パターン形成方法、積層レジストパターン、有機溶剤現像用の積層膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
【課題】基板上の残渣を低減でき、良好な断面形状を有するパターン形成方法の提供。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、（ウ）前記積層膜を露光する工程、及び、（エ）前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、（ウ）前記積層膜を露光する工程、及び、（エ）前記露光された積層膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程、を含む、パターン形成方法であって、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、（Ｉ）及び（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする。
Notice: Undefined index: DEJ in /mnt/www/gzt_disp.php on line 298
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、
（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、
（ウ）前記反射防止膜と前記レジスト膜とを有する積層膜を露光する工程、及び、
（エ）前記露光された積層膜における前記反射防止膜と前記レジスト膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法であって、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、
前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）及び前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）における前記第１の樹脂が、芳香環を有する繰り返し単位を有する樹脂であるか、あるいは、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、芳香族化合物を更に含有する、パターン形成方法。
【請求項２】
酸の作用により前記第１の樹脂を架橋して架橋体を形成する架橋剤、及び、酸の作用により他の架橋剤と架橋して架橋体を形成する架橋剤からなる群より選択される架橋剤の、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）の全固形分に対する含有量が、１質量％以下である、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により前記第１の樹脂を架橋して架橋体を形成する架橋剤、及び、酸の作用により他の架橋剤と架橋して架橋体を形成する架橋剤からなる群より選択される架橋剤を含有しない、請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１の樹脂の重量平均分子量が１，０００〜２００，０００である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有しない、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記露光がＡｒＦエキシマレーザーによる露光である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記露光がＫｒＦエキシマレーザーによる露光であるとともに、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）における前記第１の樹脂が、多環芳香族基を有する繰り返し単位を有する樹脂であるか、あるいは、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、多環芳香族化合物を更に含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
上記有機溶剤を含む現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法により形成される積層レジストパターン。
【請求項１０】
基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて形成されたレジスト膜と
を有する有機溶剤現像用の積層膜であって、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、
前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）及び前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）における前記第１の樹脂が、芳香環を有する繰り返し単位を有する樹脂であるか、あるいは、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、芳香族化合物を更に含有する、有機溶剤現像用の積層膜。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【請求項１】
（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて反射防止膜を形成する工程、
（イ）前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いてレジスト膜を形成する工程、
（ウ）前記反射防止膜と前記レジスト膜とを有する積層膜を露光する工程、及び、
（エ）前記露光された積層膜における前記反射防止膜と前記レジスト膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法であって、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、
前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）及び前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）における前記第１の樹脂が、芳香環を有する繰り返し単位を有する樹脂であるか、あるいは、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、芳香族化合物を更に含有する、パターン形成方法。
【請求項２】
酸の作用により前記第１の樹脂を架橋して架橋体を形成する架橋剤、及び、酸の作用により他の架橋剤と架橋して架橋体を形成する架橋剤からなる群より選択される架橋剤の、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）の全固形分に対する含有量が、１質量％以下である、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により前記第１の樹脂を架橋して架橋体を形成する架橋剤、及び、酸の作用により他の架橋剤と架橋して架橋体を形成する架橋剤からなる群より選択される架橋剤を含有しない、請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記第１の樹脂の重量平均分子量が１，０００〜２００，０００である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、前記活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有しない、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記露光がＡｒＦエキシマレーザーによる露光である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記露光がＫｒＦエキシマレーザーによる露光であるとともに、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）における前記第１の樹脂が、多環芳香族基を有する繰り返し単位を有する樹脂であるか、あるいは、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、多環芳香族化合物を更に含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
上記有機溶剤を含む現像液が、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤から選択される少なくとも１種類の有機溶剤を含有する現像液である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法により形成される積層レジストパターン。
【請求項１０】
基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に、第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて形成されたレジスト膜と
を有する有機溶剤現像用の積層膜であって、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第１の樹脂を含有し、
前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）が、酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する第２の樹脂を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）及び前記第２の樹脂組成物（ＩＩ）の少なくとも一方が、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有し、
前記第１の樹脂組成物（Ｉ）における前記第１の樹脂が、芳香環を有する繰り返し単位を有する樹脂であるか、あるいは、前記第１の樹脂組成物（Ｉ）が、芳香族化合物を更に含有する、有機溶剤現像用の積層膜。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
【公開番号】特開２０１３−９７００３（Ｐ２０１３−９７００３Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３６４５６（Ｐ２０１１−２３６４５６）
【出願日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２７日（２０１１．１０．２７）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]