【課題】 モリブデン酸化物を腐食させることなく、レジスト除去ができる剥離液を提供する。
【解決手段】 Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリンと有機溶媒をを含んでなる成分の組合せによるレジスト剥離液はモリブデン酸化物を腐食させることなく用いることができる。剥離液全体に対して、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリンが１〜８０重量％の範囲、有機溶媒が２０〜９９重量％の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。
【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段２により昇温速度６．０〜１０．０℃／秒で６０〜９０℃に加熱する加熱オゾン水の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＮｉＳｉ（ニッケルシリサイド）を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。
【解決手段】ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）を含む半導体基板をドライエッチング及び／又はアッシングした後に存在する残渣の除去液であって、フッ化アンモニウム、フッ化アミン、フッ化テトラアルキルアンモニウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩；フッ化物塩以外のアンモニウム塩、フッ化物塩以外のアミン塩、フッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩よりなる群から選ばれる少なくとも１種のフッ化物塩以外の塩；並びに水を含み、フッ化物塩の濃度が５重量％以上、フッ化物塩以外の塩の濃度が３重量％以上、フッ化テトラアルキルアンモニウム及びフッ化物塩以外のテトラアルキルアンモニウム塩の合計濃度が１５重量％未満であり、ｐＨが７〜９である残渣除去液。 （もっと読む）

有機構造体のフォトリソグラフィーパターニングのための直交方法を開示する。該開示された方法は、有機導体及び半導体の性能が他の攻撃的な溶媒によって不利な影響を受けないように、フッ素化溶媒又は超臨界CO₂を溶媒として利用する。一つの開示された方法では、フッ素化フォトレジストをHFE溶媒と一緒に利用することもできるが、他のフッ素化溶媒を使用することもできる。一実施態様において、該フッ素化フォトレジストはレゾルシンアレーンであるが、様々なフッ素化ポリマーフォトレジスト及びフッ素化分子ガラスフォトレジストを同様に使用することができる。例えば、ペルフルオロデシルメタクリラート（FDMA）と2-ニトロベンジルメタクリラート（NBMA）との共重合体は、フォトリソグラフィー処理において、フッ素化溶媒及び超臨界二酸化炭素とともに使用するのに適した直交フッ素化フォトレジストである。フッ素化フォトレジストとフッ素化溶媒との組合せは、当業者に公知の方法又はデバイスではまだ達成されていない、強固な直交方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び／又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低ｐＨ組成物が開発された。低ｐＨ組成物は、少なくとも１種の鉱酸及び少なくとも１種の酸化剤を含む。低ｐＨ組成物は、下のケイ素含有層（複数可）を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 （もっと読む）

【課題】レジスト被膜の除去性を低下させないで、長期間に渡る剥離液の繰返し再使用が可能であるばかりか、導電性高分子の表面抵抗や導電性高分子と基材との密着性も悪化さず、さらに、経済性や安全性にも優れており、廃棄物が少なくできるため環境にも悪影響を及ぼさない導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去方法を提供。
【解決手段】レジスト被膜を除去後の剥離液を、細孔径２〜５ｎｍであって、分画分子量が１０００〜４０００のセラミックフィルターを用いて膜濾過することにより、レジスト被膜を該剥離液から取り除き、導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去に再使用する。 （もっと読む）

【課題】優れた防食性、環境性能及び剥離性能を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド化合物。


（式中、Ｒはメチル基又はエチル基である。）ジメチルアクリルアミド及びメトキシエタノール、又はジメチルアクリルアミド及びエトキシエタノールを塩基性触媒存在下で反応させることにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣの如き光透過性を有する基板材料上に所望のレジストパターンを精度よく且つ安定に形成することができるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する半導体基板上に光反射膜を形成する。光反射膜の上にフォトレジストを形成する。半導体基板にフォーカス検出光を照射して光反射膜で反射される反射光に基づいて調整された焦点位置に原盤マスクを介して露光光を照射してフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストの露光部分又は露光部分以外の部分を除去することによりフォトレジストにパターニング施す。 （もっと読む）

【課題】混合されることで発熱反応を呈する複数種の処理液を十分に混合し、その結果得られた高温の混合処理液を基板に供給すること。
【解決手段】処理液供給ノズル１０４は、横断面が円状の円筒状内壁面２９を有する混合室２１と、混合室２１に硫酸を導入する硫酸導入経路１２２と、混合室２１に過酸化水素水を導入する過酸化水素水導入経路１２３と、混合室２１で生成されたＳＰＭを吐出する吐出口２４とを備えている。硫酸導入経路１２２および過酸化水素水導入経路１２３は、それぞれ、円筒状内壁面２９の周方向に沿って当該円筒状内壁面２９に接続されている。混合室２１の内部に導入された硫酸および過酸化水素水は、円筒状内壁面２９に沿って流れ、円筒状内壁面２９の周方向に回転する渦流となって流下していく。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストならびに電子素子基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去するための化学的ストリッパー調合物の提供。
【解決手段】脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含むストリッパー調合物。および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 （もっと読む）