【課題】ウエットプロセスでのエッチングに好適で、接着性に優れたポリイミド樹脂を接着性絶縁層に用いたワイヤレスサスペンション用積層体の提供。
【解決手段】第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる積層体の絶縁層がコア絶縁層と接着性絶縁層の２層以上の樹脂層であり、この場合、最適なエッチングを行うことができる接着性絶縁層を持ち、ウエットプロセスでのエッチングに好適で、接着性に優れた樹脂積層体を提供するものであり、絶縁層を形成する少なくとも一層が、ポリイミド樹脂であって、且つ、１５０℃〜３６０℃のガラス転移点を有し、塩基性溶液に対する溶解速度が、３μｍ／ｍｉｎより大きい、好ましくは５μｍ／ｍｉｎより大きい、最も好ましくは８μｍ／ｍｉｎより大きいポリイミド樹脂からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部を有する基材の少なくとも片面に樹脂層を形成し、次に開口部上の樹脂厚みを表面上の樹脂層の厚みよりも薄くし、次に、アルカリ水溶液によって樹脂層薄膜化することで開口部上の樹脂層を除去することを特徴とする樹脂開口方法において、樹脂層をむらなく略均一に薄膜化することができ、樹脂が現像液に対して膨潤しにくい組成の樹脂であっても生産性良く樹脂開口可能な樹脂開口方法を提供する。
【解決手段】開口部を有する基材の少なくとも片面に樹脂層を形成する工程、開口部上の樹脂厚みを表面上の樹脂層の厚みよりも薄くする工程、有機アルカリ性化合物を含有してなるアルカリ水溶液によって樹脂層を薄膜化する工程、をこの順に含むことを特徴とする樹脂開口方法。 （もっと読む）

【課題】 磁性体の混合濃度を比較的大きくすることなく、透磁率増加の効果を得ることができ、これによって得られた磁性体含有絶縁体を回路基板に適用することで、特性インピーダンスを向上することができ、低消費電力化の効果を得ることができる磁性体含有絶縁体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 樹脂ワニスと磁性体を溶剤に分散したスラリーを混合し、塗布、乾燥、焼成を行うことによって得られる磁性体含有絶縁体の製造方法であって、
前記スラリーの製造工程は、溶剤に界面活性剤を添加した分散溶剤を製造する工程と、該分散溶剤に磁性体微粉を混合する工程、とからなり、前記磁性体微粉を混合する工程は、前記スクリュー攪拌を行う工程と、１００ｋＨｚ未満の周波数の超音波を照射する工程と、１００ｋＨｚ以上の周波数の超音波を照射する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】フィラーが高密度で充填されていても、マイクロカプセル化されたイミダゾール化合物が破壊され難い絶縁シートを提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁シートは、芳香族骨格を有し、かつ重量平均分子量１万以上のポリマー（Ａ）と、重量平均分子量１万未満のエポキシ樹脂（Ｂ１）及びオキセタン樹脂（Ｂ２）の内の少なくとも一方の樹脂（Ｂ）と、アミン系化合物がマイクロカプセル化された硬化剤（Ｃ）と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつ新モース硬度３．１以上の第１の無機フィラー（Ｄ）と、有機樹脂フィラー（Ｅ１）及び新モース硬度３以下の第２の無機フィラー（Ｅ２）の内の少なくとも一方の物質（Ｅ）とを含有する。第１の無機フィラー（Ｄ）の含有量は２０〜６０体積％、かつ物質（Ｅ）の含有量は１〜４０体積％である。 （もっと読む）

【課題】ビアの形成後にデスミア処理された場合に、ビア周辺の樹脂が除去され難い絶縁フィルムを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含むエポキシ樹脂組成物を用いた絶縁フィルムであって、絶縁フィルムを単独で１８０℃で３時間硬化させた硬化物のガラス転移温度をＴ１（℃）とし、基板上に絶縁フィルムを積層し、次に絶縁フィルムを（Ｔ１−３０）〜（Ｔ１＋２０）℃で５分間以上硬化させることにより、絶縁硬化フィルムを形成したときに、基板側の絶縁硬化フィルムの表面から０〜５μｍの領域１２Ａの絶縁硬化フィルムのガラス転移温度Ｔ２（℃）及び基板側とは反対側の絶縁硬化フィルムの表面から０〜５μｍの領域１２Ｂの絶縁硬化フィルムのガラス転移温度Ｔ３（℃）がそれぞれ１５０℃以上であり、かつ、Ｔ２とＴ３との温度差が１０℃以下である絶縁フィルム。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、且つ、良好な絶縁性を示す絶縁性積層体および、絶縁性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、金属イオン溶液に、結晶性の金属酸化物粒子を配合し、これを金属基板上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜中に含有される記金属イオンを非晶質な状態に酸化させる程度の適切な温度で加熱することによって、金属基板にダメージを与えず、且つ、上記金属酸化物粒子を該金属基板上に固着させるなどの方法により、金属基板上に、非晶質の金属酸化物及び結晶性の金属酸化物粒子を含有する絶縁性層を積層することによって、絶縁性積層体を形成する。 （もっと読む）

【課題】小さな誘電損失および高い信頼性を有し、均質な表面粗度および粒子を有するＰＶＤＦ薄膜を提供する。
【解決手段】前駆溶液からポリ（ビニリデンフルオリド）（「ＰＶＤＦ」）膜を基板上に作成するにあたり、まずＰＶＤＦ膜用の前駆溶液を調製するステップと、含水塩と、吸湿性化学物質とからなる群より選択される添加剤を前駆溶液に溶解させるステップと、ＰＶＤＦを前駆溶液に添加するステップによりＰＶＤＦ溶液を作成する。そのＰＶＤＦ溶液を基板にコーティングして蒸着直後のＰＶＤＦ膜を形成させ、ＰＶＤＦ膜は高温にて乾燥および結晶化させる。乾燥および結晶化させた蒸着直後のＰＶＤＦ膜は、さらに温度が高い高温（蒸着直後のＰＶＤＦ膜の融点よりも低い）にてアニーリングする。添加物はさらなる高温にて脱水する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低熱膨張係数を有し、且つ銅との接着力に優れる絶縁樹脂組成物、及びその半硬化物を支持体表面に形成してなる支持体付き絶縁フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂組成物の全固形分中、（Ａ）エポキシ樹脂が１０〜３０質量％、（Ｂ）フェノール性水酸基含有ポリアミドイミドが３５〜６５質量％、（Ｃ）フェノキシ樹脂が３〜２０質量％、及び（Ｄ）無機フィラーが５〜３８質量％含まれる絶縁樹脂組成物。さらに（Ｅ）架橋ゴム粒子を含有しても良い。
及び前記絶縁樹脂組成物の半硬化状態のフィルムが支持体の表面に形成されている支持体付絶縁フィルム。 （もっと読む）

【課題】１ＧＨｚ以上の高周波帯域において、誘電正接の小さいポリテトラフルオロエチレン絶縁体を提供する。
【解決手段】ポリテトラフルオロエチレンを含有する原料に、照射線量１００Ｇｙ〜３０００Ｇｙのγ線を照射する工程を含む製造方法により、ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を製造する。当該製造方法では、γ線を照射した原料を、所望の形状に加工してポリテトラフルオロエチレン絶縁体を得る工程が行われることが好ましく、前記ポリテトラフルオロエチレン絶縁体を焼成する工程がさらに行われることがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導体を導電層に接着するのに用いられ、未硬化状態ではシート特性に優れ、接着性、耐熱性、耐電圧性及び熱伝導率に優れた硬化物を与える絶縁シートを提供する。
【解決手段】熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導体を導電層に接着するのに用いられ、芳香族骨格を有し、かつ重量平均分子量が３万以上であるポリマー（Ａ）と、芳香族骨格を有し、かつ重量平均分子量が６００以下であるエポキシモノマー（Ｂ）と、フェノール樹脂、もしくは芳香族骨格または脂環式骨格を有する酸無水物、その水添加物又はその変性物である硬化剤（Ｃ）と、フィラー（Ｄ）とを含有し、絶縁シート中の樹脂成分合計１００重量部に対して、前記ポリマー（Ａ）を２０〜６０重量部、前記エポキシモノマー（Ｂ）を１０〜６０重量部の割合でそれぞれ含有し、未硬化状態での絶縁シートのガラス転移温度Ｔｇが２５℃以下である絶縁シート。 （もっと読む）

【課題】誘電率を高くしながら、tanδを低く抑えた、誘電体セラミック粉末を充填した複合誘電体シートとその利用を提供する。
【解決手段】本発明によれば、一般式（Ｉ）
【化１】


(式中、ｍ及びｎはそれぞれ繰り返し単位中のキノンジイミン構造単位及びフェニレンジアミン構造単位のモル分率を示し、０≦ｍ≦１、０≦ｎ≦１、ｍ+ｎ＝１である。)
を繰り返し単位として有するポリアニリンに誘電体セラミック粉末を分散させてなる複合誘電体が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、導電性部材の所望の位置に精度良く絶縁層を形成する事のできる絶縁層付き導電性部材形成方法及び絶縁層付き導電性部材を提供する。
【解決手段】開口部を有する導電性部材の表面に絶縁性樹脂層をラミネートによって形成し、開口部を覆った後、開口部の絶縁性樹脂層をセルフアライメントで除去する工程を含む絶縁層付き導電性部材形成方法及び絶縁層付き導電性部材。 （もっと読む）

【課題】製造過程で体積の収縮がほとんど起らず意図した形状、寸法を有し、強度も良好な無機成形体を容易に製造することができる製造方法、及び該方法で得られる無機成形体を提供する。
【解決手段】固体状シリコーンからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなるシリコーン系成形物を、非酸化性雰囲気下、４００〜１５００℃において加熱することにより該固体状シリコーンを無機セラミックス化することを特徴とする、無機セラミックスからなるマトリックスと該マトリックス中に分散した無機フィラーとからなる無機成形体の製造方法、及びこの方法で得られる無機成形体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３００℃以下の低温で結晶質誘電体薄膜を形成することのできる結晶質誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による結晶質誘電体薄膜の製造方法は、基板上に非晶質誘電体薄膜を形成する段階と、上記非晶質誘電体薄膜を水中に浸漬して水熱処理する段階とを含む。上記非晶質誘電体薄膜を形成する段階は、非晶質誘電体ゾルを基板上にコーティングする段階と、コーティングされた晶質誘電体ゾルをベーキングする段階とを含む。ベーキング後にはベーキング処理された結果物を乾燥する段階をさらに含むことができる。所望の厚さの薄膜を得るために、コーティングとベーキングは多数回繰り返すことができる。 （もっと読む）

回路材料（１１０）は、導電層（１１４）と、この導電層上に配置されている誘電体基板（１１２）とを含む。この誘電体基板は、全誘電体基板組成物に基づき、繊維ウェブ（１２０）を約１０〜約６０ｖｏｌ％、硬化樹脂系（１１８）を約４０〜約９０ｖｏｌ％含む。この樹脂系は、樹脂系と微粒子充填剤とを合わせた重量に基づき、シンジオタクチックポリブタジエンエラストマを最大１００ｖｏｌ％、微粒子充填剤（１１６）を０〜４０ｖｏｌ％含む。このような回路材料は、タックが改善されており、優れた機械的および電気的特性を有する。
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【課題】 誘電体セラミックスが有する高い比誘電率εｒを十分に反映させることができ、これまでにない高い比誘電率εｒを実現することができ、しかも高いＱを有する低損失な複合誘電体材料を提供する。
【解決手段】 誘電体セラミックスと有機高分子材料とを含有する複合誘電体材料である。誘電体セラミックスとして、一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．９０である。）で表される組成を有する酸化物からなる第１の誘電体セラミックスと、Ｑ≧１０００の第２の誘電体セラミックスとを含有する。この場合、第１の誘電体セラミックスを一般式Ａｇ（Ｎｂ_１−ｘＴａ_ｘ）Ｏ_３（ただし、０．１０≦ｘ≦０．４５である。）で表される組成を有し比誘電率の温度変化係数が正である酸化物とし、第２の誘電体セラミックスの比誘電率の温度変化係数を負とすることで、複合誘電体材料全体の比誘電率の温度変化が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】 一方の面に半導体チップなどの発熱体が搭載される回路層が、他方の面に放熱板がそれぞれ設けられ、発熱体側の熱を効率よく放熱体側に伝導させて放熱することができ、さらに温度サイクルなどの作用によって熱変形を受けても安定した性能を長期にわたって発揮することができる絶縁伝熱シートを提供すること。
【解決手段】 熱硬化性樹脂で形成された母材５と、該母材５の面方向に配置されたダイヤモンド粒子６とを備え、前記ダイヤモンド粒子６が、前記母材５の両面に対して加熱加圧することで配置される高熱伝導体層２、３内に突き出されると共に、前記高熱伝導体層２、３の間の絶縁性及び熱伝導性を確保する。 （もっと読む）

本発明は、誘電体材料の方法および組成物を含む。本発明の誘電体材料は、１．０より大きく１．９未満である誘電定数または０．０００９未満の散逸率を有する複数の材料、あるいは、１．０より大きく１．９未満である誘電定数および０．０００９未満の散逸率を有する１種の材料を含む。その他の特徴には、約＋２６０℃という高温から約−２００℃という低温に至るまで広範な温度に耐え、大気圏外ならびに海面または海面より低いレベルで見られるような高い気圧や低真空などの広範な大気条件および圧力で作動するという能力が含まれ、単独でまたはその他の材料と組み合わせて使用することができ、電子部品またはデバイスで使用することができる複合体構造の製造で使用される。 （もっと読む）

【課題】 例えば樹脂材料中に混合されて複合材料を構成したときに、極めて高い誘電率を実現するとともに、導電性材料同士の接続に起因する抵抗値の低下を抑制する。
【解決手段】 酸化物母粒子３の表面に導電性微粒子４が固定されている。導電性微粒子４の高さは３０ｎｍ以上、前記酸化物母粒子３の平均粒径の１／５以下であることが好ましく、また、導電性微粒子４が、酸化物母粒子３と導電性微粒子４との混合物に機械的エネルギーを加えることにより形成されたことが好ましい。 （もっと読む）