【課題】平衡−不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性表面波フィルタにおいて、通過帯域内において現れる所望でないリップルを効果的に抑圧することが可能とされている構造を得る。
【解決手段】第１，第３及び第５のＩＤＴ１１，１３，１５の一端が不平衡信号端子５に、第２，第４のＩＤＴ１２，１４がそれぞれ第１，第２の平衡信号端子６，７に接続され、第２のＩＤＴ１２の両側の最外側電極指と、第１，第３のＩＤＴ１１，１３の最外側電極指と、第４のＩＤＴ１４の最外側電極指とがア−スに接続される電極指またはシグナル電極指とされ、ＩＤＴ１３，１５の最外側電極指がシグナル電極指またはアース電位に接続される電極指とされ、ＩＤＴ１３，１４同士が隣接する部分において、最外側電極指１４ａに直列重み付けが施され、ＩＤＴ１４，１５同士が隣接する部分において、最外側電極指１４ｂに直列重み付が施されている、弾性表面波フィルタ装置。 （もっと読む）

本発明は、それぞれ１つの通過領域を有している複数の部分フィルタを含み、異なる部分フィルタの通過領域が相互に異なった中心周波数を有している、バンドパスフィルタに関している。この場合最も低い中心周波数を備えた部分フィルタは、その左方の信号エッジがその右方の信号エッジよりも急峻である通過領域を有しており、さらに、最も高い中心周波数を備えた部分フィルタは、その右方の信号エッジがその左方の信号エッジよりも急峻である通過領域を有していることを特徴としている。
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【課題】回路規模およびデバイスサイズを小さくし、損失を低減することができる圧電フィルタを提供すること。
【解決手段】圧電フィルタ１は、入力インピーダンスが出力インピーダンスよりも低い。圧電フィルタ１は、入力端子１０１ａと、出力端子１０１ｂと、直列圧電共振器１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃと、並列圧電共振器１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃとを備える。並列圧電共振器１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃの内、等価回路上、入力端子１０１ａ側に近い第１の並列圧電共振器１０３ａの静電容量は、出力端子１０１ｂ側に近い第２の並列圧電共振器１０３ｃの静電容量よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】本発明のＳＡＷフィルタパッケージは、第１の電極、第２の電極、第３の電極、及び第４の電極と、第１の電極と第２の電極との間に接続された第１のＳＡＷ共振器と、第１の電極と第３の電極とに接続された第２のＳＡＷ共振器と、第２の電極と第４の電極とに接続された第３のＳＡＷ共振器とが形成された圧電性基板と、複数のパッケージ電極を有すると共に、圧電性基板を搭載するパッケージと、複数のボンディングワイヤからなるボンディングワイヤ群と、を有し、ボンディングワイヤ群を介して、第３の電極と第４の電極とが接続され、かつ、第３の電極及び第４の電極と前記パッケージ電極のうち接地電圧が供給される電極とが接続されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の悪化をさほど招くことなく、帯域外減衰量の拡大を図り得る端面反射型表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 ＳＨタイプの表面波を利用した縦結合共振子型表面波フィルタであって、圧電基板２の上面２ａにおいて、所定距離を隔てて互いに平行に第１，第２の溝２ｂ，２ｃが形成されており、溝２ｂ，２ｃ間において、縦結合共振子型弾性表面波フィルタを構成するためのＩＤＴ５，６が形成されており、第１，第２の溝２ｂ，２ｃのＩＤＴが形成されている側の側面２ｂ₁，２ｃ₁が反射端面を構成しており、圧電基板２の上面２ａにおいて、（ａ）ＩＤＴ５，６の２０％以上を覆うように樹脂被覆層３または（ｂ）ＩＤＴ５，６を覆うようにＳｉＯ₂膜からなる保護層が形成されている、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ１。 （もっと読む）

【課題】 低インピーダンスで広帯域が得られる小型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 弾性表面波フィルタ１０は、圧電基板１２上に、すだれ状電極２０からなる入力電極１６と出力電極１８とを配設し、前記入力電極１６および前記出力電極１８を挟み込む位置に反射器３０を配設した共振子フィルタ１４を２組並列接続してなる弾性表面波フィルタ１０であって、前記すだれ状電極２０および前記反射器３０の電極指２２，３２は、斜めに折り曲げられた接続部２４，３４と、前記接続部２４，３４の両端に接続された直線部２６，３６とを有し、第１の前記共振子フィルタ１４ａで得られる通過帯域と、第２の前記共振子フィルタ１４ｂで得られる通過帯域との一部を重ね合わせるとともに、第１の前記共振子フィルタ１４ａで励起される弾性表面波と、第２の前記共振子フィルタ１４ｂで励起される弾性表面波との位相差を１８０度としてなる構成である。 （もっと読む）

【課題】 フィルタのリターンロスを削減し、高性能であり、広帯域化可能であり、かつ小型化可能な電子回路装置を提供することである。
【解決手段】 本発明は、フィルタ（１５４，１５６）と、該フィルタに接続された９０°ハイブリッド（１５０，１５２）と、を備えた電子回路装置である。本発明によれば、フィルタ（１５４、１５６）に９０°ハイブリッド（１５０、１５２）を接続することにより、９０°ハイブリッドの１端子に入力された信号が９０°ハイブリッドを通過し、フィルタで反射され、元の端子に出力されることがない。すなわち、リターンロスを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 圧電基板やそのカット方位は従来の一般的な圧電基板を使用した状態で、低損失で広帯域な特性を有する弾性表面波素子を提供すること。
【解決手段】 圧電基板２上に、フィンガー３およびバスバー４を有しており、バスバー４がフィンガー３側に膜厚漸増領域５を有している、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極６および反射器電極７の少なくとも一方を有する弾性表面波素子１である。膜厚漸増領域５を有することによりバスバー４に質量分布ができ、バスバー４によって共振子内に弾性表面波を閉じ込めることができるとともに共振子内に閉じ込める弾性表面波の振幅強度をフィンガー３からバスバー４の方向に徐々に減衰させることができ、これによって弾性表面波素子が共振する周波数にも広がりができるため、低損失でかつ広帯域な弾性表面波素子１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化及び高機能が可能で、かつ前記ＳＡＷフィルタにおける寄生インダクタンスを低減し、ＳＡＷフィルタの低周波側減衰特性が劣化するのを防止した高周波モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体層を積層してなる誘電体基板の表面あるいは内部に、少なくとも高周波部を構成する電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、該電力増幅器に入る信号のノイズを除去するフィルタと、該電力増幅器の出力を検出するための方向性結合器及び検波回路と、送受信の信号を分けるデュプレクサと、前記誘電体基板の底面に外部接続用端子を具備してなる高周波モジュールであって、前記モジュール基板の表面側に、前記電力増幅器の電力増幅用半導体素子および前記デュプレクサの送信用フィルタを実装し、前記モジュール基板の底面側にキャビティを設け、該キャビティ内に前記デュプレクサの送信用フィルタを収納、実装してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 広帯域で低インピーダンスであり、且つ小型の弾性表面波フィルタを提供する。
【解決手段】 弾性表面波フィルタ１０は、圧電基板１２と、この圧電基板１２上に形成されて複数の電極指２２を備えたすだれ状電極２０からなる入力電極１４および出力電極１６と、弾性表面波が伝搬する方向における前記入力電極１４および前記出力電極１６を挟む位置に複数の電極指３２を備えた反射器３０とを備えた弾性表面波フィルタ１０であって、前記すだれ状電極２０の前記電極指２２および前記反射器３０の前記電極指３２は、斜めに折り曲げられた接続部２４，３４と、前記接続部２４，３４の両端に接続されて長さの異なる直線部２６，３６とを有し、長さの異なる前記直線部２６，３６で得られる弾性表面波を結合状態にし、４つ以上の共振を利用して通過帯域を形成してなる構成である。 （もっと読む）

フリップチップボンディング方式で第１，第２の弾性表面波フィルタチップがパッケージ材に搭載されており、さらに第１，第２の弾性表面波フィルタチップ間のアイソレーションを改善することができ、良好な減衰特性を有する弾性表面波分波器を提供する。中心周波数が低い第１の弾性表面波フィルタチップと、相対的に高い第２の弾性表面波フィルタチップ４とが、パッケージ材８のチップ搭載面に接合されており、パッケージ材８のチップ搭載面に形成された信号配線パターン２４に接合される第２の弾性表面波フィルタチップ４のバンプよりも、グラウンド配線パターン２５側に近接したパターン部分を有するように上記信号配線パターン２４が構成されている、弾性表面波分波器。
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挿入損失の劣化を抑制しつつアイソレーション特性を改善し得る弾性表面波分波器を提供する。 通過帯域が相対的に低い第１の弾性表面波フィルタ５と、通過帯域が相対的に高い第２の弾性表面波フィルタ６の各一端がアンテナに接続される第１の共通端子４に接続されており、第１の弾性表面波フィルタ５が複数の並列腕共振子Ｔ１，Ｔ４，Ｔ７及び複数の直列腕共振子Ｔ２，Ｔ３，Ｔ５，Ｔ６，Ｔ８，Ｔ９を有し、複数の直列腕共振子Ｔ２，Ｔ３，Ｔ５，Ｔ８，Ｔ９及び並列腕共振子Ｔ１，Ｔ４，Ｔ７のうち、第１の共通端子４に最も近い共振子が並列腕共振子Ｔ１であり、第１の共通端子４に最も近い並列腕共振子Ｔ１の容量が、他の並列腕共振子Ｔ４，Ｔ７の容量の１／２未満とされている、弾性表面波フィルタ１。
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【課題】 通過帯域内の平衡度が良好な弾性表面波素子およびそれを用いた通信装置を提供すること。
【解決手段】 弾性表面波素子は、圧電基板１上に、弾性表面波の伝搬方向に第１のＩＤＴ電極31〜38を電気的に接続した３つのＩＤＴ電極群21〜23を配設し、ＩＤＴ電極群21〜23の第１のＩＤＴ電極31〜38の間に、第１のＩＤＴ電極31〜38に電気的に非接続の、第１の分離電極51〜54を配設した第１の弾性表面波素子部Ａと、ＩＤＴ電極群24，25と第１の分離電極55，56を配設し、ＩＤＴ電極群24，25と反射器電極４，５との間にＩＤＴ電極群24，25とは電気的に非接続の第３のＩＤＴ電極61，62を第２の分離電極として配設した第２の弾性表面波素子部Ｂとを備え、第１の弾性表面波素子部Ａの中央のＩＤＴ電極群22が不平衡入力部６、第２の弾性表面波素子部Ｂの２つのＩＤＴ電極群24，25が平衡出力部７，８とされている。 （もっと読む）

【課題】 優れた周波数特性と通過特性を有する弾性表面波素子、及びこの弾性表面波素
子の製造方法を提供する。
【解決手段】 弾性表面波素子１０は、半導体基板（Ｓｉ層５０）の同一平面上に半導体
配線領域２０とＳＡＷ領域３０が並列して形成されている弾性表面波素子１０であって、
ウエハ１に弾性表面波素子１０を格子状に配列すると共に、隣接する弾性表面波素子１０
に形成される半導体配線領域２０を市松模様状に配列し、半導体配線領域２０とＳＡＷ領
域３０の上面に渡って同一平面の絶縁層７１〜７４を形成し、最上層の絶縁層７４の表面
に圧電体層９０を形成し、ＳＡＷ領域３０の圧電体層９０の表面にＩＤＴ４０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 デバイスサイズを小型化した場合でも、信号間の高アイソレーションを確保可能な、小型で特性の安定した分波器を提供する。
【解決手段】 積層パッケージ１２０の第１の層１２３は、送信用フィルタ１１２のグランドに接続される第１のグランド線路パターン１４１と、受信用フィルタ１１３のグランドに接続される第２のグランド線路パターン１４２と、位相整合用回路のグランドに接続される第３のグランド線路パターン１４３と、複数の信号線路パターン１４４〜１４６とを有する。第２の層１２４は、複数の信号線路パターンの間に配置された仕切りグランド線路パターン１６０と、外部接続用の信号用フットパッド１６４〜１６６及びグランド用フットパッド１６１〜１６３とを有し、第１及び第２のグランド線路パターン１４１、１４２の各々は、グランド用フットパッド１６１〜１６３を介して仕切り用グランド線路パターン１６０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は携帯電話などの小型無線情報通信機器に用いられる弾性表面波フィルタに関して、広帯域なフィルタ特性を有するＳＡＷフィルタを提供するものである。
【解決手段】並列腕に対して複数並列接続された所定の反共振周波数を有する一端子対弾性表面波共振器を備え、隣り合う一端子対弾性表面波共振器５ａ，５ｂ間を直列腕上においてインダクタ６ａ，６ｂ或いはキャパシタ７で接続するとともに、一端子対弾性表面波共振器５ａ，５ｂとグランド間にインダクタ６ａ，６ｂを設けた。 （もっと読む）

【課題】 小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】 本発明のＳＡＷフィルタは、入力信号に基づいた第１の信号を伝達する第１の接続点と、第１の接続点と接続されると共に第１の信号を受けて第２の信号を出力する第１の直列腕共振器と、第２の信号に基づいた信号を伝達する第２の接続点と、第１の接続点と第３の接続点とに接続された第１の並列腕共振器と、第２の接続点と第４の接続点とに接続された第２の並列腕共振器と、第３の接続点と第４の接続点とに接続された第１のワイヤと、接地電極と第３の接続点とに接続された第２のワイヤとを有する。そして、第１の直列腕共振器、第１の並列腕共振器、及び第２の並列腕共振器は、櫛歯状電極を有し、上面視において、櫛歯状電極の延在方向に対して角を成して第１のワイヤが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 小型化された構成でありながら、形成した減衰極の変化による減衰量は高域側減衰帯域だけでなく低域側減衰帯域においても、十分に大きくする。
【解決手段】 本発明のフィルタパッケージは、入力信号に基づいた第１の信号を伝達する第１の接続点と、前記第１の接続点と接続されると共に前記第１の信号を受けて第２の信号を出力する第１の直列腕共振器と、前記第２の信号に基づいた信号を伝達する第２の接続点と、前記第１の接続点と第３の接続点とに接続された第１の並列腕共振器と、前記第２の接続点と第４の接続点とに接続された第２の並列腕共振器と、前記第３の接続点と前記第４の接続点とに接続された第１のワイヤと、接地電極と前記第３の接続点とに接続された第２のワイヤとを有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２膜による電極保護効果及び温度特性改善効果を有するだけでなく、挿入損失の劣化を抑制し得る弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】回転ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ_３基板と、ＬｉＴａＯ_３基板上に形成されており、かつＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる少なくとも１つのインターデジタルトランスデューサと、インターデジタルトランスデューサを覆うようにＬｉＴａＯ_３基板表面に形成されたＳｉＯ_２膜と、反射器とを備え、ＳｉＯ_２膜の表面波の波長λで規格化された膜厚をＨｓとし、ＬｉＴａＯ_３基板のカット角をθとしたときに、規格化膜厚Ｈｓが所定の範囲にあり、かつ反射器がＬｉＴａＯ_３基板の端面により構成されており、それによって端面反射型の表面波装置とされていることを特徴とする、表面波装置。 （もっと読む）

【課題】アンテナ分波器において、低挿入損失を実現しつつ通過域低域での減衰量を確保する移相器を不要にする。
【解決手段】低域側ＳＡＷフィルタ２０と高域側ＳＡＷフィルタ３０によって構成するアンテナ分波器において、高域側ＳＡＷフィルタ３０は、ＳＡＷ共振子５１とこれに並列にコイル５２を接続した構成とし、低域側ＳＡＷフィルタの通過域周波数に対しては高インピーダンスを呈し、かつ高域側ＳＡＷフィルタの通過域周波数に対しては低インピーダンスを呈するＳＡＷタンク回路５０と、１つのＩＤＴと、このＩＤＴの両側で出力端を共通接続した一対のＩＤＴおよび反射器で構成され、低域側ＳＡＷフィルタの通過域周波数に対して大きな減衰量を呈し、かつ高域側ＳＡＷフィルタの通過域周波数をフィルタ処理する縦結合共振器型フィルタ６０とによって構成する。 （もっと読む）