【課題】 試料室内が真空である電子ビーム欠陥修正装置においても、フォトマスクを電子ビームにて欠陥修正中に蓄積される電荷を除去する。
【解決手段】 ガス導入系１で電子ビーム欠陥修正装置内に導入した窒素をポロニウムのようなα線源２から出るα線で電離し、電離した窒素を、電子ビームの照射でチャージアップした部分４に照射し除電する。またはガス導入系１で電子ビーム欠陥修正装置内に導入した窒素または水蒸気を軟X線で電離し、電離した窒素または水蒸気を、電子ビームの照射でチャージアップした部分４に照射し除電する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料上へのＦＩＢ加工時において、試料上に大小１つずつの参照画像をもつ少なくとも１つの参照画像領域を設定する参照画像設定手段と、ＦＩＢ加工時に前記参照画像領域の画像を読み込む画像読み込み手段２０と、ＦＩＢ加工時に、前記読み込んだ画像からイオンビーム照射前と照射後の画像のずれの方向と量を求める演算制御手段３０と、該演算制御手段３０の出力を受けて画像のずれの方向と量とに基づいて画像のずれを補正してビーム偏向系の補正を行なうビーム偏向系調整手段とを具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】 透明試料以外でも試料表面に特徴のある形状がない場合でも、荷電粒子ビーム装置における加工位置決めを高精度かつ容易に行えるようにする。
【解決手段】 赤外顕微鏡による観察を行いながら荷電粒子ビーム装置における加工・観察対象箇所１が視野内にくるように移動し、加工・観察対象箇所１周辺に光学観察系と同軸に配置されたレーザー光学系７によって、荷電粒子ビーム装置における二次荷電粒子像の目印となるレーザーマーク２をつける。次に、赤外透過像とCADデータとの重畳により、CADデータ上に加工・観察対象箇所とレーザーマークを登録する。そして、荷電粒子ビーム装置から読み出した登録データと二次荷電粒子像との関連付けによって、高精度かつ容易に加工位置を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】 探針の交換の際に、試料に損傷を与えることのないプローブ装置を提供すること。
【解決手段】 試料情報を検出するための探針１と、先端部２ｂに探針１が保持される探針保持部材２と、探針保持部材２の基端部２ａを支持する支持部材３とを備えるプローブ装置５０において、探針保持部材２がその基端部２ａを支点として、試料情報の検出位置と試料１０からの退避位置との間で回動可能とされている。これにより探針１の交換を行う際には、探針保持部材２が上記退避位置において探針１の交換ができるので、試料１０に損傷を与えることがない。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に，被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。
【解決手段】 被加工物７にプロトンビームＬ１（エネルギービーム）を照射させて該被加工物７を加工するエネルギービーム加工装置Ｘにおいて，イオン発生源１及びイオン加速装置２からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物７との間の上記プロトンビーム１の光路上に，上記プロトンビームＬ１の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段１０を設ける。 （もっと読む）

本発明は、ＦＩＢ加工エンドポインティングオペレーションを向上させるシステムおよび方法に関する。この方法は、加工されているエリアのリアルタイム画像と、ピクセル強度のリアルタイム図形プロットとを生成することを含み、既存のＦＩＢシステムによって生成された画像およびプロットに対して検出感度を向上させるものである。画像およびプロットは既存のＦＩＢシステムから得られた生の信号データを用いて生成される。より具体的には、生の信号データは、画像を生成するための特別なアルゴリズムに従って処理される。このアルゴリズムは、画像と、対応する強度グラフを生成するためのものであり、これら画像およびグラフは信頼性の高い正確なエンドポイント検出に使用される。
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【課題】被処理体への電子線の照射条件の安定化が容易で、且つ、処理効率を向上可能な電子線照射処理方法および電子線照射処理装置を提供する。
【解決手段】電子を放出可能な電子放出部から被処理体へ電子線を照射することにより被処理体に物理的作用もしくは化学的作用もしくは生物的作用を生じさせる処理を行う電子線照射処理方法であって、電子放出部として、表面が平面状である表面電極７と下部電極５との間に表面電極７を高電位側とする駆動電圧が印加されたときに電子が通過する電子通過層たる強電界ドリフト層６を有し表面電極７を通して電子を放出する平面型の電子源１０を用い、電子源１０の表面電極７の表面に被処理体２０を接するようにして電子源１０から被処理体２０へ電子線を直接照射する。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、真空容器１０と、その中に設けられていて基板６にそれよりも幅の広いイオンビーム４を照射するイオン源２と、真空容器１０内で基板６を往復駆動する基板駆動機構３０と、中心軸１４ａがイオン源２から基板寄りに離れた所にありかつ基板表面に実質的に平行である回転軸１４と、真空容器１０内に設けられていてイオン源２を回転軸１４から支持するアーム１２と、真空容器１０外に設けられていて回転軸１４を往復回転させるモータとを備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜原材料の利用効率を高めることで、高品質の薄膜を高い生産性で成膜する真空成膜装置を実現することを目的とする。
【解決手段】真空成膜チャンバ内に配置したリング状のハース３に収容した薄膜原材料４にエネルギービームを照射し、薄膜原材料４を加熱蒸発させることで基板上に薄膜を成膜する真空成膜装置において、前記ハース３における薄膜原材料４の形状として、エネルギービームが照射される箇所８を通り前記ハース３と同心の円上において薄膜原材料４の量が最大となる形状としたことを特徴とするものである。 （もっと読む）

被加工物の有向多偏向イオンビームミリングならびにその程度の決定および制御のための方法、装置、およびシステム。方法は、イオンビームを発生させるステップ（１０）と、発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させ、有向多偏向イオンビームを形成させるステップとを含み、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする。装置は、イオンビーム源組立体（１１０）と、有向多偏向イオンビームを形成するために発生したイオンビームを方向付けかつ少なくとも２回偏向させるためのイオンビーム方向付け兼多偏向組立体（１２０）とを備え、有向多偏向イオンビームが被加工物の表面に向かって方向付けられ、入射し、衝突し、かつミリングする。 （もっと読む）