【課題】ワイヤループのワイヤ端部を、ワイヤ端部を加工する加工ユニットに送り出す装置および方法を提供する。
【解決手段】この加工装置（１）では、ワイヤ端部（３．１、３．２）が、周囲に配置された加工ユニット（２０、２１、２２）に円形に送り出される。ループ層（９）は、前端のワイヤ端部（３．１）を掴み、これをワイヤループ（３．１０）にして置く。ワイヤ（３）は次いで、ベルト機器（７）によって前進され、ループガイド（１０）がループ端部（３．１１）を拾い上げ、ワイヤループ（３．１０）が所望の寸法を得るまで上方向に移動し、ワイヤループ（３．１０）のループ端部（３．１１）を、ワイヤループ（３．１０）の長さに応じてループガイド（１０）によって直線軸（２６）に沿って変位可能であるロータリスター（４０）の保持要素（４１）に移送する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いた酸化物半導体膜の成膜時の異常放電の発生が抑制され、連続して安定な成膜が可能なスパッタリングターゲットを提供すること。希土類酸化物Ｃ型の結晶構造を持つ、表面にホワイトスポット(スパッタリングターゲット表面上に生じる凹凸などの外観不良)がないスパッタリングターゲット用の酸化物を提供すること。
【解決手段】ビックスバイト構造を有し、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛を含有する酸化物焼結体であって、インジウム(In) 、ガリウム(Ga)および亜鉛(Zn)の組成量が原子比で以下の式を満たす組成範囲にある焼結体を提供する。
In/(In+Ga+Zn)<0.75 （もっと読む）

【課題】２軸結晶配向したＣｕ層上にＮｉ又はＮｉ合金を成膜する方法として、めっきによる方法が知られている。結晶配向性の高いＮｉ層を生成するには、一般に低電流密度（１〜４Ａ／ｄｍ^２）でめっきを行う必要があるが、低電流密度ではめっき処理に要する時間が長くなって生産性が低下し、特に、長尺の金属基板をリールｔｏリールで生産する場合には、積層材である金属基板の過熱が起こり得るという問題点があった。そのため、結晶配向性を保持しつつ、電流密度を上げて生産効率を向上させることができる作製条件の確立が望まれていた。
【解決手段】上記課題を解決するため、本発明のエピタキシャル成長用基板は、２軸結晶配向したＣｕ層と、前記Ｃｕ層上に設けられた保護層とを有するエピタキシャル成長用基板であって、前記保護層のめっき歪εが１５×１０^−６以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ペースト作製時の溶媒中での分散性が良好であり、かつ、混練時におけるフレーク等の発生を抑制できる銀粉及びその銀粉の製造方法を提供する。
【解決手段】当該銀粉とエポキシ樹脂とを４２０Ｇの遠心力で混練し、さらに３本ロールミルを用いて混練して得られたペーストを粘弾性測定装置により測定したせん断速度１２５０ｓｅｃ^−１での法線応力が１〜１０Ｎである銀粉。当該銀粉は、塩化銀と錯化剤により溶解して得られた銀錯体溶液と還元剤溶液とを混合し、銀錯体を還元して銀粉を製造する方法において、還元剤溶液に還元剤としてアスコルビン酸を含有させるとともに、銀錯体溶液及び還元剤溶液の両方、又はいずれか一方に、銀に対して０．１〜１５質量％の水溶性高分子を添加して還元した後、乾燥前に界面活性剤又は界面活性剤及び分散剤により表面処理することで得られる。 （もっと読む）

【課題】低加湿状況下でのプロトン伝導率を高め得る新たなホスホン酸ポリマーと、低加湿状況下であっても高いプロトン伝導率を確保し得る燃料電池用電解質の提供。
【解決手段】下記の構造式（1）で表される分子鎖構造を繰り返し単位として含み、主鎖を構成する飽和炭化水素の炭素と側鎖末端のホスホン酸基とを、アミド結合とフッ化エチレン基とを介して結合させるホスホン酸ポリマー、該ホスホン酸ポリマーを用いた燃料電池用電解質膜、およびこれを用いた燃料電池。
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【課題】シールド電線の絶縁被覆の先端部の開き作業と、編組の先端部の拡径及びテープ巻き作業とを同じ工程で作業性良く低コストに行わせる。
【解決手段】前半の細幅部４と後半の太幅部５とをそれぞれ有する一対の爪部３と、シールド電線６の長手方向の切り込み７を有する絶縁被覆８の内側に細幅部を差し込ませるべく一対の爪部を進退可能な第一の移動手段１１と、細幅部を絶縁被覆の内側に差し込んだ状態で一対の爪部を開く開き手段１２と、細幅部と太幅部とをシールド電線の編組９の内側に差し込ませるべく一対の爪部を進退可能な第二の移動手段１３とを備える電線端末加工治具１を採用する。 （もっと読む）

【課題】良好な曲げ加工性及び応力緩和特性を兼ね備えたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避的不純物からなり、圧延平行断面における単位面積当たりの結晶粒個数に対して、結晶粒径が１０μｍ以下の結晶粒個数の割合が１５％以上、２０μｍ以上の結晶粒個数の割合が１５％以上である曲げ加工性及び応力緩和特性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】有毒な重金属を含まず、高いＴｃを有するＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ−Ｆ系酸化物超伝導体の薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜１０であって、ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板１７の（１００）面３１、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上に形成された酸化物超電導薄膜。ＳｒＴｉＯ_３又はＭｇＯの単結晶基板の（１００）面、（０１０）面又は（００１）面のうちのいずれかの面上にＢａ_２Ｃａ_ｎ−１Ｃｕ_ｎＯ_２ｎ（Ｏ_１−ｘＦ_ｘ）２（ただし、ｎは２≦ｎ≦５の整数、ｘは０＜ｘ＜１の数）からなる酸化物超伝導薄膜を、パルスレーザーデポジション法により成膜する酸化物超伝導薄膜の製造方法であって、前記単結晶基板の基板温度が７００℃〜７７０℃で成膜する成膜工程を含む。 （もっと読む）

【課題】外部からの圧力印加による透明導電層の基板からの剥離が防がれた導電性基板の製造方法及びその導電性基板の提供。
【解決手段】複数の反応性官能基を有する光硬化性プレポリマーを少なくとも一つ含有する光硬化性層２２を基板２１に形成する工程と、光硬化性層２２の一部を遮蔽するようにパターンマスク３１を配置する工程と、第一の光源Ｌ１を用いて光硬化性層２２を露光して、光硬化性層２２の第一の領域２２１を硬化させる第１の露光工程と、パターンマスク３１を除去する工程と、第二の光源Ｌ１を用いて光硬化性層２２を露光して、光硬化性層２２の硬化されていない第二の領域２２２を硬化させ、第一と第二の領域２２１、２２２との表面高度が異なることで微細構造が基板２１に形成される第２の露光工程と、前記微細構造に導電層２３を形成する工程とを備えた導電性基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品を提供する。
【解決手段】Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
σ≦１．７２４１／（−０．０３４７×Ｘ^２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００
の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴とする。
また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ^２以下とされていることを特徴とする。 （もっと読む）