【課題】 本発明は、圧電発振器の上面に検査電極を形成することによりキャビティの広さを確保することができる圧電発振器の製造方法及び圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電発振器の製造方法は、圧電片と外枠とを有する複数の圧電振動素子が形成された圧電ウエハを用意する工程（Ｓ１０１）と、検査電極を有する複数の第１容器体が形成され隣り合う第１容器体の共通する辺に複数の貫通孔と貫通孔に接続電極とが形成される第１ウエハを用意する工程（Ｓ１０３）と、外部電極を有する複数の第２容器体が形成された第２ウエハを用意する工程（Ｓ１０４）と、複数の集積回路を用意する工程（Ｓ１０２）と、第１容器体又は第２容器体に集積回路を載置し圧電ウエハ、第１ウエハ及び第２ウエハを接合する接合工程（Ｓ１０５）と、検査電極を介して圧電片のＣＩ値又は振動周波数の少なくとも一方を測定する測定工程（Ｓ１０７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で、オーバーエッチングにより所定の周波数からの周波数偏差の少ない圧電振動素子を得る。
【解決手段】複数の棒状の振動腕１５ａ、１５ｂ、各振動腕１５ａ、１５ｂの一方の端部間を連接する基部１２、各振動腕１５ａ、１５ｂの他方の端部に夫々形成され各振動腕１５ａ、１５ｂよりも幅広の錘部２０ａ、２０ｂ、及び、各振動腕１５ａ、１５ｂの振動中心線Ｂに沿った表面及び裏面に夫々形成された溝部１７ａ、１７ｂ、を備えた圧電基板１０である。更に各溝部内を含めた各振動腕の表裏面に夫々形成された励振電極３０〜３６を備え、各錘部２０には夫々表裏面を貫通し、且つ前記各振動腕の長手方向に沿って直線状に延びる周波数調整用スリット２５が、複数本形成される。 （もっと読む）

【課題】熱硬化型接着剤による接着剤硬化物層におけるリークが生じ難く、気密封止性に優れた中空部を有する電子部品を提供する。
【解決手段】組合わさって中空部を内部に構成する複数のケース部材２、４と、中空部に位置している電子部品機能部と、複数のケース部材２、４を接合している熱硬化型接着剤の接着剤硬化物層５，６とを備え、該接着剤の未硬化時のｔａｎδが１．２５以下である、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】圧電振動子を小型化すると共に耐衝撃性を改善した圧電振動子を得る。
【解決手段】圧電振動素子１と、これを収容するパッケージ３０と、を備えた圧電振動子２である。圧電振動素子１は、複数の振動腕１０、これらを連接する基部７、各振動腕１０の他方の端部に設けた錘部１４を備えた圧電基板と、各振動腕の表裏面に形成され励振電極と、を備えている。更に、各錘部１４の表裏に形成された電極膜と、各電極膜の少なくとも一部に設けられた無電極部１８と、を有している。パッケージ３０は、素子搭載パッド３７、及び実装端子３５を備えた絶縁基板と、気密封止する蓋体４０と、絶縁基板上面に形成された干渉防止用凹部３８と、を備えている。無電極部１８は、干渉防止用凹部３８の素子搭載パッド３７寄り角部と接する部位を中心とした領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】振動片の強度が向上し、耐衝撃特性を向上させることができる電子機器の提供。
【解決手段】電子機器に用いられる水晶振動片１は、水晶の結晶軸に対して所定の角度で切り出されたＺ板がエッチング成形された振動片であって、基部１０と、基部１０からＹ軸方向に延びる一対の振動腕１１と、基部１０をＸ軸方向に切り欠いたＸ軸プラス方向切り欠き部１２とＸ軸マイナス方向切り欠き部１３とを備え、Ｘ軸プラス方向切り欠き部１２は、基部１０をＸ軸のマイナス側からプラス側へ切り欠き、Ｘ軸プラス方向切り欠き部１２の幅が外周１０ｂに近づくに連れて広がるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動板の内部形状やこの圧電振動板上に形成される励振電極の膜厚等を変化させることなく、幅縦モードと長さ縦モードによる振動の変動率を長さ縦モードの周波数のみによる独立した調整を可能とすることで、高発振周波数に対応して小型化する圧電振動子の周波数特性や温度特性を最適化することのできる圧電振動子を提供することである。
【解決手段】 幅縦モードの主振動を伴う一対の主振動辺１２ａ，１２ｂ及びこの一対の主振動辺と直交し、長さ縦モードの副振動を伴う一対の副振動辺１２ｃ，１２ｄを有し、表面に励振電極が形成された四角形状の圧電振動板１２と、前記一対の主振動辺１２ａ，１２ｂから外方向に延びる支持アーム１３，１４と、前記主振動辺の略中間位置から外方向に突出し、先端に重量を調整するための張出部を有する突起片１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】多段型メサ構造を有する圧電振動片であって、ＣＩ値の低減を図ることができる圧電振動片を提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電振動片は、ＡＴカット水晶基板からなり、Ｙ´軸に平行な方向を厚み方向とする圧電基板１０と、圧電基板１０の両主面の振動領域に表裏で対向するように配置された励振電極２０と、を含み、圧電基板２０は、Ｘ軸に平行な辺を長辺とし、Ｚ´軸に平行な辺を短辺とする矩形の励振部１４と、励振部１４より小さい厚みを有し、励振部１４の周辺に形成された周辺部１２と、を有し、励振部１４のＸ軸に平行な方向に延びる側面１４ａ，１４ｂの各々は、１つの平面内にあり、励振部１４のＺ´軸に平行な方向に延びる側面１４ｃ，１４ｄの各々は、段差を有する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失の劣化を抑制し、かつ特定周波数帯域の抑圧を高めることができる。
【解決手段】入力端子と出力端子との間に接続され、通過帯域を有するフィルタ部１０と、前記入力端子と前記出力端子との間に、前記フィルタ部に並列に接続された経路１２と、を具備し、前記経路は、前記入力端子から入力され前記経路を通過して前記出力端子に出力される第１信号の位相と、前記入力端子から入力され前記フィルタ部を通過して前記出力端子から出力される第２信号の位相と、が前記通過帯域外の周波数帯域において逆位相となり、かつ前記第１信号の振幅と、前記第２信号の振幅と、が前記周波数帯域において同一となるようなインピーダンスを有するフィルタ回路。 （もっと読む）

【課題】小型圧電振動子であり落下等の衝撃に強い圧電振動子を得る。
【解決手段】圧電振動子１は、圧電振動素子４と、これを収容するパッケージと、を備えている。圧電振動素子１は、複数の振動腕９ａ、９ｂ、これらを連接する基部５、各振動腕９ａ、９ｂの他方の端部に設けた錘部９ａ、９ｂを備えた圧電基板４ａと、各振動腕の表裏面に形成され励振電極と、を備えている。パッケージは、素子搭載パッド１８、及び実装端子１６を備えた絶縁基板１１と、気密封止する蓋体３５と、絶縁基板１１上面には圧電振動素子４の各錘部９ａ、９ｂ及び基部５の先部と対向する部位に夫々金属、又は高分子からなる緩衝材２４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ共振器において、差動動作を可能とする構成を有して、ノイズの低減を図ることができ、小型で高出力の捩り振動を用いたＭＥＭＳ共振器を提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ共振器は、両端が捩り振動の節となり、中央が捩り振動の腹となる振動部（５ａ）を有する振動子（５）と、前記振動部（５ａ）の外周面を構成する少なくとも２つの側面に対向し、前記振動部（５ａ）の中央に配置された少なくとも３つの電極（２，３，７）と、を備えており、前記少なくとも３つの電極における２つの電極に対して、互いに位相が１８０度異なる交流信号が入力または出力されるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】機械的強度が高く、量産性に優れた圧電基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】圧電基板１００は、ＡＴカット水晶基板をからなる圧電基板であって、Ｘ軸およびＺ´軸を含む面であって、表裏の関係にある＋Ｙ´側に位置する第１主面１２および−Ｙ´側に位置する第２主面１４を有する素子形成部１０と、素子形成部１０の外縁を囲む枠体部２０と、を含み、枠体部２０は、素子形成部１０を介してＸ軸方向に対向する第１部分２１および第２部分２２と、素子形成部１０を介してＺ´軸方向に対向する第３部分２３および第４部分２４と、を有し、第１部分の＋Ｙ´面の幅１ａ、第２部分の前記＋Ｙ´面の幅２ａ、第３部分の＋Ｙ´面の幅３ａ、第４部分の＋Ｙ´面の幅４ａは、１ａ＞２ａ＞４ａ、１ａ＞３ａ＞４ａの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】送信端子と受信端子との間の電磁的な結合の影響を低減し、アイソレーション特性を向上させること。
【解決手段】本発明は、四角形の裏面を有する多層基板１０と、多層基板の裏面に、四角形を構成する第１の辺５８の中央部に近接して設けられたアンテナ端子５０と、第１の辺に交差する第２の辺６０の中央部よりもアンテナ端子から離れた側で第２の辺に近接して設けられた送信端子５２と、第２の辺に対向する第３の辺６２の中央部よりもアンテナ端子から離れた側で第３の辺に近接して設けられた第１受信端子５４と、線路パターン／フットパッド層３０に設けられ、送信端子又は第１受信端子を投影させた領域の少なくとも一方を囲む第１導体４６と、第１導体の下側に位置し、送信端子と第１の辺に対向する第４の辺６４との間又は第１受信端子と第４の辺との間の少なくとも一方に少なくとも設けられたグランド端子５６と、を備える分波器である。 （もっと読む）

【課題】損失を抑制すること、または帯域特性を制御することが可能な弾性波デバイスを提供すること。
【解決手段】第１圧電膜１４と前記第１圧電膜を上下に挟む第１下部電極１２および第１上部電極１６とを含む第１圧電薄膜共振子１０と、前記第１上部電極１６上に設けられたデカプラ膜３０と、前記デカプラ膜上に設けられ、第２圧電膜２４と前記第２圧電膜を上下に挟む第２下部電極２２および第２上部電極２６とを含む第２圧電薄膜共振子２０と、を具備し、前記第１圧電膜および前記第２圧電膜は窒化アルミニウムにより形成されるとともに前記窒化アルミニウムの圧電定数を高める元素を含有する弾性波デバイス。 （もっと読む）

【課題】リップルの抑制が可能な分波器を提供すること。
【解決手段】本発明は、一端がアンテナ端子Ａｎｔに接続され、他端が送信端子Ｔｘに接続された送信フィルタＦ１３と、一端がアンテナ端子Ａｎｔに接続され、他端が受信端子Ｒｘに接続され、送信フィルタＦ１３の通過帯域より高周波数側に通過帯域を有する受信フィルタＦ１４と、を具備し、送信フィルタＦ１３とアンテナ端子Ａｎｔとの間、及び受信フィルタＦ１４とアンテナ端子Ａｎｔとの間のいずれにも位相器を備えず、受信フィルタＦ１４は、複数の圧電薄膜共振子をラダー型に接続したラダー型フィルタであり、圧電薄膜共振子の共振周波数よりも低周波数側において、圧電薄膜共振子が備える圧電薄膜の厚み方向と直交する方向の伝搬定数が実数であり、アンテナ端子Ａｎｔ側から見た受信フィルタＦ１４の初段の共振子は、並列共振子Ｐ１である分波器。 （もっと読む）

【課題】周波数可変量を容易に調整可能な電圧制御型圧電発振器の提供。
【解決手段】電圧制御型水晶発振器１０は、水晶振動子Ｘ₁と、この水晶振動子Ｘ₁を発振させる発振回路などを含む半導体回路素子としてのＩＣチップ４０と、水晶振動子Ｘ₁に直列に接続されたインダクタンスＬ₁、を有している。インダクタンスＬ₁は、水晶振動子Ｘ₁及びＩＣチップ４０を収容する積層回路基板としてのパッケージの層間に設けられたインダクタ回路パターン、及び、そのインダクタ回路パターンの始端から終端の間に設けられた複数の第１引出端子から層内配線などによりパッケージの表面に引き出されたボンディングパッドａ〜ｄを用いている。ボンディングパッドｂ，ｃ，ｄのいずれかと、ＩＣチップ４０の電極パッド４５とがボンディングワイヤー３７により接続され、インダクタンスＬ₁の終端ａが水晶振動子Ｘ₁に接続される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱膨張による影響を低減させた表面実装型の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 水晶デバイス（２００）は、電圧の印加により振動する励振部（３２）を有する水晶片（２３０）と、水晶片が載置され、水晶片側の底面（２３）と底面の反対側の下面（２２）とを有しガラス材又は結晶方向を有する水晶材からなるベース（４７）と、ベースに接合されて水晶片を密封し、水晶片側の天井面（１２）と天井面の反対側の上面（１１）とを有しガラス材又は結晶方向を有する水晶材からなるリッド（１０）と、を備え、上面、下面、底面、天井面の少なくとも２面は励振部の表面粗さよりも粗い粗面を有する。 （もっと読む）

【課題】縦モード共振器型フィルタを備えた受信側フィルタによりバランス出力すると共に、送信側フィルタの通過域に対して受信側フィルタの通過域を低域側に設定したデュプレクサにおいて、送信側フィルタの通過域において良好な減衰特性を持つ受信側フィルタを提供する。
【解決手段】アンテナポート１と一対のバランス受信ポート３、３との間に、各々ＳＡＷ共振子からなる直列腕２２と並列腕２３とを備えた第１のラダー型フィルタ２４と、縦モード共振器型フィルタ２５とをアンテナポート１側からこの順番で設けると共に、各々のバランス受信ポート３、３と前記縦モード共振器型フィルタ２５とを接続する信号路３６、３６に各々設けられたＳＡＷ共振子からなる直列腕２７、２７と、これら信号路３６、３６間を接続するＳＡＷ共振子からなる並列腕２８とを含む第２のラダー型フィルタ２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、安定した振動特性を有するＭＥＭＳ振動子を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された第１電極２０と、基板１０の上方に形成された支持部３０ａ、および支持部３０ａから延出し第１電極２０と対向配置された梁部３０ｂを有する第２電極３０と、を含み、第１電極２０は、平面視において第２電極３０の外縁の外側に形成された第１側面２２ａと、平面視において第２電極３０の外縁の内側に形成された第２側面２２ｂと、を有し、第１側面２２ａは、基板１０の上面１０ａに対して傾斜し、第２側面２２ｂと第１電極２０の上面２２ｃとは、角部２３を構成している。 （もっと読む）

【課題】プロセスを簡素化し低コスト化を実現するとともに、さらに、システムを簡素化しノイズ対策を可能にするＭＥＭＳレゾネータ及びＭＥＭＳレゾネータの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳレゾネータの製造方法は、基板１０上に形成された半導体デバイスとＭＥＭＳ構造体部４とを有するＭＥＭＳレゾネータ２の製造方法であって、半導体デバイスは、上部電極３０と下部電極２６とを有するＯＮＯキャパシタ部６と、ＣＭＯＳ回路部８と、を含み、ＯＮＯキャパシタ部６の下部電極２６を、第１シリコン層２６を用いて、形成する。ＭＥＭＳ構造体部４の下部構造体１６とＯＮＯキャパシタ部６の上部電極３０とを、第２シリコン層５２を用いて、形成する。及び、ＭＥＭＳ構造体部４の上部構造体１８とＣＭＯＳ回路部８のゲート電極３４とを、第３シリコン層５４を用いて、形成する。 （もっと読む）

【課題】 励振電極を備えた圧電振動板を支持するための支持アームやフレーム板に設けられる配線電極の形成面積を最大限に広くすることによって、励振電極における電気抵抗及び等価直列抵抗値を低減させ、これによって振動効率の向上を図ることのできる圧電振動子を提供することである。
【解決手段】 極性の異なる一対の励振電極を有する圧電振動板１２と、該圧電振動板１２の外周部の一端から外方向に延び、前記それぞれの励振電極と電気的に導通する配線電極が設けられる一の支持アーム１３とを備えた圧電振動子１１において、前記支持アーム１３には、前記圧電振動板１２に向けて延びる絶縁部１９が設けられ、この絶縁部１９を挟んだ左右方向の上下面及び側面に前記一対の励振電極のそれぞれに導通する第１配線電極２１及び第２配線電極２２を被覆形成した。 （もっと読む）