【課題】 特に、ＮｉＸ層を有する電気接点において、膜厚方向に異なる膜特性を有する電気接点及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電気接点１は、ＮｉＰ層２と、ＮｉＰ層２の表面に貴金属層３を備えて構成される。ＮｉＰ層２は、主層２ａと、その上面２ｃに形成された表面層２ｂとの積層メッキ構造である。前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。これにより、耐摩耗性を良好にできるとともに、ＡｕやＡｇ等の貴金属層３をＮｉＰ層２に重ねてメッキするときの密着性を良好にできる。あるいは、図１に示すＮｉＰ層２を用いた電気接点であれば、結晶で形成された表面層２ｂの半田付け性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】取扱いが比較的容易な無機酸浴を用いて、効率良くめっき層を形成することが可能なめっき付銅条材の製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金からなる銅条材を連続的に走行させながら、その表面に多層に金属めっき層を形成した後、リフロー処理するめっき付銅条材の製造方法であって、各金属めっき層を、無機酸を主成分とするめっき液からなるめっき浴内に、不溶性アノードと銅条材とを浸漬し、レイノルズ数が１×１０^４〜５×１０^５となるように、銅条材及びめっき浴内のめっき液を相対移動させながら通電するとともに、電流密度を５〜６０Ａ／ｄｍ^２の範囲内とした電解めっきにより形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜厚によらず、めっき膜の膜厚分布の均一性を向上する。
【解決手段】半導体装置製造装置は、基板保持部８と、給電部３と、アノード６と、複数の誘電体１３とを具備する。基板保持部８は、カソード５有する基板２０を保持可能である。給電部３は、カソード５の周辺部に電力を供給する。アノード６は、カソード５と対向する位置に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５とアノード６との間に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５表面に平行な平面に複数の誘電体１３を射影したとき、射影のパターンが平面内で略均一であり、射影の面積が可変であるように構成されている。 （もっと読む）

本明細書に記載される実施形態は、一般に、電気化学電池またはキャパシタ用の電極構造に関し、特に、寿命がより長く、製造コストがより低く、プロセス性能が改良された、信頼性が高く費用対効果が高い電気化学電池またはキャパシタ用の３Ｄ電極ナノ構造を製造するための装置および方法に関する。
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【課題】効率的にダミーメディアを再生することができるダミーメディアのリサイクル方法を提供すること。
【解決手段】バレル容器６ａを準備する。バレル容器６ａ内に陽極２０ａを配置する。バレル容器６ａ内に使用済のダミーメディア１０を投入する。バレル容器６ａ内の陽極２０ａおよびダミーメディア１０を、電解液１４ａに浸す。ダミーメディア１０の表面に形成されためっき層９ａを電解液１４ａに溶出させて除去し、ダミーメディア１０を再利用する。 （もっと読む）

【課題】長期間、密封性を高く維持し、駆動機構を簡素化し、かつ、処理液による駆動機構の機能低下を防止できる処理液槽のゲート装置を提供する。
【解決手段】板状ワークが通過可能なワーク通過口８８を開閉する可動ゲート部材９３と、可動ゲート部材９３を、ワーク通過口８８を閉じる閉位置とワーク通過口８８を開く開位置との間で位置変更可能に移動させる駆動機構９４とを備えている。駆動機構９４は、可動ゲート部材９３と一体的に移動するスライド部９３ａと、該スライド部９３ａの移動方向の両側に配置された膨張収縮可能な一対のチューブ部材１０１，１０２とを備えている。一方のチューブ部材１０１を膨張させると共に他方のチューブ部材１０２を収縮させることにより、可動ゲート部材９３を開位置へ移動させ、一方のチューブ部材１０１を収縮させると共に他方のチューブ部材１０２を膨張させることにより、可動ゲート部材９３を閉位置へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】微小部分に対してめっき処理を行う場合であっても、耐久性に優れ、精度良くかつ効率良く行なうめっき処理を行うめっき装置を提供すること。
【解決手段】本発明のめっき装置１０は、電極１２と、電極１２の外側に巻かれた吸湿性繊維層の第１の層１６ａと多数の含浸穴１７が表面に設けられた第２の層１６ｂと、めっき液Ｍを貯液するめっき液貯液部１８と、めっき液貯液部１８に貯液されためっき液Ｍが第２の接触面Ｓ２〜Ｓ４を介して吸収され第１の接触面Ｓ１から含浸穴１７に供給されるめっき液供給部２０とを備える。そして電極上に、ワークの対象箇所を精度良く配置する為のワーク位置決め部によりワークＷを精度良く配置した後、ワークＷに陰極がかけられ、電極１２には陽極がかけられた状態で、駆動部１４によって電極１２が回転されながら、含浸穴１７に含浸されためっき液Ｍで、ワークＷの対象箇所Ｔにめっきされる。 （もっと読む）

【課題】多孔質体を使用することで、ターミナルエフェクトの影響を低減させ、しかもより短時間で基板表面全体を電解液に接触させることができるようにする。
【解決手段】アノード５０を内部に収容し下端開口部を多孔質体４４で閉塞したハウジング４２を有するアノードヘッド４０と、基板保持部３０で保持した基板Ｗの被処理面周縁部に接触して該周縁部をシールするシールリング３４及び該周縁部に接触して被処理面に通電するカソード接点３６を有するカソード部３２と、アノードヘッド４０を所定の位置まで下降させた時に、基板保持部３０で保持した基板Ｗと多孔質体４４で挟まれた領域の周囲を密閉して周囲が密閉された処理室６２を形成する密閉手段６０と、処理室６０内に電解液を供給する電解液供給装置６６と、処理室６２内を減圧する減圧装置７４を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化鉛又は酸化鉛と酸化アンチモンを含む電極表面付着物を溶解除去することが出来るとともに、更に、残留する酸化鉛又は酸化鉛と酸化アンチモンを物理的に除去することが出来、酸化鉛又は酸化鉛と酸化アンチモンを含む電極表面付着物を効率的且つ容易に除去することができる技術を提供すること。
【解決手段】電解により、電解用電極の表面に５質量％〜３０質量％の硝酸と５質量％〜２０質量％の過酸化水素を含有する水溶液内に浸漬する酸処理工程と、５０〜１００メガパスカルの圧力で高圧水洗する高圧水洗工程とよりなる２工程を順次実施することにより、酸化鉛又は酸化鉛と酸化アンチモンを含む電極表面付着物を除去し、低活性化した電解用電極を再活性化する電解用電極の再活性化方法。 （もっと読む）

先の出願に記載された２以上の電極を備える電気化学析出装置にて用いられる方法が開示される。この方法によれば、０．０２〜０．８Ｓ／ｃｍの範囲の伝導度の硫酸銅ベースの電解液にて、５０〜９００Åの厚さの抵抗銅シード層を有する半導体ウエハに、ＷＦＮＵが２．５％より小さい値で均一な銅フィルムが形成される。
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