【課題】製造し易い高耐圧素子を使用し、且つ、インピーダンスのバラツキを考慮しなくても良い過電圧保護回路。
【解決手段】制御信号によりスイッチング素子Ｑ１を駆動する駆動部１０と、スイッチング素子のドレインとソースとの間に接続され、コンデンサＣ２と抵抗Ｒ１とが直列に接続された微分回路と、抵抗Ｒ１の両端に接続され、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ３とが直列に接続された積分回路と、コンデンサＣ３の電圧が基準電圧以上となった場合にドレイン及びソース間の電圧が所定電圧以上になったと判定し、スイッチング素子をオンさせてドレイン及びソース間の電圧をクランプさせる過電圧保護部Ａ１，Ｒ３，Ｃ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ化したＧａＮ−ＨＥＭＴを電源回路に用いた場合、長期間電源をオフしている間にノーマリーオンに戻るのを防止する制御回路を提供する。
【解決手段】制御回路は、ソース、ゲート及びドレインを有する第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子を介して前記ゲートに電圧を供給するバッテリーと、第３のスイッチング素子を介して前記ゲートにＰＷＭ信号を供給するＰＷＭ信号発生回路と、電源がオフの状態で、前記第２のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記バッテリーの電圧を供給すると共に、前記第３のスイッチング素子をオフし、電源がオンの状態で、前記第３のスイッチング素子をオンして前記ゲートに前記ＰＷＭ信号電圧を供給すると共に、前記第２のスイッチング素子をオフするゲート制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数が高くても、適切にトランジスタの保護を行うことが可能なトランジスタ保護回路を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るトランジスタ保護回路１０は、駆動回路３０によって電源４０の高電位側電圧または低電位側電圧がゲート端子に印加されて、スイッチング制御される電圧駆動型のトランジスタ２０の保護を行うためのトランジスタ保護回路である。このトランジスタ保護回路１０は、トランジスタ２０の保護を実行する保護指令を受けたときに、電源４０の高電位側電圧を次第に低下させる電源制御部１２を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電圧変換チップのフィードバックピンの静電気を除去することができる静電気放電保護回路を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の静電気放電保護回路は、入力電圧を出力電圧に変換する電圧変換チップを備え、前記電圧変換チップは、フィードバック信号を受信するフィードバックピン及び前記出力電圧を出力する出力ピンを備え、前記フィードバックピンは、前記出力ピンに接続され、前記電圧変換チップは、前記フィードバック信号に基づいて前記出力電圧を調節して、前記出力電圧の安定を確保し、前記フィードバックピンとグラウンドとの間に静電気放電素子が接続され、前記静電気放電素子は、前記フィードバックピンの静電気を除去する。 （もっと読む）

【課題】電流回生ルートから電流還流ルートへの切替時におけるホールドコンデンサの電荷抜けを抑制して電流検出精度の向上を実現可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子と、第２のスイッチング素子と、還流回路と、逆起電流回生回路と、第２のスイッチング素子とアースとの間に介挿されたシャント抵抗とを備えた誘導性負荷駆動回路から誘導性負荷に供給される駆動電流を検出する誘導性負荷駆動装置であって、シャント抵抗の両端に接続された差動増幅器と、第１及び第２のスイッチング素子を制御するプロセッサと差動増幅器の出力端子とを結ぶ配線に介挿されたサンプルスイッチと、プロセッサから第２のスイッチング素子に出力される制御信号がオンレベルに遷移してから所定の遅延時間の経過後にサンプルスイッチをオンにさせる遅延回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチングに起因するラジオノイズの低減を図ることの可能な誘導性負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】電源と誘導性負荷の一端との間に介挿された第１のスイッチング素子と、前記誘導性負荷の他端とアースとの間に介挿された第２のスイッチング素子と、前記第１及び第２のスイッチング素子の両方がオフの時に前記誘導性負荷の他端から出力される逆起電流を前記電源に回生させる逆起電流回生回路と、を備えた誘導性負荷駆動装置において、前記誘導性負荷の両端或いは片端に接続されたノイズ吸収回路を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成により誤動作を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】パワー素子Ｑ１とパワー素子Ｑ２がトーテムポール接続されている。駆動回路１が入力信号ＩＮに応じてパワー素子Ｑ２を駆動し、駆動回路２が入力信号／ＩＮに応じてパワー素子Ｑ１を駆動する。駆動回路１は、電源に接続された高圧端子と、低圧端子とを有する。抵抗Ｒ１の一端がパワー素子Ｑ２のエミッタに接続され、抵抗Ｒ１の他端が駆動回路１の低圧端子に接続されている。スイッチング素子Ｑ３が駆動回路１の高圧端子と抵抗Ｒ１の一端との間に接続されている。スイッチング素子Ｑ３は入力信号ＩＮに応じてオン・オフする。入力信号ＩＮがオフ信号の場合に、駆動回路１は低圧端子の電圧ＶＧＮＤをパワー素子Ｑ２のゲートに供給してパワー素子Ｑ２はオフする。入力信号ＩＮがオフ信号の場合に、スイッチング素子Ｑ３はオンする。 （もっと読む）

【課題】複数のインバータの間における電圧の干渉による悪影響の抑制を、省スペースな装置において実現することができるインバータ装置を提供する。
【解決手段】インバータ装置は、ＰＮ母線に接続された第１インバータと、ＰＮ母線に接続された第２インバータと、ＰＮ母線における第１インバータと第２インバータの間に接続されたクランプ回路とを備える。クランプ回路は、ツェナーダイオードと、スイッチング素子とを備える。ツェナーダイオードは、ＰＮ母線におけるＰ母線にカソードが接続しＮ母線にアノードが接続する。スイッチング素子は、Ｐ母線とＮ母線との間に介在し、制御端子がツェナーダイオードのアノードと接続したものである。 （もっと読む）

【課題】回路素子の耐圧を超える過電圧から回路を保護することができる過電圧保護回路を提供する。
【解決手段】コンパレータＣＰ１は、検出電圧Ｖdetおよび電圧Ｖth1を比較し、その比較結果を表す比較信号Ｓc1を制御回路７に出力する。コンパレータＣＰ２は、検出電圧Ｖdetおよび電圧Ｖth1より高い電圧Ｖth2を比較し、その比較結果を表す比較信号Ｓc2を制御回路７に出力する。制御回路７は、比較信号Ｓc1が反転する時点から比較信号Ｓc2が反転する時点までの経過時間が所定時間未満である場合、電圧ＶＢの電圧変化率が所定値以上であり、直流電源線３、４間に回路素子の耐圧を超える過電圧が生じると判断する。制御回路７は、耐圧を超える過電圧が生じると判断した場合、短絡用トランジスタＴ２をオン駆動するなどの保護動作を実行する。 （もっと読む）

【課題】高電圧バッテリ１０に接続される部材（インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ４）が増加すると、高電圧バッテリ１０と車体との間の浮遊容量が大きくなったり、絶縁抵抗の抵抗値が小さくなったりすることで、これら浮遊容量や絶縁抵抗に起因したインピーダンスが低下し、絶縁不良の診断精度の低下を招くおそれがあること。
【解決手段】製品出荷に先立ち、高電圧バッテリ１０にインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ４が接続され、これらが車体に搭載された後、出力部４０から診断信号ｄｓを出力する。そして、これに伴う抵抗体４２およびコンデンサ４４間の電位の変動量に基づき、絶縁不良の有無を判断する判定値を生成して、不揮発性メモリ４８に記憶する。 （もっと読む）

【課題】更なる信頼性向上を図れる電力変換装置及び電力変換システムを提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、例えば、インバータ回路は、前記モータ制御回路からのＰＷＭ信号に基づき前記インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路とサージ電圧検出信号を検出するサージ電圧検出回路を備え、サージ電圧検出回路により検出されたサージ電圧検出信号はモータ制御回路に入力され、サージ電圧検出信号を検出した際に前記電流指令生成部からの電流指令値と所定の電流指令値と対比することによりサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段の実施の可否を選択するような手段を設けるようにすればよい。 （もっと読む）

【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにＥＳＤ耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１のスイッチ素子と、第１のダイオードと、第１の抵抗と、第１および第２の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第１のダイオードは、前記第１のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第１の抵抗は、前記第１のダイオードの電流を検出する。前記第１の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第１のスイッチ素子の電流を制御する。前記第２の制御回路は、前記第１の抵抗の両端の電圧に応じて前記第１のスイッチ素子の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で負荷オープン状態を検出することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源端子Ｔ１に入力される入力電圧Ｖｉｎよりも低い基準電圧Ｖ１と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第１のコンパレータ８と、スイッチング素子２がオフ状態で、且つ負荷オープン状態である場合に、出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔを基準電圧Ｖ１よりも高く、且つ入力電圧Ｖｉｎよりも低いｃｌａｍｐ電圧にクランプするクランプ回路７とを備えることにより、第１のコンパレータの出力によって、負荷オープン状態を検出する。また、入力電圧Ｖｉｎよりも低く且つｃｌａｍｐ電圧よりも高い基準電圧Ｖ２と出力端子Ｔ２の電圧Ｖｏｕｔとを比較する第２のコンパレータ９を備えることにより、第１のコンパレータ及び第２のコンパレータ９の出力によって、負荷オープン状態と出力天絡状態とを検出する。 （もっと読む）

【課題】窒化物ＦＥＴを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物ＦＥＴを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子Ｍ１及び低圧側素子Ｍ２と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ１１と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ１２と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Ｔｒ１と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードＤ１と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器２１とを備える。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧のエネルギーを有効利用することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、第１及び第２接続点７１，７２との間に並列接続されたＩＧＢＴ１ａ及びリカバリーダイオード１ｂからなる並列接続体１と、ＩＧＢＴ１ａの耐圧以下のクランプレベルを有する第１スナバデバイスＳＤ１と、ＩＧＢＴ１ａのドライブ回路５３に電力を供給する電力供給部５４の出力電圧以上のクランプレベルを有する第２スナバデバイスＳＤ２とを備える。第１スナバデバイスＳＤ１の一方端子は第１接続点７１を介して並列接続体１の一端と接続され、第１スナバデバイスＳＤ１の他方端子は第３接続点７３を介して第２スナバデバイスＳＤ２の一方端子と接続され、第２スナバデバイスＳＤ２の他方端子は第２接続点７２を介して並列接続体１の他端と接続される。半導体装置は、第２及び第３接続点７２，７３を介して電力供給部５４に電力を帰還する。 （もっと読む）

【課題】新たな部品を追加することなく、スイッチングサージを抑えることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】モータ制御装置１は、電源配線１０と、平滑コンデンサ１１と、インバータ回路１２と、制御回路１３とを備えている。平滑コンデンサ１１は、コンデンサ１１０、１１１を並列接続用配線１１２、１１３によって並列接続して構成されている。並列接続用配線１１３のインダクタンスＬｓ１及びコンデンサ１１０、１１１がループ状に接続され、ＬＣ共振回路が構成される。ＬＣ共振回路の共振周波数が、サージ電圧に含まれる周波数成分のうち、抑制しようとする所定周波数になるようにインダクタンスＬｓ１、コンデンサ１１０、１１１の容量の少なくともいずれかが調整されている。これにより、新たな部品を追加することなく、スイッチングサージを抑えることができる電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオンオフによる誘導性負荷の電流応答性を良好なものとしながら駆動回路内の発熱をより抑制する。
【解決手段】誘導性負荷１０を駆動する駆動回路２０に、誘導性負荷１０と並列接続され且つ互いに直列接続された第１の抵抗４２および第２の抵抗４４と、第２の抵抗４４に並列接続されたコンデンサ４６と、誘導性負荷１０と並列接続されゲートが抵抗４２と第２の抵抗４４（コンデンサ４６）との接続点に接続されドレインがグランドに接地されたＮチャネル型のＦＥＴ３２と、ＦＥＴ３２のソースと電源ライン２４との間に介在しドレインからソースの方向を順方向とする第１のダイオード３４とを設ける。 （もっと読む）

【課題】スイッチングノイズの低減と動作効率の向上を図り、併せてスイッチ素子の破壊を防止したスイッチング回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ハイサイドスイッチと、ローサイドスイッチと、駆動回路と、を備えたスイッチング回路が提供される。前記ハイサイドスイッチは、電源端子と出力端子との間に接続されている。前記ローサイドスイッチは、前記出力端子と接地端子との間に接続されている。前記駆動回路は、制御信号に応じて、前記ハイサイドスイッチ及び前記ローサイドスイッチのいずれか一方のスイッチをオフし、第１の期間の間第１の電圧を他方のスイッチの制御端子に供給して前記他方のスイッチをオンさせ、前記第１の期間経過後において前記他方のスイッチの制御端子に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電源リレーにＭＯＳ−ＦＥＴを使用した場合でも、寄生ダイオードの故障判別ができ、ＭＯＳ−ＦＥＴの故障を確実に検出できる電動パワーステアリング装置の制御装置を提供する。
【解決手段】電動パワーステアリング装置１０では、バッテリ１００とモータ駆動回路１１との間の通電経路に、寄生ダイオード１，２・１５，１６を内蔵し逆方向に直列に接続したＭＯＳ−ＦＥＴ１，２・１３，１４と、その後段のＭＯＳ−ＦＥＴ２・１４の出力側にコンデンサ１８が配置されている。イグニッションスイッチ１７がオンされた直後の状態においてＭＯＳ−ＦＥＴ１，２・１３，１４を所定の順序でオン／オフ制御し、それぞれのＭＯＳ−ＦＥＴ１，２・１３，１４の出力電圧に基づきＭＯＳ−ＦＥＴ１，２・１３，１４、および寄生ダイオード２・１６の故障を検出する。その結果、ＭＯＳ−ＦＥＴの故障検出を確実に行うとともに寄生ダイオードの故障判別ができる。 （もっと読む）