説明

マイクロチップ

【課題】微細流路の変形が生じない高精度なプラスチック製のマイクロチップを提供することである。
【解決手段】マイクロチップ10は、微細流路13となる微細加工が施されたプラスチック製の第1基材11と、第1基材11の微細加工された面に接着剤レス接合されたプラスチック製の第2基材12とを含み、第2基材12の接合面に金属薄膜14が設けられている構成とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、微細流路となる微細加工が施されたプラスチック製の第1基材と、プラスチック製の第2基材とを、接着剤レス接合したマイクロチップに関する。
【背景技術】
【0002】
近年、マイクロリアクターやマイクロアナリシスシステムと呼ばれる、微細加工技術を利用した化学反応や分離システムに関する研究が盛んになっている。これらの研究は、微細流路を有するマイクロチップ上で行う核酸、タンパク質などの分析や合成、また微量化学物質の迅速分析、さらに医薬品・薬物のハイスループットスクリーニングへの応用が期待されている。このようなシステムにおけるマイクロ化の利点としては、サンプルや試薬の使用量又は廃液量を軽減でき、省スペースで持ち運び可能で、安価であることが挙げられる。
【0003】
一般に、上記の微細流路を有するマイクロチップは、少なくとも一方の基材に微細加工し、2つの基材を貼り合わせることにより製造されている。基材としては、通常、ガラスが用いられる。
【0004】
しかし、ガラスを用いることは高コストになるため、種々のプラスチックが用いられることもある。プラスチックを射出成型することでマイクロチップを安価に大量生産することができ、使い捨てできるディスポーザブルマクロチップとなる。
【0005】
そして、上記プラスチック製のマイクロチップの基材どうしを貼り合わせるには、接着剤により貼り合わせる方法(特許文献1参照)、加熱により貼り合わせる方法(特許文献2参照)、レーザにより貼り合わせる方法(特許文献3参照)、加圧しながらガラス転移点以下に加熱して融着する方法(特許文献4参照)、流路形成溝に流体を流しながら加熱及び加圧して融着する方法(特許文献5参照)などが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開2008−249346号公報
【特許文献2】特開2005−77218号公報
【特許文献3】特開2005−74796号公報
【特許文献4】特開2003−118000号公報
【特許文献5】特開2008−30285号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献1の方法では、接着剤の余剰分が基材間からはみ出し易く、はみ出した接着剤が微細流路を埋めてしまったり、微細流路内を汚染してしまったりするという問題がある。
【0008】
また特許文献2の方法では、加熱により基材が過度に溶解して微細流路の内壁が変形する可能性があり、また微細流路を視覚的に観察するマイクロチップの場合、プラスチックの変形及び変質により測定不良を引き起こす可能性もある。
【0009】
また特許文献3の方法では、2つの基材の接合面のみの加熱は非常に困難である。また、微細流路等の接合部分以外をマスクする方法もあるがマスク工程が余分に必要となり、生産性が悪くコストアップに繋がる。
【0010】
また特許文献4の方法では、微細流路の内壁が熱により変形してしまうおそれがあり、光学分析の妨げとなる。
【0011】
また特許文献5の方法では、流路形成溝に流体を流しながら加熱及び加圧するワークスペースを確保することが困難であったり、流体を流すという余分な工程が必要となり、コストアップに繋がったりする。
【0012】
本発明は、微細流路の変形が生じない高精度なプラスチック製のマイクロチップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0013】
上記目的を達成するために本発明は、微細流路となる微細加工が施されたプラスチック製の第1基材と、第1基材の微細加工された面に接着剤レス接合されたプラスチック製の第2基材とを含むマイクロチップにおいて、第2基材の接合面に金属薄膜が設けられていることを特徴とする。
【0014】
この構成によれば、金属薄膜を介して第1基材と第2基材とが接合される。
【0015】
上記のマイクロチップにおいて、大きな接合強度を得る観点から、前記金属薄膜は、酸素透過性材料であることが好ましい。
【0016】
具体的には、金属薄膜は、Au又はPtであることが好ましい。
【0017】
また上記のマイクロチップにおいて、微細流路の変形を抑制する観点から、第1基材と第2基材とは、ガラス転移点以下で接合することが好ましい。
【0018】
また上記のマイクロチップにおいて、第2基材をプリズムとし、本マイクロチップをSPFS装置用の検出素子として用いるようにしてもよい。
【発明の効果】
【0019】
本発明によると、第2基材の接合面に金属薄膜が設けられていることにより、接着剤レス接合しても、微細流路の変形を生じることがない。したがって、高精度なマイクロチップを提供することができる。また本発明のマイクロチップはプラスチック製で安価であるため、ディスポーザブルマイクロチップとして利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】本発明のマイクロチップの斜視図である。
【図2】本発明のヘリコンスパッタ装置の断面図である。
【図3】本発明のマイクロチップの断面図である。
【図4】比較例のマイクロチップの断面図である。
【図5】本発明のマイクロチップのせん断試験の様子を説明する図である。
【図6】本発明のマイクロチップの引張試験の様子を説明する図である。
【図7】実施例1〜3及び比較例1〜3のマイクロチップの物性の測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【0021】
図1は、本発明のマイクロチップの斜視図である。ここでは、SPFS(表面プラズモン励起増強蛍光分光)装置用の検出素子として用いるマイクロチップ10を例に説明する。図1に示すように、マイクロチップ10は、第1基材11と第2基材12とが接合されてなるものである。なお、マイクロチップを形成する基材数には限定はなく、3つ以上の基材を接合して形成してもよい。
【0022】
第1基材11は、第2基材12との接合面に微細流路13となる微細加工が施されたプラスチック製の基材である。微細流路13は、サンプルを導入、排出する縦穴13a、13bと、第2基材12側の面と合わせて形成される横穴13cとからなる。縦穴13a、13b及び横穴13cの断面形状としては、円形、V字型、U字型、正方形、長方形など、用途に合わせた形状とすればよい。ここでは、縦穴13a、13bの断面を円形(図1参照)、横穴13cの断面を長方形(図3参照)としている。横穴13cの高さは50〜500μmであり、幅は0.5〜5mmである。
【0023】
なお、微細流路13の形状は用途に応じて決定し、例えば、縦穴がなく横穴がマイクロチップを貫通しているような形状であってもよい。
【0024】
第2基材12は、プリズム形状のプラスチック製の基材である。そして、第2基材12の第1基材11と接合される接合面には金属薄膜14が設けられている。この金属薄膜14は、第1基材11と第2基材12とが直接接触しないように、少なくとも第1基材11と接触する部分には設けることとする。この金属薄膜14は、酸素透過性材料からなり、例えば、Au、Pt又はそれらの合金などを用いることが好ましい。
【0025】
金属薄膜14の膜厚には特に限定はないが、実用性の観点から500nm以下が好ましい。特に、SPFS装置用の検出素子として利用する場合、その膜厚は、30〜100nmであればよく、好ましくは、40〜60nmである。ここでは50nmを採用した。
【0026】
第1又は第2基材11、12に用いられるプラスチックは、例えば、ポリカーボネート、フルオレン系ポリエステル(OKP;大阪ガスケミカル株式会社)、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、アクリル、ポリスチレン、ポリプロピレンなどを用いることができる。特に、SPFS装置用の検出素子として利用する場合は、透明で高屈折率の材料を用いる必要がある。ここでは、シクロオレフィンポリマー(ZEONEX480R;日本ゼオン株式会社)を用いた。
【0027】
次に、第1基材11及び第2基材12の製造方法について説明する。第1及び第2基材11、12は、射出成形、削り出し、再加熱成形などの手法で成形される。第1基材11の微細加工は、ドリル、ルーター等の切削機械で溝及び貫通穴を加工することで行われる。
【0028】
一方、第2基材12への金属薄膜14の成膜は、スパッタ法、真空蒸着法、鍍金などを用いることができる。以下、一例として、プラズマ支援型スパッタ法を用いた場合について説明する。
【0029】
プラズマ支援型スパッタ法を行うため、日本真空光学株式会社製のヘリコンカソードを真空槽に取り付けたヘリコンスパッタ装置を用いる。到達真空度は1.33×10-4Pa(=1×10-6Torr)以下である。図2にヘリコンスパッタ装置20の断面図を示す。
【0030】
ヘリコンスパッタ装置20は、真空槽21と、真空槽21の下部に取り付けられたヘリコンカソード22と、真空槽21内にヘリコンカソード22と対向するように設けられた基材ホルダ23と、ヘリコンカソード22と基材ホルダ23との間に設けられたシャッター24と、シャッター24を上下左右に移動可能に支持する支持部25とを備えている。
【0031】
真空槽21には、排気系と繋ぐ排気管21aと、電離真空計へ接続される計測管21bとが形成されている。基材ホルダ23には第2基材12が取り付けられる。
【0032】
ヘリコンカソード22は、カソード22aと、カソード22aの上面に設けられたターゲット22bと、ターゲット22bの上方に設けられた支援コイル22cと、Arガスを導入するガス導入管22dと、カソード22a、ターゲット22b、支援コイル22c及びガス導入管22dを上方を開放して覆うカバー22eと、カソード22aに接続される第1高周波電源22fと、支援コイル22cに接続される第2高周波電源22gと、カソード22aを冷却するための循環冷却系(不図示)とを備えている。ターゲット22bには、4N金ターゲット(フルウチ化学株式会社)を用いた。
【0033】
このヘリコンスパッタ装置20を用い、以下のように成膜する。まず、基材ホルダ23に第2基材12を取り付ける。そして、シャッター24の位置を、図2のように、カバー22eの上方30mm以上に調整する。続いて、真空にした後、ガス導入管22dにArガスを流し、真空槽21内をArイオン雰囲気にする。
【0034】
次に、第2基材12の温度を75℃、第1高周波電源22fを100W、第2高周波電源22gを50Wとし、3分40秒成膜することで、第2基材12に上に50nm厚のAu膜を成膜する。この状態において、真空槽21内のAuイオン濃度は50%以上(残りはArと若干の酸素及び炭素である)であり、真空度は6.66×10-2Pa(=5×10-4Torr)である。
【0035】
次に、第1基材11と第2基材12との接合方法について説明する。ここでは、接着剤レス接合法を用い、ガラス転移点(Tg)以下に加熱し、加圧して接合する。加熱をTg以下にするのはプラスチックの変形を抑制するためである。具体的には、今回第1及び第2基材11、12に用いたシクロオレフィンポリマーがTg=138℃であるので、90℃程度に加熱し、2MPaに加圧することが最適な条件である。
【0036】
加熱の方法としては、熱風乾燥機を用いる方法、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、セラミックヒータ等を用いる方法、熱板の熱伝導を利用する方法など、どのような方法を用いてもよい。また、加圧の方法としては、基材に重りを載せる方法、万力等の治具で挟む方法、油圧、空気圧、水圧等を利用したプレス装置を用いる方法など、どのような方法を用いてもよい。
【0037】
図3は、本発明のマイクロチップ10の断面図であり、図4は、比較例のマイクロチップの断面図である。比較例のマイクロチップは、第2基材に金属薄膜が成膜されていないものであり、その他の構成及び製法は本発明のマイクロチップ10と同様である。
【0038】
図3に示すように、本発明のマイクロチップ10においては、微細流路13の横穴13cに変形は見られないが、図4に示すように、比較例のマイクロチップ30においては、横穴13cに変形(凸部12a)が見られる。この凸部12aは、横穴13cの底面(第2基材12の上面)に生じている。これは、第1基材11と第2基材12との接合の際に、加熱されて軟らかくなった第2基材12に第1基材11が加圧により潜り込み(埋め込まれ)、その際に押しのけられた第2基材12の一部が横穴13c内に逃げて膨潤し、凸部12aを生じたと考えられる。
【0039】
次に、本発明のサンプルとして実施例1〜3のマイクロチップ、従来品のサンプルとして比較例1〜3のマイクロチップを作製し、それぞれの物性を評価した。実施例1は、上で例示したマイクロチップ10そのものであり、Auからなる金属薄膜14の膜厚が50nm、90℃に加熱して2MPaで加圧するという接合条件で作製した。これに対して、実施例2は、金属薄膜14の膜厚を100nmとし、実施例3は、金属薄膜14の膜厚を500nmとし、接合条件は実施例1と同様である。実施例2、3は金属薄膜14の膜厚依存性があるかを確かめるために行ったものである。また比較例1〜3は、上の比較例で説明したように金属薄膜14がないものであり、それぞれ90℃、85℃、80℃に加熱して2MPaで加圧しするという接合条件で作製した。
【0040】
物性の評価は、微細流路13の変形量、接合強度について行った。変形量は、横穴13cに生じる凸部12aの高さである。そして接合強度は、引張圧縮試験機(SV−301;今田製作所)を用い、せん断試験及び引張試験により評価した。
【0041】
図5は、マイクロチップ10のせん断試験の様子を説明する図である。マイクロチップ10の第2基材12の側面を固定治具41に固定し、その反対側の第1基材11の側面を圧縮治具42で押すことで接合面のせん断強度を測定した。圧縮速度は12.5mm/minである。
【0042】
図6は、マイクロチップ10の引張試験の様子を説明する図である。マイクロチップ10を固定治具51に固定し、第1基材11上に接着剤(アラルダイトAR−R30;ハンツマン・アドバンスト・マテリアルズ)52で接着された引張治具53を引っ張ることで接合面の剥離強度を測定した。引張速度は12.5mm/minである。
【0043】
図7は、実施例1〜3及び比較例1〜3のマイクロチップの物性の測定結果である。せん断強度が160kPa以上というのは試験機の測定上限以上であったということを示している。また、実施例1〜3の剥離強度測定時の剥離界面は金属薄膜と第1基材11との界面であった。
【0044】
まず、比較例1〜3を見ると、90℃まで加熱した比較例1は、変形量が大きいという短所があり、接合強度が大きいという長所がある。それに対して、80℃までしか加熱しなかった比較例3は変形量が小さいという長所があり、接合強度が小さいという短所がある。比較例2は、比較例1及び3の中間値を示した。
【0045】
一方、実施例1〜3を見ると、変形量が小さいという長所と、接合強度が大きいという長所を兼ね備えていることがわかる。なお、実施例1〜3においては金属薄膜14の膜厚が薄くなるほど変形量は大きくなっているが、この変形量は使用上問題のない範囲である。
【0046】
実施例1〜3の変形量が小さいのは、金属薄膜14により、第2基材12の膨潤が抑えられるためであると推測される。また、実施例1〜3のマイクロチップが接合面に金属薄膜14を設けているにもかかわらず接合強度が大きいのは、金属薄膜14にAuなどの酸素透過性材料を用いているからであると推測される。つまり、酸素透過性があることで、金属薄膜14を介して第1基材11と第2基材12との間で拡散が可能となり強固に接合されるものと推測される。
【0047】
よって、マイクロチップに必要な物性を備えているのは、変形量、接合強度ともに良好である実施例1〜3のマイクロチップであるといえる。
【0048】
このように、本実施形態のマイクロチップは、第2基材12の接合面に金属薄膜14が設けられていることにより、接着剤レス接合しても、微細流路13の変形を生じることがなく、したがって、高精度なマイクロチップである。また本実施形態のマイクロチップはプラスチック製で安価であるため、ディスポーザブルマイクロチップとして利用することができる。
【産業上の利用可能性】
【0049】
本発明のマイクロチップは、マイクロリアクターやマイクロアナリシスシステムと呼ばれる、微細加工技術を利用した化学反応や分離システムに利用することで、微細流路を有するマイクロチップ上で行う核酸、タンパク質などの分析や合成、また微量化学物質の迅速分析、さらに医薬品・薬物のハイスループットスクリーニングへの応用が期待できる。
【0050】
例えば、生体分子の微量検出に表面プラズモン共鳴が利用されており、SPFSもその一つである。この測定には、プリズムにAu膜を成膜した、いわゆるクレッチマン配置を用いている。このAu膜上に試料を載せP偏光の光を入射させると、ある入射角においてAu膜表面の極近傍の電場が大きく増強され、極微量の物質を検知できる。このことから医療分野への応用も考えられており、例えばガン診断などに利用することで早期にガンを発見することが期待されている。本発明のマイクロチップは、これに用いられる検出素子として特に有効である。
【符号の説明】
【0051】
10 マイクロチップ
11 第1基材
12 第2基材
13 微細流路
14 金属薄膜

【特許請求の範囲】
【請求項1】
微細流路となる微細加工が施されたプラスチック製の第1基材と、第1基材の微細加工された面に接着剤レス接合されたプラスチック製の第2基材とを含むマイクロチップにおいて、
第2基材の接合面に金属薄膜が設けられていることを特徴とするマイクロチップ。
【請求項2】
前記金属薄膜は、酸素透過性材料であることを特徴とする請求項1記載のマイクロチップ。
【請求項3】
前記金属薄膜は、Au又はPtであることを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロチップ。
【請求項4】
前記第1基材と前記第2基材とは、ガラス転移点以下で接合されることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のマイクロチップ。
【請求項5】
前記第2基材がプリズムであり、本マイクロチップはSPFS装置用の検出素子であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のマイクロチップ。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2010−247056(P2010−247056A)
【公開日】平成22年11月4日(2010.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2009−98536(P2009−98536)
【出願日】平成21年4月15日(2009.4.15)
【出願人】(000001270)コニカミノルタホールディングス株式会社 (4,463)
【Fターム(参考)】