メモリカードソケット
【課題】メモリカードの取出操作の開始を確実に検出できる小型で部品点数の少ないメモリカードソケットを提供する。
【解決手段】ソケットＡは、ソケット本体内に前後方向に移動自在に配置され、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダー６と、スライダー６を前方に付勢するコイルばね７と、スライダー６が最後部位置まで移動した状態で押力が解除されるとスライダー６を所定位置でロックし、該ロック後にスライダー６が後方へ押されるとロックを解除するロック機構３６（ハートカム溝部３０及びカムピン８など）と、ロック状態でメモリカードのＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８と、ロック状態のスライダー６が後方へ押されるとロック解除位置付近でＩ／Ｏ接触面に接触するトリガーコンタクトＣ９と、各コンタクトＣ１〜Ｃ１１を保持してソケット本体内の後部に配置される基台４を備える。
【解決手段】ソケットＡは、ソケット本体内に前後方向に移動自在に配置され、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダー６と、スライダー６を前方に付勢するコイルばね７と、スライダー６が最後部位置まで移動した状態で押力が解除されるとスライダー６を所定位置でロックし、該ロック後にスライダー６が後方へ押されるとロックを解除するロック機構３６（ハートカム溝部３０及びカムピン８など）と、ロック状態でメモリカードのＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８と、ロック状態のスライダー６が後方へ押されるとロック解除位置付近でＩ／Ｏ接触面に接触するトリガーコンタクトＣ９と、各コンタクトＣ１〜Ｃ１１を保持してソケット本体内の後部に配置される基台４を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＤメモリカード（登録商標）やマルチメディアカード（ＭＭＣ）やマイクロＳＤカード（登録商標）のようなメモリカードやＳＤメモリカードと同様の大きさおよび端子配列を有するＳＤＩＯカード（登録商標）を挿抜自在に接続するためのメモリカードソケットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のメモリカードソケットとして、前面に開口したカード挿入口を通してメモリカードがスライドして挿抜されるソケット本体と、ソケット本体の内部に前後方向に移動自在に配置され、カード挿入口から挿入されたメモリカードの先端側と衝合し、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダーと、スライダーを前方方向へ常時付勢する付勢ばねと、スライダーが最後部位置まで移動した状態でメモリカードの押力が解除されるとスライダーを所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードへの押力が加わってスライダーが後方移動するときにロックを解除するロック機構と、ロック機構によりスライダーがロックされた状態でメモリカードの一面に設けた複数のＩ／Ｏ接触面にそれぞれ接触する複数のＩ／Ｏコンタクトとを備えたものが従来提供されていた（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に開示されるメモリカードソケットでは、メモリカードが挿入されたことを検知するために、メモリカードの挿抜に伴ってカード挿入口側の非検出位置と奥側の検出位置との間で回動する可動アームと、可動アームの回動に応じてオン／オフする接点とを設けてある。そして、メモリカードの非装着時に可動アームが非検出位置に移動すると、接点がオンになり、カード装着時にメモリカードによって可動アームが押され検出位置まで移動すると、接点がオフになるので、接点のオン／オフ状態からメモリカードが装着されているか否かを検出することができる。
【０００４】
ところで、メモリカードソケットに装着されたメモリカードにホスト機器からデータを書き込んでいる途中で、メモリカードソケットからメモリカードが取り出されると、データが破壊されたり消去される可能性があるため、メモリカードの取り出し操作を検出した場合は、メモリカードへのデータ書き込みを停止する必要がある。
【０００５】
しかしながら、上述のメモリカードソケットが備えるカード検出機構（可動アームおよび接点からなる）は、メモリカードが装着されているか否かを検出するものであり、スライダーのロックが解除された後、スライダーが前方方向へ移動する途中で接点がオフからオンに切り替わっていた。したがって、接点がオフからオンに反転したことから、カードの取り出し操作を検出した時点より、コンタクトがＩ／Ｏ接触面から離れるまでの時間が数ｍ秒〜数十ｍ秒と短く、ホスト機器によるデータの書き込み停止処理が間に合わずに、データが破壊されたり消去される可能性があった。
【０００６】
そこで、メモリカードソケットに、カードの取り出し操作を検出するためのスイッチを設け、取り出し操作を開始する時点でメモリカードの取り出し操作を検出することによって、コンタクトがＩ／Ｏ接触面から離れるまでの間に、メモリカードへのデータ書き込みを停止させるようにしたものも従来提供されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００７−９４５０７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８５２０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した特許文献２に示されるメモリカードソケットでは、メモリカードの取り出し操作を開始する時点でメモリカードの取り出しを検出しているので、コンタクトがＩ／Ｏ接触面から離れるよりも前にメモリカードへの書き込み処理を停止することが可能であるが、カードの取り出し操作を検出するためにマイクロスイッチを追加しているため、部品点数が増加し、それによってソケット全体の大きさが大型化するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、メモリカードの取り出し操作が開始されたことを確実に検出できる小型で部品点数の少ないメモリカードソケットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、前面に開口したカード挿入口を通してメモリカードがスライドして挿抜されるソケット本体と、ソケット本体の内部に前後方向に移動自在に配置され、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダーと、スライダーを前方方向へ常時付勢する付勢ばねと、スライダーが最後部位置まで移動した状態でメモリカードの押力が解除されるとスライダーを所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードへの押力が加わってスライダーが後方移動するときにロックを解除するロック機構と、ロック機構によりスライダーがロックされた状態でメモリカードの一面に設けた複数のＩ／Ｏ接触面にそれぞれ接触する複数のＩ／Ｏコンタクトと、ロック状態ではＩ／Ｏ接触面に接触せず、ロック状態のスライダーを後方へ押した際にロック状態の解除位置付近で、Ｉ／Ｏ接触面に電気的に接触する取り出し操作検知用のトリガーコンタクトと、Ｉ／Ｏコンタクト及びトリガーコンタクトを保持してソケット本体内の後部に配置される基台とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、トリガーコンタクトが接触するＩ／Ｏ接触面は、Ｖss端子用のＩ／Ｏ接触面であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、トリガーコンタクトと同じＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／Ｏコンタクトは、トリガーコンタクトと幅方向に並べて配置され、トリガーコンタクトよりも前方の部位でトリガーコンタクト側に曲げられたことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の何れかの発明において、トリガーコンタクトが複数設けられ、複数のトリガーコンタクトは、カード挿抜方向において互いに異なる位置でＩ／Ｏ接触面に接触することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、プッシュオン・プッシュオフ型のロック機構を備えるメモリカードソケットにおいて、メモリカードの取り出し時にメモリカードを後方へ押すことによって、スライダーがロック位置からロック解除位置まで移動すると、トリガーコンタクトがＩ／Ｏ接触面に電気的に接触するので、ロック解除位置で取り出し操作の開始を検出でき、ロック状態の解除後スライダーが前方方向へ移動する途中で取り出し操作を検出するメモリカードソケットに比べて早い段階で取り出し操作を検出できるから、Ｉ／ＯコンタクトがメモリカードのＩ／Ｏ接触面から離れるまでの間にデータ書き込み処理を停止させることができ、データが破壊されたり消去されるのを防止することができる。しかも、請求項１の発明によれば、ロック解除位置付近でＩ／Ｏ接触面と接触するトリガーコンタクトによって、メモリカードの取り出し操作を検知しており、このトリガーコンタクトはＩ／Ｏコンタクトと共に基台に保持されているので、別途マイクロスイッチを追加する場合に比べて部品点数を少なくでき、メモリカードソケットの小型化を図ることもできる。
【００１４】
請求項２の発明によれば、トリガーコンタクトがＶss端子用のＩ／Ｏ接触面に接触すると、トリガーコンタクトの電圧レベルがグランドレベルとなるので、トリガーコンタクトの電圧レベルの変化から、メモリカードの取り出し操作が開始されたことを検出することができる。
【００１５】
請求項３の発明によれば、当該トリガーコンタクトと同じＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／Ｏコンタクトは、トリガーコンタクトよりも前方部位でトリガーコンタクト側に曲げられているので、トリガーコンタクトと反対側にある他のＩ／Ｏコンタクトとの間隔を広げることができ、その結果、他のＩ／Ｏコンタクトとの短絡を防止しつつ、Ｉ／Ｏ接触面と接触する部位の幅寸法を広げることができ、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
請求項４の発明によれば、複数のトリガーコンタクトを、カード挿抜方向において互いに異なる位置でＩ／Ｏ接触面と接触させているので、複数のトリガーコンタクトの検知状態をもとにメモリカードの取り出し操作が開始されたことを確実に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施の形態を図１〜図１２に基づいて説明する。尚、以下の説明では特に断りが無いかぎり、図１中の矢印ａ−ｂを上下方向、矢印ｃ−ｄを左右方向、矢印ｅ−ｆを前後方向として説明を行う。
【００１８】
本実施形態のメモリカードソケット（以下、ソケットと略称す。）Ａは、マイクロＳＤカードのようなメモリカードが挿抜自在に接続されるソケットであり、ベースシェル１及びカバーシェル２からなるソケット本体３と、複数のＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８、取り出し操作検知用のトリガーコンタクトＣ９及びカード装着検知用の検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１を樹脂製の基台４に保持させて構成されるコンタクトブロック５と、スライダー６と、コイルばね（付勢ばね）７と、カムピン８と、ロックばね９と、検知レバー１０と、弾性を有する導電性金属により形成されたトーションばね１１とを主要な構成として備える。
【００１９】
ベースシェル１は、例えば厚さが極薄い矩形板状のステンレス金属板に打ち抜き加工且つ曲げ加工を施すことにより形成され、矩形板状の主片１ａの左右両側部を上側に折り曲げて側片１ｂ，１ｃを形成したものであり、上側及び前後両側が開放されている。
【００２０】
ベースシェル１の主片１ａの左側部および後部には上側に突出する複数個（例えば３個）の突出片１２が折り曲げ形成されており、これらの突出片１２を後述する基台４下面の圧入溝（図示せず）に圧入することで、ベースシェル１の上面に基台４が圧入固定されるようになっている。尚、主片１ａの後端よりやや前方には、コンタクトブロック５に保持されるコンタクトＣ１〜Ｃ８及びトリガーコンタクトＣ９を逃がすための貫通孔１３が複数形成されている。また主片１ａの前側縁の右端には、メモリカードＭＣの通過位置よりも外側位置（右側）から上側方向へ突出する抜止片１４が折り曲げ形成されている。また主片１ａの右側部には、スライダー６の下面に設けた凹溝１６に嵌ってスライダー６を前後方向に沿ってガイドする一対の突条１５が前後方向に並んで切り起こし形成されている。
【００２１】
カバーシェル２は、ベースシェル１と同様、厚さが極薄い矩形板状のステンレス金属板に打ち抜き加工且つ曲げ加工を施すことにより形成され、矩形板状の主片２ａの後縁から下方に突出する曲げ片２ｂが折り曲げ形成されるとともに、主片２ａの右側部の後部寄りにはカムピン８を下側に押圧する弾接ばね片１７が切り起こし形成されている。このカバーシェル２は、上面にコンタクトブロック５の基台４が固定されたベースシェル１の上側に載置され、ベースシェル１とカバーシェル２との当接部位をレーザ溶接などの方法で溶接することによって、カバーシェル２がベースシェル１に固定され、前面にカード挿入口３ａが開口する扁平な箱状のソケット本体３が形成される（図２参照）。
【００２２】
コンタクトブロック５は平面視の形状が略Ｌ形に形成された樹脂成型品からなる基台４を備え、この基台４は、ベースシェル１及びカバーシェル２の後側辺に沿って配置されて、ソケット本体３の後面を閉塞する奥壁部４ａと、奥壁部４ａの左側部から前方に突出しベースシェル１の側片１ｂに沿って配置される横壁部４ｂとで構成されている。
【００２３】
奥壁部４ａには，導電性金属により棒状に形成された複数のＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８、トリガーコンタクトＣ９及び検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１が圧入或いは同時成形により両端部を前後方向に貫通させた状態で保持されている。ここにおいて、Ｉ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８は、図５（ａ）（ｂ）に示すようにメモリカードＭＣの後部（カード挿入方向における先端側）の裏面に並行形成された複数（マイクロＳＤカードの場合は８極）のＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８（Ｉ／Ｏ接触面）にそれぞれ対応接触する位置に設けられ、トリガーコンタクトＣ９はＶss端子（ＧＮＤ端子）用のＩ／ＯパッドＰ６に対応接触する位置に設けられている。また検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１は奥壁部４ａの右側寄りに保持されている。尚、各コンタクトＣ１〜Ｃ１１の後端部は奥壁部４ａの後面から後方に突出して、ホスト機器Ｂの回路基板（図示せず）の導体パターン又は電極に半田付けなどにより接合される端子片１８となり、複数個の端子片１８は略一定のピッチで幅方向に並べて配列されている。
【００２４】
また奥壁部４ａの右側端には、前後方向に延びる短冊状のスプリングガイド１９が一体に保持されており、このスプリングガイド１９にコイルばね７の一端側が挿入保持され、コイルばね７の座屈変形を防止している。
【００２５】
また奥壁部４ａの前面寄りの上側角には、メモリカードＭＣの装着時に検知レバー１０が入り込む凹所２０が設けられるとともに、この凹所２０の上面に検知レバー１０を枢支する円柱状の軸２１が突設されている。検知レバー１０は一端側に設けた軸孔１０ａ内に軸２１を差し込むことによって、奥壁部４ａに回動自在に枢支されている。また軸２１には検知レバー１０と共にトーションばね１１が挿入されており、図３に示すようにトーションばね１１の一方の端部１１ａを検知コンタクトＣ１０の係止溝２２に係合させるとともに、他方の端部１１ｂを検知レバー１０の引掛片１０ｂに引掛係止させることによって、検知レバー１０が軸２１を中心として図４中左回りに付勢され、メモリカードＭＣが装着されていない状態では、検知レバー１０の先端部１０ｃがカード挿入口３ａ側に突出している。
【００２６】
また基台４の横壁部４ｂには、カード挿入方向に沿って延び、メモリカードＭＣの裏面と対向する段部２４が設けられている。
【００２７】
スライダー６は合成樹脂成型品であって、下面に設けた凹溝１６をベースシェル１の突条１５，１５に係合させることによって、前後方向に移動自在となっている。またスライダー６の後部裏面には、コイルばね７の前端側が挿入される凹溝２８が設けられ、コイルばね７によって常時前方（カード挿入方向と反対側）に付勢されている。
【００２８】
またスライダー６の上面には、メモリカードＭＣの片側の先端寄りに設けた切欠部１０１（図５参照）に衝合する突出壁２５が突設されている。スライダー６の上面において、突出壁２５よりもカード挿入方向と反対側の部位には、略Ｕ字形に形成されたロックばね９を収める収納凹所２６が形成されており、収納凹所２６の周壁２６ａに設けた切欠部２７を通して、ロックばね９の一側片に設けた係止爪９ａがカード収納空間側に突出し、メモリカードＭＣの片側縁に設けたロック用凹所１０２と係合するようになっている。
【００２９】
また更にスライダー６の上面には、一方の軸部８ａが基台４の上面に設けた軸孔２９に回動自在に軸支されたカムピン８の他方の軸部８ｂを所定経路で案内するハートカム溝部３０が形成されている。ハートカム溝部３０は、平面視の形状がハート形のハートカム３１と、ハートカム３１の周部に形成されたガイド溝３２とで構成され、ガイド溝３２の底面には軸部８ｂを所定経路で移動させるために適宜段差を設けてある。そして、カムピン８の軸部８ｂをコイルばね７の付勢力或いはメモリカードＭＣの押し込み力によってガイド溝３２の周壁に押し当てるとともに、カバーシェル２に設けた弾接ばね片１７によって軸部８ｂをガイド溝３２の底面に押し当てることで、スライダー６の前後移動に伴って、ガイド溝３２とこのガイド溝３２の底面に形成した凹凸面とで、軸部８ｂのガイド溝３２内での相対的な移動がガイドされ、軸部８ｂが所定経路でガイド溝３２内を移動するようになっている。尚、ハートカム３１の前部には、前側に開放された凹部３３が形成されており、スライダー６が最後部位置へ移動した後、メモリカードＭＣの押力が解除された際に、カムピン８の軸部８ｂが凹部３３に嵌り込むことで、スライダー６の前方方向への移動が規制され、スライダー６が所定位置でロックされるようになっている。ここにおいて、ハートカム溝部３０及びカムピン８などから、スライダー６が最後部位置まで移動した状態でメモリカードＭＣの押力が解除されるとスライダー６を所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードＭＣへの押力が加わってスライダー６が後方移動するときにロックを解除するプッシュオン・プッシュオフ型のロック機構３６が構成される。
【００３０】
このソケットＡを組み立てるに当たっては、コンタクトＣ１〜Ｃ１１を圧入或いは同時成形により一体に保持させたコンタクトブロック５の基台４をベースシェル１の上面に載置し、ベースシェル１の突出片１２を基台４の下面に設けた圧入溝に圧入することによって、基台４をベースシェル１上に固定する。そして、基台４に一体に保持されたスプリングガイド１９にコイルばね７の後端部を挿入した状態で、コイルばね７の他端側をスライダー６の下面の凹溝２８内に挿入させるとともに、ベースシェル１の突条１５をスライダー６下面の凹溝１６内に挿入させるようにして、スライダー６をベースシェル１上に載置した後、カムピン８の一方の軸部８ａを基台４の軸孔２９に係入させるとともに、他方の軸部８ｂをハートカム溝部３０のガイド溝３２に係入させる。また基台４の軸２１にトーションばね１１を挿入して、トーションばね１１の一方の端部１１ａを検知コンタクトＣ１０の係止溝２２に係止させるとともに、他方の端部１１ｂを検知コンタクトＣ１１に設けたばね受け片２３と当接させた後、軸２１に検知レバー１０を枢支させて、検知レバー１０の引掛片１０ｂをトーションばね１１の他方の端部１１ｂに引掛係止させる。その後、ベースシェル１の両側片１ｂ，１ｃの先端部間にカバーシェル２を橋架する形で載置し、ベースシェル１とカバーシェル２との当接部位をレーザ溶接等の方法で接合することで、前部にカード挿入口３ａが開口した箱状のソケット本体３が形成され、ソケットＡの組立が完了する。尚、この状態ではスライダー６が前端位置まで移動しており、スライダー６の移動に伴って、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２の後端の位置Ａ（図４参照）に移動している。
【００３１】
次に、ソケットＡにメモリカードＭＣを挿抜する際の動作について説明する。メモリカードＭＣが装着されていない状態では、コイルばね７の弾発力を受けて、前端部が抜止片１４と衝合する位置までスライダー６が前方方句に移動している。また検知レバー１０は、トーションばね１１の弾発力を受けて図４中左回りに回転し、後端部が凹所２０の前端面に当接する位置で停止しており、この状態ではトーションばね１１の端部１１ｂが検知コンタクトＣ１１のばね受け片２３に接触しているので、検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１間がトーションばね１１を介して導通（ＯＮ）している（カード非検知状態）。
【００３２】
この状態からメモリカードＭＣを前後方向及び表裏方向を正規の方向に向けてカード挿入口３ａからソケット内部に挿入すると、メモリカードＭＣがスライダー６と基台４の横壁部４ｂとの間に挿入されて、メモリカードＭＣの裏面が、横壁部４ｂおよびスライダー６にそれぞれ設けた段部２４，３４の上側に乗ることになる。そして、メモリカードＭＣをソケット本体３内に更に挿入すると、メモリカードＭＣの先端側に設けた切欠部１０１がスライダー６の突出壁２５に衝合してスライダー６を後方へ押すとともに、スライダー６に保持されたロックばね９の係止爪９ａがメモリカードＭＣのロック用凹所１０２内に係入することで、スライダー６にメモリカードＭＣが保持されることになる。
【００３３】
その後、スライダー６に加わるコイルばね７の弾発力に抗してメモリカードＭＣを更に内側へ押し入れると、メモリカードＭＣの移動に共動してスライダー６が後退することになる。このスライダー６の後退によりカムピン８の軸部８ｂはガイド溝３２の底面に設けた凹凸形状によってガイドされながら、ガイド溝３２内を図４中の下側へ移動し、図４中の位置Ｂに移動することになる。そして、メモリカードＭＣの先端位置が基台４の奥壁部４ａ前面に当たる位置に近い位置までメモリカードＭＣを押し込むと、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２の前端部に当たる位置Ｃに至ることになり、それ以上の押し込みができなくなる。
【００３４】
そして、この位置でメモリカードＭＣに加えていた押力を解除すると、コイルばね７の弾発力を受けてスライダー６がメモリカードＭＣと共に前方へ戻りかけるが、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２に案内されながらハートカム３１の凹部３３に嵌り込む位置Ｄまで移動することになる。従ってカムピン８の軸部８ｂがハートカム３１の凹部３３に当接することで、これ以上のスライダー６の前方移動が規制され、ロックばね９によってロックされたメモリカードＭＣもその位置でソケット本体３内に留まることになる。このロック位置では、図５（ａ）、図６及び図７（ａ）に示すように、コンタクトブロック５の奥壁部４ａから前方に突出するＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８がメモリカードＭＣのＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８にそれぞれ接触することになり、ソケットＡを介してホスト機器ＢとメモリカードＭＣとの間でデータの授受が行われる。尚、図７（ａ）〜（ｈ）ではトリガーコンタクトＣ９及びその近傍にあるＩ／ＯコンタクトＣ５〜Ｃ７と、これらコンタクトＣ５〜Ｃ７，Ｃ９に対応接触するＩ／ＯパッドＰ５〜Ｐ７のみを図示してあり、図中の矢印は各々の位置でのメモリカードＭＣの移動方向を示している。また図８はロック状態のメモリカードＭＣを取り出す際のタイミングチャートであり、同図（ａ）はトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルを、同図（ｂ）は検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１による検知／非検知状態を、同図（ｃ）はＩ／ＯコンタクトＣ６のオン／オフ状態をそれぞれ示し、図８中のａ〜ｈはそれぞれ図７の（ａ）〜（ｈ）に示す位置に対応する。
【００３５】
スライダー６のロック位置では図７（ａ）に示すようにトリガーコンタクトＣ９が対応するＶss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に接触していないので、トリガーコンタクトＣ９の電圧レベルはＨレベルとなり（非検知状態）、ホスト機器Ｂのマイコン４０にはトリガーコンタクトＣ９からＨレベルの信号が入力される。またメモリカードＭＣがロック位置で保持された状態では、メモリカードＭＣの先端部で検知レバー１０の先端部１０ｃが押されて、検知レバー１０が軸２１を中心に図４中右回りに回転し、検知レバー１０の引掛片１０ｂによってトーションばね１１の端部１１ｂが図４中右回りに押され、検知コンタクトＣ１１のばね受け片２３から離れるので、検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１間が非導通（ＯＦＦ）になる（カード検知状態）。すなわち図８に示すように位置ａではトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルはＨレベル（非検知状態）、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間はオフ状態、Ｉ／ＯコンタクトＣ６はＩ／ＯパッドＰ６に接触した状態（ＯＮ状態）となっている。
【００３６】
以上のようにして装着されたメモリカードＭＣをソケットＡから取り出す際は、まずソケット本体３のカード挿入口３ａより外部に露出するメモリカードＭＣの後部を挿入方向に押し、メモリカードＭＣと共にスライダー６を挿入方向へ移動させると、この移動によってカムピン８の軸部８ｂがハートカム３１の凹部３３から離脱するとともに、ガイド溝３２にガイドされて凹部３３より左側前方に出て、ガイド溝３２内をカード挿入口３ａ側に移動する（実際にはスライダー６がカード挿入方向へ移動している）。そして、メモリカードＭＣが図７（ｂ）に示す位置まで移動すると、メモリカードＭＣの移動に伴い、トリガーコンタクトＣ９がＶss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に接触するので、ホスト機器Ｂのマイコン４０にＬレベルの信号（取り出し検知信号）が入力される。なお本実施形態ではトリガーコンタクトＣ９が、Ｖss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に対応接触するようになっており、常時はトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルがＨレベルであり、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６に接触すると、トリガーコンタクトＣ９の電圧レベルがグランドレベルとなるので、ホスト機器Ｂのマイコン４０では、トリガーコンタクトＣ９の電圧レベルがＨレベルからＬレベルに変化したことを受けて、メモリカードＭＣの取り出し操作が開始されたことを検出することができ、この検知時にＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８を介したデータの授受を停止させる処理を行っている
また、メモリカードＭＣを図７（ｂ）に示す位置から更に押し込むと、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２内の前端部に当たる位置（カード押し切り位置）Ｅまで移動し、それ以上の挿入方向への押し込みが禁止される（図７（ｃ）及び図８（ｃ）参照）。
【００３７】
その後、メモリカードＭＣに与えた押力を無くすと、スライダー６はコイルばね７の弾発力を受けて前方へ移動し、スライダー６と共にメモリカードＭＣが図７（ｄ）に示す位置まで移動すると、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６から離れるので、トリガーコンタクトＣ９の信号レベルがＬレベル（検知状態）からＨレベル（非検知状態）に変化する（図８参照）。尚、この位置ではＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８はそれぞれ対応するＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８に電気的に接続され、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間は非導通状態（カード検知状態）となっている。
【００３８】
その後もメモリカードＭＣはスライダー６と共に前方方向へ移動しており、図７（ｅ）に示すカードセット位置を通過し、図７（ｆ）に示す位置までくると、メモリカードＭＣの先端部が検知レバー１０の先端部１０ｃから離れるので、検知レバー１０の引掛片１０ｂがトーションばね１１の端部１１ｂを押す力が無くなり、端部１１ｂが検知コンタクトＣ１１のばね受け片２３に接触するので、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間が導通状態（ＯＮ）となる（カード非検知状態）。またメモリカードＭＣが図７（ｇ）に示す位置まで移動すると、Ｉ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８の内、信号用の６本のＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７，Ｃ８がそれぞれ対応するメモリカードＭＣのＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ８から離れ、その後図７（ｈ）に示す位置まで移動すると、電源電圧の正極側のＩ／ＯコンタクトＣ４（Ｖdd端子用）及び負極側のＩ／ＯコンタクトＣ６（Ｖss端子用）が、それぞれ、メモリカードＭＣのＩ／ＯパッドＰ４，Ｐ６から離れるので（ＯＦＦ状態）、メモリカードＭＣへの電源供給が停止される。そして、メモリカードＭＣと共にスライダー６が更に前方へ移動し、カムピン８の軸部８ｂがハートカム３１の左側のガイド溝３２内の位置Ｆを通って、ガイド溝３２の後端部の位置Ａまで移動すると、メモリカードＭＣの後部がソケット本体３のカード挿入口３ａから外部へ大きく露出するので、メモリカードＭＣをソケット本体３から取り出すことが可能になる。
【００３９】
以上説明したように、プッシュオン・プッシュオフ型のロック機構３６を備えるソケットＡにおいて、ロック状態にあるメモリカードＭＣの取り出し時にメモリカードＭＣを後方へ押すことによって、スライダー６がロック位置からロック解除位置まで移動すると、トリガーコンタクトＣ９が対応するＩ／ＯパッドＰ６に電気的に接触するので、ロック解除位置付近で取り出し操作の開始を検出でき、ロック状態の解除後スライダー６が前方方向へ移動する途中で取り出し操作を検出する従来のメモリカードソケットに比べて早い段階で取り出し操作を検出できるから、Ｉ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８が対応するＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８から離れるまでの間にホスト機器Ｂによりデータ書き込み処理を停止させることができ、データが破壊されたり消去されるのを防止することができる。しかも本ソケットでは、ロック解除位置においてＩ／ＯパッドＰ６と接触するトリガーコンタクトＣ９によって、メモリカードＭＣの取り出し操作を検知しており、このトリガーコンタクトＣ９はＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８及び検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１と共にコンタクトブロック５の基台４に保持されているので、別途マイクロスイッチを追加する場合に比べて部品点数を少なくでき、またソケットＡの小型化を図ることもできる。
【００４０】
尚、上述の実施形態ではトリガーコンタクトの本数が１本であるが、カード挿抜方向において互いに異なる位置で、メモリカードＭＣのＩ／Ｏ接触面に接触する複数のトリガーコンタクトを設けても良い。図９に示す形態では、カード挿抜方向において互いに異なる位置で、Ｖss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に接触する２本のトリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２を設けている。図１０はロック状態のメモリカードＭＣを取り出す際のタイミングチャートであり、同図（ａ）はトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルを、同図（ｂ）はトリガーコンタクトＣ１２の電圧レベルを、同図（ｃ）は検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１による検知／非検知状態を、同図（ｄ）はＩ／ＯコンタクトＣ６のオン／オフ状態をそれぞれ示している。なお図１０中のａ〜ｈは、それぞれ図７の（ａ）〜（ｈ）に示す位置に対応しており、位置ａではトリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２の電圧レベルはＨレベル（非検知状態）、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間はオフ状態（カード検知状態）、Ｉ／ＯコンタクトＣ６はＩ／ＯパッドＰ６に接触した状態（ＯＮ状態）となっている。
【００４１】
トリガーコンタクトＣ１２は、トリガーコンタクトＣ９よりも前側の位置（カード挿入口３ａに近い位置）でＩ／ＯパッドＰ６に接触する。したがって、図１０のタイミングチャートに示されるように、ロック状態のメモリカードＭＣを取り外す際には、メモリカードＭＣが位置ａ（ロック状態の位置）から位置ｂまで押し込まれて、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６に接触するよりも前に、トリガーコンタクトＣ１２がＩ／ＯパッドＰ６に接触して、その信号レベルがＬレベル（検知状態）に切り替わる。また、押し込み力を解除してメモリカードＭＣが取出方向へ移動する際には、メモリカードＭＣが位置ｄを過ぎて、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６から離れた後も、トリガーコンタクトＣ１２はＩ／ＯパッドＰ６と接触し続け、メモリカードＭＣが位置ｄから位置ｅ（カードセット位置）に移動するまでの間にトリガーコンタクトＣ１２がＩ／ＯパッドＰ６から離れて、トリガーコンタクトＣ１２の信号レベルがＨレベル（非検知状態）に切り替わる。この場合、ホスト機器Ｂのマイコン４０は、２本のトリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２の信号レベルをもとに、メモリカードＭＣの取出操作が開始されたか否かを判断しており、トリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２の信号レベルが両方共にＬレベルになると、取出操作が開始されたと判断することによって、ノイズ等の影響による誤検出を防止することができる。
【００４２】
また、上述のソケットＡでは、図１２（ａ）に示すようにトリガーコンタクトＣ９と同じＩ／ＯパッドＰ６に接触するＩ／ＯコンタクトＣ６は、トリガーコンタクトＣ９と幅方向に並べて基台４に保持されており、このＩ／ＯコンタクトＣ６はトリガーコンタクトＣ９よりも前方（カード挿入口３ａ側）の部位が直線状に形成されているので、隣接するＩ／ＯコンタクトＣ７と短絡しないように、Ｉ／ＯコンタクトＣ６の幅寸法が他のＩ／Ｏコンタクトに比べて幅狭に形成されている。そこで、図１１及び図１２（ｂ）に示すように、トリガーコンタクトＣ９と同じＩ／ＯパッドＰ６に接触するＩ／ＯコンタクトＣ６が、トリガーコンタクトＣ９よりも前方（カード挿入口３ａ側）の部位３５でトリガーコンタクトＣ９側に折り曲げられるようにしても良く、折曲部位３５よりも前方の部位と隣接するＩ／ＯコンタクトＣ７との間隔を広げることによって、Ｉ／ＯコンタクトＣ６におけるＩ／ＯパッドＰ６との接触部位の幅寸法が他のＩ／Ｏコンタクトと同程度の幅寸法に広げることができるから、電気的接触の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
なお上述の実施形態では、マイクロＳＤカードのようなメモリカードＭＣが接続されるソケットＡについて説明したが、ＳＤメモリカードやマルチメディアカードのようなメモリカードやＳＤメモリカードと同様の大きさおよび端子配列を有するＳＤＩＯカードが挿抜自在に接続されるメモリカードソケットに本発明を適用しても良いことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施形態のメモリカードソケットの分解斜視図である。
【図２】同上のメモリカードソケットの外観斜視図である。
【図３】同上のカバーシェルを外した状態の斜視図である。
【図４】同上のカバーシェルを外した状態の平面図である。
【図５】（ａ）は同上へのメモリカードの装着状態を模式的に示した説明図、（ｂ）は押し切り位置までメモリカードを押し込んだ状態を模式的に示した説明図である。
【図６】同上のカード装着状態におけるコンタクトとＩ／Ｏパッドの位置関係を示す説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｈ）は、同上のカード装着状態からカード抜き取るまでの間のコンタクトとＩ／Ｏパッドの位置関係を示す説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は同上のカード装着状態からカードを抜き取るまでの間の各部の信号レベルを示すタイミングチャートである。
【図９】（ａ）（ｂ）は同上の他の形態のコンタクト配置を模式的に示した説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は同上のカード装着状態からカードを抜き取るまでの間の各部の信号レベルを示すタイミングチャートである。
【図１１】同上のまた別の形態を示し、カバーシェルを外した状態の平面図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は同上の要部拡大図である。
【符号の説明】
【００４５】
Ａ メモリカードソケット
１ ベースシェル
２ カバーシェル
３ ソケット本体
３ａ カード挿入口
４ 基台
５ コンタクトブロック
６ スライダー
７ コイルばね（付勢ばね）
８ カムピン
３０ ハートカム溝部
３６ ロック機構
Ｃ１〜Ｃ８ Ｉ／Ｏコンタクト
Ｃ９ トリガーコンタクト
Ｃ１０，Ｃ１１ 検知コンタクト
ＭＣ メモリカード
Ｐ１〜Ｐ８ Ｉ／Ｏパッド（Ｉ／Ｏ接触面）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＤメモリカード（登録商標）やマルチメディアカード（ＭＭＣ）やマイクロＳＤカード（登録商標）のようなメモリカードやＳＤメモリカードと同様の大きさおよび端子配列を有するＳＤＩＯカード（登録商標）を挿抜自在に接続するためのメモリカードソケットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のメモリカードソケットとして、前面に開口したカード挿入口を通してメモリカードがスライドして挿抜されるソケット本体と、ソケット本体の内部に前後方向に移動自在に配置され、カード挿入口から挿入されたメモリカードの先端側と衝合し、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダーと、スライダーを前方方向へ常時付勢する付勢ばねと、スライダーが最後部位置まで移動した状態でメモリカードの押力が解除されるとスライダーを所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードへの押力が加わってスライダーが後方移動するときにロックを解除するロック機構と、ロック機構によりスライダーがロックされた状態でメモリカードの一面に設けた複数のＩ／Ｏ接触面にそれぞれ接触する複数のＩ／Ｏコンタクトとを備えたものが従来提供されていた（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
上記特許文献１に開示されるメモリカードソケットでは、メモリカードが挿入されたことを検知するために、メモリカードの挿抜に伴ってカード挿入口側の非検出位置と奥側の検出位置との間で回動する可動アームと、可動アームの回動に応じてオン／オフする接点とを設けてある。そして、メモリカードの非装着時に可動アームが非検出位置に移動すると、接点がオンになり、カード装着時にメモリカードによって可動アームが押され検出位置まで移動すると、接点がオフになるので、接点のオン／オフ状態からメモリカードが装着されているか否かを検出することができる。
【０００４】
ところで、メモリカードソケットに装着されたメモリカードにホスト機器からデータを書き込んでいる途中で、メモリカードソケットからメモリカードが取り出されると、データが破壊されたり消去される可能性があるため、メモリカードの取り出し操作を検出した場合は、メモリカードへのデータ書き込みを停止する必要がある。
【０００５】
しかしながら、上述のメモリカードソケットが備えるカード検出機構（可動アームおよび接点からなる）は、メモリカードが装着されているか否かを検出するものであり、スライダーのロックが解除された後、スライダーが前方方向へ移動する途中で接点がオフからオンに切り替わっていた。したがって、接点がオフからオンに反転したことから、カードの取り出し操作を検出した時点より、コンタクトがＩ／Ｏ接触面から離れるまでの時間が数ｍ秒〜数十ｍ秒と短く、ホスト機器によるデータの書き込み停止処理が間に合わずに、データが破壊されたり消去される可能性があった。
【０００６】
そこで、メモリカードソケットに、カードの取り出し操作を検出するためのスイッチを設け、取り出し操作を開始する時点でメモリカードの取り出し操作を検出することによって、コンタクトがＩ／Ｏ接触面から離れるまでの間に、メモリカードへのデータ書き込みを停止させるようにしたものも従来提供されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００７−９４５０７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８５２０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した特許文献２に示されるメモリカードソケットでは、メモリカードの取り出し操作を開始する時点でメモリカードの取り出しを検出しているので、コンタクトがＩ／Ｏ接触面から離れるよりも前にメモリカードへの書き込み処理を停止することが可能であるが、カードの取り出し操作を検出するためにマイクロスイッチを追加しているため、部品点数が増加し、それによってソケット全体の大きさが大型化するという問題があった。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、メモリカードの取り出し操作が開始されたことを確実に検出できる小型で部品点数の少ないメモリカードソケットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、前面に開口したカード挿入口を通してメモリカードがスライドして挿抜されるソケット本体と、ソケット本体の内部に前後方向に移動自在に配置され、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダーと、スライダーを前方方向へ常時付勢する付勢ばねと、スライダーが最後部位置まで移動した状態でメモリカードの押力が解除されるとスライダーを所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードへの押力が加わってスライダーが後方移動するときにロックを解除するロック機構と、ロック機構によりスライダーがロックされた状態でメモリカードの一面に設けた複数のＩ／Ｏ接触面にそれぞれ接触する複数のＩ／Ｏコンタクトと、ロック状態ではＩ／Ｏ接触面に接触せず、ロック状態のスライダーを後方へ押した際にロック状態の解除位置付近で、Ｉ／Ｏ接触面に電気的に接触する取り出し操作検知用のトリガーコンタクトと、Ｉ／Ｏコンタクト及びトリガーコンタクトを保持してソケット本体内の後部に配置される基台とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、トリガーコンタクトが接触するＩ／Ｏ接触面は、Ｖss端子用のＩ／Ｏ接触面であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、トリガーコンタクトと同じＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／Ｏコンタクトは、トリガーコンタクトと幅方向に並べて配置され、トリガーコンタクトよりも前方の部位でトリガーコンタクト側に曲げられたことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の何れかの発明において、トリガーコンタクトが複数設けられ、複数のトリガーコンタクトは、カード挿抜方向において互いに異なる位置でＩ／Ｏ接触面に接触することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、プッシュオン・プッシュオフ型のロック機構を備えるメモリカードソケットにおいて、メモリカードの取り出し時にメモリカードを後方へ押すことによって、スライダーがロック位置からロック解除位置まで移動すると、トリガーコンタクトがＩ／Ｏ接触面に電気的に接触するので、ロック解除位置で取り出し操作の開始を検出でき、ロック状態の解除後スライダーが前方方向へ移動する途中で取り出し操作を検出するメモリカードソケットに比べて早い段階で取り出し操作を検出できるから、Ｉ／ＯコンタクトがメモリカードのＩ／Ｏ接触面から離れるまでの間にデータ書き込み処理を停止させることができ、データが破壊されたり消去されるのを防止することができる。しかも、請求項１の発明によれば、ロック解除位置付近でＩ／Ｏ接触面と接触するトリガーコンタクトによって、メモリカードの取り出し操作を検知しており、このトリガーコンタクトはＩ／Ｏコンタクトと共に基台に保持されているので、別途マイクロスイッチを追加する場合に比べて部品点数を少なくでき、メモリカードソケットの小型化を図ることもできる。
【００１４】
請求項２の発明によれば、トリガーコンタクトがＶss端子用のＩ／Ｏ接触面に接触すると、トリガーコンタクトの電圧レベルがグランドレベルとなるので、トリガーコンタクトの電圧レベルの変化から、メモリカードの取り出し操作が開始されたことを検出することができる。
【００１５】
請求項３の発明によれば、当該トリガーコンタクトと同じＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／Ｏコンタクトは、トリガーコンタクトよりも前方部位でトリガーコンタクト側に曲げられているので、トリガーコンタクトと反対側にある他のＩ／Ｏコンタクトとの間隔を広げることができ、その結果、他のＩ／Ｏコンタクトとの短絡を防止しつつ、Ｉ／Ｏ接触面と接触する部位の幅寸法を広げることができ、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
請求項４の発明によれば、複数のトリガーコンタクトを、カード挿抜方向において互いに異なる位置でＩ／Ｏ接触面と接触させているので、複数のトリガーコンタクトの検知状態をもとにメモリカードの取り出し操作が開始されたことを確実に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明の実施の形態を図１〜図１２に基づいて説明する。尚、以下の説明では特に断りが無いかぎり、図１中の矢印ａ−ｂを上下方向、矢印ｃ−ｄを左右方向、矢印ｅ−ｆを前後方向として説明を行う。
【００１８】
本実施形態のメモリカードソケット（以下、ソケットと略称す。）Ａは、マイクロＳＤカードのようなメモリカードが挿抜自在に接続されるソケットであり、ベースシェル１及びカバーシェル２からなるソケット本体３と、複数のＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８、取り出し操作検知用のトリガーコンタクトＣ９及びカード装着検知用の検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１を樹脂製の基台４に保持させて構成されるコンタクトブロック５と、スライダー６と、コイルばね（付勢ばね）７と、カムピン８と、ロックばね９と、検知レバー１０と、弾性を有する導電性金属により形成されたトーションばね１１とを主要な構成として備える。
【００１９】
ベースシェル１は、例えば厚さが極薄い矩形板状のステンレス金属板に打ち抜き加工且つ曲げ加工を施すことにより形成され、矩形板状の主片１ａの左右両側部を上側に折り曲げて側片１ｂ，１ｃを形成したものであり、上側及び前後両側が開放されている。
【００２０】
ベースシェル１の主片１ａの左側部および後部には上側に突出する複数個（例えば３個）の突出片１２が折り曲げ形成されており、これらの突出片１２を後述する基台４下面の圧入溝（図示せず）に圧入することで、ベースシェル１の上面に基台４が圧入固定されるようになっている。尚、主片１ａの後端よりやや前方には、コンタクトブロック５に保持されるコンタクトＣ１〜Ｃ８及びトリガーコンタクトＣ９を逃がすための貫通孔１３が複数形成されている。また主片１ａの前側縁の右端には、メモリカードＭＣの通過位置よりも外側位置（右側）から上側方向へ突出する抜止片１４が折り曲げ形成されている。また主片１ａの右側部には、スライダー６の下面に設けた凹溝１６に嵌ってスライダー６を前後方向に沿ってガイドする一対の突条１５が前後方向に並んで切り起こし形成されている。
【００２１】
カバーシェル２は、ベースシェル１と同様、厚さが極薄い矩形板状のステンレス金属板に打ち抜き加工且つ曲げ加工を施すことにより形成され、矩形板状の主片２ａの後縁から下方に突出する曲げ片２ｂが折り曲げ形成されるとともに、主片２ａの右側部の後部寄りにはカムピン８を下側に押圧する弾接ばね片１７が切り起こし形成されている。このカバーシェル２は、上面にコンタクトブロック５の基台４が固定されたベースシェル１の上側に載置され、ベースシェル１とカバーシェル２との当接部位をレーザ溶接などの方法で溶接することによって、カバーシェル２がベースシェル１に固定され、前面にカード挿入口３ａが開口する扁平な箱状のソケット本体３が形成される（図２参照）。
【００２２】
コンタクトブロック５は平面視の形状が略Ｌ形に形成された樹脂成型品からなる基台４を備え、この基台４は、ベースシェル１及びカバーシェル２の後側辺に沿って配置されて、ソケット本体３の後面を閉塞する奥壁部４ａと、奥壁部４ａの左側部から前方に突出しベースシェル１の側片１ｂに沿って配置される横壁部４ｂとで構成されている。
【００２３】
奥壁部４ａには，導電性金属により棒状に形成された複数のＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８、トリガーコンタクトＣ９及び検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１が圧入或いは同時成形により両端部を前後方向に貫通させた状態で保持されている。ここにおいて、Ｉ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８は、図５（ａ）（ｂ）に示すようにメモリカードＭＣの後部（カード挿入方向における先端側）の裏面に並行形成された複数（マイクロＳＤカードの場合は８極）のＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８（Ｉ／Ｏ接触面）にそれぞれ対応接触する位置に設けられ、トリガーコンタクトＣ９はＶss端子（ＧＮＤ端子）用のＩ／ＯパッドＰ６に対応接触する位置に設けられている。また検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１は奥壁部４ａの右側寄りに保持されている。尚、各コンタクトＣ１〜Ｃ１１の後端部は奥壁部４ａの後面から後方に突出して、ホスト機器Ｂの回路基板（図示せず）の導体パターン又は電極に半田付けなどにより接合される端子片１８となり、複数個の端子片１８は略一定のピッチで幅方向に並べて配列されている。
【００２４】
また奥壁部４ａの右側端には、前後方向に延びる短冊状のスプリングガイド１９が一体に保持されており、このスプリングガイド１９にコイルばね７の一端側が挿入保持され、コイルばね７の座屈変形を防止している。
【００２５】
また奥壁部４ａの前面寄りの上側角には、メモリカードＭＣの装着時に検知レバー１０が入り込む凹所２０が設けられるとともに、この凹所２０の上面に検知レバー１０を枢支する円柱状の軸２１が突設されている。検知レバー１０は一端側に設けた軸孔１０ａ内に軸２１を差し込むことによって、奥壁部４ａに回動自在に枢支されている。また軸２１には検知レバー１０と共にトーションばね１１が挿入されており、図３に示すようにトーションばね１１の一方の端部１１ａを検知コンタクトＣ１０の係止溝２２に係合させるとともに、他方の端部１１ｂを検知レバー１０の引掛片１０ｂに引掛係止させることによって、検知レバー１０が軸２１を中心として図４中左回りに付勢され、メモリカードＭＣが装着されていない状態では、検知レバー１０の先端部１０ｃがカード挿入口３ａ側に突出している。
【００２６】
また基台４の横壁部４ｂには、カード挿入方向に沿って延び、メモリカードＭＣの裏面と対向する段部２４が設けられている。
【００２７】
スライダー６は合成樹脂成型品であって、下面に設けた凹溝１６をベースシェル１の突条１５，１５に係合させることによって、前後方向に移動自在となっている。またスライダー６の後部裏面には、コイルばね７の前端側が挿入される凹溝２８が設けられ、コイルばね７によって常時前方（カード挿入方向と反対側）に付勢されている。
【００２８】
またスライダー６の上面には、メモリカードＭＣの片側の先端寄りに設けた切欠部１０１（図５参照）に衝合する突出壁２５が突設されている。スライダー６の上面において、突出壁２５よりもカード挿入方向と反対側の部位には、略Ｕ字形に形成されたロックばね９を収める収納凹所２６が形成されており、収納凹所２６の周壁２６ａに設けた切欠部２７を通して、ロックばね９の一側片に設けた係止爪９ａがカード収納空間側に突出し、メモリカードＭＣの片側縁に設けたロック用凹所１０２と係合するようになっている。
【００２９】
また更にスライダー６の上面には、一方の軸部８ａが基台４の上面に設けた軸孔２９に回動自在に軸支されたカムピン８の他方の軸部８ｂを所定経路で案内するハートカム溝部３０が形成されている。ハートカム溝部３０は、平面視の形状がハート形のハートカム３１と、ハートカム３１の周部に形成されたガイド溝３２とで構成され、ガイド溝３２の底面には軸部８ｂを所定経路で移動させるために適宜段差を設けてある。そして、カムピン８の軸部８ｂをコイルばね７の付勢力或いはメモリカードＭＣの押し込み力によってガイド溝３２の周壁に押し当てるとともに、カバーシェル２に設けた弾接ばね片１７によって軸部８ｂをガイド溝３２の底面に押し当てることで、スライダー６の前後移動に伴って、ガイド溝３２とこのガイド溝３２の底面に形成した凹凸面とで、軸部８ｂのガイド溝３２内での相対的な移動がガイドされ、軸部８ｂが所定経路でガイド溝３２内を移動するようになっている。尚、ハートカム３１の前部には、前側に開放された凹部３３が形成されており、スライダー６が最後部位置へ移動した後、メモリカードＭＣの押力が解除された際に、カムピン８の軸部８ｂが凹部３３に嵌り込むことで、スライダー６の前方方向への移動が規制され、スライダー６が所定位置でロックされるようになっている。ここにおいて、ハートカム溝部３０及びカムピン８などから、スライダー６が最後部位置まで移動した状態でメモリカードＭＣの押力が解除されるとスライダー６を所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードＭＣへの押力が加わってスライダー６が後方移動するときにロックを解除するプッシュオン・プッシュオフ型のロック機構３６が構成される。
【００３０】
このソケットＡを組み立てるに当たっては、コンタクトＣ１〜Ｃ１１を圧入或いは同時成形により一体に保持させたコンタクトブロック５の基台４をベースシェル１の上面に載置し、ベースシェル１の突出片１２を基台４の下面に設けた圧入溝に圧入することによって、基台４をベースシェル１上に固定する。そして、基台４に一体に保持されたスプリングガイド１９にコイルばね７の後端部を挿入した状態で、コイルばね７の他端側をスライダー６の下面の凹溝２８内に挿入させるとともに、ベースシェル１の突条１５をスライダー６下面の凹溝１６内に挿入させるようにして、スライダー６をベースシェル１上に載置した後、カムピン８の一方の軸部８ａを基台４の軸孔２９に係入させるとともに、他方の軸部８ｂをハートカム溝部３０のガイド溝３２に係入させる。また基台４の軸２１にトーションばね１１を挿入して、トーションばね１１の一方の端部１１ａを検知コンタクトＣ１０の係止溝２２に係止させるとともに、他方の端部１１ｂを検知コンタクトＣ１１に設けたばね受け片２３と当接させた後、軸２１に検知レバー１０を枢支させて、検知レバー１０の引掛片１０ｂをトーションばね１１の他方の端部１１ｂに引掛係止させる。その後、ベースシェル１の両側片１ｂ，１ｃの先端部間にカバーシェル２を橋架する形で載置し、ベースシェル１とカバーシェル２との当接部位をレーザ溶接等の方法で接合することで、前部にカード挿入口３ａが開口した箱状のソケット本体３が形成され、ソケットＡの組立が完了する。尚、この状態ではスライダー６が前端位置まで移動しており、スライダー６の移動に伴って、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２の後端の位置Ａ（図４参照）に移動している。
【００３１】
次に、ソケットＡにメモリカードＭＣを挿抜する際の動作について説明する。メモリカードＭＣが装着されていない状態では、コイルばね７の弾発力を受けて、前端部が抜止片１４と衝合する位置までスライダー６が前方方句に移動している。また検知レバー１０は、トーションばね１１の弾発力を受けて図４中左回りに回転し、後端部が凹所２０の前端面に当接する位置で停止しており、この状態ではトーションばね１１の端部１１ｂが検知コンタクトＣ１１のばね受け片２３に接触しているので、検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１間がトーションばね１１を介して導通（ＯＮ）している（カード非検知状態）。
【００３２】
この状態からメモリカードＭＣを前後方向及び表裏方向を正規の方向に向けてカード挿入口３ａからソケット内部に挿入すると、メモリカードＭＣがスライダー６と基台４の横壁部４ｂとの間に挿入されて、メモリカードＭＣの裏面が、横壁部４ｂおよびスライダー６にそれぞれ設けた段部２４，３４の上側に乗ることになる。そして、メモリカードＭＣをソケット本体３内に更に挿入すると、メモリカードＭＣの先端側に設けた切欠部１０１がスライダー６の突出壁２５に衝合してスライダー６を後方へ押すとともに、スライダー６に保持されたロックばね９の係止爪９ａがメモリカードＭＣのロック用凹所１０２内に係入することで、スライダー６にメモリカードＭＣが保持されることになる。
【００３３】
その後、スライダー６に加わるコイルばね７の弾発力に抗してメモリカードＭＣを更に内側へ押し入れると、メモリカードＭＣの移動に共動してスライダー６が後退することになる。このスライダー６の後退によりカムピン８の軸部８ｂはガイド溝３２の底面に設けた凹凸形状によってガイドされながら、ガイド溝３２内を図４中の下側へ移動し、図４中の位置Ｂに移動することになる。そして、メモリカードＭＣの先端位置が基台４の奥壁部４ａ前面に当たる位置に近い位置までメモリカードＭＣを押し込むと、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２の前端部に当たる位置Ｃに至ることになり、それ以上の押し込みができなくなる。
【００３４】
そして、この位置でメモリカードＭＣに加えていた押力を解除すると、コイルばね７の弾発力を受けてスライダー６がメモリカードＭＣと共に前方へ戻りかけるが、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２に案内されながらハートカム３１の凹部３３に嵌り込む位置Ｄまで移動することになる。従ってカムピン８の軸部８ｂがハートカム３１の凹部３３に当接することで、これ以上のスライダー６の前方移動が規制され、ロックばね９によってロックされたメモリカードＭＣもその位置でソケット本体３内に留まることになる。このロック位置では、図５（ａ）、図６及び図７（ａ）に示すように、コンタクトブロック５の奥壁部４ａから前方に突出するＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８がメモリカードＭＣのＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８にそれぞれ接触することになり、ソケットＡを介してホスト機器ＢとメモリカードＭＣとの間でデータの授受が行われる。尚、図７（ａ）〜（ｈ）ではトリガーコンタクトＣ９及びその近傍にあるＩ／ＯコンタクトＣ５〜Ｃ７と、これらコンタクトＣ５〜Ｃ７，Ｃ９に対応接触するＩ／ＯパッドＰ５〜Ｐ７のみを図示してあり、図中の矢印は各々の位置でのメモリカードＭＣの移動方向を示している。また図８はロック状態のメモリカードＭＣを取り出す際のタイミングチャートであり、同図（ａ）はトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルを、同図（ｂ）は検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１による検知／非検知状態を、同図（ｃ）はＩ／ＯコンタクトＣ６のオン／オフ状態をそれぞれ示し、図８中のａ〜ｈはそれぞれ図７の（ａ）〜（ｈ）に示す位置に対応する。
【００３５】
スライダー６のロック位置では図７（ａ）に示すようにトリガーコンタクトＣ９が対応するＶss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に接触していないので、トリガーコンタクトＣ９の電圧レベルはＨレベルとなり（非検知状態）、ホスト機器Ｂのマイコン４０にはトリガーコンタクトＣ９からＨレベルの信号が入力される。またメモリカードＭＣがロック位置で保持された状態では、メモリカードＭＣの先端部で検知レバー１０の先端部１０ｃが押されて、検知レバー１０が軸２１を中心に図４中右回りに回転し、検知レバー１０の引掛片１０ｂによってトーションばね１１の端部１１ｂが図４中右回りに押され、検知コンタクトＣ１１のばね受け片２３から離れるので、検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１間が非導通（ＯＦＦ）になる（カード検知状態）。すなわち図８に示すように位置ａではトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルはＨレベル（非検知状態）、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間はオフ状態、Ｉ／ＯコンタクトＣ６はＩ／ＯパッドＰ６に接触した状態（ＯＮ状態）となっている。
【００３６】
以上のようにして装着されたメモリカードＭＣをソケットＡから取り出す際は、まずソケット本体３のカード挿入口３ａより外部に露出するメモリカードＭＣの後部を挿入方向に押し、メモリカードＭＣと共にスライダー６を挿入方向へ移動させると、この移動によってカムピン８の軸部８ｂがハートカム３１の凹部３３から離脱するとともに、ガイド溝３２にガイドされて凹部３３より左側前方に出て、ガイド溝３２内をカード挿入口３ａ側に移動する（実際にはスライダー６がカード挿入方向へ移動している）。そして、メモリカードＭＣが図７（ｂ）に示す位置まで移動すると、メモリカードＭＣの移動に伴い、トリガーコンタクトＣ９がＶss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に接触するので、ホスト機器Ｂのマイコン４０にＬレベルの信号（取り出し検知信号）が入力される。なお本実施形態ではトリガーコンタクトＣ９が、Ｖss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に対応接触するようになっており、常時はトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルがＨレベルであり、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６に接触すると、トリガーコンタクトＣ９の電圧レベルがグランドレベルとなるので、ホスト機器Ｂのマイコン４０では、トリガーコンタクトＣ９の電圧レベルがＨレベルからＬレベルに変化したことを受けて、メモリカードＭＣの取り出し操作が開始されたことを検出することができ、この検知時にＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８を介したデータの授受を停止させる処理を行っている
また、メモリカードＭＣを図７（ｂ）に示す位置から更に押し込むと、カムピン８の軸部８ｂがガイド溝３２内の前端部に当たる位置（カード押し切り位置）Ｅまで移動し、それ以上の挿入方向への押し込みが禁止される（図７（ｃ）及び図８（ｃ）参照）。
【００３７】
その後、メモリカードＭＣに与えた押力を無くすと、スライダー６はコイルばね７の弾発力を受けて前方へ移動し、スライダー６と共にメモリカードＭＣが図７（ｄ）に示す位置まで移動すると、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６から離れるので、トリガーコンタクトＣ９の信号レベルがＬレベル（検知状態）からＨレベル（非検知状態）に変化する（図８参照）。尚、この位置ではＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８はそれぞれ対応するＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８に電気的に接続され、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間は非導通状態（カード検知状態）となっている。
【００３８】
その後もメモリカードＭＣはスライダー６と共に前方方向へ移動しており、図７（ｅ）に示すカードセット位置を通過し、図７（ｆ）に示す位置までくると、メモリカードＭＣの先端部が検知レバー１０の先端部１０ｃから離れるので、検知レバー１０の引掛片１０ｂがトーションばね１１の端部１１ｂを押す力が無くなり、端部１１ｂが検知コンタクトＣ１１のばね受け片２３に接触するので、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間が導通状態（ＯＮ）となる（カード非検知状態）。またメモリカードＭＣが図７（ｇ）に示す位置まで移動すると、Ｉ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８の内、信号用の６本のＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ３，Ｃ５，Ｃ７，Ｃ８がそれぞれ対応するメモリカードＭＣのＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ３，Ｐ５，Ｐ７，Ｐ８から離れ、その後図７（ｈ）に示す位置まで移動すると、電源電圧の正極側のＩ／ＯコンタクトＣ４（Ｖdd端子用）及び負極側のＩ／ＯコンタクトＣ６（Ｖss端子用）が、それぞれ、メモリカードＭＣのＩ／ＯパッドＰ４，Ｐ６から離れるので（ＯＦＦ状態）、メモリカードＭＣへの電源供給が停止される。そして、メモリカードＭＣと共にスライダー６が更に前方へ移動し、カムピン８の軸部８ｂがハートカム３１の左側のガイド溝３２内の位置Ｆを通って、ガイド溝３２の後端部の位置Ａまで移動すると、メモリカードＭＣの後部がソケット本体３のカード挿入口３ａから外部へ大きく露出するので、メモリカードＭＣをソケット本体３から取り出すことが可能になる。
【００３９】
以上説明したように、プッシュオン・プッシュオフ型のロック機構３６を備えるソケットＡにおいて、ロック状態にあるメモリカードＭＣの取り出し時にメモリカードＭＣを後方へ押すことによって、スライダー６がロック位置からロック解除位置まで移動すると、トリガーコンタクトＣ９が対応するＩ／ＯパッドＰ６に電気的に接触するので、ロック解除位置付近で取り出し操作の開始を検出でき、ロック状態の解除後スライダー６が前方方向へ移動する途中で取り出し操作を検出する従来のメモリカードソケットに比べて早い段階で取り出し操作を検出できるから、Ｉ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８が対応するＩ／ＯパッドＰ１〜Ｐ８から離れるまでの間にホスト機器Ｂによりデータ書き込み処理を停止させることができ、データが破壊されたり消去されるのを防止することができる。しかも本ソケットでは、ロック解除位置においてＩ／ＯパッドＰ６と接触するトリガーコンタクトＣ９によって、メモリカードＭＣの取り出し操作を検知しており、このトリガーコンタクトＣ９はＩ／ＯコンタクトＣ１〜Ｃ８及び検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１と共にコンタクトブロック５の基台４に保持されているので、別途マイクロスイッチを追加する場合に比べて部品点数を少なくでき、またソケットＡの小型化を図ることもできる。
【００４０】
尚、上述の実施形態ではトリガーコンタクトの本数が１本であるが、カード挿抜方向において互いに異なる位置で、メモリカードＭＣのＩ／Ｏ接触面に接触する複数のトリガーコンタクトを設けても良い。図９に示す形態では、カード挿抜方向において互いに異なる位置で、Ｖss端子用のＩ／ＯパッドＰ６に接触する２本のトリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２を設けている。図１０はロック状態のメモリカードＭＣを取り出す際のタイミングチャートであり、同図（ａ）はトリガーコンタクトＣ９の電圧レベルを、同図（ｂ）はトリガーコンタクトＣ１２の電圧レベルを、同図（ｃ）は検知コンタクトＣ１０，Ｃ１１による検知／非検知状態を、同図（ｄ）はＩ／ＯコンタクトＣ６のオン／オフ状態をそれぞれ示している。なお図１０中のａ〜ｈは、それぞれ図７の（ａ）〜（ｈ）に示す位置に対応しており、位置ａではトリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２の電圧レベルはＨレベル（非検知状態）、検知コンタクトＣ１０−Ｃ１１間はオフ状態（カード検知状態）、Ｉ／ＯコンタクトＣ６はＩ／ＯパッドＰ６に接触した状態（ＯＮ状態）となっている。
【００４１】
トリガーコンタクトＣ１２は、トリガーコンタクトＣ９よりも前側の位置（カード挿入口３ａに近い位置）でＩ／ＯパッドＰ６に接触する。したがって、図１０のタイミングチャートに示されるように、ロック状態のメモリカードＭＣを取り外す際には、メモリカードＭＣが位置ａ（ロック状態の位置）から位置ｂまで押し込まれて、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６に接触するよりも前に、トリガーコンタクトＣ１２がＩ／ＯパッドＰ６に接触して、その信号レベルがＬレベル（検知状態）に切り替わる。また、押し込み力を解除してメモリカードＭＣが取出方向へ移動する際には、メモリカードＭＣが位置ｄを過ぎて、トリガーコンタクトＣ９がＩ／ＯパッドＰ６から離れた後も、トリガーコンタクトＣ１２はＩ／ＯパッドＰ６と接触し続け、メモリカードＭＣが位置ｄから位置ｅ（カードセット位置）に移動するまでの間にトリガーコンタクトＣ１２がＩ／ＯパッドＰ６から離れて、トリガーコンタクトＣ１２の信号レベルがＨレベル（非検知状態）に切り替わる。この場合、ホスト機器Ｂのマイコン４０は、２本のトリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２の信号レベルをもとに、メモリカードＭＣの取出操作が開始されたか否かを判断しており、トリガーコンタクトＣ９，Ｃ１２の信号レベルが両方共にＬレベルになると、取出操作が開始されたと判断することによって、ノイズ等の影響による誤検出を防止することができる。
【００４２】
また、上述のソケットＡでは、図１２（ａ）に示すようにトリガーコンタクトＣ９と同じＩ／ＯパッドＰ６に接触するＩ／ＯコンタクトＣ６は、トリガーコンタクトＣ９と幅方向に並べて基台４に保持されており、このＩ／ＯコンタクトＣ６はトリガーコンタクトＣ９よりも前方（カード挿入口３ａ側）の部位が直線状に形成されているので、隣接するＩ／ＯコンタクトＣ７と短絡しないように、Ｉ／ＯコンタクトＣ６の幅寸法が他のＩ／Ｏコンタクトに比べて幅狭に形成されている。そこで、図１１及び図１２（ｂ）に示すように、トリガーコンタクトＣ９と同じＩ／ＯパッドＰ６に接触するＩ／ＯコンタクトＣ６が、トリガーコンタクトＣ９よりも前方（カード挿入口３ａ側）の部位３５でトリガーコンタクトＣ９側に折り曲げられるようにしても良く、折曲部位３５よりも前方の部位と隣接するＩ／ＯコンタクトＣ７との間隔を広げることによって、Ｉ／ＯコンタクトＣ６におけるＩ／ＯパッドＰ６との接触部位の幅寸法が他のＩ／Ｏコンタクトと同程度の幅寸法に広げることができるから、電気的接触の信頼性を向上させることができる。
【００４３】
なお上述の実施形態では、マイクロＳＤカードのようなメモリカードＭＣが接続されるソケットＡについて説明したが、ＳＤメモリカードやマルチメディアカードのようなメモリカードやＳＤメモリカードと同様の大きさおよび端子配列を有するＳＤＩＯカードが挿抜自在に接続されるメモリカードソケットに本発明を適用しても良いことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本実施形態のメモリカードソケットの分解斜視図である。
【図２】同上のメモリカードソケットの外観斜視図である。
【図３】同上のカバーシェルを外した状態の斜視図である。
【図４】同上のカバーシェルを外した状態の平面図である。
【図５】（ａ）は同上へのメモリカードの装着状態を模式的に示した説明図、（ｂ）は押し切り位置までメモリカードを押し込んだ状態を模式的に示した説明図である。
【図６】同上のカード装着状態におけるコンタクトとＩ／Ｏパッドの位置関係を示す説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｈ）は、同上のカード装着状態からカード抜き取るまでの間のコンタクトとＩ／Ｏパッドの位置関係を示す説明図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は同上のカード装着状態からカードを抜き取るまでの間の各部の信号レベルを示すタイミングチャートである。
【図９】（ａ）（ｂ）は同上の他の形態のコンタクト配置を模式的に示した説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は同上のカード装着状態からカードを抜き取るまでの間の各部の信号レベルを示すタイミングチャートである。
【図１１】同上のまた別の形態を示し、カバーシェルを外した状態の平面図である。
【図１２】（ａ）（ｂ）は同上の要部拡大図である。
【符号の説明】
【００４５】
Ａ メモリカードソケット
１ ベースシェル
２ カバーシェル
３ ソケット本体
３ａ カード挿入口
４ 基台
５ コンタクトブロック
６ スライダー
７ コイルばね（付勢ばね）
８ カムピン
３０ ハートカム溝部
３６ ロック機構
Ｃ１〜Ｃ８ Ｉ／Ｏコンタクト
Ｃ９ トリガーコンタクト
Ｃ１０，Ｃ１１ 検知コンタクト
ＭＣ メモリカード
Ｐ１〜Ｐ８ Ｉ／Ｏパッド（Ｉ／Ｏ接触面）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面に開口したカード挿入口を通してメモリカードがスライドして挿抜されるソケット本体と、ソケット本体の内部に前後方向に移動自在に配置され、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダーと、スライダーを前方方向へ常時付勢する付勢ばねと、スライダーが最後部位置まで移動した状態でメモリカードの押力が解除されるとスライダーを所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードへの押力が加わってスライダーが後方移動するときにロックを解除するロック機構と、ロック機構によりスライダーがロックされた状態でメモリカードの一面に設けた複数のＩ／Ｏ接触面にそれぞれ接触する複数のＩ／Ｏコンタクトと、ロック状態ではＩ／Ｏ接触面に接触せず、ロック状態のスライダーを後方へ押した際にロック状態の解除位置付近でＩ／Ｏ接触面に電気的に接触する取り出し操作検知用のトリガーコンタクトと、Ｉ／Ｏコンタクト及びトリガーコンタクトを保持してソケット本体内の後部に配置される基台とを備えたことを特徴とするメモリカードソケット。
【請求項２】
トリガーコンタクトが接触するＩ／Ｏ接触面は、Ｖss端子用のＩ／Ｏ接触面であることを特徴とする請求項１記載のメモリカードソケット。
【請求項３】
トリガーコンタクトと同じＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／Ｏコンタクトは、トリガーコンタクトと幅方向に並べて配置され、トリガーコンタクトよりも前方の部位でトリガーコンタクト側に曲げられたことを特徴とする請求項１又は２の何れか記載のメモリカードソケット。
【請求項４】
トリガーコンタクトが複数設けられ、複数のトリガーコンタクトは、カード挿抜方向において互いに異なる位置でＩ／Ｏ接触面に接触することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のメモリカードソケット。
【請求項１】
前面に開口したカード挿入口を通してメモリカードがスライドして挿抜されるソケット本体と、ソケット本体の内部に前後方向に移動自在に配置され、メモリカードからの押力を受けてメモリカードとともに後方へ移動するスライダーと、スライダーを前方方向へ常時付勢する付勢ばねと、スライダーが最後部位置まで移動した状態でメモリカードの押力が解除されるとスライダーを所定位置でロックし、該ロック後にメモリカードへの押力が加わってスライダーが後方移動するときにロックを解除するロック機構と、ロック機構によりスライダーがロックされた状態でメモリカードの一面に設けた複数のＩ／Ｏ接触面にそれぞれ接触する複数のＩ／Ｏコンタクトと、ロック状態ではＩ／Ｏ接触面に接触せず、ロック状態のスライダーを後方へ押した際にロック状態の解除位置付近でＩ／Ｏ接触面に電気的に接触する取り出し操作検知用のトリガーコンタクトと、Ｉ／Ｏコンタクト及びトリガーコンタクトを保持してソケット本体内の後部に配置される基台とを備えたことを特徴とするメモリカードソケット。
【請求項２】
トリガーコンタクトが接触するＩ／Ｏ接触面は、Ｖss端子用のＩ／Ｏ接触面であることを特徴とする請求項１記載のメモリカードソケット。
【請求項３】
トリガーコンタクトと同じＩ／Ｏ接触面に接触するＩ／Ｏコンタクトは、トリガーコンタクトと幅方向に並べて配置され、トリガーコンタクトよりも前方の部位でトリガーコンタクト側に曲げられたことを特徴とする請求項１又は２の何れか記載のメモリカードソケット。
【請求項４】
トリガーコンタクトが複数設けられ、複数のトリガーコンタクトは、カード挿抜方向において互いに異なる位置でＩ／Ｏ接触面に接触することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のメモリカードソケット。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−９８６５（Ｐ２０１０−９８６５Ａ）
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１６６２３０（Ｐ２００８−１６６２３０）
【出願日】平成２０年６月２５日（２００８．６．２５）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月１４日（２０１０．１．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年６月２５日（２００８．６．２５）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
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