圧縮表面層と内部引張層とを含む強化ガラス基板に、スクライブベントを形成する方法が提供される。一実施の形態において、第１および第２傷が、内部引張層を部分的に露出させるように形成される。強化ガラス基板の表面上でレーザビームと冷却ジェットとを第１スクライブ速度で平行移動させることにより、第１スクライブベントを第１スクライブ方向に発生させてもよい。強化ガラス基板の表面上でレーザビームと冷却ジェットとを、第１スクライブ速度より速い第２スクライブ速度で平行移動させることにより、第１スクライブベントと交差する第２スクライブベントを第２スクライブ方向に発生させてもよい。これらの傷は、スクライブ方向に垂直なものでもよい。別の実施形態においては、第２のスクライブベントを生成する前に、第１スクライブベントを交差位置で融着させてもよい。
（もっと読む）

【課題】簡便な構造で、基板の吸い付き防止と、レーザ加工で発生する粉塵の回収性能とを容易に両立させることが可能なレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板２０を、浮上ステージ３１ｂ上に浮上させた状態で搬送しながら、ガラス基板２０の下面の薄膜２１にレーザを照射することで、分離溝（スクライビング溝）を形成するレーザ加工装置において、浮上ステージ３１ｂの表面３４に、集塵用の吸引孔３３を凹陥形成すると共に、吸引孔３３内と浮上ステージ３１ｂの外周とを連通させる溝３５ａ，３５ｂを、浮上ステージ３１ｂの表面に凹陥形成した。 （もっと読む）

【課題】簡単に基板を局所的に薄型化することである。
【解決手段】基板の加工方法は、基板に凹部を形成する基板の加工方法であって、基板は、レーザー光の照射により変質された領域のエッチング速度が変質されない領域よりも大きい材料で構成されており、基板にレーザー光を照射して材料を変質させた変質部を形成する変質部形成工程（ステップＳ３）と、基板の表面からウェットエッチングを進行させて変質部を除去して基板に凹部を形成するエッチング工程（ステップＳ４）と、を有する。 （もっと読む）

遮蔽装置（８）は、加工機械（１）の加工ヘッド（６）において出射する加工ビーム（１９）および／または加工ビーム（１９）の加工箇所（２０）を周囲に対して遮蔽する。遮蔽装置（８）は、構成要素ホルダ（１６）に取り付けられた遮蔽要素（１８）を備えた少なくとも２つの遮蔽ユニット（１３）を有している。遮蔽ユニット（１３）の構成要素ホルダ（１６）は、加工ビーム（１９）を遮蔽するためかつ／または加工ビーム（１９）の加工箇所（２０）を遮蔽するために、構成要素ホルダ（１６）に対応して配置された遮蔽要素（１８）と共に、互いに相対運動可能である。加工機械の加工ヘッド（６）は、前述の遮蔽装置（８）を備えている。加工機械は、このような加工ヘッド（６）を備えている。
（もっと読む）

【課題】変形により平面度がレーザ光の焦点位置に対して許容範囲を超えた基材について、簡単な構造の装置により、効率的なスクライブ加工或いは分断加工を可能とするレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】照射部２の下方の２ヶ所に突設された脚部７において、ローラＲ１、Ｒ２を回動可能に支持するようにした。このローラＲ１、Ｒ２間の中間位置は、レーザ光５の集光部６と一致するように配置されている。そして、照射部２の移動と共にローラＲ１、Ｒ２を転動させて、ローラＲ１、Ｒ２の間にある基材８を載置面９に押し付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】筐体内で飛散等した液状樹脂の被加工物の被加工面への再付着を防止すること。
【解決手段】半導体ウェーハＷの被加工面に液状樹脂からなる保護膜を形成する保護膜形成機構６を備えるレーザー加工装置１において、保護膜形成機構６に、被加工面を露出した状態で半導体ウェーハＷを保持するワーク保持部６２２と、半導体ウェーハＷを保持した前記保持部を鉛直方向に回転軸として回転させ、被加工面に供給された液状樹脂を当該被加工面全体に広げるテーブル支持部６２１と、ワーク保持部６２２及び保持された半導体ウェーハＷを囲む筐体と、この筐体の底面に開口し当該筐体内の空気を筐体外へ排出する排気口６８とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】保護膜を形成するために塗布される液状樹脂の飛散等に起因する装置本体の不具合を防止すること。
【解決手段】半導体ウェーハＷの被加工面に液状樹脂からなる保護膜を形成する保護膜形成機構６と、保護膜形成機構６に半導体ウェーハＷを搬入搬出するプッシュプル機構８とを備えるレーザー加工装置１において、保護膜形成機構６は、被加工面を露出した状態で半導体ウェーハＷを保持するワーク保持部６２２と、半導体ウェーハＷを保持したワーク保持部６２２を鉛直方向に回転軸として回転させるテーブル支持部６２１と、ワーク保持部６２２及び保持された半導体ウェーハＷを囲んで密閉する筐体とを有し、この筐体に、半導体ウェーハＷの搬入搬出の際にプッシュプル機構８の通過を許容する開位置に配置される一方、保護膜を形成する際に液状樹脂の筐体外への飛散を防止する閉位置に配置されるシャッター部６５を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】先端キャップ（３６）を越えて延在する先端壁を有していて、該先端壁が単結晶ミクロ組織を有する第１の合金を含む先端壁（３４）を備えたタービン翼形部（１８）に材料を体積させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、先端壁（３４）の少なくとも一部分に、第１の合金の耐高温酸化性よりも耐高温酸化性が大きい第２の合金を堆積させて、該先端壁（３４）の結晶方位と実質的に同じ結晶方位を有する修復構造を形成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザリフトオフ技術を用いて発光ダイオードを製造する方法は、第１の基板上に第１の導電型化合物半導体層、活性層及び第２の導電型化合物半導体層を備えるエピ層を成長させ、前記第１の基板の温度が室温より高い第１の温度で、前記エピ層に前記第１の基板の熱膨張係数と異なる熱膨張係数を有する第２の基板をボンディングさせ、前記第１の基板の温度が室温より高くて前記第１の温度以下の第２の温度で、前記第１の基板を介してレーザビームを照射し、前記エピ層から前記第１の基板を分離することを含む。これにより、レーザリフトオフ工程でレーザビームの焦点を合せることが容易で、またエピ層のクラックを防止できる。また、ヒータを有するレーザリフトオフ装置が開示される。 （もっと読む）

【課題】複数の金属部材の被溶接部位にフィラーワイヤを供給しながらレーザー溶接する場合に、溶接開始時からフィラーワイヤの溶融を良好に行うことを可能とし、もってレーザー溶接状態を安定させることが可能なフィラーワイヤ供給装置及び供給方法を提供する。
【解決手段】フィラーワイヤ供給装置は、フィラーワイヤＸを通電することにより加熱する加熱装置を有する。加熱装置は、フィラーワイヤＸの端部近傍部分に接触する第１ローラ５１Ａ，５１Ｂと、離間した位置に設けられた第２ローラ６１Ａ、６２Ｂと、金属板Ｗ１，Ｗ２に接触するクランプと、フィラーワイヤＸの供給開始時に、第１ローラ５１Ａ，５１Ｂと第２ローラ６１Ａ，６１Ｂとの間にフィラーワイヤＸを介して通電し、供給開始後の所定のとき以後、第１ローラ５１Ａ，５１Ｂとクランプ５との間にフィラーワイヤＸ及び金属板Ｗ１，Ｗ２を介して通電する電源装置３１とを備える。 （もっと読む）