層の結晶配向度を更に高めることができる構造を備えた酸化物超電導導体用基材の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材２１上に、ＸＯ_２−Ｙ_２Ｏ_３混合酸化物（但し、Ｘは、ＴｉまたはＨｆを示す。）のベッド層２２とイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とが備えられ、酸化物超電導層が積層されて酸化物超電導導体の基材として利用されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定したプルームを長時間均一に発生させ、長尺の基材に対し均一な膜質の酸化物超電導層を生成することを可能とする方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットに集光照射し、プルームを生成させ、該プルームからの粒子をテープ状の長尺基材上に堆積させて酸化物超電導層を形成する方法であって、減圧チャンバー内部の転向部材間に長尺基材が複数の隣接するレーンを構成するように巻き掛け、長尺基材のレーンに近接させてターゲットを配置し、ターゲットに対してレーザー光を集光照射する集光手段を設けたレーザー蒸着装置を用い、集光手段の焦点距離を１．０〜２．０ｍの範囲に、レーザー光のエネルギー密度を１．０〜４．０Ｊ／ｃｍ^２の範囲に設定し、ターゲットに対し斜め方向からレーザー光を集光照射しターゲット上で走査し、レーザー光の照射位置毎にプルームを発生させて成膜する方法である。 （もっと読む）

【課題】連続的で長さの長い超伝導体リボンまたはテープまたはワイアを形成する方法および装置を提供する。
【解決手段】超伝導層を成長させるために用いる材料を移動するテープ上に連続的に堆積させる。繰り出しリール４０１および取り込みリール４０６を使用してそれぞれテープ基板を一定の速度で繰り出し巻き取る。一連のステージを用いてこのテープ上に超伝導層を形成し、超伝導層形成に用いられるテープ基板上に１つまたは複数の材料を堆積させる少なくとも１つの反応炉すなわち反応チャンバ６０１ｃと、超伝導体と金属テープ基板の間、または超伝導体層間にバッファ層を堆積させるため、ならびにコーティング層を堆積させる１つまたは複数のチャンバ６０１ａ、６０１ｂとが備えられる。また、各ステージ間で移行チャンバ７０１を使用してエッチング・ステージを他の諸ステージと分離することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法として、厚膜の酸化物超電導薄膜であっても、酸素導入過程においてクラックを発生せず、その結果、高いＩｃ値を有する酸化物超電導薄膜の製造方法とを提供し、また高Ｉｃ値を有する超電導線材を提供する。
【解決手段】超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜の製造方法であって、酸化物超電導薄膜を形成した後の酸素導入過程において、酸素濃度を上昇させながら熱処理を行う酸化物超電導薄膜の製造方法。熱処理は、酸素濃度１ｐｐｍ以上の雰囲気下で、酸素濃度をＰとした場合の常用対数ｌｏｇＰが、毎分０．５以下で上昇するように酸素濃度を制御しながら行われる。酸化物超電導薄膜の形成は塗布熱分解法により行う。 （もっと読む）

帯状基板（２）と少なくとも１つの超電導層（３）とを有するマルチフィラメント導体（１）であって、少なくとも１つの超電導層（３）が帯状基板（２）の少なくとも一方の表面に形成されて複数のフィラメント（２０，２０’）に分割されており、帯状基板（２）がそれの長手方向の延びに平行に第１方向（２１）を有し、少なくとも１つのフィラメント（２０，２０’）がそれの長手方向の延びに平行に第２方向（２２）を有するマルチフィラメント導体（１）において、帯状基板（２）の第１方向（２１）と少なくとも１つのフィラメント（２０，２０’）の第２方向（２２）とが零よりも大きい角度をなしていることを特徴とするマルチフィラメント導体（１）。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体層および金属保護層のような、層構造の導電性層と金属基板との間の改良された電気的接続を備えた被覆導体を提供する。特に、電気的接続の位置を自由に選択することができるような電気的接続を提供する。
【解決手段】金属基板１と、少なくとも一つのバッファ層、最上部のバッファ層２上に堆積された高温超伝導体層、及びオプションとして該高温超伝導体層上に堆積された金属保護層からなる層構造と、を含む被覆導体であって、該層構造内に、該層構造の高温超伝導体層を該金属基板に電気的に接続する少なくとも一つの導電性経路が備わる被覆導体。 （もっと読む）

基板と、この基板の上に重なるバッファ層と、このバッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層からなる超伝導部材である。HTS層は複数のナノロッドを含む。基板テープを提供する段階と、この基板テープの上に重なるバッファ層を蒸着する段階と、前記バッファ層の上に重なるドットアレイを形成する段階と、前記ナノドットアレイの上にそれを核とするナノロッドのアレイを蒸着する段階と、前記ナノロッドのアレイの周りに、バッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層を蒸着する段階からなる超伝導部材を形成する方法である。
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【課題】ニッケルめっき層表面の配向性および平坦性を向上しうる基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、めっき法を用いて銅層上にニッケル層が形成された基材を準備する工程と、前記ニッケル層を８００〜１０００℃で熱処理する工程と、前記ニッケル層を熱処理する工程の後に前記ニッケル層上に被覆層をエピタキシャル成長させる工程とを備えた、基板の製造方法に関する。 （もっと読む）