【課題】部品点数の低減及び小型化を図り得るだけでなく、設計の自由度を高め得る弾性波フィルタを提供する。
【解決手段】圧電基板１０上に弾性表面波共振子からなる直列腕共振子４と、弾性境界波共振子からなる並列腕共振子７とを有し、直列腕共振子４及び並列腕共振子７がフィルタ回路を構成するように接続されている弾性波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】平衡−不平衡変換機能を有し、平衡度を改善することが可能とされている弾性波フィルタを得る。
【解決手段】不平衡信号端子２１１と、第１，第２の平衡信号端子２１２，２１３とを有し、弾性波伝搬方向に沿って順に第１〜第５のＩＤＴ２０１〜２０５が配置されており、第１のＩＤＴ２０１と、第３のＩＤＴ２０３の第１の分割くし歯状電極２０３ｂとが第１の平衡信号端子２１２に接続されており、第２の分割くし歯状電極２０３ｃと、第５のＩＤＴ２０５とが第２の平衡信号端子２１３に接続されており、第１のＩＤＴ２０１の電極指ピッチと、第５のＩＤＴ２０５の電極指ピッチとが異ならされている、弾性波フィルタ２００。 （もっと読む）

【課題】 抵抗損失を低減させることができる弾性表面波装置を提供する。また、製造工程におけるＩＤＴ電極の損傷を抑制することができる弾性表面波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成されたＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、ＩＤＴ電極９を外部端子に接続するための電極パッド１１と、圧電基板７上に形成され、ＩＤＴ電極９と電極パッド１１とを接続する接続配線１３と、を備える。ＩＤＴ電極９は、第1の厚さを有し、電極パッド１１は
、第1の厚さより大きい第２の厚さを有している。接続配線１３の厚さは、第1の厚さより大きく且つ第２の厚さより小さいことを特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波装置１の製造方法は、ＩＤＴ電極９及び接続配線１３上にレジストＲ３を塗布し、ＩＤＴ電極９と接続配線１３との接続部分を少なくとも覆うようにレジストＲ３をパターニングする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】圧電基板と絶縁体基板とが接着剤を介して貼り合わされた複合化された圧電基板の製造方法において、安価な絶縁体基板を用いたとしても熱処理後のソリの量が小さく、かつソリの大きさのバラツキが小さく安定している複合化された圧電基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、圧電基板と絶縁体基板のどちらか一方の主表面に接着剤を塗布する第１の工程と、前記接着剤を介して前記圧電基板と前記絶縁体基板とをお互いに貼り合わせる第２の工程と、前記貼り合わせた基板の温度を２５±５℃となるように制御して、前記接着剤に紫外光を照射して該接着剤を硬化させる第３の工程と、前記貼り合わせた基板を所望の厚さまで研削する第４の工程と、該研削後の貼り合わせた基板を加熱して前記接着剤を完全に硬化させる第５の工程と、を具備することを特徴とする複合化された圧電基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度係数が劣化することなく、タンタル酸リチウム結晶の電気機械結合係数を向上させ、かつ結晶育成が容易な、高品質の表面弾性波素子用基板、及びその製造方法の提供。
【解決手段】鉄置換タンタル酸リチウム結晶からなり、電気機械結合係数がコングルーエント組成のタンタル酸リチウム結晶からなる表面弾性波素子用基板の１．１倍以上である表面弾性波素子用基板の形成。 （もっと読む）

【課題】耐湿性に優れたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】圧電基板１１と、この圧電基板の一面上に設けたＩＤＴ電極１２と、このＩＤＴ電極１２に電気的に接続した入、出力電極１３と、ＩＤＴ電極と非接触でかつＩＤＴ電極を覆うように設けた絶縁性のカバー１４と、入、出力電極上に設けた突起電極１６と、この突起電極の側面とカバーと入、出力電極の少なくとも一部を覆い、かつカバーよりも耐湿性に優れた絶縁体層１７と、この絶縁体層の上からカバーと突起電極の側面と入、出力電極の少なくとも一部を覆う樹脂層１８と、突起電極の上端面に設けられ突起電極の上端面よりも面積の広い外部電極１９、２０とを備えたＳＡＷデバイスであって、このＳＡＷデバイスの占有面積は圧電基板の占有面積にほぼ等しく、上部の外形形状は樹脂層と外部電極とにより規定されたものである。 （もっと読む）

【課題】透光性誘電体層の膜厚測定の正確性を向上する。
【解決手段】本発明の弾性波素子８は、圧電体９と、圧電体９の上に形成されたＩＤＴ電極１０と、圧電体９の上にＩＤＴ電極１０の少なくとも一部を覆うように形成された透光性誘電体層１２とを備え、圧電体９の上に透光性誘電体層１２に覆われるように形成されると共に可視光波長領域において圧電体９の反射率よりも高い反射率を有する反射膜１４を有する構成とした。この構成により、弾性波素子８の製造過程において、透光性誘電体層１２の成膜後に、光干渉式法による膜厚測定法等にて透光性誘電体層１２の膜厚測定を実施する際、可視光波長領域において圧電体９の反射率よりも高い反射率を有する反射膜１４からの反射光を用いることができる。これにより、より正確な透光性誘電体層１２の膜厚測定を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能な圧電基板１２と、該圧電基板１２よりも熱膨張係数の小さな支持基板１４とが接合されたものである。この複合基板１０の面内における最も大きな熱歪み量である面内最大熱歪み量は、圧電基板１２と支持基板１４とを相対的に０〜３６０°回転させたときに最小値と最大値をとるが、圧電基板１２と支持基板１４とは、面内最大熱歪み量が最小値又はその近傍になるように接合されている。 （もっと読む）

【課題】平衡度の悪化、通過特性の劣化を抑制しつつ、小型化を図ることが可能なバランスフィルタを提供すること。
【解決手段】本発明は、１つの不平衡端子２２と２つの平衡端子１８ａ、１８ｂとの間にそれぞれ接続された第１の弾性波フィルタ１４ａ及び第２の弾性波フィルタ１４ｂと、第１及び第２の弾性波フィルタの両方に接続された接地端子２６と、を具備し、接地端子は、第１及び第２の弾性波フィルタの両方に接続された第１配線部２４と、第１及び第２の弾性波フィルタの間であって、第１及び第２の弾性波フィルタが配置された方向に直交する方向に延在する領域で第１配線部に接続する第２配線部３２と、を介して第１及び第２の弾性波フィルタに接続されており、第１の弾性波フィルタから第２配線部に接続するまでの第１配線部の距離と、第２の弾性波フィルタから第２配線部に接続するまでの第１配線部の距離は等しいバランスフィルタである。 （もっと読む）

【課題】周囲温度が変化しても挿入損失が殆ど変化しない弾性表面波分散型遅延線を得る。
【解決手段】この弾性表面波分散型遅延線は、圧電材料よりなる基板１０の表面上に、基準線１０ａに対し対称的に、それぞれ整列して配置された入力変換器１１及び入力側反射器１３と出力変換器１２及び出力側反射器１４を形成したものである。各反射器は互いに平行で基準線の方向に沿って次第に変化するピッチで配置された多数の反射電極１３ａ，１４ａよりなり、基準線に対する各反射電極の傾斜角は、弾性表面波分散型遅延線の挿入損失の温度係数が実質的と０となるように選択されている。基板１０をタンタル酸リチウムよりなるものとした場合は、基準線に対する各反射電極の傾斜角は、基準線と平行に伝搬される弾性表面波の各反射電極に対する入射角θが４５.８〜４７.０度となるように選択するのがよい。 （もっと読む）

【課題】周波数のばらつきが小さいラム波装置を提供する。
【解決手段】ラム波装置１０２は、圧電体薄膜１０６と、圧電体薄膜１０６の主面に設けられたＩＤＴ電極１０８と、ＩＤＴ電極１０８及び圧電体薄膜１０６の積層体１０４を支持し、積層体１０４を離隔させるキャビティ１８０が形成された支持構造体１２２とを備える。圧電体薄膜１０６の膜厚ｈ及びＩＤＴ電極１０８のフィンガー１１０のピッチｐは、音速が５０００ｍ／ｓ以上となる高次モードのラム波が目的の周波数において励振されるように選択される。圧電体薄膜１０６の結晶方位は、圧電体薄膜１０６の支持構造体１２２の側にある下面１０６２のフッ酸に対するエッチングレートが、十分に遅くなるように選択する。 （もっと読む）

【課題】従来の弾性表面波デバイスでは、薄板化するとチップ裏面にチッピングが発生しやすかった。
【解決手段】圧電基板１１の第１面に弾性表面波デバイスパターン１２を複数個形成する工程と、レーザ光１８を圧電基板１１の内部に集光させて照射することにより圧電基板１１の内部に改質領域１３を形成する工程と、圧電基板１１の第１面とは反対側の第２面側を研削することにより圧電基板１１を薄板化する工程と、改質領域１３で各チップに分離する工程と、を備えたものであり、薄板化してもチッピングを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】実装基板に対するパッケージの所定位置からのずれを防止または抑制し、信頼性の高い圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電振動片２を収容したパッケージ３と、実装基板４と、パッケージ３と実装基板４との間に隙間を形成するスペーサ５１〜５４と、電子部品６とを有している。スペーサ５１〜５４のうちのスペーサ５１、５２は、金属ろう７によりパッケージ３に固定され、スペーサ５３、５４は、熱硬化性接着剤８によりパッケージ３に固定される。熱硬化性接着剤８によるスペーサ５３、５４とパッケージ３の固定は、金属ろう７によるスペーサ５１、５２とパッケージ３の固定に先立って行われる。 （もっと読む）

【課題】 表面弾性波型振動センサの感度を、共振周波数以外の周波数領域で向上させ、かつ無線通信可能な距離を伸ばすこと。
【解決手段】 ＳＡＷ電極３を備え、片持ち梁構造となる圧電材料躯体１の形状を、検知すべき所望の周波数に応じつつ、くさび型形状とすることにより、躯体の支持部２から先端部に行くに従って躯体の厚みが変化するために、片持ち梁構造の支点と重心の距離が、直方体形状の圧電材料を用いた場合に比較して変わることによる重り効果で、外部振動が加わった際のＳＡＷ電極３の振動の強度が増大し、センサの感度を向上させ、かつ無線通信可能な距離を伸ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）

【課題】圧電基板上に異なる共振周波数のＳＡＷ素子を２個備え、ＳＡＷ素子の入力端または出力端の少なくとも一方が共通端子により接続されて共通化されたＳＡＷデバイスにおいて、一方の端子を接続したことによりスプリアス等により生じる周波数特性の歪みに起因する異常発振を抑制する。
【解決手段】低周波側に位置するＳＡＷ素子を第１のＳＡＷ素子、高周波側に位置するＳＡＷ素子を第２のＳＡＷ素子とした時に、前記第１のＳＡＷ素子の共振周波数Flr及び反共振周波数Flaと、前記第２のＳＡＷ素子の共振周波数Fhrより低周波側に生じる高次モードに起因するスプリアス周波数Fhsとの位置関係は０．９Flr≦Fhs≦０．９９９９Flr、及びFla≦Fhs≦１．１Flaであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特性の安定性に優れ、超小型軽量の集積回路装置を大判のウエハープロセスにて形成することができる集積回路装置およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】カバー１４とスペーサー１３によって電子部品素子上に空間を形成することで、弾性表面波電子部品素子等の電気的特性が外部との物理的な接触による変化から保護することができ、特性を安定化させることができると共に導電性バンプ１２による単純な接続構造が高周波特性のシミュレーション精度を向上させ、その結果集積回路装置の設計を簡便化することができる。また電子部品素子、引き出し配線に電磁遮蔽を行うことができ、特性を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】低コスト化および小型化を図りつつ、優れた信頼性を有する圧電デバイスの製造方法および圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】圧電振動片２を収納したパッケージ３を実装用基板４上にスペーサ５１〜５４を介して実装するとともに、スペーサ５１〜５４によってパッケージ３と実装用基板４との間に形成された間隙に収まるように、圧電振動片２を駆動する機能を有する電子部品６を実装用基板４上に実装した圧電デバイス１の製造方法であって、実装用基板４となるべき基板４Ａ上にスペーサ５１〜５４を形成する工程と、基板４Ａ上およびスペーサ５１〜５４上にこれらの間を跨るように配線パターン４２を形成する工程と、配線パターン４２に電気的に接続されるように、基板４Ａ上に電子部品６を実装する工程と、スペーサ５１〜５４上にパッケージ３を実装する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】弾性波デバイスに利用される複合基板であって、耐熱性の優れたものを提供する。
【解決手段】複合基板１０は、弾性波を伝搬可能なタンタル酸リチウム（ＬＴ）からなる圧電基板１２と、方位（１１１）面で圧電基板１２に接合されたシリコンからなる支持基板１４と、両基板１２，１４を接合する接着層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、マスク工程（Ｓ１１）とイオン注入工程（Ｓ１２）とマスク除去工程（Ｓ１３）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。マスク工程（Ｓ１１）は、開口２Ａが形成されたレジストマスク２で機能性材料基板１の主面を覆う。イオン注入工程（Ｓ１２）は、レジストマスク２の開口２Ａから露出するパターン領域１Ａにイオンを注入する。マスク除去工程（Ｓ１３）は、機能性材料基板１の主面からレジストマスク２を除く。接合工程（Ｓ１４）は、支持基板３に機能性材料基板１を接合する。剥離工程（Ｓ１５）は、パターン領域１Ａを剥離層１Ｃで剥離し、素子薄膜４として複合基板５に残す。 （もっと読む）