【課題】電気機械結合係数Ｋ^２を高め、かつ電極指一本あたりの反射係数を効果的に高め得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】水晶基板２上にＩＤＴ電極３が形成されており、ＩＤＴ電極３を覆うように水晶基板２上にｃ軸配向のＺｎＯ膜６が形成されており、ＩＤＴ電極３のメタライゼーション比が０．２５〜０．４５の範囲にある、弾性表面波装置。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性波装置は、基板１１と、基板１１の一方の主面１１ａに形成されている振動部１４と、振動部１４の電極１２と電気的に接続されているパッド１３と、振動部１４の周囲を囲むように設けられる支持層２０と、振動部１４を覆うように設けられ、振動部１４の周囲に中空空間１９を形成しており、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含み、前記合成ゴムの全体に対する重量比が１０ｗｔ％〜２５ｗｔ％である、シート状のカバー層２２と、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る弾性波装置は、基板１１と、基板１１の一方の主面１１ａに形成されている振動部１４と、振動部１４の電極１２と電気的に接続されているパッド１３と、振動部１４の周囲を囲むように設けられ、幅が１０μｍ〜１００μｍであり、感光性ポリイミドを主成分とする支持層２０と、振動部１４を覆うように支持層２０の上に設けられ、振動部１４の周囲に中空空間１９を形成する、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含むシート状のカバー層２２と、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】所望の特性を有し、しかもパッケージサイズが十分に小型化したＳＡＷ発振器と、このような小型化を可能にするインダクタ部品と、を提供する。
【解決手段】基板２上に渦巻状のスパイラル配線５を有してなる薄膜コイルインダクタ部品１である。スパイラル配線５が、基板２の中心から偏って配置され、スパイラル配線５が配置されない側に、スパイラル配線５の非配置領域９が形成されている。また、この薄膜コイルインダクタ部品１と、これをマウントした半導体チップ２３と、薄膜コイルインダクタ部品１の非配置領域９に、片持ち状に設けられた表面弾性波素子２５と、を備えてなる発振器２０。 （もっと読む）

【課題】ＩＤＴ電極を含む導電パターンを形成するときに圧電基板に反りが発生しないようにすることができる弾性表面波素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）一対の主面１０ａ，１０ｂを有する圧電基板１０の一方の主面１０ａに、ＩＤＴ電極を含む導電パターン１４を形成する工程と、（ｂ）圧電基板１０の一方の主面１０ａに、導電パターン１４を覆うようにワックスを塗布して接着層２０を形成する工程と、（ｃ）接着層２０に保持部材３０を接着し、接着層２０及び保持部材３０を介して圧電基板１０を保持した状態で、圧電基板１０の他方の主面１０ｂを研磨して圧電基板１０を薄くする工程と、（ｄ）圧電基板１０の他方の主面１０ｂに、圧電基板１０の線膨張係数よりも小さい線膨張係数を有する支持層１２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗損失を低減させることができる弾性表面波装置を提供する。また、製造工程におけるＩＤＴ電極の損傷を抑制することができる弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成されたＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、ＩＤＴ電極９を外部端子に接続するための電極パッド１１と、圧電基板７上に形成され、ＩＤＴ電極９と電極パッド１１とを接続する接続配線１３と、を備える。ＩＤＴ電極９は、第1の厚さを有し、電極パッド１１は
、第1の厚さより大きい第２の厚さを有している。接続配線１３の厚さは、第1の厚さより大きく且つ第２の厚さより小さいことを特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波装置１の製造方法は、ＩＤＴ電極９及び接続配線１３上にレジストＲ３を塗布し、ＩＤＴ電極９と接続配線１３との接続部分を少なくとも覆うようにレジストＲ３をパターニングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】製造効率を向上することができる弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】（ａ）互いに平行な一対の主面１０ａ，１０ｂを有する圧電基板１０と、（ｂ）圧電基板１０の一方の主面１０ａに形成された、ＩＤＴ電極２０を含む素子パターンと、（ｃ）圧電基板１０の他方の主面１０ｂに形成された、圧電基板１０の線膨張係数より小さい線膨張係数を有する支持層１６とを備える。ＩＤＴ電極２０による弾性表面波が伝搬する方向に見たとき、圧電基板１０の他方の主面１０ｂのうち、弾性表面波が伝搬する振動領域に対向する部分と該部分に隣接する部分との境界付近に段差１２ｘが形成されるように、弾性表面波が伝搬する方向と平行に延在する溝１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】少ない工程で簡単に弾性波デバイスの周波数特性を調整する。
【解決手段】圧電基板２上に、くし型電極３を形成する電極形成工程と、くし型電極３を覆おうようにバリア膜４を形成する工程と、バリア膜４の上に媒質５を形成する工程と、くし型電極３により励起される弾性波の周波数特性を測定する測定工程と、バリア層４をパターニングするかまたは、調整膜をさらに設けることで、励起領域において厚みが他の部分とは異なる調整領域を形成する調整工程とを含み、調整工程では、調整領域の面積Ｔが、測定された周波数特性に応じて調整される。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、複数の電極指片２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、これら複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、ＩＤＴ電極２０のラム波の伝搬方向両側に配設される一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、上記電極指片の交差領域（交差幅Ｗｉ）の水晶基板１０の厚さをｔｉ、交差領域の外端とバスバー電極２１ｄ，２２ｃとの間の領域の水晶基板の厚さをｔｇ、ラム波の波長をλとしたときに、ｔｉが０＜ｔｉ／λ≦３で表される範囲にあり、且つ、ｔｇ＜ｔｉの関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ラム波の伝搬方向に垂直方向の振動漏れを抑制するラム波型共振子を提供する。
【解決手段】ラム波型共振子１は、電極指片２１ａ〜２１ｃ，２２ａ，２２ｂの一方の端部を接続するバスバー電極２１ｄ，２２ｃを有し、前記複数の電極指片の先端部を互いに間挿してなるＩＤＴ電極２０と、一対の反射器２５，２６と、が水晶基板１０の一方の主面に設けられ、ラム波の波長をλとすると、水晶基板の厚さｔが、０＜ｔ／λ≦３であり、電極指片の交差領域の電極指片の線幅比η＿ＩＤＴ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ＩＤＴ／λ、ギャップ部の電極指片の線幅比η＿ｇ、波長λで規格化した規格化電極膜厚Ｈ＿ｇ／λ、とすると、η＿ＩＤＴ＝η＿ｇ＝０のときの周波数Ｆを基準とした場合の前記交差領域での周波数変化ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆと、前記ギャップ部での周波数変化ΔＦ＿ｇ／Ｆと、の関係が、ΔＦ＿ＩＤＴ／Ｆ＜ΔＦ＿ｇ／Ｆ、を満たす。 （もっと読む）

【課題】 表面弾性波型振動センサの感度を、共振周波数以外の周波数領域で向上させ、かつ無線通信可能な距離を伸ばすこと。
【解決手段】 ＳＡＷ電極３を備え、片持ち梁構造となる圧電材料躯体１の形状を、検知すべき所望の周波数に応じつつ、くさび型形状とすることにより、躯体の支持部２から先端部に行くに従って躯体の厚みが変化するために、片持ち梁構造の支点と重心の距離が、直方体形状の圧電材料を用いた場合に比較して変わることによる重り効果で、外部振動が加わった際のＳＡＷ電極３の振動の強度が増大し、センサの感度を向上させ、かつ無線通信可能な距離を伸ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】機能素子に加わる応力を低減させる電子部品を提供する。
【解決手段】一方の基板Ｐと他方の基板１との間に形成された封止空間Ｋ内に少なくとも機能素子１の一部が配置された電子部品であって、封止空間Ｋ内の環境を維持するための封止薄膜２を備える。封止薄膜は、非常に薄い部材であり、低温プロセスによって形成するため、封止薄膜の熱膨張係数と基板の膨張係数とに差がある場合でも、熱膨張係数の差に起因して機能素子に加わる応力を極力低減させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、一方の端子を接続したことによりスプリアス等により生じる周波数特性の歪みに起因する異常発振を抑制する。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能なタンタル酸リチウム（ＬＴ）からなる圧電基板１２と、方位（１１１）面で圧電基板１２に接合されたシリコンからなる支持基板１４と、両基板１２，１４を接合する接着層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、エージング特性およびリフロー特性の優れる弾性表面波素子およびそれを備える圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】弾性表面波素子２は、圧電性を有する圧電体材料で構成された圧電体基板２１と、圧電体基板２１の一方の面上に設けられ、圧電体基板２１に弾性表面波を励振させるためのＩＤＴ２２とを有している。圧電体基板２１の厚さは、６０μｍ〜２００μｍである。また、圧電体基板２１は、ＩＤＴ２２の構成材料の収縮力により生じる応力により、ＩＤＴ２２が設けられた面側に凹むように反っている。 （もっと読む）

【課題】ＡＴカット水晶振動子と同等かそれ以上の優れた周波数温度特性を有する弾性表面波素子を提供する。
【解決手段】弾性表面波素子１は、カット角がオイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０±０．２５°，１１３〜１３５°，±（４０〜４９°））となる水晶基板２と、水晶基板２上に設けられ、複数の電極指３１ａ、３１ｂを備えるＩＤＴ３（櫛歯電極）と、ＩＤＴ３を水晶基板２とは反対側から覆うように設けられ、ＳｉＯ_２を主成分として構成されたＳｉＯ_２膜６とを有し、ＳｉＯ_２膜６の規格化膜厚ｈｓ／λ（ただし、ｈｓは、ＳｉＯ_２膜６の平均厚さ［ｎｍ］であり、λは、弾性表面波の波長［ｎｍ］である）が、０．００４６〜０．０２３３である。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、圧電体薄膜１０６の膜厚ｈに対する音速ｖの分散性が小さくなるラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】弾性表面波共振子におけるＱ値の向上とＣＩ値の低減。
【解決手段】ＩＤＴ１２における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、ＩＤＴ１２は、中央部に配置された第１領域１４ａと、その両側に配置された第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃとを備え、電極指間隔が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、かつ第１領域１４ａに比べて第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは電極指間隔が大きく形成され、ライン占有率が第１領域１４ａ、第２領域１４ｂ、第３領域１４ｃのそれぞれの領域内において一様であり、第１領域１４ａは第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃに比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、第２領域１４ｂおよび第３領域１４ｃは第１領域１４ａに比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主として移動体通信機器にて使用される表面実装型の弾性表面波デバイスに関して、耐モールド性および耐熱性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明の弾性表面波デバイスは、異方性を有する圧電基板１の表面に設けられた櫛形電極２およびパッド電極３と、圧電基板１上に設けられ櫛形電極２を囲む側壁７と、この側壁上に設けられ櫛形電極１の励振空間を覆う天板８と、天板８および圧電基板１表面を覆うフィラー入り封止樹脂５を備え、天板８は側壁７の開口部を覆う金属箔８ａと、この金属箔８ａ上に設けられた金属箔８ａよりも厚いメッキ層８ｂからなり、圧電基板１とメッキ層８ｂで、線膨張率の差が大きくなる方向にメッキ層８ｂを分離させたものである。 （もっと読む）

【課題】 異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極のメカニカルマイグレーションを抑制した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第１導電膜３１を有する第１のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成された第２のＩＤＴ電極１３であって、第１導電膜３１、第２導電膜３２及び第３導電膜３３を順次積層した第１の積層体を有する第２のＩＤＴ電極１３と、を備えるとともに、第２導電膜３２がＴｉからなり、第１導電膜３１及び第３導電膜３３が第２導電膜３２とは異なる材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）