【課題】 高電流GCIB試料処理システムにおけるビーム安定性を改善する方法及び装置を供することが本願発明の目的である。
【解決手段】 予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、ガスクラスタイオンビーム(GCIB)の生成をより正確に制御するため、内部で予め位置合わせされたノズル集合体(30)及び内部で予め位置合わせされたスキマーカートリッジ集合体(35)を有する。当該ノズル/スキマーモジュール(20)は、前記GCIBをより正確に位置設定するように予め位置合わせされて良い。当該予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、予め位置合わせされたGCIB(263)のガスクラスタの生成をより正確に制御する。 （もっと読む）

【課題】電子線を電線に照射して電線の被覆部に架橋処理を施す際に、特別な装置を用いることなく、電線の帯電を防止することができる電子線照射装置を提供する。
【解決手段】照射室２０の外部には、照射室２０から外部に送り出された電線Ａを巻き取るための巻取り装置９０が設けられている。巻取り装置９０は、電線Ａを巻き取るドラム９１と、そのドラム９１の回転軸であるシャフト９２とを有する。シャフト９２としては金属製のものを用い、そのシャフト９２は電気的に接地されている。電子線照射処理を開始する前に、電線Ａの先端における被覆部を剥がし、露わになった芯線を、シャフト９２に電気的に接続している。これにより、電線Ａの芯線はアースに落とされる。電子線照射処理は、当該芯線をシャフト９２に電気的に接続した状態のまま行われる。 （もっと読む）

【課題】ノズルが動くのを抑制し、安定した適切なサイズ分布のクラスターイオンビームを得、かつクラスターイオンビーム電流を多く取れるように真空中で調整可能にする。
【解決手段】クラスター生成室１とビーム制御室２との間に配置されるスキマー７をＸＹステージ１０ａにプレート８を介して搭載し、スキマー７の位置をマイクロメータ１０ｂ，１０ｃで調整する。マイクロメータ１０ｂ，１０ｃは、真空チャンバー４０の外部に露出して配置されており、真空チャンバー４０の真空度を保持した状態でマイクロメータ１０ｂ，１０ｃを操作することができる。 （もっと読む）

【解決課題】 本発明は，３次元ミリング方法及び装置により，マイクロメートル又はナノメートルスケールの３次元構造を提供する。
【解決手段】 本装置は，装置台に固定された試料（２０）上にミリングビームを生成するイオンカラム（１２）を含む。パターニングコンピュータ（２２）は，様々なイオンビーム及び／又は滞留時間を生成するため，又は複数のミリングパスを形成するためにイオンカラム（１２）を制御する。後続のパスは，３次元構造を作り出すために，以前のパスを少なくとも部分的に重複する。必要に応じて，ＳＥＭカラム（１４）が提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、荷電粒子線加工装置において、反応性ガスが光学鏡筒内に流入することによって発生する、加工点位置ずれ，フォーカスずれ、及びビーム分解能低下に伴う像質劣化などの不良問題を解決することに関する。
【解決手段】
本発明は、対物レンズ近傍にガスカーテンを形成し、光学鏡筒内への反応性ガスの流入を防ぐことに関する。本発明により、光学鏡筒内の真空度低下や、光学鏡筒内への絶縁膜形成を低減でき、加工性能や装置稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ピクセルを複数含む加工領域画像を変形しても、もとの画像を再現した加工を行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム２０Ａを試料２に照射する集束イオンビーム照射機構２０と、集束イオンビームを試料に照射して生じる二次荷電粒子を検出する検出器７０と、検出器の検出データに基づき、試料の試料画像を生成する画像生成手段９０と、試料画像上で、集束イオンビームの照射位置に対応したピクセルを複数含む加工領域画像を設定する加工領域設定手段９０と、加工領域画像に含まれるピクセルの座標を、試料への照射位置として設定する照射位置設定手段９０と、ピクセル毎に定められた輝度に応じて、集束イオンビーム照射機構から照射される集束イオンビームのドーズ量を設定するビーム設定手段９０と、加工領域画像が変形された場合に、該加工領域画像を補間処理する補間手段９０とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることがなく，且つ高速の振動にも追従することが可能な制振機能に優れたビーム照射装置を提供すること。
【解決手段】加速器より射出されるイオンビーム若しくは電子ビームを，電界及び／若しくは磁界による質量分離装置及びビーム収束装置を備えたビームラインを経てチャンバ中の試料に入射するビーム照射装置に関する発明であり，前記ビームライン中を通過するビームの前記試料に対する振れを直接または間接的に検出し，検出されたビームの試料に対する振れに基づいて振れを消去するように質量分離装置及び／若しくはビーム収束装置を制御するビーム照射装置。 （もっと読む）

【課題】イオン源の条件を変えた場合でも、均一ビーム照射が可能なイオンミリング装置を提供することにある。
【解決手段】高周波イオン源から引き出されたイオンビーム９を基板１２に照射せしめることによりイオンビームによる基板の微細加工を行わせる。複数のファラデーカップ２０は、複数の試料基板１２を乗せた円板状試料ホルダ１１の半径方向に一列に並べて配置され、イオンビーム電流を測定する。電流積算器１６は、各ファラデーカップの電流値を時間的に積算する。高周波電源５は、高周波イオン源のコイルに高周波電力を供給するとともに、その高周波電力値が可変である。電力調整器１９は、複数のファラデーカップを２つの群の領域に分け、かつそれぞれの群の積算値の平均値の差に基づいて高周波電源からコイル４に供給する高周波電力を調整する。表示装置１７には、電流積算器により算出された電流積算値が表示される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームのビーム断面積の大小に関係なく、被加工物の多様な表面形状に対する加工のための基礎データを高効率および高精度に得て、高効率かつ高精度の加工を行う。
【解決手段】被照射物９にガスクラスターイオンビーム８を照射して加工するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍ１において、サンプルの被照射物９の一箇所における照射痕のプロファイルである基礎照射作用データ１９ｂを取得し、この基礎照射作用データ１９ｂから、被照射物９のビーム軸の任意の移動量Δｒの位置における加工深さｚ_ｉを離散的に算出して照射作用データ１９ｃを生成し、この照射作用データ１９ｃを被照射物９の材質や曲率等の条件で補正した補正照射作用データ１９ｄを用いてガスクラスターイオンビーム８のドーズ量を制御しつつ被照射物９の加工を行う。 （もっと読む）

【課題】フィラメントの寿命が長く、メンテナンスに要する時間の短い、ランニングコストを低減できるイオン源を提供すること。
【解決手段】直流電源１４によってフィラメント１５のマイナス側接続部１６およびプラス側接続部１７間で電位差が生じ、イオン源１０で発生したイオンの極性がアルゴンのようにプラスの場合、フィラメント１５への衝突頻度が、マイナス側接続部１６付近で高くなるが、マイナス側接続部１６付近に保護部１５０が設けられているので、フィラメント１５へのイオンの衝突による損傷を防ぐことができる。したがって、フィラメント１５の断線までの時間を長くでき、メンテナンスの回数を少なくでき、ランニングコストを低減できる。 （もっと読む）