一般式［Ｒｈ（ジエン）（Ｈ_２Ｏ）_２］Ｘのジエン−ビス−アコ−ロジウム（Ｉ）錯体であって、式中、ジエンは環状ジエンであり、Ｘは配位していないアニオンである。本発明の目的は、ジエン−ビス−アコ−ロジウム（Ｉ）錯体を調製するための新規のプロセスによって達成され、このプロセスは、ロジウム（Ｉ）−オレフィン化合物を、水性溶媒混合物中の銀塩と反応させる工程を包含し、この銀塩が、反応混合物に固体として添加されずに、溶液中で調製され、この形状で添加されることを特徴とする。 （もっと読む）

式（Ｉ）及び（Ｉａ）（式中、Ｘ₁は、第２級ホスフィノであり；Ｒ₃は、１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基、Ｃ原子を介して結合しており、かつ２〜２０個の原子並びにＯ、Ｓ、ＮＨ及びＮＲよりなる群から選択される少なくとも１個のヘテロ原子を有するヘテロ炭化水素基、又は−ＳＯ₂−Ｒ基であり；Ｒは、Ｃ₁−Ｃ₁₈−アルキル、フェニル又はベンジルであり；Ｒ₄基は、それぞれ相互に独立に、水素又は１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基であるか、あるいは２個のＲ₄基は、これらが結合しているＣ原子と一緒になって、３員〜８員炭化水素環を形成しており；Ｒ₀₁は、１〜２０個のＣ原子を有する炭化水素基であり；そしてＲ₀₂及びＲ’₀₂は、それぞれ水素原子又は独立にＲ₀₁の意味を有するか、あるいはＲ₀₁及びＲ₀₂は、これらが結合しているＣ原子と一緒になって、３員〜８員の炭化水素又はヘテロ炭化水素環を形成している）で示される化合物。化合物は、不斉付加反応、例えばプロキラル不飽和有機化合物への水素の不斉付加反応用の触媒として作用する遷移族I及びVIIIの金属錯体のためのキラルリガンドである。
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本発明は、少なくとも１つのカルベンリガンドを含有する遷移金属錯体の有機発光ダイオード（OLEDs）における使用、これらの遷移金属錯体を含有している発光層、電子または励起子のブロック層またはホールのブロック層、前記遷移金属錯体を含有しているOLEDs、本発明によるOLEDが含有されている装置ならびに少なくとも２個のカルベンリガンドを含有している特殊な遷移金属錯体に関する。
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一般式
Ｋ^＋Ａ⁻
［式中、Ｋ^＋は、１−３個のヘテロ原子（それは、独立してＮ、ＳまたはＯであり得る）を有する５員または６員のヘテロ環であり；
ただし、ヘテロ原子のうち少なくとも１個は、−Ｒ’ＣＮ置換基〔ここで、Ｒ’は、アルキル（Ｃ_１からＣ_１２）である〕を有する四級窒素原子でなければならず；
前記ヘテロ環は、以下の部分：
（ｉ）Ｈ；
（ｉｉ）ハロゲンまたは、
（ｉｉｉ）非置換かまたは一部あるいは全部をさらなる基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｎ（Ｃ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ）_２、Ｏ（Ｃ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ）、ＳＯ_２（Ｃ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ）_２またはＣ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ（ここで、１＜ｎ＜６および０＜ｘ＜１３である）により置換されるアルキル（Ｃ_１からＣ_１２）；および
（ｉｖ）非置換かまたは一部あるいは全部をさらなる基、好ましくはＦ、Ｃｌ、Ｎ（Ｃ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ）_２、Ｏ（Ｃ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ）、ＳＯ_２（Ｃ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ）_２またはＣ_ｎＦ_{（２ｎ＋１−ｘ）}Ｈ_ｘ（ここで、１＜ｎ＜６および０＜ｘ＜１３である）により置換されるフェニル環；
から独立して選択される４または５個までの置換基を有し、そして
Ａ⁻は、約１００℃以下の低い融点を有する塩を提供する全ての陰イオンであり；Ａ⁻は、ハロゲン化物、ＢＦ_４⁻、ＰＦ_６⁻、ＮＯ_３⁻、ＣＨ_３ＣＯ_２⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、ＣＦ_３ＣＯ_２⁻またはＮ（ＣＮ）_２⁻または［ＢＦ_３ＲＣＮ］⁻であり得る］
で示される新規な化合物。これらの化合物を、工業用溶媒、とりわけ効率の良い触媒再利用のためのリガンドとして用いることができる。 （もっと読む）

本発明は、ＮＨＣ配位子の２つの窒素原子の１つにＳｉＲ’_ｎ（ＯＲ’）_３−ｎを有する基を含む、一般式（Ｉ）および（ＩＩ）のＮ−ヘテロ環カルベン配位子を有する、固定化可能ルテニウム触媒に関する。本発明は、これらの触媒の、特にオレフィンメタセシスにおけるＣ−Ｃ結合反応の均一触媒としての使用にも関する。さらに、本発明は、Ｎ−へテロ環カルベン配位子を有する、類似の固定化ルテニウム触媒の製造のための、出発物質としての化合物の使用に関する。
【化１】

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発光ダイオード（ＬＥＤ）素子のような電子デバイス向けのポリマーを製造するのに有効なハロゲン化芳香族単量体−金属錯体が記載されている。芳香族単量体−金属錯体は共役を中断させる連結基を含有するように設計されており、それによって有利なことには、芳香族単量体フラグメントと金属錯体フラグメントの間での電子の非局在化が低減または阻止される。共役の中断は芳香族単量体−金属錯体から生成されたポリマーの中で金属錯体の燐光発光性を維持するのにしばしば望ましい。得られた共役された電界発光性ポリマーは金属錯体化が正確にコントロールされ、実質的に又は完全にポリマー骨格のそれに依存しない電子的性質とを有している。 （もっと読む）

本発明は、抗腫瘍細胞／抗寄生虫活性を示す白金錯体に関する。本発明はまた、腫瘍障害および炎症障害を治療するために本発明の白金錯体を用いることにも関する。本発明の白金錯体はまた、インビボまたはインビトロでウイルス、細菌、または寄生生物による感染症を治療または予防するためにも用いることができる。

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本発明は、各種不斉合成反応に効果的に使用することが出来、就中、種々のケトンの不斉水素化反応において、より効果的に使用し得る新規な遷移金属錯体、好ましくはルテニウムホスフィン錯体又はロジウムホスフィン錯体と、それを用いた光学活性アルコールの新規製造方法を提供する。 本発明はジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ベンズヒドロール等の２，２’位にジアリールホスフィノ基を導入した配位子、更にこれに好ましくは光学活性１，２−ジフェニルエチレンジアミンを配位させてなる新規な遷移金属錯体、好ましくは新規なジホスフィン−ルテニウム−光学活性ジアミン錯体又はジホスフィン−ロジウム−光学活性ジアミン錯体、及びこれを不斉水素化触媒として用いてケトン化合物の不斉水素化反応を行うことにより光学活性アルコールを高い光学純度で、且つ高収率で得る方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、下記の式１の新規な化合物、その製造方法、該化合物を製造するための中間生成物、並びに式１の化合物の各種メタセシス反応における触媒としての使用に関する：
【化１】


上記の新規メタセシス触媒は、用意に入手可能な予備生成物から得られ、高活性を有し、全ての種類のメタセシス反応において使用し得る。
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本発明は、正電荷輸送体の注入のための第１の電極、負電荷輸送体の注入のための第２の電極、及び第１の電極と第２の電極の間に位置し、ホスト材料と金属錯体を含む電子発光体を含む電子発光装置において、 ホスト材料は一般式（Ｉ）の第１の繰り返し単位を有するポリマーを含み、
【化１】


ここで、各Ａｒは同じか異なり、独立して選択的に置換されるアリール又はヘテロアリールを表し、どの２つのＡｒ基も単一結合によって直接結合されている電子発光装置を提供する。 （もっと読む）