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国際特許分類[H01J37/30]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 電子管または放電ランプ (32,215) | 放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの (7,637) | 物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管 (1,896)

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【課題】二つの荷電粒子ビームが同一の観察点に集束するための試料の高さを算出して、試料台を傾斜することなく、短時間で精度良くかつ容易に試料の高さ調整を行う。
【解決手段】イオンビーム2b照射による二次電子像と電子ビーム12b照射による二次電子像の倍率と、イオンビーム2b照射による二次電子像の観察点と電子ビーム12b照射による二次電子像の観察点との距離から、イオンビーム2bと電子ビーム12bが同一の観察点に集束するための前記試料の高さを計算手段14で算出する。 (もっと読む)


【課題】 決められた形状の加工針を先端に有し、常に一定の品質を維持すること。
【解決手段】 サンプルに対向配置されたカンチレバー10と、該カンチレバー10の先端にサンプルに対向した状態で該サンプルの表面に接触可能に設けられ、先端が先鋭化された加工針11とを有する加工用プローブ2の製造方法であって、複数のダイヤモンド小片の中から、カンチレバー10の先端寸法に合うサイズで、且つ、突起を有するダイヤモンド小片を選択する選択工程と、該選択工程後、選択したダイヤモンド小片を加工台上に移動させる移動工程と、該移動工程後、集束ビームにより突起をさらに任意の形状で先鋭化するようエッチング加工すると共に、突起の基端側をカンチレバー10の先端に集束ビームを利用して取り付けて加工針11を作製する加工工程とを備えている加工用プローブ2の製造方法を提供する。 (もっと読む)


集束イオンビーム312のスパッタリングエッチング加工を行って薄片を作製すると同時に、薄片の側壁に対して平行な方向から電子ビーム314の照射を行って走査電子顕微鏡観察をし、薄片の厚さを測定する。そして、薄片の厚さが所定の厚さになったことを確認して、集束イオンビーム312による加工を終了する。
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【課題】 観察に適した良好な試料を簡単に作製できる試料ホルダおよびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】 試料セット部9は試料貼付け面10を有している。遮蔽材ガイド部12は試料セット部9の上に配置されており、遮蔽材ガイド部12は試料セット部9に固定されている。遮蔽材ガイド部12は遮蔽材ガイド面13を有している。試料貼付け面10は遮蔽材ガイド面13より所定量D=40μmだけ下がった所に位置している。このように試料貼付け面10が遮蔽材ガイド面13より40μmだけ下がった位置に形成されているため、厚さ100μmの試料7を試料貼付け面10に取り付けると、図2(d)に示すように、試料7が遮蔽材ガイド面13より60μmだけ前に出た状態となる。そして、厚さ20μm程度の遮蔽材16が遮蔽材ガイド面13にセットされる。 (もっと読む)


【課題】 100nmよりも小さなサイズの散乱体をプローブの尖った先端(尖端)に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供する。
【解決手段】 プローブ尖端部11を含むプローブ本体12に金属薄膜13を形成し、対向電極41を配置し、金属微粒子14および粒子固定化剤を含んだ泳動液体Lを、プローブ尖端部11と対向電極41との双方に接触し、プローブ本体12の金属薄膜13と対向電極41との間に電圧を印加して、誘電泳動または/および電気泳動により金属微粒子14をプローブ尖端部11に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜15で覆うことにより金属微粒子を固定する。 (もっと読む)


【課題】低圧ガス中の環状アノードと平面状冷陰カソード間の磁場中で、アノードとターゲット間に電圧を印加してアノードプラズマを発生させた状態で、ターゲットに対しカソードに高い負の電圧パルスを印加して、アノードプラズマを通路とする断面積の大きい電子ビームのパルスを、ターゲットと同電位のテーブル上に設置した被照射体に繰返し照射して表面を処理する装置の発生照射エネルギ量を検知して管理できるようにする。
【解決手段】
テーブル面上に設置可能な熱量測定セットであって、テーブルに導線を介して接続される以外には熱絶縁状に保持された電子ビームの被照射面を有する熱量測定体と、該測定体の温度を測定する温度センサと、新たな電子ビーム照射前の測定体の平衡温度と照射後の平衡温度との差を読み取る測定手段と、測定した温度差と、測定体の電子ビーム照射面積、比熱、及び質量とから被照射熱量を計算して表示する装置を設ける。 (もっと読む)


【課題】イオンビーム抽出装置において、スリットの形成されたグリッドに印加される電圧を調節しイオンビームの方向と強度を調節することによって、ウエハに対するエッチング率の均一性を改善し半導体素子の生産性を向上させる。
【解決手段】イオンビーム抽出装置は、プラズマからイオンビームを生成するイオンソースと、該イオンソースから生成されたイオンビームの進行経路上に配置され、印加される電圧を制御してイオンビームの方向を調節するグリッドと、を備える。 (もっと読む)


【課題】
試料から分析や観察に必要な部分のみの試料片を短時間に摘出でき、かつ安定した試料像の観察または精度の高い試料の加工ができる試料作製装置を提供する。
【解決手段】
試料室と、該試料室内に設置される試料ステージと、該試料ステージにセットされた試料から摘出した試料を載置する、該試料ステージに載置された試料ホルダと、前記試料ステージにセットされた試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム照射光学系と、を備えた試料作製装置であって、前記試料ホルダを前記試料ステージと独立して移動させる試料ホルダ移動機構を備えた試料作製装置。 (もっと読む)


【課題】 長期にわたって正常な動作を行うことができるガスクラスターイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 照射装置50は、ガスクラスターを生成すると共にそのガスクラスターを被加工物10に向けて照射する手段としてガスクラスター生成室2およびノズル3を有している。ノズル3から噴射されたガスクラスター群はスキマー4を通過する際にビーム状のガスクラスター流8とされる。ガスクラスター流8に対しては電子銃12から電子が照射されるように構成されており、これによりガスクラスター流内のガスクラスターがイオン化される。 (もっと読む)


【課題】磁気ディスク記録装置の記録密度向上に伴い、ヘッド浮上量及び加工損傷深さの低減が求められている。しかしながら、従来から用いられている研磨加工やモノマーイオンビームの斜め照射等では、加工損傷深さを1nm程度まで低減するのは困難である。
【解決手段】ワークの加工面の法線に対する角度(照射角)を50°以上90°以下に調整するための照射角調整機構と、イオンの運動エネルギーを所望の値に調整するためのイオン加速機構と、ワークの加工面の法線方向を回転軸としてワークを回転させるためのワーク回転機構を有するガスクラスターイオンビーム照射装置を提供する。 (もっと読む)


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