【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。マスク工程（Ｓ１１）は、開口２Ａが形成されたレジストマスク２で機能性材料基板１の主面を覆う。イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。マスク除去工程（Ｓ１３）は、機能性材料基板１の主面からレジストマスク２を除く。接合工程（Ｓ１４）は、支持基板３に機能性材料基板１を接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、パターン領域１Ａを剥離層１Ｃで剥離し、素子薄膜４として複合基板５に残す。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板につき、その圧電基板の表面を研磨砥粒で処理する際の圧電基板の縁の部分の欠けの発生を抑制する。
【解決手段】支持基板と圧電基板とを用意する。次に、支持基板の表面と圧電基板の裏面とを有機接着層を介して貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する。続いて、貼り合わせ基板の外周面を研削するにあたり、圧電基板の外周面と有機接着層の外周面と支持基板のうち有機接着層側の外周面とが同一面上になるように研削する。続いて、圧電基板の表面を研磨することにより、この圧電基板の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを有機接着層を介して貼り合わせた複合基板と、リフトオフ加工を用いて精度よく所望の金属パターンを形成できるようにする形成方法を提供する。
【解決手段】複合基板１０は、フォトリソグラフィに使用される光線を透過可能な圧電基板１１と圧電基板１１を支持する支持基板１２とを有機接着層１３により貼り合わせたものである。この複合基板１０のうち支持基板１２及び有機接着層１３の少なくとも一方は、フォトリソグラフィに使用される光線を吸収可能である。これにより、この複合基板１０では、フォトリソグラフィを用いたリフトオフ加工により所望の金属パターンが圧電基板の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせた弾性表面波素子につき、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化を抑制しつつ、スプリアスの発生を抑制する。
【解決手段】弾性表面波素子は、弾性波を伝搬可能なＬＴ基板１０と、ＬＴ基板の表面に設けられ弾性表面波を励振可能な櫛形電極１６，１７と、ＬＴ基板と貼り合わせられ圧電基板の裏面よりも粗く且つこのＬＴ基板から伝搬してきたバルク波を散乱させる粗さの裏面を有し熱膨張係数がＬＴ基板よりも小さいシリコン基板１２と、ＬＴ基板１０とシリコン基板１２とを接着する有機接着層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と支持基板とを貼り合わせただけのものに比して温度の変化に対する大きさの変化が少なく弾性波素子に用いられる複合基板を比較的簡単に製造する。
【解決手段】シリコン基板１２と、ＳＡＷを伝搬可能なＬＴ基板１０と、ＬＴ基板１０と同じ形状の樹脂フィルム１８とを用意する。次に、ＬＴ基板１０に有機接着剤１３を塗布しシリコン基板１２と貼り合わせると共に樹脂フィルム１８をシリコン基板１２に重ね合わせた後加熱して貼り合わせ基板１６を形成する。続いて、ＬＴ基板１０の表面を研磨定盤により研磨することによりこのＬＴ基板１０の厚みを薄くすると共にその表面を鏡面研磨する。 （もっと読む）

【課題】通過周波数帯域が狭く且つ挿入損失が小さい縦結合型弾性表面波フィルタ及びこの縦結合型弾性表面波フィルタを２つ縦続接続した縦続接続型フィルタを提供する。
【解決手段】ＩＤＴ電極における電極指のピッチ（一方のバスバーから伸びる２本の隣接する電極指同士の中心間の距離）の長さ寸法をＰｉ、入力側ＩＤＴ電極及び出力側ＩＤＴ電極間において間隙を介して隣接する電極指同士の中心間の寸法をＬ、反射器において隣接する電極指同士の中心間の寸法（ピッチ）をＰｒとすると、寸法法Ｌ及び寸法Ｐｒを夫々０．６２５Ｐｉ以上０．７３Ｐｉ以下好ましくは０．７１９Ｐｉ、０．９７×（０．５Ｐｉ）以上１．００×（０．５Ｐｉ）未満好ましくは０．９９×０．５Ｐｉとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低背化することが可能な弾性表面波デバイスを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基板１と、この圧電基板１の表面に設けられた複数の櫛形電極２および複数のパッド電極３と、前記複数の櫛形電極２間および櫛形電極２とパッド電極３との間を接続する配線４と、前記圧電基板１の上に設けられ、かつ櫛形電極２を囲む側壁５と、この側壁５の上に設けられ、かつ前記櫛形電極２の励振空間８を覆う天板６と、前記天板６および圧電基板１の表面を覆う封止樹脂９と、この封止樹脂９の上に設けられ、かつ前記パッド電極３と電気的に接続された外部端子１１とを備え、前記配線４の上に天板６に至る柱状部１２を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】整合回路をパッケージ内に備え、低背で気密性の高い弾性波フィルタ装置を構成する。
【解決手段】弾性波フィルタ装置１０１は、弾性波素子６０、ベース基板５０、バンプ７２，７３、気密封止枠７１、外装樹脂８０を備えている。弾性波フィルタ装置１０１は、複数の弾性表面波フィルタで構成され、圧電基板の一方の主面上にインター・ディジタル・トランスデューサ電極（ＩＤＴ電極）と、このＩＤＴ電極に接続される配線電極が設けられている。また、圧電基板の外周には、全周にわたってｌＤＴ電極や配線電極を取り囲むように気密封止枠７１が設けられている。ベース基板５０は、上部がセラミック基板４０、下部が樹脂基板３０で構成されている。ベース基板５０の下部をなす樹脂基板３０の内部には、整合回路を構成する導体パターン３３、底面には．実装端子３４，３５がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】表面弾性波素子に電気信号を印加したり、表面弾性波素子から信号を検出したりする過程で漏れ電流が発生することを防止することができる表面弾性波素子、表面弾性波装置、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】表面弾性波素子１０は、圧電物質からなる基板２０と、上記基板上に位置し互いに離間する複数の第１電極２２と、上記基板上に上記第１電極２２と離間して位置し互いに離間する複数の第２電極４０、及び上記複数の第１電極２２及び上記複数の第２電極４０のそれぞれに位置する酸化膜２４とを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】加熱剥離における問題を解決できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板１に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板１の一主面から所定深さの位置にイオン注入層１００を形成する（Ｓ１０１）。イオン注入層１００が形成された圧電単結晶基板１を支持基板３０Ｂに接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、加熱することで、イオン注入層１００を剥離面として圧電薄膜１０を剥離形成する。この加熱剥離を行う際、減圧雰囲気下で、且つ当該減圧雰囲気の気圧に応じた加熱温度を用いる（Ｓ１０４）。このような減圧雰囲気を用いることで、大気圧での加熱よりも低い温度で圧電薄膜１０が剥離形成される。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＷ共振片、ＳＡＷ共振子、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１４上において、一対のＳＡＷ素子１８（１９）と、前記一対のＳＡＷ素子１８（１９）の出力側にそれぞれ接続した一対の出力端子３２（３３）と、前記一対のＳＡＷ素子１８（１９）のそれぞれ入力側に共通に接続した入力端子２８と、を形成したＳＡＷ共振片１２であって、前記一対のＳＡＷ素子１８（１９）は、入力側を互いに対向させ、ＳＡＷ素子１８、１９の中心位置が前記圧電基板１４のＳＡＷの伝播方向の中心線で線対称となる位置に配置し、前記一対の出力端子３２（３３）は、前記線対称となる位置に形成し、前記入力端子２８は、前記線対称の中心線１６上に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】圧電基板の一方主面に形成された電極パターンを損傷することなく、レーザ光を用いて圧電基板の他方主面にマーキングを行い、特性の低下を招くことなく、必要なマーキングが施された弾性波装置を確実に製造できるようにする。
【解決手段】
一方主面に電極パターンが形成された圧電基板の他方主面に、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
また、素子毎に個片化された圧電基板を複数個、一方主面がベース基板に対向するように、ベース基板上にフリップチップボンディングし、各圧電基板の他方主面を研磨し、個々の弾性波装置毎に分割した後、圧電基板に吸収される波長を有するレーザ光を照射してマ一キングを行う。
圧電基板として、マーキングに使用するレーザ光に対して透明な圧電単結晶材料（例えば、ＬｉＮｂＯ₃またはＬｉＴａＯ₃）からなるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】同一圧電基板上に周波数特性が異なる第１，第２の弾性境界波素子が形成されており、第１，第２の弾性波素子の双方において、スプリアスを抑圧することができる弾性波装置を得る。
【解決手段】圧電基板２の上面２ａが、傾斜面部２ｂと、傾斜面部２ｂ以外の平坦部２ｃとを有し、平坦部２ｃ上に第１の電極３が、傾斜面部２ｃ上に第２の電極４が形成されており、第１，第２の電極３，４をそれぞれ有する第１，第２の弾性波素子５，６が構成されている、弾性波装置１。 （もっと読む）

【課題】添加物を含む圧電基板を用いたＳＡＷ装置についてより適切な基板カット角を示し、電気特性を向上させる。
【解決手段】単結晶圧電基板と、この圧電基板の表面に設けたアルミニウムを主成分とする材料により形成された交差指状電極とを備えた弾性表面波装置であって、交差指状電極の厚さｈを当該交差指状電極の電極間隔λで規格化した規格化膜厚ｈ／λが７〜１１％であり、単結晶圧電基板は、タンタル酸リチウム基板であり、添加物として鉄を含み、かつ、Ｘ軸を中心にＹ軸からＺ軸方向に４６°±０．３°の範囲の角度で回転させた方位を有する。 （もっと読む）

【課題】 異なる複数の周波数特性を有すると共に、ＩＤＴ電極のメカニカルマイグレーションを抑制した弾性表面波装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第１導電膜３１を有する第１のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成された第２のＩＤＴ電極１３であって、第１導電膜３１、第２導電膜３２及び第３導電膜３３を順次積層した第１の積層体を有する第２のＩＤＴ電極１３と、を備えるとともに、第２導電膜３２がＴｉからなり、第１導電膜３１及び第３導電膜３３が第２導電膜３２とは異なる材料で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理後の反り増加量が小さく、かつ安価な複合化された圧電基板を提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板と絶縁体基板が接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板であって、前記圧電基板は、導電率が１×１０^−１３［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上、特には導電率が５×１０^−１２［Ω^−１・ｃｍ^−１］以上１×１０^−１０［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であり、また前記絶縁体基板は、導電率が１×１０^−１４［Ω^−１・ｃｍ^−１］以下であることを特徴とする複合化された圧電基板。 （もっと読む）

【課題】 異なる複数の周波数帯に対応する弾性表面波装置において、その封止構造を小型化し、省スペース化を可能にする。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第1導電膜３１を有する第１のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、第１導電膜３１及び該第1導電膜３１と成膜のタイミングが異なる第２導電膜３２を有する第２のＩＤＴ電極１３と、圧電基板７上に形成され、第１導電膜３１、第２導電膜３２、並びに該第1導電膜３１及び該第２導電膜３２と成膜のタイミングが異なる第３導電膜３３を有し、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３を別個に又は一括して取り囲む枠体と、
を備える。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の小型化、大容量化及び低価格化である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２，３，４の主面に櫛歯電極５，５ａ，５ｂと該櫛歯電極に隣接して配設された素子配線を有する配線電極６，６ａ，６ｂ及び該配線電極に接続された電極端子８を形成した少なくとも２個以上の圧電素子を各圧電素子間に中空部Ｃが形成されるように接合して積層し、貫通電極７，７ａが前記各圧電基板３，４を貫通して形成され、該貫通電極７，７ａが前記電極端子８に接続され、かつ、前記圧電基板２，３，４が、樹脂封止層１０により封止されていることを特徴とする圧電部品及びその製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高周波SAWデバイスの製造コスト削減の為、その基板として高価なサファイア基板の要件を排除する高周波SAWデバイスの提供。
【解決手段】高周波SAWデバイス２は、基板２１と、前記基板２１の表面上に形成された第1緩衝層２２と、前記第1緩衝層２２の表面上に形成された第2緩衝層２３と、前記第2緩衝層２３の表面上に形成された圧電層２４と、入力変換ユニット２５と、出力変換ユニット２６とを備えて成り、前記入力変換ユニット２５および前記出力変換ユニット２６は前記圧電層２４の表面上もしくはその下方に夫々対として形成される。 （もっと読む）

【課題】 圧電部品の小型化、高性能化及び低価格化である。
【解決手段】 本発明は、圧電基板２と、該圧電基板２の主面２ａに形成された櫛歯電極７と該櫛歯電極に隣接して配設された素子配線を有する配線電極８とからなる第１圧電素子と、前記圧電基板２に形成された端子電極９と、該端子電極９に接触するはんだ電極１１と、櫛歯電極７ａ及び配線電極８ａとを主面に有する複数の第２圧電素子４，５とからなり、該第２圧電素子４，５が前記第１圧電素子と前記第２圧電素子の主面とが対向して両主面間に中空部Ｃが形成されるように、感光性樹脂シートからなる樹脂封止層３により封止され、かつ、該樹脂封止層３を貫通して前記端子電極９とその上端部が接触する貫通電極６と、からなることを特徴とする圧電部品及びその製造方法に関する。 （もっと読む）