【課題】本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。
【解決手段】統合したアノードおよび活性化反応性ガス源は、アノードを備える内部導電性表面を有する容器と、コーティング・チャンバーのチャンバー壁から隔てられている絶縁された外側本体部とを具備する。容器は、コーティング・チャンバーと連通する容器の周に比べて小さい周を持つ単一の開口部を有する。スパッタリング・ガスおよび反応性ガスは、投入口を通して容器内に、また単一の開口部を通してコーティング・チャンバー内に結合される。プラズマは、カソードからやってきて、アノードを通して電源に戻る高密度の電子によって点火される。比較的低いアノード電圧は、化学量論的誘電体コーティングを形成するために活性化反応性ガスのプラズマを十分維持できる電圧である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成効率が高いプラズマ滅菌装置を提供する。
【解決手段】高周波電極２と、アース電極３と、誘電体１とを備え、高周波電極２とアース電極３との間でプラズマを生成するプラズマ発生モジュールを備えたプラズマ滅菌装置において、アース電極３と誘電体１との間に、誘電体１の誘電率よりも低い誘電率を有する絶縁スペーサ６を配置する。これにより、誘電体１内部の電界に比して外部の電界を増やすことができ無効電力が低減され、プラズマの生成効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】基体の温度を高くしなくも緻密なＳｉ系アモルファス膜を形成でき安定性に優れるプラズマＣＶＤ装置及びＳｉ系アモルファス膜の形成方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００４において、誘導エネルギー蓄積型のパルス電源１０２８からチャンバの内部に収容された電極対１０１２，１０１６へ直流パルス電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】より飲用に適した水をより安定して提供することのできる水処理装置を得る。
【解決手段】水処理装置１は、水供給部２と、吐水部３と、水供給部２から吐水部３に至る流路４に設けられる放電部５と、を備えている。そして、放電部５よりも下流側の流路４に、放電により生成される副生成物を無害化するための無害化手段６を設け、流路４に無害化手段６を制御する制御手段７を設けた。 （もっと読む）

【課題】ガス処理を継続して行わせながら、水分量の過多による異常放電を抑制する。
【解決手段】ガス処理ユニットＧＵ（ＧＵ１，ＧＵ２）毎に異常放電を検知する異常放電検知部１９（１９−１，１９−２）を設ける。制御部１８は、異常放電検知部１９によって異常放電の発生が検知された場合、加湿装置１７の加湿量を低下させる。なお、加湿装置１７の加湿量を低下させるとともに、異常放電の発生が検知されたガス処理ユニットＧＵの高電圧源１５が印加する高電圧の値を低下させるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】大型サイズの基板であっても、なお且つ複数種類の基板サイズに対しても、いずれも欠陥品質が良好で、光学特性の面内均一性が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】透光性基板上に転写パターンを形成するための薄膜を成膜する際に用いるスパッタリング装置であって、少なくとも一つ以上の成膜チャンバと、成膜チャンバ内に配置される複数のスパッタリングカソード７と、複数のスパッタリングカソード７と対向配置され、成膜中、基板が一定位置に配置されるように基板を保持する基板保持手段９５と、スパッタリングガスを、複数のスパッタリングカソード７間を通過して基板表面の近傍に供給するスパッタリングガス供給手段９とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理対象ガスの流量（流速）や濃度などの状態量が変動したり、変更された場合でも、ガス処理ユニットのガス処理能力を適切な状態とし、ガス処理能力の過剰、不足によって生じる問題を緩和する。
【解決手段】ダクト１を流れる処理対象ガスＧＳに対して、この処理対象ガスＧＳの状態量を検出する状態量検出センサ１９を設ける。例えば、状態量検出センサ１９が検出する処理対象ガスＧＳの現在の状態量を流量（流速）とした場合、制御部１８は、処理対象ガスＧＳの現在の流量（流速）が増大すると、加湿装置１７の加湿量を増大させ、処理対象ガスＧＳの現在の流量（流速）が減少すると、加湿装置１７の加湿量を減少させる。処理対象ガスＧＳの状態量として濃度を検出するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ生成空間及び吹出路に通して吹出し、被処理物を表面処理する際、吹出路からの電界の漏洩を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の一対の電極１１，１２を対向方向に対向させ、これらの間にプラズマ生成空間１９を形成する。ノズル部２０を電気的に接地された金属製の角材２１，２２にて構成し、これをプラズマ生成部１０の処理位置Ｐを向く面に配置する。連結部材３１，３２にてノズル部２０をプラズマ生成部１０に連結して支持する。吹出路２９の吹出方向の長さをノズル部２０の吹出路２９を画成する面から上記対向方向の外側面までの寸法より大きくか略等しくする。 （もっと読む）

【課題】運転開始時に、火花放電のような異常放電が生じる虞を回避する。
【解決手段】ダクト１を構成する隔壁の外周面にヒータ１９を設ける。ダクト１を流れる処理対象ガスＧＳの出口側に湿度検出センサ２０を設ける。制御部１８は、運転開始の指示を受けると、湿度検出センサ２０からのダクト１内の湿度の検出値ｈｐｖと閾値ｈｓｔとを比較し、ｈｐｖ＞ｈｓｔであった場合、ｈｐｖ≦ｈｓｔとなるまで、ヒータ１９をＯＮとし、ダクト１内の湿度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】金属および金属化合物のターゲットを主原料とすることで、有機金属ガス等の有害なガスを使用する必要がなくなり、大気圧プラズマを反応場として利用すると共に、熱源としても利用することで高融点材であるシリコンやセラミックス等の基板上へ密着性の良好な金属またはその酸化物若しくは窒化物等の金属化合物薄膜の形成方法及びその形成装置を提供する。
【解決手段】マイクロプラズマ法による薄膜作製方法において、全体に亘って内径が均一である細管１内に薄膜形成用の原料ワイヤー３を設置し、細管１に不活性ガスを導入すると共に高周波電圧を印加して細管１内部に高周波プラズマを発生させ、１又は複数の細管１内部のプラズマガスの流速及びプラズマガス温度を高温に維持しながら原料を加熱・蒸発させ、蒸発した材料を細管１から噴出させて基板上に照射し、プラズマガスにより基板を加熱すると共に、照射した材料を大気圧下で基板上に堆積させる。 （もっと読む）