【課題】これまでよりも効率的な誤差原因の探求に寄与することができる荷電粒子ビーム描画用データの生成方法を提供する。
【解決手段】平面座標系に従って回路パターン７３のレイアウトを特定する第１レイアウトデータを取得する。平面座標系に従って測定用マーク７５のレイアウトを特定する第２レイアウトデータを取得する。平面座標系に従って測定用マーク７５を囲む枠図形７４のレイアウトを特定する第３レイアウトデータを取得する。枠図形７４で囲まれる領域から回路パターン７３を削除する。回路パターン７３のレイアウトに対して枠図形７４で囲まれる領域に測定用マーク７５を合成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の問題点を鑑み、材料やイオンビーム照射角度に依存しない加工をする手法を提供することを目的としている。
【解決手段】上記目的を達成するために、本発明は、イオンビームを試料に照射して試料を加工する加工装置において、前記イオンビームに対し、試料を回転傾斜させる試料傾斜回転機構を備え、当該試料回転機構は、試料をイオンビームに対し回転させる回転軸と、当該回転軸に対して直行し、前記試料をイオンビームに対して傾斜させる傾斜軸を備え、前記試料の回転と傾斜を同時に行うことを特徴とする加工装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射による断面加工において，断面に熱によるダメージを与えず，加工面に荒れを生じさせないイオンビーム加工方法を提供する。
【解決手段】加工すべき試料６にイオンビームを発射するイオン銃２と，試料６を下面に装着しイオンビームの一部を遮蔽する遮蔽板７とを備えるイオンビーム加工装置において，試料６の断面作成側の側面６ａに，熱伝導部材８を接触して設け、試料の上面６ｃを遮蔽板の端部７ａより、ずらして突出させて被加工部６ｂを形成し，イオンビーム４を，この被加工部６ｂの上面６ｃ，熱伝導部材８の側面近傍の上面８ｂに照射して，試料６の被加工部６ｂを研削し，加工処理を行う。断面に，加工処理による熱が発生しても，熱伝導部材８を経て外部に熱放出され，熱によるダメージで断面に荒れが生じるのを回避できる。 （もっと読む）

【課題】被加工物が絶縁性材料である場合に、精度良くイオンビームによる形状加工を行う。
【解決手段】イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。このように測定された電流密度分布によってイオンビーム３の単位除去形状を検知し、作成された加工プログラムに従って、イオンビーム３を電子ビーム８とともに光学素子材料５に照射し、形状加工を行う。 （もっと読む）

【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【課題】加速イオンを用いた低温プラズマ浸漬イオンにより様々な試片を加工処理する装置と方法を提供する。
【解決手段】本発明によるプラズマ浸漬イオンを用いた加工装置は、チャンバ内部に円筒形加工物が載置されると共に円筒形加工物の周囲を低温プラズマが囲むようになり、多重スロットを有する抽出電極を含む加工物蓋が円筒形加工物の周囲を覆ってプラズマから分離させ、スパッタリングを誘発するに十分な負電位が円筒形加工物と加工物蓋の抽出電極に付加されることにより、プラズマから出てきたイオンが抽出電極とプラズマとの間に形成されたシース内で加速され、抽出電極のスロットを通過して円筒形加工物に衝突して円筒形加工物の表面粗さを減少させる方式で行われ、本発明による加工装置及び方法は、大面積の円筒形基板、特に、マイクロまたはナノパターン転写技術のための基板表面を数ｎｍの表面粗さにする効果があり、単一または多重チャンバ内でプラズマ洗浄、表面活性、表面研磨、乾式エッチング、蒸着、プラズマ浸漬イオンの注入及び蒸着などの工程を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対する電子ビームの部分的な照射による部分的な影響を抑制する電子ビームの照射方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体の露光工程と、エッチング工程間にて、半導体ウェーハの全面に対し、電子ビームを照射する方法、及び装置を提案する。当該構成によれば、測定や検査のために行われる電子ビームによって生ずる部分的なパターンのシュリンクを抑制し、半導体ウェーハ全体でパターンの形成精度を向上することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】均一な厚さとなる電子顕微鏡用の試料を作製する。
【解決手段】試料の面方向に対し略垂直となる第１の角度より電子を照射し、第１の長さを測定する第１の測定工程と、第１の測定工程の後、試料の面方向に沿った集束イオンビームを照射し、試料を薄く加工する加工工程と、加工工程の後、試料の面方向に対し、第１の角度とは異なる第２の角度より電子を照射し、第２の長さを測定する第２の測定工程と、第２の測定工程の後、第１の長さと前記第２の長さに基づき、試料の厚さを算出する厚さ算出工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加工速度の向上を図る。
【解決手段】レンズで集束されるガスクラスターイオンビームを用いて固体表面を加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの、照射軸に垂直な面内方向の電流密度分布の、照射軸方向の座標に対する変化のデータを実測によって取得し、その電流密度分布のデータから定められるガスクラスターイオンビームの焦点距離よりも短い照射軸方向の範囲において取得した加工対象領域の面積毎のエッチング加工速度の、照射軸方向の座標に対する変化のデータに基づいて、加工対象の固体表面を設置する照射軸方向の座標を、加工対象領域の面積毎に決定する。 （もっと読む）

【課題】 オペレータによる目視に基づく操作を行うことなく、自動的に、初期設定した大きさの断面の電子ビームを蒸発材料表面上に照射することが出来るようにする。
【解決手段】 蒸発材料３を収容した坩堝４と基板６が設けられたチャンバー１、及び、電子銃７、集束レンズ８、９、走査コイル１１が設けられた鏡筒２を備えており、温度検出器１８が取り付けられたアパーチャ１０を集束レンズ８による電子ビーム集束位置の近傍に配置し、温度検出器１８からのアパーチャ温度信号値を基準値と比較し、その差分を制御装置１３に送る演算回路１９を設け、制御装置１３からの指令により集束レンズ８の集束作用をコントロールする様に成している。 （もっと読む）