アクティブマトリクス型表示装置
【課題】表示装置の画素を構成する電荷保持容量の電流リーク電流を防止し、表示装置の表示画質低下を防止する技術を提供する。
【解決手段】表示装置は、ポリシリコン３とパッド電極８とが接続する第１のコンタクトホール７と、有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホール１２と、パッド電極８と画素電極１６とが接続する第３のコンタクトホール１５と、共通電極１３とを有する。これらを平面視した際に、第１のコンタクトホール７と第３のコンタクトホール１５は第２のコンタクトホール１２の内側に有り、第１のコンタクトホール７と第３のコンタクトホール１５は互いに重ならず、ゲート線５に垂直な方向では第３のコンタクトホール１５、第１のコンタクトホール７、第２のコンタクトホール１２の端部、共通電極１３の順に並び、かつ、ゲート線５に平行な方向では第２のコンタクトホール１２の端部がパッド電極８の外側に位置する。
【解決手段】表示装置は、ポリシリコン３とパッド電極８とが接続する第１のコンタクトホール７と、有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホール１２と、パッド電極８と画素電極１６とが接続する第３のコンタクトホール１５と、共通電極１３とを有する。これらを平面視した際に、第１のコンタクトホール７と第３のコンタクトホール１５は第２のコンタクトホール１２の内側に有り、第１のコンタクトホール７と第３のコンタクトホール１５は互いに重ならず、ゲート線５に垂直な方向では第３のコンタクトホール１５、第１のコンタクトホール７、第２のコンタクトホール１２の端部、共通電極１３の順に並び、かつ、ゲート線５に平行な方向では第２のコンタクトホール１２の端部がパッド電極８の外側に位置する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関し、特に有機絶縁膜を有し、前記有機絶縁膜の上部に電荷保持容量が形成される基板に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプレーン・スイッチング（ＩＰＳ）方式（横電界方式、フリンジフィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式とも言う）の液晶パネルは、画素電極と対向電極との間で、少なくとも一部において基板に平行な電界を発生させ、当該電界により液晶を駆動し、薄膜トランジスタ基板と対向基板との間に挟持された液晶を透過する光を変調させて画像を表示する。
【０００３】
図３は、特許文献１に記載のＩＰＳ方式の液晶表表示装置を示す。この液晶表示装置では、薄膜トランジスタ１１７の活性層であるポリシリコン１０３に接続したパッド電極１０８を覆って下から順に絶縁膜１１０と有機絶縁膜１１１とが形成されている。有機絶縁膜１１１の上には、下から順に、共通電極１１３と無機絶縁膜１１４と画素電極１１６とが形成され、保持容量を形成している。そして、有機絶縁膜１１１に開口した第２のコンタクトホール１１２と、絶縁膜１１０と無機絶縁膜１１４とを一括でドライエッチして形成した第３のコンタクトホール１１５と、が形成されている。
【０００４】
ここで、無機絶縁膜１１４としてＳｉＮを用いることにより、容量が大きな保持容量を形成することができる。
【０００５】
画素の開口率を上げる場合、共通電極と画素電極とのショートが問題となることがある。例えば、特許文献２では、ＦＦＳ方式の液晶表示装置において、共通電位線のコンタクト部において画素電極と共通電極とのショートすることを防止する技術が開示されている。
【０００６】
特許文献２には、層間絶縁膜に開口し、共通電位線とパッド電極とを接続するコンタクトホールのテーパー角度を６０度以上とする構造が記載されている。これにより、コンタクトホールよりも上層にある感光性樹脂からなる平坦化層の露光時に乱反射防ぎ、平坦化層のくぼみと、それに起因した共通電極−画素電極間のショートと、を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３２８２１０号公報
【特許文献２】特開２００８−６４９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図３の従来技術では、絶縁膜１１０と無機絶縁膜１１４とは、ＳｉＮから成っており、無機絶縁膜１１４は有機絶縁膜１１１の上層に形成されているため、高温での成膜が行えず、無機絶縁膜１１４は絶縁膜１１０の成膜温度よりも低温で成膜される。その結果、無機絶縁膜１１４は、絶縁膜１１０よりも緻密な膜ではなくなる。そのため、無機絶縁膜１１４と絶縁膜１１０とをドライエッチする場合、無機絶縁膜１１４のエッチングレートが絶縁膜１１０のエッチングレートよりも速くなる。この場合、特許文献１で説明されているように、無機絶縁膜１１４の端部が絶縁膜１１０の端部よりも後退する場合がある。
【０００９】
特に、前述の従来技術を用いて、液晶表示装置を高精細化させるために画素のサイズを小さくした場合、図３（ｂ）中のｄで示される第２のコンタクトホール１１２の共通電極１１３側の端部と第３のコンタクトホール１１５の共通電極１１３側の端部との距離ｄが小さくなり、次の問題が生ずる。
【００１０】
すなわち、無機絶縁膜１１４のエッチングレートは絶縁膜１１０のエッチングレートよりも速いために、第２のコンタクトホール１１２の端部と第３のコンタクトホール１１５との距離が短い場合、無機絶縁膜１１４の端部が有機絶縁膜１１１まで後退する。
【００１１】
この状況について図３（ｃ）を用いて説明する。第３のコンタクトホール１１５の左側において、無機絶縁膜１１４が有機絶縁膜１１１まで後退しているために、有機絶縁膜の露出部分１１８が形成される。
【００１２】
有機絶縁膜の露出部を有する液晶表示装置を高湿度な環境下で動作させた場合、大気中の水分が図４に示される液晶２０に侵入し、さらに、この有機絶縁膜の露出部分１１８より有機絶縁膜１１１中へ水分が浸入すると、有機絶縁膜１１１の電気抵抗が減少し、画素電極１１６と共通電極１１３との間で電流リークが発生する。その結果、液晶２０に印加される電圧の保持が困難となり、液晶表示装置の表示画質が低下する問題が生ずる。また、高湿度な環境でない場合においても、長期に渡り動作させた場合、液晶２０に大気中の水分が侵入し、上記と同様の問題が生ずる。
【００１３】
特許文献２では、画素電極と共通電極とのショートを防止できるが、有機絶縁膜上に形成される絶縁膜に開口したコンタクトホールと有機絶縁膜に開口したコンタクトホールの端部との距離が短いため、有機絶縁膜の露出部分が形成されてしまう。そのため、高湿度な環境下での動作や、長期間の動作に対しては上記と同様の問題が生ずる。
【００１４】
本発明により解決すべき課題は、表示装置の画素を構成する電荷保持容量の電流リーク電流を防止し、表示装置の表示画質低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、例えば、以下のような構成にすることができる。
【００１６】
（１）、走査信号線によりスイッチングされるアクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に接続された第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、前記走査信号線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、前記走査信号線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、前記走査信号線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置している。
【００１７】
（２）、共通電位線と、前記共通電位線よりも上層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記共通電位線に接続された第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、前記共通電位線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、前記共通電位線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、前記共通電位線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置している。
【００１８】
（３）、（１）または（２）において、前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、前記第２の電極と前記第３の電極との間に発生する電界により、前記液晶を駆動する構成としても良い。
【００１９】
（４）、（１）において、前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、前記第２の基板は対向電極を有し、前記第３の電極と前記対向電極との間に発生する電界により前記液晶を駆動する構成としても良い。
【００２０】
（５）、（１）から（４）の何れかにおいて、前記第３の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有する構成としても良い。
【００２１】
（６）、（１）から（５）の何れかにおいて、前記第２の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有する構成としても良い
尚、（１）〜（６）に記載した構成は、あくまで一例であり、これに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、有機絶縁膜の露出部分の形成を防ぐことができる。このため、電荷保持容量の電流リークを防止でき、表示装置の表示画質低下を防止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１（ａ）】本発明の実施例１における薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。
【図１（ｂ）】本発明の実施例１を説明する図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図１（ｃ）】本発明の実施例１を説明する図であり、図１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図２（ａ）】本発明の実施例２における、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。
【図２（ｂ）】本発明の実施例２を説明する図であり、図２（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図２（ｃ）】本発明の実施例２を説明する図であり、図２（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【図３（ａ）】従来の液晶表示装置における、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。
【図３（ｂ）】従来の液晶表示装置を説明する図であり、図３（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面図である。
【図３（ｃ）】従来の液晶表示装置を説明する図であり、図３（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施例１における、液晶表示装置の断面を説明する図である。
【図５】本発明の実施例１における、薄膜トランジスタ基板の恒温恒湿環境処理時間と、保持容量のリーク電流との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２５】
実施例１では、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素において、アクティブ素子に接続したコンタクトホール周辺の構造に本発明を適用した例を説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施例１を説明する図であり、図１（ａ）は、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。また、図４は、液晶表示装置の断面図である。
【００２７】
本実施例の液晶表示装置は、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置であり、図４に示すように、ガラス等の透明な絶縁性の基板上にスイッチング素子としての薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ基板２１と、薄膜トランジスタ基板２１に対向する対向基板１９と、薄膜トランジスタ基板２１と対向基板１９の間に挟持された液晶２０と、から構成されている。
【００２８】
薄膜トランジスタ基板２１上には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。薄膜トランジスタ基板２１は、複数のゲート線と複数のゲート線に交差する複数のドレイン線とを有している。各交点近傍には、画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタを有している。図１（ａ）にはマトリクス状に配置された複数の画素のうち１画素分を示した。
【００２９】
本実施例の薄膜トランジスタ基板には、図１に示すように、ガラス基板１と、ガラス基板１上に成膜された、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）の積層膜等から成る下地絶縁膜２と、下地絶縁膜２上にパタニングされたポリシリコン３と、が形成されている。
【００３０】
下地絶縁膜２とポリシリコン３とを被覆するように、ゲート絶縁膜４が形成されている。また、ゲート絶縁膜４上にパタニングされたゲート線（走査信号線）５が形成され、ゲート絶縁膜４とゲート線５とを被覆する層間絶縁膜６が形成されている。
【００３１】
ここで、ゲート絶縁膜４は、例えば、ＣＶＤにより成膜されたＳｉＯ２とする。ゲート線５は、例えば、モリブデンから成る。層間絶縁膜６は、例えば、ＣＶＤで成膜されたＳｉＯまたはＳｉＮまたはこれらの積層膜から成る。
【００３２】
ゲート絶縁膜４と層間絶縁膜６とに第１のコンタクトホール７が開口されている。層間絶縁膜６上には第１のコンタクトホール７を介してポリシリコン３に電気的に接続したパッド電極８がパタニングされている。
【００３３】
ここで、第１のコンタクトホール７は、例えば、ドライエッチングにより開口される。パッド電極８は、例えば、下層のモリブデンと上層のアルミニウムとの２層構造、もしくは、下層のモリブデンと中層のアルミニウムと上層のモリブデンとの３層構造で構成されている。
【００３４】
層間絶縁膜６とパッド電極８とが被覆されるように絶縁膜１０が形成されている。また、絶縁膜１０上に有機絶縁膜１１が形成されている。
【００３５】
ここで、絶縁膜１０は、例えば、ＳｉＮにより形成されている。有機絶縁膜は、例えば、塗布型感光性材料を用いて、膜厚が、例えば、１．５μｍ〜３．０μｍとなるように成膜されている。
【００３６】
有機絶縁膜１１には、第２のコンタクトホール１２が開口されている。
【００３７】
この第２のコンタクトホールについて、有機絶縁膜１１が塗布型感光材料の場合、露光および現像によって形成される。
【００３８】
また、第２のコンタクトホール１２は、平面視（図１（ａ）参照）において第１のコンタクトホール７を内部に含み、かつ、ゲート線５に平行な方向では、端部がパッド電極８の外側にある特徴を持つように形成されている。
【００３９】
有機絶縁膜１１上に、例えば透明材料であるＩＴＯを用いて共通電極１３が形成されている。
【００４０】
ここで、共通電極１３は、薄膜トランジスタ基板２１を平面視（図１（ａ）参照）した際に端部が第２のコンタクトホール１２の外部にある特徴を持つように形成されている。なお、共通電極１３は、第２のコンタクトホール１２のゲート線５側には存在しない。
【００４１】
有機絶縁膜１１と第２のコンタクトホール１２とを被覆するように、例えば、ＳｉＮからなる無機絶縁膜１４が形成されており、絶縁膜１０と無機絶縁膜１４とに第３のコンタクトホール１５が開口されている。
【００４２】
ここで、第３のコンタクトホール１５は、例えば、ドライエッチングにより開口される。
【００４３】
第３のコンタクトホール１５は、薄膜トランジスタ基板２１を平面視（図１（ａ）参照）した際に、第２のコンタクトホール１２の内側に有り、かつ、第１のコンタクトホール７と重なり部分を持たず、かつ、ゲート線５に垂直な方向に関して、第１のコンタクトホール７とゲート線５との間に位置することを特徴とするように形成されている。
【００４４】
無機絶縁膜１４上には、第３のコンタクトホール１５を介してパッド電極８に電気的に接続した画素電極１６がパタニングされている。
【００４５】
ここで、画素電極１６は画素内において光が透過する領域である画素開口の部分が櫛歯状に形成されている。また、共通電極１３は面状に形成されている。共通電極１３は対向電極として働き、画素電極１６と共通電極１３との間に発生する電界により、液晶２０を駆動して表示を行う。
【００４６】
画素電極１６と共通電極１３とは、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明電極で形成されている。これにより、バックライト（図示しない）からの光を利用して透過型の表示を行うことができる。
【００４７】
上記の構成によれば、第２のコンタクトホール１２の共通電極１３側の端部と第３のコンタクトホール１５の共通電極１３側の端部の距離ｄを増加させることができ（図１（ｂ）参照）、有機絶縁膜の露出部分の形成を防ぐことができる。このため、保持容量の電流リークを防止でき、液晶表示装置の表示画質低下を防止させることができる。上記構成では、図１（ｂ）において、第３のコンタクトホール１５は有機絶縁膜１１に開口した第２のコンタクトホールの右側の端部に近づくが、こちら側には共通電極１３が存在しないため、仮に有機絶縁膜が露出したとしても、問題は生じない。
【００４８】
また、平面視（図１（ａ）参照）において、ゲート線に平行な方向に関して、第３のコンタクトホール１５の中心が、第２のコンタクトホール１２の中央部に位置し、第２のコンタクトホール１２の端部はパッド電極８の外側にあるから（図１（ｃ）参照）、第２のコンタクトホール１２の端部と第３のコンタクトホール１５の端部の距離も十分にあり、ゲート線に平行な方向に関しても、有機絶縁膜の露出部分の形成を防ぐことができる。このため、保持容量の電流リークを防止でき、液晶表示装置の表示画質低下を防止させることができる。
【００４９】
ここで、従来技術における薄膜トランジスタ基板と本実施例における薄膜トランジスタ基板とを高温高湿度環境に曝した場合の保持容量のリーク電流の変化について説明する。
【００５０】
薄膜トランジスタ基板を温度６０℃湿度９０％ＲＨの恒温恒湿環境に曝す処理を行い、処理時間と、保持容量のリーク電流、すなわち、共通電極−画素電極間リーク電流との関係を調べた。
【００５１】
図５の横軸は処理時間を、縦軸は、保持容量のリーク電流を示す。また、プロット２３は本実施例における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の関係を示し、プロット２２は従来技術における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の関係を示す。
【００５２】
従来技術における薄膜トランジスタ基板の場合、処理時間の増加とともにリーク電流が増加することが分かる。１７０時間処理した場合、リーク電流は約１８０倍に増加する。
【００５３】
一方、本実施例における薄膜トランジスタの場合、処理時間を増加させてもリーク電流の増加はわずかであり、電流リークが防止されていることが分かる。
【実施例２】
【００５４】
実施例２では、横電界方式の液晶表示装置の画素において、共通電位線１８に接続したコンタクトホール周辺構造に本発明を適用する場合の一例を説明する。
【００５５】
図２は、本発明の実施例２を説明する図であり、図２（ａ）は、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【００５６】
前述の実施例１では共通電極１３を有機絶縁膜１１と無機絶縁膜１４との間に形成させ、画素電極１６を無機絶縁膜１４よりも上層に形成したが、本実施例では、共通電極１３と画素電極１６とを入れ替えた構成、すなわち、図２（ｂ）に示すように有機絶縁膜１１上に画素電極１６と無機絶縁膜１４と共通電極１３とを順に形成した構造となっている。
【００５７】
また、共通電位線１８上の層間絶縁膜６に開口される第１のコンタクトホール７を介して共通電位線１８とパッド電極８とが接続している。また、パッド電極８よりも上層に形成された有機絶縁膜１１に開口された第２のコンタクトホール１２が形成されている。
【００５８】
第１のコンタクトホール７と第２のコンタクトホール１２と第３のコンタクトホール１５は実施例１で説明した特徴をもつように形成されている。
【００５９】
上記以外の点については実施例１と同様である。
【実施例３】
【００６０】
実施例３では、横電界方式ではなく、縦電界方式の液晶表示装置に本発明を適用する場合の一例を説明する。
【００６１】
この場合、実施例１の構成において、共通電位が印加された共通電極１３が対向基板の液晶側に形成される。
【００６２】
有機絶縁膜１１と無機絶縁膜１４との間に形成される電極（図１の共通電極１３に対応する電極）は、画素電極１６と無機絶縁膜１４とともに保持容量を形成する。
【００６３】
上記以外の点については実施例１と同様である。
【００６４】
また、本発明の実施例は、液晶表示装置に限定されず、アクティブ素子と保持容量とを有するアクティブマトリクス型表示装置に対しても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
画素サイズを小さくした場合でも、保持容量のリーク電流を小さく抑えることができるため、高精細液晶ディスプレイに適用できる。
【符号の説明】
【００６６】
１ ガラス基板
２ 下地絶縁膜
３ ポリシリコン
４ ゲート絶縁膜
５ ゲート線
６ 層間絶縁膜
７ 第１のコンタクトホール
８ パッド電極
９ ドレイン線
１０ 絶縁膜
１１ 有機絶縁膜
１２ 第２のコンタクトホール
１３ 共通電極
１４ 無機絶縁膜
１５ 第３のコンタクトホール
１６ 画素電極
１７ 薄膜トランジスタ
１８ 共通電位線
１９ 対向基板
２０ 液晶
２１ 薄膜トランジスタ基板
２２ 従来技術における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の恒温恒湿処理時間と保持容量のリーク電流との関係を示すプロット
２３ 本実施例における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の恒温恒湿処理時間と保持容量のリーク電流との関係を示すプロット
１０１ ガラス基板
１０２ 下地絶縁膜
１０３ ポリシリコン
１０４ ゲート絶縁膜
１０５ ゲート線
１０６ 層間絶縁膜
１０７ 第１のコンタクトホール
１０８ パッド電極
１０９ ドレイン線
１１０ 絶縁膜
１１１ 有機絶縁膜
１１２ 第２のコンタクトホール
１１３ 共通電極
１１４ 無機絶縁膜
１１５ 第３のコンタクトホール
１１６ 画素電極
１１７ 薄膜トランジスタ
１１８ 有機絶縁膜露出部分
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関し、特に有機絶縁膜を有し、前記有機絶縁膜の上部に電荷保持容量が形成される基板に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプレーン・スイッチング（ＩＰＳ）方式（横電界方式、フリンジフィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式とも言う）の液晶パネルは、画素電極と対向電極との間で、少なくとも一部において基板に平行な電界を発生させ、当該電界により液晶を駆動し、薄膜トランジスタ基板と対向基板との間に挟持された液晶を透過する光を変調させて画像を表示する。
【０００３】
図３は、特許文献１に記載のＩＰＳ方式の液晶表表示装置を示す。この液晶表示装置では、薄膜トランジスタ１１７の活性層であるポリシリコン１０３に接続したパッド電極１０８を覆って下から順に絶縁膜１１０と有機絶縁膜１１１とが形成されている。有機絶縁膜１１１の上には、下から順に、共通電極１１３と無機絶縁膜１１４と画素電極１１６とが形成され、保持容量を形成している。そして、有機絶縁膜１１１に開口した第２のコンタクトホール１１２と、絶縁膜１１０と無機絶縁膜１１４とを一括でドライエッチして形成した第３のコンタクトホール１１５と、が形成されている。
【０００４】
ここで、無機絶縁膜１１４としてＳｉＮを用いることにより、容量が大きな保持容量を形成することができる。
【０００５】
画素の開口率を上げる場合、共通電極と画素電極とのショートが問題となることがある。例えば、特許文献２では、ＦＦＳ方式の液晶表示装置において、共通電位線のコンタクト部において画素電極と共通電極とのショートすることを防止する技術が開示されている。
【０００６】
特許文献２には、層間絶縁膜に開口し、共通電位線とパッド電極とを接続するコンタクトホールのテーパー角度を６０度以上とする構造が記載されている。これにより、コンタクトホールよりも上層にある感光性樹脂からなる平坦化層の露光時に乱反射防ぎ、平坦化層のくぼみと、それに起因した共通電極−画素電極間のショートと、を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３２８２１０号公報
【特許文献２】特開２００８−６４９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図３の従来技術では、絶縁膜１１０と無機絶縁膜１１４とは、ＳｉＮから成っており、無機絶縁膜１１４は有機絶縁膜１１１の上層に形成されているため、高温での成膜が行えず、無機絶縁膜１１４は絶縁膜１１０の成膜温度よりも低温で成膜される。その結果、無機絶縁膜１１４は、絶縁膜１１０よりも緻密な膜ではなくなる。そのため、無機絶縁膜１１４と絶縁膜１１０とをドライエッチする場合、無機絶縁膜１１４のエッチングレートが絶縁膜１１０のエッチングレートよりも速くなる。この場合、特許文献１で説明されているように、無機絶縁膜１１４の端部が絶縁膜１１０の端部よりも後退する場合がある。
【０００９】
特に、前述の従来技術を用いて、液晶表示装置を高精細化させるために画素のサイズを小さくした場合、図３（ｂ）中のｄで示される第２のコンタクトホール１１２の共通電極１１３側の端部と第３のコンタクトホール１１５の共通電極１１３側の端部との距離ｄが小さくなり、次の問題が生ずる。
【００１０】
すなわち、無機絶縁膜１１４のエッチングレートは絶縁膜１１０のエッチングレートよりも速いために、第２のコンタクトホール１１２の端部と第３のコンタクトホール１１５との距離が短い場合、無機絶縁膜１１４の端部が有機絶縁膜１１１まで後退する。
【００１１】
この状況について図３（ｃ）を用いて説明する。第３のコンタクトホール１１５の左側において、無機絶縁膜１１４が有機絶縁膜１１１まで後退しているために、有機絶縁膜の露出部分１１８が形成される。
【００１２】
有機絶縁膜の露出部を有する液晶表示装置を高湿度な環境下で動作させた場合、大気中の水分が図４に示される液晶２０に侵入し、さらに、この有機絶縁膜の露出部分１１８より有機絶縁膜１１１中へ水分が浸入すると、有機絶縁膜１１１の電気抵抗が減少し、画素電極１１６と共通電極１１３との間で電流リークが発生する。その結果、液晶２０に印加される電圧の保持が困難となり、液晶表示装置の表示画質が低下する問題が生ずる。また、高湿度な環境でない場合においても、長期に渡り動作させた場合、液晶２０に大気中の水分が侵入し、上記と同様の問題が生ずる。
【００１３】
特許文献２では、画素電極と共通電極とのショートを防止できるが、有機絶縁膜上に形成される絶縁膜に開口したコンタクトホールと有機絶縁膜に開口したコンタクトホールの端部との距離が短いため、有機絶縁膜の露出部分が形成されてしまう。そのため、高湿度な環境下での動作や、長期間の動作に対しては上記と同様の問題が生ずる。
【００１４】
本発明により解決すべき課題は、表示装置の画素を構成する電荷保持容量の電流リーク電流を防止し、表示装置の表示画質低下を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、例えば、以下のような構成にすることができる。
【００１６】
（１）、走査信号線によりスイッチングされるアクティブ素子と、前記アクティブ素子よりも上層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に接続された第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、前記走査信号線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、前記走査信号線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、前記走査信号線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置している。
【００１７】
（２）、共通電位線と、前記共通電位線よりも上層に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記共通電位線に接続された第１の電極と、前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、前記共通電位線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、前記共通電位線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、前記共通電位線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置している。
【００１８】
（３）、（１）または（２）において、前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、前記第２の電極と前記第３の電極との間に発生する電界により、前記液晶を駆動する構成としても良い。
【００１９】
（４）、（１）において、前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、前記第２の基板は対向電極を有し、前記第３の電極と前記対向電極との間に発生する電界により前記液晶を駆動する構成としても良い。
【００２０】
（５）、（１）から（４）の何れかにおいて、前記第３の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有する構成としても良い。
【００２１】
（６）、（１）から（５）の何れかにおいて、前記第２の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有する構成としても良い
尚、（１）〜（６）に記載した構成は、あくまで一例であり、これに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、有機絶縁膜の露出部分の形成を防ぐことができる。このため、電荷保持容量の電流リークを防止でき、表示装置の表示画質低下を防止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１（ａ）】本発明の実施例１における薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。
【図１（ｂ）】本発明の実施例１を説明する図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図１（ｃ）】本発明の実施例１を説明する図であり、図１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図２（ａ）】本発明の実施例２における、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。
【図２（ｂ）】本発明の実施例２を説明する図であり、図２（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図２（ｃ）】本発明の実施例２を説明する図であり、図２（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【図３（ａ）】従来の液晶表示装置における、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。
【図３（ｂ）】従来の液晶表示装置を説明する図であり、図３（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面図である。
【図３（ｃ）】従来の液晶表示装置を説明する図であり、図３（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った断面の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施例１における、液晶表示装置の断面を説明する図である。
【図５】本発明の実施例１における、薄膜トランジスタ基板の恒温恒湿環境処理時間と、保持容量のリーク電流との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２５】
実施例１では、ＩＰＳ方式の液晶表示装置の画素において、アクティブ素子に接続したコンタクトホール周辺の構造に本発明を適用した例を説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施例１を説明する図であり、図１（ａ）は、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図１（ｃ）は、図１（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。また、図４は、液晶表示装置の断面図である。
【００２７】
本実施例の液晶表示装置は、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置であり、図４に示すように、ガラス等の透明な絶縁性の基板上にスイッチング素子としての薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ基板２１と、薄膜トランジスタ基板２１に対向する対向基板１９と、薄膜トランジスタ基板２１と対向基板１９の間に挟持された液晶２０と、から構成されている。
【００２８】
薄膜トランジスタ基板２１上には、複数の画素がマトリクス状に配置されている。薄膜トランジスタ基板２１は、複数のゲート線と複数のゲート線に交差する複数のドレイン線とを有している。各交点近傍には、画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタを有している。図１（ａ）にはマトリクス状に配置された複数の画素のうち１画素分を示した。
【００２９】
本実施例の薄膜トランジスタ基板には、図１に示すように、ガラス基板１と、ガラス基板１上に成膜された、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）の積層膜等から成る下地絶縁膜２と、下地絶縁膜２上にパタニングされたポリシリコン３と、が形成されている。
【００３０】
下地絶縁膜２とポリシリコン３とを被覆するように、ゲート絶縁膜４が形成されている。また、ゲート絶縁膜４上にパタニングされたゲート線（走査信号線）５が形成され、ゲート絶縁膜４とゲート線５とを被覆する層間絶縁膜６が形成されている。
【００３１】
ここで、ゲート絶縁膜４は、例えば、ＣＶＤにより成膜されたＳｉＯ２とする。ゲート線５は、例えば、モリブデンから成る。層間絶縁膜６は、例えば、ＣＶＤで成膜されたＳｉＯまたはＳｉＮまたはこれらの積層膜から成る。
【００３２】
ゲート絶縁膜４と層間絶縁膜６とに第１のコンタクトホール７が開口されている。層間絶縁膜６上には第１のコンタクトホール７を介してポリシリコン３に電気的に接続したパッド電極８がパタニングされている。
【００３３】
ここで、第１のコンタクトホール７は、例えば、ドライエッチングにより開口される。パッド電極８は、例えば、下層のモリブデンと上層のアルミニウムとの２層構造、もしくは、下層のモリブデンと中層のアルミニウムと上層のモリブデンとの３層構造で構成されている。
【００３４】
層間絶縁膜６とパッド電極８とが被覆されるように絶縁膜１０が形成されている。また、絶縁膜１０上に有機絶縁膜１１が形成されている。
【００３５】
ここで、絶縁膜１０は、例えば、ＳｉＮにより形成されている。有機絶縁膜は、例えば、塗布型感光性材料を用いて、膜厚が、例えば、１．５μｍ〜３．０μｍとなるように成膜されている。
【００３６】
有機絶縁膜１１には、第２のコンタクトホール１２が開口されている。
【００３７】
この第２のコンタクトホールについて、有機絶縁膜１１が塗布型感光材料の場合、露光および現像によって形成される。
【００３８】
また、第２のコンタクトホール１２は、平面視（図１（ａ）参照）において第１のコンタクトホール７を内部に含み、かつ、ゲート線５に平行な方向では、端部がパッド電極８の外側にある特徴を持つように形成されている。
【００３９】
有機絶縁膜１１上に、例えば透明材料であるＩＴＯを用いて共通電極１３が形成されている。
【００４０】
ここで、共通電極１３は、薄膜トランジスタ基板２１を平面視（図１（ａ）参照）した際に端部が第２のコンタクトホール１２の外部にある特徴を持つように形成されている。なお、共通電極１３は、第２のコンタクトホール１２のゲート線５側には存在しない。
【００４１】
有機絶縁膜１１と第２のコンタクトホール１２とを被覆するように、例えば、ＳｉＮからなる無機絶縁膜１４が形成されており、絶縁膜１０と無機絶縁膜１４とに第３のコンタクトホール１５が開口されている。
【００４２】
ここで、第３のコンタクトホール１５は、例えば、ドライエッチングにより開口される。
【００４３】
第３のコンタクトホール１５は、薄膜トランジスタ基板２１を平面視（図１（ａ）参照）した際に、第２のコンタクトホール１２の内側に有り、かつ、第１のコンタクトホール７と重なり部分を持たず、かつ、ゲート線５に垂直な方向に関して、第１のコンタクトホール７とゲート線５との間に位置することを特徴とするように形成されている。
【００４４】
無機絶縁膜１４上には、第３のコンタクトホール１５を介してパッド電極８に電気的に接続した画素電極１６がパタニングされている。
【００４５】
ここで、画素電極１６は画素内において光が透過する領域である画素開口の部分が櫛歯状に形成されている。また、共通電極１３は面状に形成されている。共通電極１３は対向電極として働き、画素電極１６と共通電極１３との間に発生する電界により、液晶２０を駆動して表示を行う。
【００４６】
画素電極１６と共通電極１３とは、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明電極で形成されている。これにより、バックライト（図示しない）からの光を利用して透過型の表示を行うことができる。
【００４７】
上記の構成によれば、第２のコンタクトホール１２の共通電極１３側の端部と第３のコンタクトホール１５の共通電極１３側の端部の距離ｄを増加させることができ（図１（ｂ）参照）、有機絶縁膜の露出部分の形成を防ぐことができる。このため、保持容量の電流リークを防止でき、液晶表示装置の表示画質低下を防止させることができる。上記構成では、図１（ｂ）において、第３のコンタクトホール１５は有機絶縁膜１１に開口した第２のコンタクトホールの右側の端部に近づくが、こちら側には共通電極１３が存在しないため、仮に有機絶縁膜が露出したとしても、問題は生じない。
【００４８】
また、平面視（図１（ａ）参照）において、ゲート線に平行な方向に関して、第３のコンタクトホール１５の中心が、第２のコンタクトホール１２の中央部に位置し、第２のコンタクトホール１２の端部はパッド電極８の外側にあるから（図１（ｃ）参照）、第２のコンタクトホール１２の端部と第３のコンタクトホール１５の端部の距離も十分にあり、ゲート線に平行な方向に関しても、有機絶縁膜の露出部分の形成を防ぐことができる。このため、保持容量の電流リークを防止でき、液晶表示装置の表示画質低下を防止させることができる。
【００４９】
ここで、従来技術における薄膜トランジスタ基板と本実施例における薄膜トランジスタ基板とを高温高湿度環境に曝した場合の保持容量のリーク電流の変化について説明する。
【００５０】
薄膜トランジスタ基板を温度６０℃湿度９０％ＲＨの恒温恒湿環境に曝す処理を行い、処理時間と、保持容量のリーク電流、すなわち、共通電極−画素電極間リーク電流との関係を調べた。
【００５１】
図５の横軸は処理時間を、縦軸は、保持容量のリーク電流を示す。また、プロット２３は本実施例における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の関係を示し、プロット２２は従来技術における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の関係を示す。
【００５２】
従来技術における薄膜トランジスタ基板の場合、処理時間の増加とともにリーク電流が増加することが分かる。１７０時間処理した場合、リーク電流は約１８０倍に増加する。
【００５３】
一方、本実施例における薄膜トランジスタの場合、処理時間を増加させてもリーク電流の増加はわずかであり、電流リークが防止されていることが分かる。
【実施例２】
【００５４】
実施例２では、横電界方式の液晶表示装置の画素において、共通電位線１８に接続したコンタクトホール周辺構造に本発明を適用する場合の一例を説明する。
【００５５】
図２は、本発明の実施例２を説明する図であり、図２（ａ）は、薄膜トランジスタ基板の１画素部を説明する平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【００５６】
前述の実施例１では共通電極１３を有機絶縁膜１１と無機絶縁膜１４との間に形成させ、画素電極１６を無機絶縁膜１４よりも上層に形成したが、本実施例では、共通電極１３と画素電極１６とを入れ替えた構成、すなわち、図２（ｂ）に示すように有機絶縁膜１１上に画素電極１６と無機絶縁膜１４と共通電極１３とを順に形成した構造となっている。
【００５７】
また、共通電位線１８上の層間絶縁膜６に開口される第１のコンタクトホール７を介して共通電位線１８とパッド電極８とが接続している。また、パッド電極８よりも上層に形成された有機絶縁膜１１に開口された第２のコンタクトホール１２が形成されている。
【００５８】
第１のコンタクトホール７と第２のコンタクトホール１２と第３のコンタクトホール１５は実施例１で説明した特徴をもつように形成されている。
【００５９】
上記以外の点については実施例１と同様である。
【実施例３】
【００６０】
実施例３では、横電界方式ではなく、縦電界方式の液晶表示装置に本発明を適用する場合の一例を説明する。
【００６１】
この場合、実施例１の構成において、共通電位が印加された共通電極１３が対向基板の液晶側に形成される。
【００６２】
有機絶縁膜１１と無機絶縁膜１４との間に形成される電極（図１の共通電極１３に対応する電極）は、画素電極１６と無機絶縁膜１４とともに保持容量を形成する。
【００６３】
上記以外の点については実施例１と同様である。
【００６４】
また、本発明の実施例は、液晶表示装置に限定されず、アクティブ素子と保持容量とを有するアクティブマトリクス型表示装置に対しても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
画素サイズを小さくした場合でも、保持容量のリーク電流を小さく抑えることができるため、高精細液晶ディスプレイに適用できる。
【符号の説明】
【００６６】
１ ガラス基板
２ 下地絶縁膜
３ ポリシリコン
４ ゲート絶縁膜
５ ゲート線
６ 層間絶縁膜
７ 第１のコンタクトホール
８ パッド電極
９ ドレイン線
１０ 絶縁膜
１１ 有機絶縁膜
１２ 第２のコンタクトホール
１３ 共通電極
１４ 無機絶縁膜
１５ 第３のコンタクトホール
１６ 画素電極
１７ 薄膜トランジスタ
１８ 共通電位線
１９ 対向基板
２０ 液晶
２１ 薄膜トランジスタ基板
２２ 従来技術における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の恒温恒湿処理時間と保持容量のリーク電流との関係を示すプロット
２３ 本実施例における薄膜トランジスタ基板を用いた場合の恒温恒湿処理時間と保持容量のリーク電流との関係を示すプロット
１０１ ガラス基板
１０２ 下地絶縁膜
１０３ ポリシリコン
１０４ ゲート絶縁膜
１０５ ゲート線
１０６ 層間絶縁膜
１０７ 第１のコンタクトホール
１０８ パッド電極
１０９ ドレイン線
１１０ 絶縁膜
１１１ 有機絶縁膜
１１２ 第２のコンタクトホール
１１３ 共通電極
１１４ 無機絶縁膜
１１５ 第３のコンタクトホール
１１６ 画素電極
１１７ 薄膜トランジスタ
１１８ 有機絶縁膜露出部分
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査信号線によりスイッチングされるアクティブ素子と、
前記アクティブ素子よりも上層に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に接続された第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、
前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、
前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、
前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、
前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、
前記走査信号線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、
前記走査信号線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、
前記走査信号線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置することを特徴としたアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
共通電位線と、
前記共通電位線よりも上層に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記共通電位線に接続された第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、
前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、
前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、
前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、
前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、
前記共通電位線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、
前記共通電位線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、
前記共通電位線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置することを特徴としたアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、
前記第２の電極と前記第３の電極との間に発生する電界により、前記液晶を駆動することを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、
前記第２の基板は対向電極を有し、前記第３の電極と前記対向電極との間に発生する電界により前記液晶を駆動することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記第３の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有することを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記第２の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１】
走査信号線によりスイッチングされるアクティブ素子と、
前記アクティブ素子よりも上層に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記アクティブ素子に接続された第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、
前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、
前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、
前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、
前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、
前記走査信号線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、
前記走査信号線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、
前記走査信号線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置することを特徴としたアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
共通電位線と、
前記共通電位線よりも上層に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に開口された第１のコンタクトホールを介して前記共通電位線に接続された第１の電極と、
前記第１の電極よりも上層に形成された有機絶縁膜上に形成され、第２の電極と無機絶縁膜と第３の電極により形成された保持容量と、
前記有機絶縁膜に開口した第２のコンタクトホールと、
前記無機絶縁膜に開口した第３のコンタクトホールとを有する基板を備えたアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記第３の電極は前記第３のコンタクトホールを介して前記第１の電極と電気的に接続されており、
前記第１の基板を平面視した時に、前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが、前記第２のコンタクトホールの内側にあり、
前記第１のコンタクトホールと前記第３のコンタクトホールとが互いに重ならず、
前記共通電位線に垂直な方向での位置が、前記第３のコンタクトホール、前記第１のコンタクトホール、前記第２のコンタクトホールの端部、前記第２の電極の端部、画素開口の順に並んでおり、
前記共通電位線に平行な方向において、前記第３のコンタクトホールの中心が、前記第２のコンタクトホールの中央部に位置し、
前記共通電位線に平行な方向において、前記第２のコンタクトホールの端部が前記第１の電極の端部よりも外側に位置することを特徴としたアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、
前記第２の電極と前記第３の電極との間に発生する電界により、前記液晶を駆動することを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記基板である第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟まれた液晶とを有し、
前記第２の基板は対向電極を有し、前記第３の電極と前記対向電極との間に発生する電界により前記液晶を駆動することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記第３の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有することを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記第２の電極は少なくとも一部に透明伝導膜を有することを特徴とする請求項１から５の何れかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【図１（ａ）】
【図１（ｂ）】
【図１（ｃ）】
【図２（ａ）】
【図２（ｂ）】
【図２（ｃ）】
【図３（ａ）】
【図３（ｂ）】
【図３（ｃ）】
【図４】
【図５】
【図１（ｂ）】
【図１（ｃ）】
【図２（ａ）】
【図２（ｂ）】
【図２（ｃ）】
【図３（ａ）】
【図３（ｂ）】
【図３（ｃ）】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−２５６５１７（Ｐ２０１０−２５６５１７Ａ）
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１０４９５３（Ｐ２００９−１０４９５３）
【出願日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【出願人】（５０２３５６５２８）株式会社 日立ディスプレイズ (2,552)
【Ｆターム（参考）】
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