【課題】周波数可変範囲の広い発振回路及び発振回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の端子と第２の端子との間に接続されたインダクタンス素子と、インダクタンス素子と並列に第１の端子と第２の端子との間に接続された増幅回路と、第１の端子及び第２の端子に接続された第１の容量素子と、を備えた共振型発振回路であって、インダクタンス素子の配線の途中に２箇所以上の引き出し部を設け、２箇所以上設けた引き出し部の間にオンしたときに当該引き出し部間を短絡するスイッチ素子と第２の容量素子とが並列に接続されている。 （もっと読む）

本開示は、周波数シンセサイザ内での周波数の生成における使用のための発振器であって、少なくとも１つの巻きを伴って金属線ループを形成する第１の誘導素子と、前記第１の誘導素子との間で第１の共振回路を形成するように構成され、少なくとも１つの第１の接続端子を通じて前記第１の誘導素子と接続される第１の容量回路と、を備え、前記第１の容量回路は、少なくとも１つの容量素子、並びに、発振を確立し及び維持するように構成される電子コンポーネント配置を含む、発振器に関する。当該発振器は、少なくとも１つの容量素子と電子コンポーネントの配置とを含む第２の容量回路が、前記第１の誘導素子との間で第２の共振回路を形成するように構成され、前記第１の容量回路の前記第１の接続端子に対して前記第１の誘導素子の反対側に位置する少なくとも１つの第２の接続端子を通じて前記第１の誘導素子と接続されることと、前記第１及び第２の共振回路が実質的に同等の周波数にチューニングされることと、を特徴とする。本発明は、周波数シンセサイザ及び通信ネットワーク内での使用のためのネットワークノードにも関する。 （もっと読む）

本発明の形態は、消費電力を低減し位相ノイズ性能を向上させるために、電流再使用技術を用いた低位相ノイズ発振器回路を含み、発振器回路は、第２のＶＣＯに結合されている第１のＶＣＯを備え、第１及び第２のＶＣＯの出力は、コンデンサ等の受動素子に結合されている。第１及び第２のＶＣＯ両方の全体の消費電力は、単一のＶＣＯの消費電力と略同じである。また、位相ノイズは、約３ｄＢほど低減される。このため、発振器回路の消費電力を増加させることなしに、位相ノイズ性能が向上される。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタのドレイン−ソース間容量のばらつきによる位相誤差を低減しつつ、位相が互いに９０°ずつ異なる発振信号を生成する。
【解決手段】電界効果トランジスタＭ１のドレインと電界効果トランジスタＭ２のドレインとの間にインダクタＬ１を接続し、電界効果トランジスタＭ３のドレインと電界効果トランジスタＭ４のドレインとの間にインダクタＬ２を接続し、インダクタＬ１にインダクタＬ３を磁気的に結合し、インダクタＬ２にインダクタＬ４を磁気的に結合し、インダクタＬ３の一端とインダクタＬ４の一端とをコンデンサＣ１を介して容量結合し、インダクタＬ３の他端とインダクタＬ４の他端とをコンデンサＣ２を介して容量結合する。 （もっと読む）

温度補償ＣＭＯＳ ＲＣ発振回路は、抵抗と温度相関バイアス電流とを用いてソースバルク電圧を変化させて、温度に対するＭＯＳＦＥＴの閾値電圧の変動を安定させる。この温度層間バイアス電流はまた、抵抗を流れる。温度が上昇すると、バイアス電流も増え、ＭＯＳＦＥＴのソースバルク電圧を上昇させる。上昇したソースバルク電圧は、高い温度にてＭＯＳＦＥＴの閾値電圧を安定させるのを補助する。この発振器には省電力ロジックも組み込まれており、低い電力消費で高い周波数が得られる。本発明では、得られる発振器が低出力設計となってしまう高利得オペアンプや高速比較器はなく、他のシステムとともにシングルチップに組み込むことができる。 （もっと読む）

【解決手段】周波数分周器は、複数のインジェクションロックリング発振器（ＩＬＲＯ）を含む。第１ＩＬＲＯは、クロスカップルされたＮチャネルトランジスタの対、負荷抵抗の対、インテグレイトキャパシタ、及び電流注入回路を含む。各トランジスタのドレインは、他方のトランジスタのゲートに結合される。各負荷抵抗は、各トランジスタのドレインを回路電圧源に結合する。インテグレイトキャパシタは、各トランジスタのソースに結合する。電流注入回路は、第１周波数の発振入力信号に応答して、各トランジスタのソースから回路グランドへのパスを交互にオープン及びクローズする。これに応答して、各トランジスタのドレインの電圧状態は交互にラッチ及びトグルされて、２分周された発振信号の差動対が生成される。逆位相で駆動される第１及び第２ＩＬＲＯは、位相直交する２つの差動出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】位相雑音特性を劣化させることなく出力電力を増大可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】発振用の能動素子として用いられるバイポーラトランジスタ１と、バイポーラトランジスタ１のベース端子またはゲート端子に一端が接続されるとともに、他端が接地され、所定の発振周波数において誘導性を有するインダクタ２と、バイポーラトランジスタ１のコレクタ端子またはドレイン端子に一端が接続されるとともに、他端が接地され、発振周波数において誘導性を有するインダクタ３と、バイポーラトランジスタ１のエミッタ端子またはソース端子に一端が接続されるとともに、他端が接地され、発振周波数において容量性を有するキャパシタ４と、を備えた直列帰還型の高周波発振器であって、ベース端子またはゲート端子と、コレクタ端子またはドレイン端子との間に直列接続され、入力された信号の位相を変化させる移相回路５をさらに備えたものである。 （もっと読む）

【課題】高品質のクロック信号を分配することができるクロック信号分配装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第１のインダクタ及び第１の容量に応じた周波数で共振して信号を発振する複数のＬＣ共振発振器（３０２，３０３）と、第２のインダクタ及び第２の容量に応じた周波数で共振し、入力クロック信号に同期した信号を発振する注入同期型ＬＣ共振発振器（３０１）と、前記複数のＬＣ共振発振器及び前記注入同期型ＬＣ共振発振器の発振ノードを接続する伝送線路（３１１，３１２）とを有することを特徴とするクロック信号分配装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】発振回路の発振周波数を広帯域に制御可能でＩＣ化に適した比較的小規模な発振回路を提供する。
【解決手段】一方の電源に接続される電流源と、他方の電源に接続されて誘導起電力によって電流を変動させる１組の負荷インダクタと、前記電流源と前記負荷インダクタとそれぞれに結合する１組の差動回路と、前記一方の差動回路の入力と前記他方の差動回路の出力との間に抵抗値を制御可能な可変抵抗を備えて正帰還が掛るように構成されて、前記可変抵抗の抵抗値に対応して発振周波数が定まる高周波発振回路である。 （もっと読む）

【課題】発振回路の出力周波数範囲を従来に対して拡大方向にもっていくことにより、発振周波数を目的とする周波数に合致させ易くした電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】発振に寄与するトランジスタＴｒのソース端子に、第１の誘導性素子Ｔｓｃと、印加される電圧により容量が変化するダイオード素子Ｃ１〜Ｃ４により構成される容量性素子を直列接続したもの、が接続されているとともに、トランジスタＴｒのソース端子に、第２の誘導性素子Ｔｓの一端が接続されており、第２の誘導性素子Ｔｓの他端が接地されており、トランジスタＴｒのゲート端子に、第３の誘導性素子Ｔｇを介してバイアス電圧端子Ｖｇｇが接続されており、トランジスタＴｒのドレイン端子に、出力側の回路３を介して出力端子Ｖｏｕｔが接続されている。 （もっと読む）

【課題】温度安定化された電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】セルラー電話のような電池から電力を得る装置中の集積回路電圧制御発振器（ＶＣＯ）は、比較的狭い制御電圧範囲を使用して非常に広い周波数範囲にわたって同調するように構成されることができる。ＶＣＯの周波数応答は、ＶＣＯ共振回路の一部を形成するバラクタ３１０ａ、３１０ｂに温度可変電圧ソースを与えることにより温度補償されることができる。バラクタのレファレンス端部は、バラクタ温度依存性を実質的に補償する温度依存性を有する温度依存電圧ソース３７０、３８０により供給されることができる。温度依存電圧ソース３７０、３８０は、絶対温度比例（ＰＴＡＴ）装置であることができる。ＶＣＯは、基板上に製造されたＣＭＯＳ発振器、基板上のＬＣ共振タンク、および共通の陽極接続を有する少なくとも一対のバラクタ３１０ａ、３１０ｂ、３２０ａ、３２０ｂを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】残留位相雑音特性を劣化させずに発振周波数の広帯域化を実現する電圧制御発振器を提供することを目的とする。
【解決手段】制御電圧印加端子Ｖｃ１からの制御電圧に応じて所望の周波数で発振する能動回路を備えた電圧制御発振器であって、前記能動回路は、トランスＴＳの一次側コイルＬ５に印加される前記制御電圧によってインダクタンス値が変化する二次側コイルＬ３を発振維持用のチョークコイルとして用いる。コイルＬ３のインダクタンス値が変化することで、コイルＬ３とコンデンサＣ５との共振周波数を変化させられる。その結果、制御電圧により、共振回路のバリキャップダイオードＤ１によるリアクタンス特性の変化だけでなく、能動回路のリアクタンス特性を変化させられる。 （もっと読む）

【課題】十分に高い周波数帯域において、広帯域にわたって柔軟に発振周波数を調整すること。
【解決手段】信号線１３１は、電源から直流電圧Ｖｄｃが印加されると、電源に接続された始端を節とし、終端を腹とする４分の３波長の定在波を発生させる。ストリップ１３２−１〜１３２−ｎは、それぞれスイッチ１３３−１〜１３３−ｎを介してグランド層に接続されている。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎは、切替制御部１４０による制御に従って、それぞれストリップ１３２−１〜１３２−ｎとグランド層との接続及び非接続を切り替える。スイッチ１３３−１〜１３３−ｎの接続及び非接続を切り替えることにより、擬似的に信号線１３１とグランド層の間の距離が調節され、伝送線路部１３０における実効誘電率が変化して、定在波の周波数を調整することができる。 （もっと読む）

電圧制御発振器（ＶＣＯ）バッファのための回路が説明される。回路は、ＶＣＯコアと接続されるＶＣＯバッファの入力と接続された第１のキャパシタを含む。回路は、また、ＶＣＯバッファの入力と、ｐ型金属酸化膜半導体電界効果（ＰＭＯＳ）トランジスタのゲートとに接続された第２のキャパシタを含む。回路は、さらに、第１のキャパシタと、ＰＭＯＳトランジスタのゲートとに接続された第１のスイッチを含む。回路は、また、ＶＣＯバッファの入力と接続された第３のキャパシタを含む。回路は、さらに、ＶＣＯバッファの入力と、ｎ型金属酸化膜半導体電界効果（ＮＭＯＳ）トランジスタのゲートとに接続された第４のキャパシタを含む。回路は、また、第３のキャパシタとＮＭＯＳトランジスタのゲートとに接続された第２のスイッチを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路をパッケージに実装した後に、インダクタンスを増加および減少させる調整が可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ＬＳＩの内部回路１０６が形成された同一の半導体基板に磁気検出素子１００が形成されており、ボンディングパッド１１４とＬＳＩの内部回路１０６の間に接続された第１インダクタ１０１のインダクタンスを磁気検出素子１００と磁気検出回路１０５の出力電圧でモニタし、第１インダクタ１０１の片方の端子と第２インダクタ１０２の一端と第３インダクタ１０３の一端が第１接続部１０７を介して接続される第１スイッチ１０８、第２インダクタ１０２の片方の端子が第２接続部１０９を介して接続される第２スイッチ１１０、および、第３インダクタ１０３の片方の端子が第３接続部１１１を介して接続される第３スイッチ１１２を接続または切断状態に切り替えることにより、第一のインダクタ１０１をトリミングする。 （もっと読む）

【課題】 電源雑音を除去し、低周波雑音の特性を良好にできる低雑音電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】 駆動用トランジスタＱ1 のベースとＧＮＤの間にコンデンサＣ11を設けることで、そのベースに入力される低周波ノイズを除去でき、駆動用トランジスタＱ1 をｈＦＥの低いトランジスタとすることで、電源から入力される低周波ノイズを除去することができ、発振用トランジスタＱ2 のエミッタ側に、コイルＬ3 を設けることで、周波数特性を広域化して位相雑音の周波数特性を良好にでき、発振用トランジスタＱ2 のエミッタ側に、コンデンサＣ7 とコイルＬ3 で構成される共振回路における共振周波数をＶＣＯの発振周波数帯域の中心辺りに設定することで、ノイズの影響を受けにくい発振周波数にすることができる低雑音電圧制御発振回路である。 （もっと読む）

【課題】電源電圧に重畳されたノイズにより発生する発振器の位相雑音を低減することができ、しかも簡単な回路構成で実現でき、発振器の小型化を図ることのできる電圧制御発振器を提供すること。
【解決手段】この電圧制御発振器１は、直流電源端子１６にコレクタが接続された発振用トランジスタ１１と、発振用トランジスタ１１のエミッタ・接地間に接続された第１の抵抗２１と、発振用トランジスタ１１のベース・接地間に接続された共振回路２７と、発振用トランジスタ１１のエミッタと第１の抵抗２１との接続点と直流電源端子１６とを接続する結合ラインＬ１上に設けられた第１のキャパシタ２２とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンデンサへの充放電及び差動対を使用した発振回路において、回路規模や消費電力の増大を抑制しつつ安定した発振を可能とする。
【解決手段】トランジスタＭ１０は、トランジスタＭ１，Ｍ２からなる差動対に定電流ｉ１を供給する。Ｍ１には直列に抵抗Ｒ１が接続され、Ｍ１とＲ１との接続点の電位ＶＢがＭ２のゲートに印加される。一方、Ｍ１のゲートには、定電流ｉ２を生じるトランジスタＭ４と抵抗Ｒ２及びコンデンサＣ１の並列接続体との接続点の電位ＶＡが印加される。Ｍ４は、Ｍ２のオフ期間に定電流ｉ２を供給し、オン期間に定電流の供給を停止する。抵抗Ｒ２，Ｒ１それぞれの抵抗値をｒ２，ｒ１として、（ｒ１・ｉ１）＝（ｒ２・ｉ２）を満たすように設定する。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧の条件下にあっても、安定した発振の起動及び持続を保証しつつ低位相雑音化を達成することができる電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】制御入力電圧に応じてインピーダンスが変化するＬＣ並列共振回路と、該ＬＣ並列共振回路に負性抵抗を導入する負性抵抗回路と、を含む電圧制御発振器において、該負性抵抗回路が、該ＬＣ並列共振回路に並列に設けられ、キャパシタを介してクロスカップリングされた第一のトランジスタ対を有し、該第一のトランジスタ対の各トランジスタのゲートが第一のバイアス電圧にバイアスされて、Ｃ級増幅動作をする第一の増幅回路と、同様の回路構成を有し、各トランジスタのゲートが該第一のバイアス電圧と異なる第二のバイアス電圧にバイアスされて、Ｃ級増幅動作をする第二の増幅回路と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】 発振周波数を補正するためのメモリなどが不要な温特補正機能付き発振回路およびその製造方法を実現する。
【解決手段】 温特補正機能付き発振回路１０は、第１の発振回路２１と、第２の発振回路２２と、第１の発振回路２１が発生する発振周波数を理想の発振周波数に近い発振周波数に補正するための補正回路５０とを備える。補正回路５０は、第１の発振回路２１の発振周波数ｆ１と、第２の発振回路２２の発振周波数ｆ２との差分（ｆ１−ｆ２）を検出し、その検出した差分に補正係数αを乗じ（α・（ｆ１−ｆ２））、その補正された差分を第１の発振回路２１の発振周波数に加算し（ｆ１＋α・（ｆ１−ｆ２））、それを出力する動作を行う。 （もっと読む）