セラミック電子部品及び積層セラミックコンデンサ
【課題】耐熱衝撃性、耐機械的応力性に優れているとともに、耐衝撃性に優れた外部電極を持つセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック素体１の表面に外部電極５、６を形成して成るセラミック電子部品１０において、外部電極５、６は、セラミック素体１側から順に、第１ガラス成分Ｇ１及び気孔Ｐを有する第１領域５ａ、６ａ、第２ガラス成分Ｇ２を有し且つ気孔Ｐを有さない第２領域５ｂ、６ｂ、ガラス成分Ｇ１、Ｇ２及び気孔Ｐのいずれも有さない第３領域５ｃ、６ｃの３つの領域を有してなる。
【解決手段】セラミック素体１の表面に外部電極５、６を形成して成るセラミック電子部品１０において、外部電極５、６は、セラミック素体１側から順に、第１ガラス成分Ｇ１及び気孔Ｐを有する第１領域５ａ、６ａ、第２ガラス成分Ｇ２を有し且つ気孔Ｐを有さない第２領域５ｂ、６ｂ、ガラス成分Ｇ１、Ｇ２及び気孔Ｐのいずれも有さない第３領域５ｃ、６ｃの３つの領域を有してなる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品及び積層セラミックコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【０００３】
図３に示すように、積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）３０は、誘電体層３２と内部電極３３、３４とを交互に積層してなる積層体（セラミック素体）３１の一対の端部に、夫々内部電極３３、３４に電気的に接続される外部電極３５、３６が形成されている。
【０００４】
一般的に、外部電極３５、３６に必要とされる特性としては、低い導体抵抗、半田濡れ性をよくするための平滑性、コンデンサ内部への水分等の侵入を抑制する高封止性などが挙げられる。この平滑性及び高封止性を実現するためには、外部電極３５、３６が緻密であることが望ましいが、その場合プリント配線基板などの実装基板への半田実装の際に生じる熱衝撃や、実装基板に加わる曲げ応力によって、積層体３１にクラックが発生するという問題があった。
【０００５】
かかる問題を解決するべく、図３に示すように、セラミック素体の表面に形成された外部電極３５、３６が、セラミック素体側から順に、気孔Ｐを有する内側領域（３５ａ、３６ａ）及び気孔を有さない外側領域（３５ｂ、３６ｂ）の２つの領域を有して構成される積層セラミックコンデンサ３０が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０８−１６２３５９号公報（２−４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記積層セラミックコンデンサ３０においては、図３に示すように、電気特性の検査の際に、外部電極３５、３６にプローブ４０を押し当てる等の行為により外部から衝撃が加わった場合、外側領域３５ｂ、３６ｂはその展性によって変形し、衝撃の応力が内側領域３５ａ、３６ａに伝わって内側領域３５ａ、３６ａにクラックが発生することとなり、ひいては外部電極３５、３６全体にクラックが広がるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、耐熱衝撃性、耐機械的応力性に優れているとともに、耐衝撃性に優れた外部電極を有するセラミック電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、セラミック素体の表面に外部電極を形成して成るセラミック電子部品において、前記外部電極は、前記セラミック素体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とするものである。
【０００９】
前記第１ガラス成分は３重量％〜２０重量％の割合で含有することが好ましく、また、前記気孔は前記第１領域の２体積％〜４０体積％を占めることが好ましい。
【００１０】
また前記第２ガラス成分は１重量％〜１０重量％の割合で含有することが好ましい
更に、前記３つの領域は同一金属を主成分とすることが好ましい。
【００１１】
また更に、前記外部電極の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層を形成することが好ましい。
【００１２】
また本発明は、セラミック積層体の表面に外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極は、前記セラミック積層体側から、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、セラミック素体の表面に外部電極を形成して成るセラミック電子部品において、前記外部電極は、前記セラミック素体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることから、以下の効果を奏する。
【００１４】
まず第１領域は、第１ガラス成分を有することから第１領域とセラミック素体との接合強度を強くでき、また、気孔を有することから熱や機械的外力により発生する応力を緩和することができる。特に、第１ガラス成分の含有を、３重量％以上とすることで第１領域とセラミック素体とが効果的に接合して接着強度を高くすることができ、また、２０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。また、気孔割合を、第１領域の２体積％以上とすることでペースト焼付けによる焼締まりを小さくしてセラミック素体のクラックを抑制でき、また、第１領域の４０体積％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。
【００１５】
次に第３領域は、ガラス成分及び気孔のいずれも有さないため、その外表面、すなわち外部電極表面の平滑性及び封止性を高くすることができる。これにより、後述のように、第３領域の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層を形成する際、メッキ液が内部へ侵入してその残渣が第１領域の気孔等に残留することを効果的に抑制できることから、残渣が外部電極を腐食して絶縁性の劣化や電気特性の変動を引き起こすことを防止できる。
【００１６】
そして第２領域は、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さないことから、比較的高い強度を有するため、外部からの局所的な衝撃によって第３領域が変形し第２領域に衝撃応力が伝わったとしても、内部にある第１領域への衝撃応力の伝わりを抑制して、第１領域にクラックが発生することを効果的に防止することができる。また、第２ガラス成分の含有を、１重量％以上とすることで金属成分の展性を抑えて第１領域への衝撃応力をより伝わりにくくでき、また、１０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。なお、第２領域において、気孔を有さないとは、気孔が第２領域の２体積％未満を占めることを意味する。
【００１７】
また、外部電極を構成する３つの領域の主成分を同一金属で構成することが好ましく、これにより領域間の電気的接続及び接着の信頼性を高くすることができる。特に、第２領域及び／または第３領域をメッキにより形成する場合、メッキ下地となる領域の表面への濡れ性が良好となり、最外領域である第３領域の表面の平滑性を高くすることができる。なお、濡れ性が良好な理由としては、同一の金属原子であれば原子間距離や配向が同一となるため、最初に析出する原子が、下地表面を構成する原子と容易に結合することが考えられる。
【００１８】
さらに、外部電極の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層をさらに形成しても良い。Ｎｉを主成分とするメッキ層を形成することで第３領域を構成する金属の半田食われを抑制することができ、また、Ｓｎを主成分とするメッキ層を形成することで半田濡れ性を向上させることができる。
【００１９】
また本発明は、セラミック積層体の表面に外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極は、セラミック積層体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることから、耐熱衝撃性、耐機械的応力性及び耐衝撃性が向上する。当該効果は、外部電極が、セラミック積層体の一対の端部に形成された積層セラミックコンデンサにおいて特に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明のセラミック電子部品を図面に基づいて説明する。
【００２１】
代表的なセラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【００２２】
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は（ｂ）の外部電極を拡大した縦断面図である。
【００２３】
図１において、１０は積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）、１は積層体、２は誘電体層、３、４は内部電極、５、６は外部電極である。
【００２４】
誘電体層２は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などを主成分とする非還元性誘電体材料からなり、その厚みは高容量化のために例えば１〜５μｍとする。この誘電体層２の大きさは、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍとし、これを複数積層して積層体１が構成される。なお、誘電体層２の形状、厚み及び積層数等は所望の容量値に応じて任意に変更すればよい。
【００２５】
内部電極３、４は、例えばＣｕやＮｉを主成分とする材料から構成され、その厚みは例えば０．５〜２μｍとする。そして、誘電体層２の積層方向に隣接する２つの内部電極３、４は、互いに積層体１の異なる端面側に延出し、異なる外部電極５、６に夫々接続される。
【００２６】
外部電極５、６は、積層体１側から順に、第１ガラス成分Ｇ１及び気孔Ｐを有する第１領域５ａ、６ａ、第２ガラス成分Ｇ２を有し且つ気孔Ｐを有さない第２領域５ｂ、６ｂ、ガラス成分及び気孔Ｐのいずれも有さない第３領域５ｃ、６ｃの３つの領域を有してなる。なお、ガラス成分Ｇ１、Ｇ２は、図１で示すように独立して存在しても良いし、外部電極５、６を構成する他の成分と固溶していても良い。
【００２７】
図１（ｃ）に示すように、まず第１領域５ａ、６ａは、例えばＣｕを主成分とし、ホウケイ酸バリウム系ガラスなどからなる第１ガラス成分Ｇ１を含有する厚膜導電層からなる。このように、第１ガラス成分Ｇ１を有することから第１領域５ａ、６ａとセラミック素体との接合強度を強くでき、また、気孔Ｐを有することから熱応力や機械的応力を緩和することができる。第１ガラス成分Ｇ１としては、ホウケイ酸バリウム系以外に、ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸ストロンチウム系、アルミノホウケイ酸バリウム系、アルミノホウケイ酸亜鉛系、アルミノホウケイ酸ストロンチウム系、及びこれらの組み合わせて構成することができる。
【００２８】
特に、第１ガラス成分Ｇ１の含有を、焼成後の第１領域５ａ、６ａ全体重量に対し３重量％以上とすることで第１領域５ａ、６ａとセラミック素体とが効果的に接合して接着強度を高くすることができ、また、２０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。また、気孔割合を、第１領域５ａ、６ａの２体積％以上とすることでペースト焼付けによる焼締まりを小さくしてセラミック素体のクラックを抑制でき、また、第１領域５ａ、６ａの４０体積％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。さらに、第１領域５ａ、６ａを導電性ペーストの焼付けにより形成する場合には、含有される第１ガラス成分Ｇ１により金属成分の焼結が促進されるため、より効果的に第１領域５ａ、６ａとセラミック素体との接合強度を強くできる。
【００２９】
なお、気孔Ｐの測定方法は、積層セラミックコンデンサ１０の幅（Ｗ）方向または厚み（Ｔ）方向の外部電極５、６の断面を、ＦＩＢ（集束イオンビーム）等で切出してＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＳＩＭ（走査型イオン顕微鏡）等で観察した像を画像処理装置で読み取り、面積比として算出したものである。
【００３０】
次に、第３領域５ｃ、６ｃは、Ｃｕメッキ層で形成され、ガラス成分及び気孔のいずれも有さないため、その外表面、すなわち外部電極５、６表面の平滑性及び封止性を高くすることができる。これにより、後述のように、第３領域５ｃ、６ｃの表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層を形成する際、メッキ液が内部へ侵入してその残渣が第１領域５ａ、６ａの気孔等に残留することを効果的に抑制できることから、残渣が外部電極５、６を腐食して絶縁性の劣化や電気特性の変動を引き起こすことを防止できる。なお、第３領域５ｃ、６ｃの気孔Ｐは、十分な封止性を得れば良く、第３領域５ｃ、６ｃの０．１体積％未満の範囲で含まれていても構わない。
【００３１】
そして、第２領域５ｂ、６ｂは、ホウケイ酸バリウム系ガラスなどからなる第２ガラス成分Ｇ２を含有するＣｕメッキ層からなり、気孔を有さない構成を有する。このため、比較的高い強度を有し、外部からの局所的な衝撃によって第３領域５ｃ、６ｃが変形し第２領域５ｂ、６ｂに衝撃応力が伝わったとしても、内部にある第１領域５ａ、６ａへの衝撃応力の伝わりを抑制して、第１領域５ａ、６ａにクラックが発生することを効果的に防止することができる。また、第２ガラス成分Ｇ２の含有を、１重量％以上とすることで金属成分の展性を抑えて第１領域５ａ、６ａへの衝撃応力をより伝わりにくくでき、また、１０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。なお、第２領域５ｂ、６ｂにおいて、気孔を有さないとは、気孔が第２領域５ｂ、６ｂの２体積％未満を占めることを意味する。第２ガラス成分Ｇ２としては、ホウケイ酸バリウム系以外に、ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸ストロンチウム系、アルミノホウケイ酸バリウム系、アルミノホウケイ酸亜鉛系、アルミノホウケイ酸ストロンチウム系、及びこれらの組み合わせて構成することができる。
【００３２】
なお、第２領域５ｂ、６ｂの厚みは、厚みが増すことによるポアの増長に対応しクラックの発生を防止する為、第１領域５ａ、６ａの厚みの１０％以上であることが好ましい。
【００３３】
また、第１ガラス成分Ｇ１及び第２ガラス成分Ｇ２は、第１領域と第２領域の熱膨張係数を近づける事を優先する場合、同一とすることが好ましく、第１領域の接着強度、第２領域の膜強度各々の最適化を計る場合、異なるように設定することが好ましい。
【００３４】
さらに、第２領域５ｂ、６ｂと第３領域５ｃ、６ｃの境界を凹凸面にすることで、より効果的に接着強度を高くなるようにしても良い。凹凸面の面粗さＲａは、第２領域５ｂ、６ｂの平均厚みの２０％以上とすることが好ましい。
【００３５】
また、外部電極５、６を構成する３つの領域５ａ〜５ｃ、６ａ〜６ｃの主成分はすべてＣｕで構成されており、これにより、領域間の電気的接続及び接着の信頼性を高くすることができる。特に、第２領域５ｂ、６ｂ及び／または第３領域５ｃ、６ｃをメッキにより形成する場合、メッキ下地となる領域の表面への濡れ性が良好となり、最外領域である第３領域５ｃ、６ｃの表面の平滑性を高くすることができる。なお、濡れ性が良好な理由としては、同一の金属原子であれば原子間距離や配向が同一となるため、最初に析出する原子が、下地表面を構成する原子と容易に結合することが考えられる。
【００３６】
さらに、外部電極５、６の表面には、Ｎｉメッキ層５ｄ、６ｄ及びＳｎメッキ層５ｅ、６ｅ（図示せず）が順次形成されている。Ｎｉを主成分とするメッキ層を形成することで第３領域５ｃ、６ｃを構成する金属の半田食われを抑制することができ、また、Ｓｎを主成分とするメッキ層を形成することで半田濡れ性を向上させることができる。
【００３７】
以下、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。なお、各符号は焼成の前後で区別しないことにする。
【００３８】
まず、誘電体層となるセラミックグリーンシート２の所定の領域に、導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布後乾燥し、内部電極となる導体パターン３、４を形成する。
【００３９】
次に、このセラミックグリーンシートを、導体パターン３、４が互いに対向するように所定の積層枚数重ねた後、切断して積層体１とし、この積層体１を所定の雰囲気、温度、時間で焼成する。
【００４０】
その後、積層体１の一対の端面に露出した内部電極３、４と接続されるようにして、外部電極５、６をそれぞれ形成する。外部電極５、６は、以下のように形成される。
【００４１】
まず、積層体１の両端部に、Ｃｕ粉末と上述の第１ガラス成分Ｇ１を含有する導電性ペーストを塗布後、脱バインダー及び焼成を行い、第１領域５ａ、６ａとなる厚膜導電層５ａ、６ａを形成する。このとき、Ｃｕ粉末及び第１ガラス成分Ｇ１の粒径、Ｃｕ粉末及び第１ガラス成分Ｇ１の含有率、Ｃｕ粉末と第１ガラス成分Ｇ１との混合比率、導電性ペーストの添加物の種類や量、焼成温度、焼成時の昇温速度などを調節することにより、気孔Ｐが第１領域５ａ、６ａの２体積％〜４０体積％を占めるように制御する。
【００４２】
次に、例えば上述の第２ガラス成分Ｇ２を含有するピロ燐酸銅メッキ浴中に、厚膜導電層５ａ、６ａ（第１領域）が形成された積層体１を浸漬し、バレルメッキ法にて厚膜導電層５ａ、６ａの表面に第２ガラス成分Ｇ２を含有するＣｕメッキ層５ｂ、６ｂを析出させて第２領域５ｂ、６ｂを形成する。このとき、バレルメッキ法における攪拌速度を速くすることにより、第２ガラス成分Ｇ２がメッキ浴中に均一に混合されるようにすることが望ましい。メッキ浴としては、ピロ燐酸銅、硫酸銅及びシアン化銅などを用いればよいが、ピロ燐酸銅のメッキ浴中においては、Ｃｕ２＋イオンはＣｕ（Ｐ２Ｏ７）２６−の状態で存在し、Ｃｕメッキ層を均一且つ緻密にすることができるとともに、メッキ残渣が残りにくく安全性が高いことから、ピロ燐酸銅を用いることが好ましい。
【００４３】
そして、ガラス成分を含有しないピロ燐酸銅などのメッキ浴中に、Ｃｕメッキ層５ｂ、６ｂが形成された積層体１を浸漬し、バレルメッキ法にてＣｕメッキ層５ｂ、６ｂ表面に、ガラス成分及び気孔Ｐのいずれも有さないＣｕメッキ層５ｃ、６ｃを析出させて第３領域５ｃ、６ｃを形成する。
【００４４】
以上のようにして３つの領域を形成し、その表面にセラミック電子部品に用いられる一般的なメッキ液を用いて、Ｎｉメッキ層５ｄ、６ｄ及び／又はＳｎメッキ層５ｅ、６ｅを形成して外部電極５、６としてもよい。
【００４５】
このようにして、図１に示すような積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
【００４６】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４７】
例えば、上記実施の形態では、本発明のセラミック電子部品１０を積層セラミックコンデンサに適用した例を用いて説明したが、本発明は、積層型圧電部品、チップ型抵抗器、回路基板、半導体部品など、さまざまなセラミック電子部品１０に適用できる。
【００４８】
また、上記実施の形態に代えて、外部電極５、６を、導電性ペーストを塗布後焼成し、その上にガラス成分を含有しないメッキ層を析出させることにより形成しても良い。図２は、当該製造方法により形成された積層セラミックコンデンサの外部電極を拡大した縦断面図である。具体的には、第１領域５ａ、６ａは導電性ペーストを塗布後焼成することにより形成された厚膜導電膜であり、第３領域５ｃ、６ｃはメッキにより形成されたメッキ導電膜である。第２領域５ｂ、６ｂは、第１領域５ａ、６ａと同時に形成された厚膜導電膜のオープンポア部Ａを、第３領域５ｃ、６ｃ形成のメッキ金属の析出・充填により形成してなるものである。当該実施の形態によれば、第２領域５ｂ、６ｂを形成するための工程を別途設けることなく、第１領域５ａ、６ａ及び第３領域５ｃ、６ｃの製造工程を制御することによって第２領域５ｂ、６ｂを形成するため、製造工程を簡略化することが可能となる。
【００４９】
さらに、第３領域５ｃ、６ｃの表面にＳｎメッキ層５ｅ、６ｅを直接形成しても良い。
【００５０】
また更に、第３領域５ｃ、６ｃとＮｉメッキ層５ｄ、６ｄの間に、Ａｕメッキ層などの他のメッキ層を形成しても良い。Ａｕメッキ層の表面粗さＲａは、第３領域５ｃ、６ｃの表面粗さＲａよりさらに小さくできるため、Ｎｉメッキ層５ｄ、６ｄの厚みを小さく且つ均一にできる。また、Ａｕメッキ層をフラッシュメッキ法により形成することにより、メッキ析出時間を短縮できるとともに、メッキ液が第１領域５ａ、６ａ内へ浸入することによる絶縁信頼性劣化等の問題点も解決できる。
【００５１】
なお、第３領域５ｃ、６ｃ表面へのＮｉメッキ５ｄ、６ｄやＳｎメッキ５ｅ、６ｅに代えて、貴金属メッキ層や導電性樹脂層などを形成しても良いことは言うまでもない。
【００５２】
また、外部電極５、６の第３領域５ｃ、６ｃを金属コロイド膜や有機金属化合物膜で形成しても良い。具体的には、図２において、第１領域５ａ、６ａは導電性ペーストを塗布後焼成することにより形成された厚膜導電膜であり、第３領域５ｃ、６ｃは金属コロイド膜である。第２領域５ｂ、６ｂは、第１領域５ａ、６ａと同時に形成された厚膜導電膜のオープンポア部Ａを、第３領域５ｃ、６ｃ形成の金属コロイドの充填により形成してなるものである。すなわち、第３領域５ｃ、６ｃを形成する金属コロイドの金属粉末が、数ｎｍ〜数１０ｎｍと非常に小さいため、オープンポア部Ａに安定して充填でき、且つその外表面、すなわち外部電極５、６表面の平滑性及び封止性を極めて高くすることができる。これにより、第３領域５ｃ、６ｃの表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層５ｄ、６ｄ、５ｅ、６ｅを形成する際、メッキ液が内部へ侵入してその残渣が第１領域５ａ、６ａの気孔等に残留することを効果的に抑制できることから、残渣が外部電極を腐食して絶縁性の劣化や電気特性の変動を引き起こすことをより効果的に防止できる。また、第２領域５ｂ、６ｂの強度をより高くできるため、外部からの局所的な衝撃によって第３領域５ｃ、６ｃが変形し第２領域５ｂ、６ｂに衝撃応力が伝わったとしても、内部にある第１領域５ａ、６ａへの衝撃応力の伝わりを抑制して、第１領域５ａ、６ａにクラックが発生することをより効果的に防止することができる。ここで、金属コロイド膜を形成する場合、粒径（ＳＥＭの写真から個々の金属粉末の粒径を測定して求められる平均粒径）が数ｎｍ〜数１０ｎｍのＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属粉末に、有機溶剤、有機バインダ樹脂やその他の添加剤を混合した金属コロイドペーストを用いる方法が挙げられる。すなわち、導電性ペーストを塗布後焼成後、導電性ペースト焼成部分全体を被覆するように、上記金属コロイドペーストをディップ法、スクリーン印刷法などで塗布する。このとき、導電性ペースト焼成部分のオープンポア部Ａに金属コロイドペーストの金属粉末が入り込むように、真空脱泡を行うようにしても良い。次に、塗布された金属コロイドペーストを焼成し、上記第１領域５ａ、６ａ、第２領域５ｂ、６ｂ、第３領域５ｃ、６ｃを形成する。このとき、金属粉末の粒径が数ｎｍ〜数１０ｎｍと小さいことから、焼成温度を２００℃以下とすることができ、積層体に加わる応力を小さくすることができるという効果もある。尚、有機金属化合物膜を形成する場合には、メタルオーガニックペーシトを用いる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は（ｂ）の外部電極を拡大した縦断面図である。
【図２】本発明の積層セラミックコンデンサの他の実施形態を示す拡大断面図である。
【図３】従来の積層セラミックコンデンサを示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０・・・・積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）
１・・・・・積層体（セラミック素体）
２・・・・・誘電体層
３、４・・・内部電極
５、６・・・外部電極
５ａ、６ａ・第１領域
５ｂ、６ｂ・第２領域
５ｃ、６ｃ・第３領域
５ｄ、６ｄ・Ｎｉメッキ層
５ｅ、６ｅ・Ｓｎメッキ層
Ｐ・・・・・気孔
Ｇ１・・・・第１ガラス成分
Ｇ２・・・・第２ガラス成分
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品及び積層セラミックコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
代表的なセラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【０００３】
図３に示すように、積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）３０は、誘電体層３２と内部電極３３、３４とを交互に積層してなる積層体（セラミック素体）３１の一対の端部に、夫々内部電極３３、３４に電気的に接続される外部電極３５、３６が形成されている。
【０００４】
一般的に、外部電極３５、３６に必要とされる特性としては、低い導体抵抗、半田濡れ性をよくするための平滑性、コンデンサ内部への水分等の侵入を抑制する高封止性などが挙げられる。この平滑性及び高封止性を実現するためには、外部電極３５、３６が緻密であることが望ましいが、その場合プリント配線基板などの実装基板への半田実装の際に生じる熱衝撃や、実装基板に加わる曲げ応力によって、積層体３１にクラックが発生するという問題があった。
【０００５】
かかる問題を解決するべく、図３に示すように、セラミック素体の表面に形成された外部電極３５、３６が、セラミック素体側から順に、気孔Ｐを有する内側領域（３５ａ、３６ａ）及び気孔を有さない外側領域（３５ｂ、３６ｂ）の２つの領域を有して構成される積層セラミックコンデンサ３０が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平０８−１６２３５９号公報（２−４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記積層セラミックコンデンサ３０においては、図３に示すように、電気特性の検査の際に、外部電極３５、３６にプローブ４０を押し当てる等の行為により外部から衝撃が加わった場合、外側領域３５ｂ、３６ｂはその展性によって変形し、衝撃の応力が内側領域３５ａ、３６ａに伝わって内側領域３５ａ、３６ａにクラックが発生することとなり、ひいては外部電極３５、３６全体にクラックが広がるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、耐熱衝撃性、耐機械的応力性に優れているとともに、耐衝撃性に優れた外部電極を有するセラミック電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、セラミック素体の表面に外部電極を形成して成るセラミック電子部品において、前記外部電極は、前記セラミック素体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とするものである。
【０００９】
前記第１ガラス成分は３重量％〜２０重量％の割合で含有することが好ましく、また、前記気孔は前記第１領域の２体積％〜４０体積％を占めることが好ましい。
【００１０】
また前記第２ガラス成分は１重量％〜１０重量％の割合で含有することが好ましい
更に、前記３つの領域は同一金属を主成分とすることが好ましい。
【００１１】
また更に、前記外部電極の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層を形成することが好ましい。
【００１２】
また本発明は、セラミック積層体の表面に外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極は、前記セラミック積層体側から、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、セラミック素体の表面に外部電極を形成して成るセラミック電子部品において、前記外部電極は、前記セラミック素体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることから、以下の効果を奏する。
【００１４】
まず第１領域は、第１ガラス成分を有することから第１領域とセラミック素体との接合強度を強くでき、また、気孔を有することから熱や機械的外力により発生する応力を緩和することができる。特に、第１ガラス成分の含有を、３重量％以上とすることで第１領域とセラミック素体とが効果的に接合して接着強度を高くすることができ、また、２０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。また、気孔割合を、第１領域の２体積％以上とすることでペースト焼付けによる焼締まりを小さくしてセラミック素体のクラックを抑制でき、また、第１領域の４０体積％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。
【００１５】
次に第３領域は、ガラス成分及び気孔のいずれも有さないため、その外表面、すなわち外部電極表面の平滑性及び封止性を高くすることができる。これにより、後述のように、第３領域の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層を形成する際、メッキ液が内部へ侵入してその残渣が第１領域の気孔等に残留することを効果的に抑制できることから、残渣が外部電極を腐食して絶縁性の劣化や電気特性の変動を引き起こすことを防止できる。
【００１６】
そして第２領域は、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さないことから、比較的高い強度を有するため、外部からの局所的な衝撃によって第３領域が変形し第２領域に衝撃応力が伝わったとしても、内部にある第１領域への衝撃応力の伝わりを抑制して、第１領域にクラックが発生することを効果的に防止することができる。また、第２ガラス成分の含有を、１重量％以上とすることで金属成分の展性を抑えて第１領域への衝撃応力をより伝わりにくくでき、また、１０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。なお、第２領域において、気孔を有さないとは、気孔が第２領域の２体積％未満を占めることを意味する。
【００１７】
また、外部電極を構成する３つの領域の主成分を同一金属で構成することが好ましく、これにより領域間の電気的接続及び接着の信頼性を高くすることができる。特に、第２領域及び／または第３領域をメッキにより形成する場合、メッキ下地となる領域の表面への濡れ性が良好となり、最外領域である第３領域の表面の平滑性を高くすることができる。なお、濡れ性が良好な理由としては、同一の金属原子であれば原子間距離や配向が同一となるため、最初に析出する原子が、下地表面を構成する原子と容易に結合することが考えられる。
【００１８】
さらに、外部電極の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層をさらに形成しても良い。Ｎｉを主成分とするメッキ層を形成することで第３領域を構成する金属の半田食われを抑制することができ、また、Ｓｎを主成分とするメッキ層を形成することで半田濡れ性を向上させることができる。
【００１９】
また本発明は、セラミック積層体の表面に外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極は、セラミック積層体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることから、耐熱衝撃性、耐機械的応力性及び耐衝撃性が向上する。当該効果は、外部電極が、セラミック積層体の一対の端部に形成された積層セラミックコンデンサにおいて特に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明のセラミック電子部品を図面に基づいて説明する。
【００２１】
代表的なセラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【００２２】
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は（ｂ）の外部電極を拡大した縦断面図である。
【００２３】
図１において、１０は積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）、１は積層体、２は誘電体層、３、４は内部電極、５、６は外部電極である。
【００２４】
誘電体層２は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などを主成分とする非還元性誘電体材料からなり、その厚みは高容量化のために例えば１〜５μｍとする。この誘電体層２の大きさは、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍとし、これを複数積層して積層体１が構成される。なお、誘電体層２の形状、厚み及び積層数等は所望の容量値に応じて任意に変更すればよい。
【００２５】
内部電極３、４は、例えばＣｕやＮｉを主成分とする材料から構成され、その厚みは例えば０．５〜２μｍとする。そして、誘電体層２の積層方向に隣接する２つの内部電極３、４は、互いに積層体１の異なる端面側に延出し、異なる外部電極５、６に夫々接続される。
【００２６】
外部電極５、６は、積層体１側から順に、第１ガラス成分Ｇ１及び気孔Ｐを有する第１領域５ａ、６ａ、第２ガラス成分Ｇ２を有し且つ気孔Ｐを有さない第２領域５ｂ、６ｂ、ガラス成分及び気孔Ｐのいずれも有さない第３領域５ｃ、６ｃの３つの領域を有してなる。なお、ガラス成分Ｇ１、Ｇ２は、図１で示すように独立して存在しても良いし、外部電極５、６を構成する他の成分と固溶していても良い。
【００２７】
図１（ｃ）に示すように、まず第１領域５ａ、６ａは、例えばＣｕを主成分とし、ホウケイ酸バリウム系ガラスなどからなる第１ガラス成分Ｇ１を含有する厚膜導電層からなる。このように、第１ガラス成分Ｇ１を有することから第１領域５ａ、６ａとセラミック素体との接合強度を強くでき、また、気孔Ｐを有することから熱応力や機械的応力を緩和することができる。第１ガラス成分Ｇ１としては、ホウケイ酸バリウム系以外に、ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸ストロンチウム系、アルミノホウケイ酸バリウム系、アルミノホウケイ酸亜鉛系、アルミノホウケイ酸ストロンチウム系、及びこれらの組み合わせて構成することができる。
【００２８】
特に、第１ガラス成分Ｇ１の含有を、焼成後の第１領域５ａ、６ａ全体重量に対し３重量％以上とすることで第１領域５ａ、６ａとセラミック素体とが効果的に接合して接着強度を高くすることができ、また、２０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。また、気孔割合を、第１領域５ａ、６ａの２体積％以上とすることでペースト焼付けによる焼締まりを小さくしてセラミック素体のクラックを抑制でき、また、第１領域５ａ、６ａの４０体積％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。さらに、第１領域５ａ、６ａを導電性ペーストの焼付けにより形成する場合には、含有される第１ガラス成分Ｇ１により金属成分の焼結が促進されるため、より効果的に第１領域５ａ、６ａとセラミック素体との接合強度を強くできる。
【００２９】
なお、気孔Ｐの測定方法は、積層セラミックコンデンサ１０の幅（Ｗ）方向または厚み（Ｔ）方向の外部電極５、６の断面を、ＦＩＢ（集束イオンビーム）等で切出してＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＳＩＭ（走査型イオン顕微鏡）等で観察した像を画像処理装置で読み取り、面積比として算出したものである。
【００３０】
次に、第３領域５ｃ、６ｃは、Ｃｕメッキ層で形成され、ガラス成分及び気孔のいずれも有さないため、その外表面、すなわち外部電極５、６表面の平滑性及び封止性を高くすることができる。これにより、後述のように、第３領域５ｃ、６ｃの表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層を形成する際、メッキ液が内部へ侵入してその残渣が第１領域５ａ、６ａの気孔等に残留することを効果的に抑制できることから、残渣が外部電極５、６を腐食して絶縁性の劣化や電気特性の変動を引き起こすことを防止できる。なお、第３領域５ｃ、６ｃの気孔Ｐは、十分な封止性を得れば良く、第３領域５ｃ、６ｃの０．１体積％未満の範囲で含まれていても構わない。
【００３１】
そして、第２領域５ｂ、６ｂは、ホウケイ酸バリウム系ガラスなどからなる第２ガラス成分Ｇ２を含有するＣｕメッキ層からなり、気孔を有さない構成を有する。このため、比較的高い強度を有し、外部からの局所的な衝撃によって第３領域５ｃ、６ｃが変形し第２領域５ｂ、６ｂに衝撃応力が伝わったとしても、内部にある第１領域５ａ、６ａへの衝撃応力の伝わりを抑制して、第１領域５ａ、６ａにクラックが発生することを効果的に防止することができる。また、第２ガラス成分Ｇ２の含有を、１重量％以上とすることで金属成分の展性を抑えて第１領域５ａ、６ａへの衝撃応力をより伝わりにくくでき、また、１０重量％以下とすることで内部抵抗値の増大を抑制することができる。なお、第２領域５ｂ、６ｂにおいて、気孔を有さないとは、気孔が第２領域５ｂ、６ｂの２体積％未満を占めることを意味する。第２ガラス成分Ｇ２としては、ホウケイ酸バリウム系以外に、ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸ストロンチウム系、アルミノホウケイ酸バリウム系、アルミノホウケイ酸亜鉛系、アルミノホウケイ酸ストロンチウム系、及びこれらの組み合わせて構成することができる。
【００３２】
なお、第２領域５ｂ、６ｂの厚みは、厚みが増すことによるポアの増長に対応しクラックの発生を防止する為、第１領域５ａ、６ａの厚みの１０％以上であることが好ましい。
【００３３】
また、第１ガラス成分Ｇ１及び第２ガラス成分Ｇ２は、第１領域と第２領域の熱膨張係数を近づける事を優先する場合、同一とすることが好ましく、第１領域の接着強度、第２領域の膜強度各々の最適化を計る場合、異なるように設定することが好ましい。
【００３４】
さらに、第２領域５ｂ、６ｂと第３領域５ｃ、６ｃの境界を凹凸面にすることで、より効果的に接着強度を高くなるようにしても良い。凹凸面の面粗さＲａは、第２領域５ｂ、６ｂの平均厚みの２０％以上とすることが好ましい。
【００３５】
また、外部電極５、６を構成する３つの領域５ａ〜５ｃ、６ａ〜６ｃの主成分はすべてＣｕで構成されており、これにより、領域間の電気的接続及び接着の信頼性を高くすることができる。特に、第２領域５ｂ、６ｂ及び／または第３領域５ｃ、６ｃをメッキにより形成する場合、メッキ下地となる領域の表面への濡れ性が良好となり、最外領域である第３領域５ｃ、６ｃの表面の平滑性を高くすることができる。なお、濡れ性が良好な理由としては、同一の金属原子であれば原子間距離や配向が同一となるため、最初に析出する原子が、下地表面を構成する原子と容易に結合することが考えられる。
【００３６】
さらに、外部電極５、６の表面には、Ｎｉメッキ層５ｄ、６ｄ及びＳｎメッキ層５ｅ、６ｅ（図示せず）が順次形成されている。Ｎｉを主成分とするメッキ層を形成することで第３領域５ｃ、６ｃを構成する金属の半田食われを抑制することができ、また、Ｓｎを主成分とするメッキ層を形成することで半田濡れ性を向上させることができる。
【００３７】
以下、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。なお、各符号は焼成の前後で区別しないことにする。
【００３８】
まず、誘電体層となるセラミックグリーンシート２の所定の領域に、導電性ペーストをスクリーン印刷により塗布後乾燥し、内部電極となる導体パターン３、４を形成する。
【００３９】
次に、このセラミックグリーンシートを、導体パターン３、４が互いに対向するように所定の積層枚数重ねた後、切断して積層体１とし、この積層体１を所定の雰囲気、温度、時間で焼成する。
【００４０】
その後、積層体１の一対の端面に露出した内部電極３、４と接続されるようにして、外部電極５、６をそれぞれ形成する。外部電極５、６は、以下のように形成される。
【００４１】
まず、積層体１の両端部に、Ｃｕ粉末と上述の第１ガラス成分Ｇ１を含有する導電性ペーストを塗布後、脱バインダー及び焼成を行い、第１領域５ａ、６ａとなる厚膜導電層５ａ、６ａを形成する。このとき、Ｃｕ粉末及び第１ガラス成分Ｇ１の粒径、Ｃｕ粉末及び第１ガラス成分Ｇ１の含有率、Ｃｕ粉末と第１ガラス成分Ｇ１との混合比率、導電性ペーストの添加物の種類や量、焼成温度、焼成時の昇温速度などを調節することにより、気孔Ｐが第１領域５ａ、６ａの２体積％〜４０体積％を占めるように制御する。
【００４２】
次に、例えば上述の第２ガラス成分Ｇ２を含有するピロ燐酸銅メッキ浴中に、厚膜導電層５ａ、６ａ（第１領域）が形成された積層体１を浸漬し、バレルメッキ法にて厚膜導電層５ａ、６ａの表面に第２ガラス成分Ｇ２を含有するＣｕメッキ層５ｂ、６ｂを析出させて第２領域５ｂ、６ｂを形成する。このとき、バレルメッキ法における攪拌速度を速くすることにより、第２ガラス成分Ｇ２がメッキ浴中に均一に混合されるようにすることが望ましい。メッキ浴としては、ピロ燐酸銅、硫酸銅及びシアン化銅などを用いればよいが、ピロ燐酸銅のメッキ浴中においては、Ｃｕ２＋イオンはＣｕ（Ｐ２Ｏ７）２６−の状態で存在し、Ｃｕメッキ層を均一且つ緻密にすることができるとともに、メッキ残渣が残りにくく安全性が高いことから、ピロ燐酸銅を用いることが好ましい。
【００４３】
そして、ガラス成分を含有しないピロ燐酸銅などのメッキ浴中に、Ｃｕメッキ層５ｂ、６ｂが形成された積層体１を浸漬し、バレルメッキ法にてＣｕメッキ層５ｂ、６ｂ表面に、ガラス成分及び気孔Ｐのいずれも有さないＣｕメッキ層５ｃ、６ｃを析出させて第３領域５ｃ、６ｃを形成する。
【００４４】
以上のようにして３つの領域を形成し、その表面にセラミック電子部品に用いられる一般的なメッキ液を用いて、Ｎｉメッキ層５ｄ、６ｄ及び／又はＳｎメッキ層５ｅ、６ｅを形成して外部電極５、６としてもよい。
【００４５】
このようにして、図１に示すような積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
【００４６】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４７】
例えば、上記実施の形態では、本発明のセラミック電子部品１０を積層セラミックコンデンサに適用した例を用いて説明したが、本発明は、積層型圧電部品、チップ型抵抗器、回路基板、半導体部品など、さまざまなセラミック電子部品１０に適用できる。
【００４８】
また、上記実施の形態に代えて、外部電極５、６を、導電性ペーストを塗布後焼成し、その上にガラス成分を含有しないメッキ層を析出させることにより形成しても良い。図２は、当該製造方法により形成された積層セラミックコンデンサの外部電極を拡大した縦断面図である。具体的には、第１領域５ａ、６ａは導電性ペーストを塗布後焼成することにより形成された厚膜導電膜であり、第３領域５ｃ、６ｃはメッキにより形成されたメッキ導電膜である。第２領域５ｂ、６ｂは、第１領域５ａ、６ａと同時に形成された厚膜導電膜のオープンポア部Ａを、第３領域５ｃ、６ｃ形成のメッキ金属の析出・充填により形成してなるものである。当該実施の形態によれば、第２領域５ｂ、６ｂを形成するための工程を別途設けることなく、第１領域５ａ、６ａ及び第３領域５ｃ、６ｃの製造工程を制御することによって第２領域５ｂ、６ｂを形成するため、製造工程を簡略化することが可能となる。
【００４９】
さらに、第３領域５ｃ、６ｃの表面にＳｎメッキ層５ｅ、６ｅを直接形成しても良い。
【００５０】
また更に、第３領域５ｃ、６ｃとＮｉメッキ層５ｄ、６ｄの間に、Ａｕメッキ層などの他のメッキ層を形成しても良い。Ａｕメッキ層の表面粗さＲａは、第３領域５ｃ、６ｃの表面粗さＲａよりさらに小さくできるため、Ｎｉメッキ層５ｄ、６ｄの厚みを小さく且つ均一にできる。また、Ａｕメッキ層をフラッシュメッキ法により形成することにより、メッキ析出時間を短縮できるとともに、メッキ液が第１領域５ａ、６ａ内へ浸入することによる絶縁信頼性劣化等の問題点も解決できる。
【００５１】
なお、第３領域５ｃ、６ｃ表面へのＮｉメッキ５ｄ、６ｄやＳｎメッキ５ｅ、６ｅに代えて、貴金属メッキ層や導電性樹脂層などを形成しても良いことは言うまでもない。
【００５２】
また、外部電極５、６の第３領域５ｃ、６ｃを金属コロイド膜や有機金属化合物膜で形成しても良い。具体的には、図２において、第１領域５ａ、６ａは導電性ペーストを塗布後焼成することにより形成された厚膜導電膜であり、第３領域５ｃ、６ｃは金属コロイド膜である。第２領域５ｂ、６ｂは、第１領域５ａ、６ａと同時に形成された厚膜導電膜のオープンポア部Ａを、第３領域５ｃ、６ｃ形成の金属コロイドの充填により形成してなるものである。すなわち、第３領域５ｃ、６ｃを形成する金属コロイドの金属粉末が、数ｎｍ〜数１０ｎｍと非常に小さいため、オープンポア部Ａに安定して充填でき、且つその外表面、すなわち外部電極５、６表面の平滑性及び封止性を極めて高くすることができる。これにより、第３領域５ｃ、６ｃの表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層５ｄ、６ｄ、５ｅ、６ｅを形成する際、メッキ液が内部へ侵入してその残渣が第１領域５ａ、６ａの気孔等に残留することを効果的に抑制できることから、残渣が外部電極を腐食して絶縁性の劣化や電気特性の変動を引き起こすことをより効果的に防止できる。また、第２領域５ｂ、６ｂの強度をより高くできるため、外部からの局所的な衝撃によって第３領域５ｃ、６ｃが変形し第２領域５ｂ、６ｂに衝撃応力が伝わったとしても、内部にある第１領域５ａ、６ａへの衝撃応力の伝わりを抑制して、第１領域５ａ、６ａにクラックが発生することをより効果的に防止することができる。ここで、金属コロイド膜を形成する場合、粒径（ＳＥＭの写真から個々の金属粉末の粒径を測定して求められる平均粒径）が数ｎｍ〜数１０ｎｍのＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属粉末に、有機溶剤、有機バインダ樹脂やその他の添加剤を混合した金属コロイドペーストを用いる方法が挙げられる。すなわち、導電性ペーストを塗布後焼成後、導電性ペースト焼成部分全体を被覆するように、上記金属コロイドペーストをディップ法、スクリーン印刷法などで塗布する。このとき、導電性ペースト焼成部分のオープンポア部Ａに金属コロイドペーストの金属粉末が入り込むように、真空脱泡を行うようにしても良い。次に、塗布された金属コロイドペーストを焼成し、上記第１領域５ａ、６ａ、第２領域５ｂ、６ｂ、第３領域５ｃ、６ｃを形成する。このとき、金属粉末の粒径が数ｎｍ〜数１０ｎｍと小さいことから、焼成温度を２００℃以下とすることができ、積層体に加わる応力を小さくすることができるという効果もある。尚、有機金属化合物膜を形成する場合には、メタルオーガニックペーシトを用いる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサを示す図であり、（ａ）は外観斜視図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）は（ｂ）の外部電極を拡大した縦断面図である。
【図２】本発明の積層セラミックコンデンサの他の実施形態を示す拡大断面図である。
【図３】従来の積層セラミックコンデンサを示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０・・・・積層セラミックコンデンサ（セラミック電子部品）
１・・・・・積層体（セラミック素体）
２・・・・・誘電体層
３、４・・・内部電極
５、６・・・外部電極
５ａ、６ａ・第１領域
５ｂ、６ｂ・第２領域
５ｃ、６ｃ・第３領域
５ｄ、６ｄ・Ｎｉメッキ層
５ｅ、６ｅ・Ｓｎメッキ層
Ｐ・・・・・気孔
Ｇ１・・・・第１ガラス成分
Ｇ２・・・・第２ガラス成分
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体の表面に外部電極を形成して成るセラミック電子部品において、
前記外部電極は、前記セラミック素体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１ガラス成分は、３重量％〜２０重量％で含有されることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記気孔は、前記第１領域の２体積％〜４０体積％を占めることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記第２ガラス成分は、１重量％〜１０重量％で含有されることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記３つの領域は、同一金属を主成分とすることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記外部電極の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
セラミック積層体の表面に外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、前記セラミック積層体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項１】
セラミック素体の表面に外部電極を形成して成るセラミック電子部品において、
前記外部電極は、前記セラミック素体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記第１ガラス成分は、３重量％〜２０重量％で含有されることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記気孔は、前記第１領域の２体積％〜４０体積％を占めることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記第２ガラス成分は、１重量％〜１０重量％で含有されることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記３つの領域は、同一金属を主成分とすることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記外部電極の表面にＮｉ及び／又はＳｎを主成分とするメッキ層が形成されていることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
セラミック積層体の表面に外部電極を形成して成る積層セラミックコンデンサにおいて、
前記外部電極は、前記セラミック積層体側から順に、第１ガラス成分及び気孔を有する第１領域、第２ガラス成分を有し且つ気孔を有さない第２領域、ガラス成分及び気孔のいずれも有さない第３領域の３つの領域を有してなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００６−１８６３１６（Ｐ２００６−１８６３１６Ａ）
【公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３１３８６６（Ｐ２００５−３１３８６６）
【出願日】平成１７年１０月２８日（２００５．１０．２８）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年７月１３日（２００６．７．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１０月２８日（２００５．１０．２８）
【出願人】（０００００６６３３）京セラ株式会社 (13,660)
【Ｆターム（参考）】
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