レイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置
【課題】 的確かつ高速に光近接効果を補正することができるようにする。
【解決手段】 設計パターンデータに基づいて、レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する（Ｓ４及びＳ６）。これと並行して、設計パターンデータが示すレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する（Ｓ８及びＳ１０）。次いで、光近接効果を補正するために補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、設計パターンデータに基づいて生成し、この補正用形状データを、補正部分データを用いて、幅補正後パターンデータに合成する（Ｓ１２及びＳ１４）。これにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【解決手段】 設計パターンデータに基づいて、レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する（Ｓ４及びＳ６）。これと並行して、設計パターンデータが示すレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する（Ｓ８及びＳ１０）。次いで、光近接効果を補正するために補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、設計パターンデータに基づいて生成し、この補正用形状データを、補正部分データを用いて、幅補正後パターンデータに合成する（Ｓ１２及びＳ１４）。これにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光近接効果を補正したレイアウトパターンデータを生成するレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置に関する。特に本発明は、精度よく光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置内部のレイアウトパターン（例えば配線パターン）が、レチクルのパターンをフォトレジスト膜に転写する時に用いられる光源の波長より細かくなってきている。このため、転写の解像度が低下することを防ぐために、変形照明技術のような特殊な転写技術が必要となる。しかし、このような特殊な転写技術を用いると、転写されたパターンに寸法変動等が生じる。
【０００３】
寸法変動等を防ぐための技術として、光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction：以下、ＯＰＣと記載）がある。ＯＰＣは、転写の際の寸法変動等を予め考慮して、設計レイアウトパターンを予め変形させておくことにより、転写後に所望のレイアウトパターンが得られるようにするものである。
【０００４】
図１４の各図は、従来のＯＰＣの一例を示す図である。図１４（Ａ）に示すＯＰＣは、転写時にレイアウトパターン２００の幅が変わることを補正するために、レイアウトパターン２００の外郭線を平行にスライドさせるものである。これにより、幅に関する光近接効果が補正された補正後レイアウトパターン２００ａが形成される。
【０００５】
図１４（Ｂ）に示すＯＰＣは、レイアウトパターン２１０の端部２１２が転写時に後退することを補正するために、略長方形の端部２１２に、端部２１２より大きな略長方形のパターンであるハンマーヘッド２１２ａを付加するものである。これにより、端部に関する光近接効果が補正された補正後レイアウトパターンが形成される。
これに類似する技術が、下記特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２５０９９９号公報（第２段落乃至第５段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、ＯＰＣは、予め定められたルールに基づいて行われる。このルールは、例えばパターン端の幅が基準値以下の場合にはハンマーヘッドを付加する、というものである。しかし、例えば幅に関する光近接効果を補正した後では、本来はハンマーヘッドを付加すべき幅のレイアウトパターンがハンマーヘッドを付加しなくてもよい幅に変わっている可能性がある。このため、幅に関する光近接効果を補正した後にハンマーヘッドを付加するためのルールを適用すると、精度が高いＯＰＣを行えない場合がある。また、ＯＰＣに必要な時間も長くなる。
【０００７】
このように、高精度かつ高速にＯＰＣを行うためには工夫が必要である。本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、精度よく光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高速に光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係るレイアウトパターン補正装置は、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する補正部分データ生成部と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
光近接効果を補正するために前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備する。
【０００９】
このレイアウトパターン補正装置によれば、設計レイアウトパターンに基づいて、補正用形状データを付加すべき補正部分を抽出している。このため、意図しない部分を補正部分として抽出することを抑制できる。また、幅補正後のレイアウトパターンに付加される補正用形状データは、設計レイアウトパターンに基づいて生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
【００１０】
パターン幅補正部は、補正部分データ生成部と並列に動作してもよい。このようにすると、補正に必要な処理時間を短くすることができる。
【００１１】
本発明に係る他のレイアウトパターン補正装置は、
設計段階における半導体装置内部のレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、前記レイアウトパターンの幅に関する光近接効果を補正した後のパターンを示す幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
前記設計段階のレイアウトパターンの一部である補正部分における光近接効果を補正するために、該補正部分の形状を変形させる補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記幅補正後パターンデータに前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備する。
【００１２】
上記したレイアウトパターン補正装置において、補正部分は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、部分形状補正部は、屈曲している部分において外郭線を外側に膨らませるために、補正用形状データを生成してもよい。
例えば、外郭線が屈曲している部分において、レイアウトパターンを区切る方向に略９０°曲がっている場合、部分形状補正部は、屈曲している部分の角部に加えられる略長方形を、補正用形状データとして生成してもよい。
【００１３】
補正部分は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、部分形状補正部は、屈曲している部分において外郭線を内側に凹ませるために、補正用形状データを生成してもよい。
例えば、外郭線が、屈曲している部分において、レイアウトパターンを広げる方向に略９０°曲がっている場合、部分形状補正部は、屈曲している部分の角部から除去される略長方形を、補正用形状データとして生成してもよい。
【００１４】
補正部分が、レイアウトパターンが有する略長方形の端部である場合、部分形状補正部は、補正用形状データとして、端部に加えられる、該端部より大きな略長方形を生成してもよい。
特に、レイアウトパターンが、端部から一定距離ほど内側までの領域が他の部分より細くなっている場合、略長方形が付加された後において、細くなった部分には、先端部分が補正用形状データによって太くなることにより凹部が形成される。補正後パターン生成部は、凹部の幅が基準値以下の場合に、該凹部を埋める処理を行ってもよい。
【００１５】
本発明に係るレイアウトパターン補正方法は、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータを生成する。
【００１６】
本発明に係るプログラムは、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムであり、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する。
【００１７】
本発明に係る記録媒体は、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムを格納しており、
前記プログラムは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する。
【００１８】
本発明に係るレチクルは、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータに基づいて形成され、
前記全補正後パターンデータは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により生成されている。
【００１９】
本発明に係る半導体装置は、レチクルが有するレイアウトパターンが転写された部分を有しており、
前記レチクルが有するレイアウトパターンは、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により形成されている。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図である。本レイアウトパターン補正装置は、ＯＰＣルールデータベース（以下、ＯＰＣルールＤＢと記載）２０、設計パターンデータ取得部４０、パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０、部分形状補正部７０、及び補正後パターン生成部８０を備える。
【００２１】
ＯＰＣルールＤＢ２０は、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの条件、及びレイアウトパターンに対して行う補正を示す情報（補正量表）を、互いに対応して格納している。具体的には、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの幅を補正するためのＯＰＣルールとして、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの幅と、レイアウトパターンの外郭線をどの程度平行にスライドさせるかを示す情報とを対応付けて格納している。また、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの端部の形状を補正するためのＯＰＣルールとして、レイアウトパターンの端部の幅と、この端部に付加すべき略長方形のパターンであるハンマーヘッドの形状及び大きさを示す情報とを対応付けて格納している。また、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分を補正するためのＯＰＣルールとして、屈曲部分近傍のレイアウトパターンの形状と、この屈曲部分に付加すべきパターンであるポジセリフの形状、又はこの屈曲部分から除去すべきパターンであるネガセリフの形状を対応付けて格納している。なお、ＯＰＣルールＤＢ２０は、例示した以外の条件（例えばレイアウトパターンの一部分の形状）及び情報（例えばレイアウトパターンの一部部分の形状をどのように変形するか）も格納している。
【００２２】
設計パターンデータ取得部４０は、設計段階のレイアウトパターンを示す設計パターンデータを取得する。ここでのレイアウトパターンは、例えば半導体装置内部のポリシリコンパターン、又は配線パターン等である。なお、設計パターンデータ取得部４０は、設計パターンデータを、レイアウトパターン補正装置が有する記録媒体（例えばハードディスク）から取得してもよいし、外部の記録媒体から取得してもよい。
【００２３】
パターン幅補正部５０は、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて、設計パターンデータ取得部４０が取得した設計パターンデータに対し、幅に関するＯＰＣを行い、幅補正後パターンデータを生成する。
【００２４】
補正部分データ生成部６０は、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて、設計パターンデータ取得部４０が取得した設計パターンデータから、形状を補正すべき部分である補正部分（例えばレイアウトパターンの端部）を抽出し、この補正部分を示すマークを設計パターンデータに付加する。
【００２５】
部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分における光近接効果を補正するために、この補正部分を変形させるための補正用形状データを、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて生成する。
【００２６】
補正後パターン生成部８０は、パターン幅補正部５０が補正した幅補正後パターンデータに対し、部分形状補正部７０が生成した補正用形状データを合成することにより、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する。このとき、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成した補正部分データを用いる。
【００２７】
全補正後パターンデータが示すレイアウトパターンは、例えばフォトレジスト膜を露光するためのレチクルのパターンとして用いられる。このレチクルによって露光されたフォトレジスト膜は、現像されることにより、レチクルのパターンが転写されたレジストパターンとなる。このレジストパターンは、例えばポリシリコン膜、又はＡｌ合金膜をエッチングによりパターニングするときのマスクとして用いられる。パターニングされたポリシリコン膜には、レチクルのパターンが転写され、これにより半導体装置が有するＭＯＳトランジスタのゲート電極及びポリシリコン配線が形成される。また、パターニングされたＡｌ合金膜にも、レチクルのパターンが転写され、これにより半導体装置の配線が形成される。
このようにして、レイアウトパターン補正装置が生成したレイアウトパターンを用いて、半導体装置が製造される。
【００２８】
なお、本レイアウトパターン補正装置は、上記した機能を有するプログラムをコンピュータシステムにインストールすることにより、実現される。このプログラムは、例えば記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされる。プログラムを格納する記録媒体は、例えばフロッピーディスク（登録商標）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、及び半導体メモリー等のリムーバブルディスク、若しくはハードディスクであるが、これら以外であってもよい。また、このプログラムは、インターネット等の通信回線を介してダウンロードされることにより、コンピュータシステムにインストールされてもよい。
【００２９】
次に、図２、図３及び図４を参照して、レイアウトパターン補正装置の第１の動作について説明する。図２は本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図３は本動作のフローチャートであり、図４の各図は、図３に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００３０】
図２に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１００は、略長方形であり、角部１０２を示す外郭線がレイアウトパターンを区切る方向に略９０°湾曲している。このようなレイアウトパターン１００は、転写する際に、光近接効果により角部１０２が内側に凹む。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、角部１０２に、略長方形のポジセリフ（補正用形状データ）を付加する補正を行う。
【００３１】
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計段階のレイアウトパターンを示す設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図３のＳ２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、セリフを付加すべき補正部分として、角部１０２を抽出する（図３のＳ４）。次いで、抽出した角部１０２に、補正部分である旨を示すマーク１０４ａ（補正部分データ）を付加する（図３のＳ６及び図４（Ａ））。
【００３２】
図４（Ａ）に示すように、マーク１０４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する幅補正後パターンデータにおいても、角部１０２を内側に含む程度の大きさを有する。
【００３３】
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ４及びＳ６で示した処理を行っている間に、図３のＳ８及びＳ１０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図３のＳ８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後のレイアウトパターンデータである幅補正後パターンデータを生成する（図３のＳ１０及び図４（Ｂ））。
【００３４】
図４（Ｂ）に示すように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１００ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００の外郭線を内側に平行移動させたものである。これにより、角部１０２も内側にスライドし、角部１０２ａとなる。
【００３５】
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１０４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後パターンデータに重ねる（図３のＳ１２及び図４（Ｃ））。上述したように、補正後の角部１０２ａは補正前の角部１０２よりも内側に位置するが、マーク１０４ａは予め大きめに設定されているため、図４（Ｃ）に示すように、角部１０２ａは、マーク１０４ａによって囲まれる。
【００３６】
なお、図３のＳ１０で説明したように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１００ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００に対して幅が変わっている。このため、補正後のレイアウトパターン１００ａをＯＰＣルールに適用した場合、角部１０２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。逆に、本来補正すべきでない部分が、補正部分として抽出されることもある。しかし本実施形態では、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００に対してＯＰＣルールを適用しているため、補正すべき部分のみを、補正部分として抽出することができる。
【００３７】
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するために、ポジセリフを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ポジセリフを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１０４ａで囲まれている角部１０２ａに、部分形状補正部７０が生成したポジセリフ１０４を付加する（Ｓ１４及び図４（Ｄ））。付加されるポジセリフ１０４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【００３８】
このように、レイアウトパターン補正装置の第１の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンに付加されるポジセリフ１０４は、幅補正後のレイアウトパターンではなく、設計レイアウトパターンにＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
【００３９】
また、幅補正前のレイアウトパターン１００にＯＰＣルールを適用することにより、ポジセリフ１０４を付加すべき補正部分（本実施形態では角部１０２）を抽出している。このため、的確に補正部分のみを抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ポジセリフを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
【００４０】
次に、図５、図６及び図７を参照して、レイアウトパターン補正装置の第２の動作について説明する。図５は、本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図６は本動作のフローチャートであり、図７の各図は、図６に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００４１】
図５に示すように、本動作の対象となる設計パターンデータが示すレイアウトパターン１１０は、角部１１２を示す外郭線が、レイアウトパターンを広げる方向に略９０°湾曲している。このようなレイアウトパターン１１０は、転写する際に、光近接効果により角部１０２が外側に凸になる。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、角部１１２から、略長方形のネガセリフ（補正用形状データ）を除去する補正を行う。
【００４２】
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図６のＳ２２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを除去すべき補正部分として、角部１１２を抽出する（図６のＳ２４）。次いで、抽出した角部１１２に、補正部分である旨を示すマーク１１４ａ（補正部分データ）を付加する（図６のＳ２６及び図７（Ａ））。
【００４３】
図７（Ａ）に示すように、マーク１１４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する幅補正後パターンデータにおいても、角部１１２を内側に含む程度の大きさを有する。
【００４４】
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ２４及びＳ２６で示した処理を行っている間に、図６のＳ２８及びＳ３０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図６のＳ２８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後パターンデータを生成する（図６のＳ３０及び図７（Ｂ））。
【００４５】
図７（Ｂ）に示すように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１１０ａは、補正前のレイアウトパターン１１０の外郭線を内側に平行移動させたものである。これにより、角部１１２も内側にスライドし、角部１１２ａとなる。
【００４６】
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１１４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後パターンデータに重ねる（図６のＳ３２及び図７（Ｃ））。上述したように、補正後の角部１１２ａは補正前の角部１１２よりも内側に位置するが、マーク１１４ａは予め大きめに設定されているため、図７（Ｃ）に示すように、角部１１２ａは、マーク１１４ａによって囲まれる。
【００４７】
なお、図６のＳ３０で説明したように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１１０ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１１０に対して幅が変わっている。このため、幅補正後のレイアウトパターン１１０ａをＯＰＣルールに適用した場合、角部１１２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。逆に、本来補正すべきでない部分が補正部分として抽出されることもある。しかし、本実施形態では、補正前のレイアウトパターン１１０に対してＯＰＣルールを適用しているため、補正すべき部分のみを、補正部分として抽出することができる。
【００４８】
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するために、ネガセリフを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１１４ａで囲まれている角部１１２ａから、部分形状補正部７０が生成したネガセリフ１１４を除去する（Ｓ３４及び図７（Ｄ））。ネガセリフ１１４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【００４９】
このように、レイアウトパターン補正装置の第２の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンから除去されるネガセリフ１１４は、幅補正前のレイアウトパターン１１０にＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
【００５０】
また、幅補正前のレイアウトパターン１１０にＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを除去すべき補正部分（本実施形態では角部１１２）を抽出している。このため、的確に補正部分を抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ネガセリフを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
【００５１】
次に、図８、図９及び図１０を参照して、レイアウトパターン補正装置の第３の動作について説明する。図８は、本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図９は本動作のフローチャートであり、図１０の各図は、図９に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００５２】
図８に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１２０は、長手方向の端部１２２が、転写の際に、光近接効果により内側に凹になる。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、端部１２２に、端部１２２より大きい略長方形のハンマーヘッド（補正用形状データ）を付加する補正を行う。
【００５３】
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図９のＳ４２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッドを付加すべき補正部分として、端部１２２を抽出する（図９のＳ４４）。次いで、抽出した端部１２２に、補正部分である旨を示すマーク１２４ａ（補正部分データ）を付加する（図９のＳ４６及び図１０（Ａ））。
【００５４】
図１０（Ａ）に示すように、マーク１２４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する補正後パターンデータにおいても、端部１２２を内側に含む程度の大きさを有する。
【００５５】
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ４４及びＳ４６で示した処理を行っている間に、図９のＳ４８及びＳ５０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図９のＳ４８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後パターンデータを生成する（図９のＳ５０及び図１０（Ｂ））。
【００５６】
図１０（Ｂ）に示すように、幅補正後のレイアウトパターン１１０ａは、補正前のレイアウトパターン１１０の外郭線を外側に平行移動させたものである。これにより、端部１２２の幅も広がり、端部１２２ａとなる。
【００５７】
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１２４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後のレイアウトパターンデータに重ねる（図９のＳ５２及び図１０（Ｃ））。上述したように、補正後の端部１２２ａは補正前の端部１２２よりも幅広であるが、マーク１２４ａは予め大きめに設定されているため、図１０（Ｃ）に示すように、端部１２２ａは、マーク１２４ａによって囲まれる。
【００５８】
なお、端部１２２ａの幅が広がっているため、補正後のレイアウトパターン１１０ａをＯＰＣルールに適用した場合、端部１２２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。しかし本実施形態では、補正前のレイアウトパターン１１０に対してＯＰＣルールを適用しているため、確実に端部１２２を補正部分として抽出することができる。
【００５９】
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するためのハンマーヘッドを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッドを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１２４ａで囲まれている端部１２２ａに対し、部分形状補正部７０が生成したハンマーヘッド１２４を付加する（Ｓ５４及び図１０（Ｄ））。ハンマーヘッド１２４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【００６０】
このように、レイアウトパターン補正装置の第３の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンに付加されるハンマーヘッド１２４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に、レイアウトパターン端部の光近接効果を補正することができる。
【００６１】
また、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッド１２４を付加すべき補正部分（本実施形態では端部１２２）を抽出している。このため、的確に補正部分を抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ハンマーヘッドを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
【００６２】
次に、図１１、図１２及び図１３を参照して、レイアウトパターン補正装置の第４の動作について説明する。本動作は、第３の動作によって光近接効果が補正されたレイアウトパターンに対して処理を行うことにより、さらに的確に光近接効果が補正されたレイアウトパターンを生成するものである。
【００６３】
図１１は、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターンを示す図である。図１２は本動作のフローチャートであり、図１３の各図は、図１２に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００６４】
図１１に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１２０は、端部１２２から一定距離ほど内側が他の部分より細くなった、先細部分１２６を有する。このため、第３の動作により、端部にハンマーヘッドを付加するのみでは、端部の形状が不必要に複雑になってしまう。これに対し、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明する補正を行う。
【００６５】
図１２及び図１３に示すように、パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０、部分形状補正部７０、及び補正後パターン生成部８０は、上述した第３の動作を行う（図１２のＳ４２〜Ｓ５４）ことにより、幅補正後のレイアウトパターン１２０ａの端部１２２ａに、ハンマーヘッド１２４を付加する（図１２のＳ５６及び図１３（Ａ））。これにより、ハンマーヘッド１２４によって先細部分１２６の先端部が埋められ、凹部１２６ａが形成される。
【００６６】
次いで、凹部１２６ａの幅Ｌが基準値以下の場合（Ｓ５６：Ｙｅｓ）、凹部１２６ａを埋める処理を行う（Ｓ５８及び図１３（Ｂ））。凹部１２６ａの幅Ｌが基準値より大きい場合（Ｓ５６：Ｎｏ）、処理を行わない。
このようにして、光近接効果を補正したレイアウトパターンが生成される。
【００６７】
この第４の動作によれば、第３の動作と同一の効果を得ることができる。また、端部１２２にハンマーヘッド１２４を付加することによって微小な凹部１２６ａが形成され、端部１２２近傍の形状が不必要に複雑になってしまう場合には、該凹部１２６ａを埋める処理を行う。このため、さらに的確に光近接効果を補正することができる。
【００６８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば、部分形状補正部７０の機能を補正部分データ生成部６０の機能が兼ねてもよい。この場合、補正部分を示すマークを生成する（Ｓ６、Ｓ２６、及びＳ４６）段階で、マークとともに、ポジセリフ、ネガセリフ又はハンマーヘッドを生成する。そして、ここで生成したポジセリフ、ネガセリフ又はハンマーヘッドを幅補正後パターンデータに付加することにより、全補正後パターンデータを生成する。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図。
【図２】レイアウトパターン補正装置の第１の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図３】第１の動作のフローチャート。
【図４】（Ａ）乃至（Ｄ）の各図は、図３に示す処理を模式的に説明するための図。
【図５】レイアウトパターン補正装置の第２の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図６】第２の動作のフローチャート。
【図７】（Ａ）乃至（Ｄ）の各図は、図６に示す処理を模式的に説明するための図。
【図８】レイアウトパターン補正装置の第３の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図９】第３の動作のフローチャート。
【図１０】（Ａ）乃至（Ｄ）の各図は、図９に示す処理を模式的に説明するための図。
【図１１】レイアウトパターン補正装置の第４の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図１２】第４の動作のフローチャート。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２に示す処理を模式的に説明するための図。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）それぞれは、従来のＯＰＣの一例を示す図。
【符号の説明】
【００７０】
２０…ＯＰＣルールデータベース、４０…設計パターンデータ取得部、６０…補正部分データ生成部、７０…部分形状補正部、８０…補正後パターン生成部、１００，１１０，１２０，２００，２１０…レイアウトパターン、１００ａ，１１０ａ，１２０ａ…幅補正後のレイアウトパターン、１０２，１０２ａ，１１２，１１２ａ…角部、１０４…ポジセリフ、１０４ａ，１１４ａ，１２４ａ…マーク、１１４…ネガセリフ、１２２，１２２ａ，２１２…端部、１２４，２１２ａ…ハンマーヘッド、１２６…先細部分、１２６ａ…凹部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光近接効果を補正したレイアウトパターンデータを生成するレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置に関する。特に本発明は、精度よく光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置内部のレイアウトパターン（例えば配線パターン）が、レチクルのパターンをフォトレジスト膜に転写する時に用いられる光源の波長より細かくなってきている。このため、転写の解像度が低下することを防ぐために、変形照明技術のような特殊な転写技術が必要となる。しかし、このような特殊な転写技術を用いると、転写されたパターンに寸法変動等が生じる。
【０００３】
寸法変動等を防ぐための技術として、光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction：以下、ＯＰＣと記載）がある。ＯＰＣは、転写の際の寸法変動等を予め考慮して、設計レイアウトパターンを予め変形させておくことにより、転写後に所望のレイアウトパターンが得られるようにするものである。
【０００４】
図１４の各図は、従来のＯＰＣの一例を示す図である。図１４（Ａ）に示すＯＰＣは、転写時にレイアウトパターン２００の幅が変わることを補正するために、レイアウトパターン２００の外郭線を平行にスライドさせるものである。これにより、幅に関する光近接効果が補正された補正後レイアウトパターン２００ａが形成される。
【０００５】
図１４（Ｂ）に示すＯＰＣは、レイアウトパターン２１０の端部２１２が転写時に後退することを補正するために、略長方形の端部２１２に、端部２１２より大きな略長方形のパターンであるハンマーヘッド２１２ａを付加するものである。これにより、端部に関する光近接効果が補正された補正後レイアウトパターンが形成される。
これに類似する技術が、下記特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−２５０９９９号公報（第２段落乃至第５段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一般に、ＯＰＣは、予め定められたルールに基づいて行われる。このルールは、例えばパターン端の幅が基準値以下の場合にはハンマーヘッドを付加する、というものである。しかし、例えば幅に関する光近接効果を補正した後では、本来はハンマーヘッドを付加すべき幅のレイアウトパターンがハンマーヘッドを付加しなくてもよい幅に変わっている可能性がある。このため、幅に関する光近接効果を補正した後にハンマーヘッドを付加するためのルールを適用すると、精度が高いＯＰＣを行えない場合がある。また、ＯＰＣに必要な時間も長くなる。
【０００７】
このように、高精度かつ高速にＯＰＣを行うためには工夫が必要である。本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、精度よく光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、高速に光近接効果を補正することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクル、及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係るレイアウトパターン補正装置は、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する補正部分データ生成部と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
光近接効果を補正するために前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備する。
【０００９】
このレイアウトパターン補正装置によれば、設計レイアウトパターンに基づいて、補正用形状データを付加すべき補正部分を抽出している。このため、意図しない部分を補正部分として抽出することを抑制できる。また、幅補正後のレイアウトパターンに付加される補正用形状データは、設計レイアウトパターンに基づいて生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
【００１０】
パターン幅補正部は、補正部分データ生成部と並列に動作してもよい。このようにすると、補正に必要な処理時間を短くすることができる。
【００１１】
本発明に係る他のレイアウトパターン補正装置は、
設計段階における半導体装置内部のレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、前記レイアウトパターンの幅に関する光近接効果を補正した後のパターンを示す幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
前記設計段階のレイアウトパターンの一部である補正部分における光近接効果を補正するために、該補正部分の形状を変形させる補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記幅補正後パターンデータに前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備する。
【００１２】
上記したレイアウトパターン補正装置において、補正部分は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、部分形状補正部は、屈曲している部分において外郭線を外側に膨らませるために、補正用形状データを生成してもよい。
例えば、外郭線が屈曲している部分において、レイアウトパターンを区切る方向に略９０°曲がっている場合、部分形状補正部は、屈曲している部分の角部に加えられる略長方形を、補正用形状データとして生成してもよい。
【００１３】
補正部分は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、部分形状補正部は、屈曲している部分において外郭線を内側に凹ませるために、補正用形状データを生成してもよい。
例えば、外郭線が、屈曲している部分において、レイアウトパターンを広げる方向に略９０°曲がっている場合、部分形状補正部は、屈曲している部分の角部から除去される略長方形を、補正用形状データとして生成してもよい。
【００１４】
補正部分が、レイアウトパターンが有する略長方形の端部である場合、部分形状補正部は、補正用形状データとして、端部に加えられる、該端部より大きな略長方形を生成してもよい。
特に、レイアウトパターンが、端部から一定距離ほど内側までの領域が他の部分より細くなっている場合、略長方形が付加された後において、細くなった部分には、先端部分が補正用形状データによって太くなることにより凹部が形成される。補正後パターン生成部は、凹部の幅が基準値以下の場合に、該凹部を埋める処理を行ってもよい。
【００１５】
本発明に係るレイアウトパターン補正方法は、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータを生成する。
【００１６】
本発明に係るプログラムは、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムであり、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する。
【００１７】
本発明に係る記録媒体は、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムを格納しており、
前記プログラムは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する。
【００１８】
本発明に係るレチクルは、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータに基づいて形成され、
前記全補正後パターンデータは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により生成されている。
【００１９】
本発明に係る半導体装置は、レチクルが有するレイアウトパターンが転写された部分を有しており、
前記レチクルが有するレイアウトパターンは、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により形成されている。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図である。本レイアウトパターン補正装置は、ＯＰＣルールデータベース（以下、ＯＰＣルールＤＢと記載）２０、設計パターンデータ取得部４０、パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０、部分形状補正部７０、及び補正後パターン生成部８０を備える。
【００２１】
ＯＰＣルールＤＢ２０は、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの条件、及びレイアウトパターンに対して行う補正を示す情報（補正量表）を、互いに対応して格納している。具体的には、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの幅を補正するためのＯＰＣルールとして、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの幅と、レイアウトパターンの外郭線をどの程度平行にスライドさせるかを示す情報とを対応付けて格納している。また、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの端部の形状を補正するためのＯＰＣルールとして、レイアウトパターンの端部の幅と、この端部に付加すべき略長方形のパターンであるハンマーヘッドの形状及び大きさを示す情報とを対応付けて格納している。また、ＯＰＣルールＤＢ２０は、レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分を補正するためのＯＰＣルールとして、屈曲部分近傍のレイアウトパターンの形状と、この屈曲部分に付加すべきパターンであるポジセリフの形状、又はこの屈曲部分から除去すべきパターンであるネガセリフの形状を対応付けて格納している。なお、ＯＰＣルールＤＢ２０は、例示した以外の条件（例えばレイアウトパターンの一部分の形状）及び情報（例えばレイアウトパターンの一部部分の形状をどのように変形するか）も格納している。
【００２２】
設計パターンデータ取得部４０は、設計段階のレイアウトパターンを示す設計パターンデータを取得する。ここでのレイアウトパターンは、例えば半導体装置内部のポリシリコンパターン、又は配線パターン等である。なお、設計パターンデータ取得部４０は、設計パターンデータを、レイアウトパターン補正装置が有する記録媒体（例えばハードディスク）から取得してもよいし、外部の記録媒体から取得してもよい。
【００２３】
パターン幅補正部５０は、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて、設計パターンデータ取得部４０が取得した設計パターンデータに対し、幅に関するＯＰＣを行い、幅補正後パターンデータを生成する。
【００２４】
補正部分データ生成部６０は、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて、設計パターンデータ取得部４０が取得した設計パターンデータから、形状を補正すべき部分である補正部分（例えばレイアウトパターンの端部）を抽出し、この補正部分を示すマークを設計パターンデータに付加する。
【００２５】
部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分における光近接効果を補正するために、この補正部分を変形させるための補正用形状データを、ＯＰＣルールＤＢ２０が格納しているＯＰＣルールに基づいて生成する。
【００２６】
補正後パターン生成部８０は、パターン幅補正部５０が補正した幅補正後パターンデータに対し、部分形状補正部７０が生成した補正用形状データを合成することにより、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する。このとき、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成した補正部分データを用いる。
【００２７】
全補正後パターンデータが示すレイアウトパターンは、例えばフォトレジスト膜を露光するためのレチクルのパターンとして用いられる。このレチクルによって露光されたフォトレジスト膜は、現像されることにより、レチクルのパターンが転写されたレジストパターンとなる。このレジストパターンは、例えばポリシリコン膜、又はＡｌ合金膜をエッチングによりパターニングするときのマスクとして用いられる。パターニングされたポリシリコン膜には、レチクルのパターンが転写され、これにより半導体装置が有するＭＯＳトランジスタのゲート電極及びポリシリコン配線が形成される。また、パターニングされたＡｌ合金膜にも、レチクルのパターンが転写され、これにより半導体装置の配線が形成される。
このようにして、レイアウトパターン補正装置が生成したレイアウトパターンを用いて、半導体装置が製造される。
【００２８】
なお、本レイアウトパターン補正装置は、上記した機能を有するプログラムをコンピュータシステムにインストールすることにより、実現される。このプログラムは、例えば記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされる。プログラムを格納する記録媒体は、例えばフロッピーディスク（登録商標）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、及び半導体メモリー等のリムーバブルディスク、若しくはハードディスクであるが、これら以外であってもよい。また、このプログラムは、インターネット等の通信回線を介してダウンロードされることにより、コンピュータシステムにインストールされてもよい。
【００２９】
次に、図２、図３及び図４を参照して、レイアウトパターン補正装置の第１の動作について説明する。図２は本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図３は本動作のフローチャートであり、図４の各図は、図３に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００３０】
図２に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１００は、略長方形であり、角部１０２を示す外郭線がレイアウトパターンを区切る方向に略９０°湾曲している。このようなレイアウトパターン１００は、転写する際に、光近接効果により角部１０２が内側に凹む。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、角部１０２に、略長方形のポジセリフ（補正用形状データ）を付加する補正を行う。
【００３１】
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計段階のレイアウトパターンを示す設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図３のＳ２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、セリフを付加すべき補正部分として、角部１０２を抽出する（図３のＳ４）。次いで、抽出した角部１０２に、補正部分である旨を示すマーク１０４ａ（補正部分データ）を付加する（図３のＳ６及び図４（Ａ））。
【００３２】
図４（Ａ）に示すように、マーク１０４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する幅補正後パターンデータにおいても、角部１０２を内側に含む程度の大きさを有する。
【００３３】
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ４及びＳ６で示した処理を行っている間に、図３のＳ８及びＳ１０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図３のＳ８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後のレイアウトパターンデータである幅補正後パターンデータを生成する（図３のＳ１０及び図４（Ｂ））。
【００３４】
図４（Ｂ）に示すように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１００ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００の外郭線を内側に平行移動させたものである。これにより、角部１０２も内側にスライドし、角部１０２ａとなる。
【００３５】
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１０４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後パターンデータに重ねる（図３のＳ１２及び図４（Ｃ））。上述したように、補正後の角部１０２ａは補正前の角部１０２よりも内側に位置するが、マーク１０４ａは予め大きめに設定されているため、図４（Ｃ）に示すように、角部１０２ａは、マーク１０４ａによって囲まれる。
【００３６】
なお、図３のＳ１０で説明したように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１００ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００に対して幅が変わっている。このため、補正後のレイアウトパターン１００ａをＯＰＣルールに適用した場合、角部１０２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。逆に、本来補正すべきでない部分が、補正部分として抽出されることもある。しかし本実施形態では、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１００に対してＯＰＣルールを適用しているため、補正すべき部分のみを、補正部分として抽出することができる。
【００３７】
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するために、ポジセリフを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ポジセリフを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１０４ａで囲まれている角部１０２ａに、部分形状補正部７０が生成したポジセリフ１０４を付加する（Ｓ１４及び図４（Ｄ））。付加されるポジセリフ１０４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【００３８】
このように、レイアウトパターン補正装置の第１の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンに付加されるポジセリフ１０４は、幅補正後のレイアウトパターンではなく、設計レイアウトパターンにＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
【００３９】
また、幅補正前のレイアウトパターン１００にＯＰＣルールを適用することにより、ポジセリフ１０４を付加すべき補正部分（本実施形態では角部１０２）を抽出している。このため、的確に補正部分のみを抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ポジセリフを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
【００４０】
次に、図５、図６及び図７を参照して、レイアウトパターン補正装置の第２の動作について説明する。図５は、本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図６は本動作のフローチャートであり、図７の各図は、図６に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００４１】
図５に示すように、本動作の対象となる設計パターンデータが示すレイアウトパターン１１０は、角部１１２を示す外郭線が、レイアウトパターンを広げる方向に略９０°湾曲している。このようなレイアウトパターン１１０は、転写する際に、光近接効果により角部１０２が外側に凸になる。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、角部１１２から、略長方形のネガセリフ（補正用形状データ）を除去する補正を行う。
【００４２】
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図６のＳ２２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを除去すべき補正部分として、角部１１２を抽出する（図６のＳ２４）。次いで、抽出した角部１１２に、補正部分である旨を示すマーク１１４ａ（補正部分データ）を付加する（図６のＳ２６及び図７（Ａ））。
【００４３】
図７（Ａ）に示すように、マーク１１４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する幅補正後パターンデータにおいても、角部１１２を内側に含む程度の大きさを有する。
【００４４】
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ２４及びＳ２６で示した処理を行っている間に、図６のＳ２８及びＳ３０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図６のＳ２８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後パターンデータを生成する（図６のＳ３０及び図７（Ｂ））。
【００４５】
図７（Ｂ）に示すように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１１０ａは、補正前のレイアウトパターン１１０の外郭線を内側に平行移動させたものである。これにより、角部１１２も内側にスライドし、角部１１２ａとなる。
【００４６】
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１１４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後パターンデータに重ねる（図６のＳ３２及び図７（Ｃ））。上述したように、補正後の角部１１２ａは補正前の角部１１２よりも内側に位置するが、マーク１１４ａは予め大きめに設定されているため、図７（Ｃ）に示すように、角部１１２ａは、マーク１１４ａによって囲まれる。
【００４７】
なお、図６のＳ３０で説明したように、幅補正後パターンデータが示すレイアウトパターン１１０ａは、設計パターンデータが示すレイアウトパターン１１０に対して幅が変わっている。このため、幅補正後のレイアウトパターン１１０ａをＯＰＣルールに適用した場合、角部１１２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。逆に、本来補正すべきでない部分が補正部分として抽出されることもある。しかし、本実施形態では、補正前のレイアウトパターン１１０に対してＯＰＣルールを適用しているため、補正すべき部分のみを、補正部分として抽出することができる。
【００４８】
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するために、ネガセリフを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１１４ａで囲まれている角部１１２ａから、部分形状補正部７０が生成したネガセリフ１１４を除去する（Ｓ３４及び図７（Ｄ））。ネガセリフ１１４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【００４９】
このように、レイアウトパターン補正装置の第２の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンから除去されるネガセリフ１１４は、幅補正前のレイアウトパターン１１０にＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に光近接効果を補正することができる。
【００５０】
また、幅補正前のレイアウトパターン１１０にＯＰＣルールを適用することにより、ネガセリフを除去すべき補正部分（本実施形態では角部１１２）を抽出している。このため、的確に補正部分を抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ネガセリフを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
【００５１】
次に、図８、図９及び図１０を参照して、レイアウトパターン補正装置の第３の動作について説明する。図８は、本動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図である。図９は本動作のフローチャートであり、図１０の各図は、図９に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００５２】
図８に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１２０は、長手方向の端部１２２が、転写の際に、光近接効果により内側に凹になる。これを補正するため、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明するように、端部１２２に、端部１２２より大きい略長方形のハンマーヘッド（補正用形状データ）を付加する補正を行う。
【００５３】
パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０それぞれは、設計パターンデータ取得部４０を介して設計パターンデータを取得するとともに、ＯＰＣルールＤＢ２０からＯＰＣルールを取得する（図９のＳ４２）。次いで、補正部分データ生成部６０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッドを付加すべき補正部分として、端部１２２を抽出する（図９のＳ４４）。次いで、抽出した端部１２２に、補正部分である旨を示すマーク１２４ａ（補正部分データ）を付加する（図９のＳ４６及び図１０（Ａ））。
【００５４】
図１０（Ａ）に示すように、マーク１２４ａは略長方形であり、後述するパターン幅補正部５０が生成する補正後パターンデータにおいても、端部１２２を内側に含む程度の大きさを有する。
【００５５】
一方、パターン幅補正部５０は、補正部分データ生成部６０がＳ４４及びＳ４６で示した処理を行っている間に、図９のＳ４８及びＳ５０に示す処理を行う。まず、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、幅を変更すべき部分すなわち平行移動すべき外郭線を抽出する（図９のＳ４８）。次いで、ＯＰＣルールに基づいて、抽出した外郭線を平行移動してレイアウトパターンの幅を変更し、幅補正後パターンデータを生成する（図９のＳ５０及び図１０（Ｂ））。
【００５６】
図１０（Ｂ）に示すように、幅補正後のレイアウトパターン１１０ａは、補正前のレイアウトパターン１１０の外郭線を外側に平行移動させたものである。これにより、端部１２２の幅も広がり、端部１２２ａとなる。
【００５７】
次いで、補正後パターン生成部８０は、補正部分データ生成部６０が生成したマーク１２４ａを、パターン幅補正部５０が生成した幅補正後のレイアウトパターンデータに重ねる（図９のＳ５２及び図１０（Ｃ））。上述したように、補正後の端部１２２ａは補正前の端部１２２よりも幅広であるが、マーク１２４ａは予め大きめに設定されているため、図１０（Ｃ）に示すように、端部１２２ａは、マーク１２４ａによって囲まれる。
【００５８】
なお、端部１２２ａの幅が広がっているため、補正後のレイアウトパターン１１０ａをＯＰＣルールに適用した場合、端部１２２ａは、補正部分として補正部分データ生成部６０に抽出されないことがある。しかし本実施形態では、補正前のレイアウトパターン１１０に対してＯＰＣルールを適用しているため、確実に端部１２２を補正部分として抽出することができる。
【００５９】
次いで、部分形状補正部７０は、補正部分データ生成部６０が抽出した補正部分を補正するためのハンマーヘッドを生成する。このとき、部分形状補正部７０は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッドを生成する。次いで、補正後パターン生成部８０は、マーク１２４ａで囲まれている端部１２２ａに対し、部分形状補正部７０が生成したハンマーヘッド１２４を付加する（Ｓ５４及び図１０（Ｄ））。ハンマーヘッド１２４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されているため、的確に光近接効果を補正することができる。
このようにして、光近接効果が補正されたレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータが生成される。
【００６０】
このように、レイアウトパターン補正装置の第３の動作によれば、幅補正後のレイアウトパターンに付加されるハンマーヘッド１２４は、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより生成されている。このため、レイアウトパターン補正装置は、的確に、レイアウトパターン端部の光近接効果を補正することができる。
【００６１】
また、設計パターンデータにＯＰＣルールを適用することにより、ハンマーヘッド１２４を付加すべき補正部分（本実施形態では端部１２２）を抽出している。このため、的確に補正部分を抽出することができる。
また、幅補正後パターンデータを生成する処理を、ハンマーヘッドを付加すべき補正部分を抽出する処理と並列で行っているため、処理時間を短くすることができる。
【００６２】
次に、図１１、図１２及び図１３を参照して、レイアウトパターン補正装置の第４の動作について説明する。本動作は、第３の動作によって光近接効果が補正されたレイアウトパターンに対して処理を行うことにより、さらに的確に光近接効果が補正されたレイアウトパターンを生成するものである。
【００６３】
図１１は、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターンを示す図である。図１２は本動作のフローチャートであり、図１３の各図は、図１２に示す処理を模式的に説明するための図である。
【００６４】
図１１に示すように、本動作の対象となる設計段階のレイアウトパターン１２０は、端部１２２から一定距離ほど内側が他の部分より細くなった、先細部分１２６を有する。このため、第３の動作により、端部にハンマーヘッドを付加するのみでは、端部の形状が不必要に複雑になってしまう。これに対し、レイアウトパターン補正装置は、以下に説明する補正を行う。
【００６５】
図１２及び図１３に示すように、パターン幅補正部５０、補正部分データ生成部６０、部分形状補正部７０、及び補正後パターン生成部８０は、上述した第３の動作を行う（図１２のＳ４２〜Ｓ５４）ことにより、幅補正後のレイアウトパターン１２０ａの端部１２２ａに、ハンマーヘッド１２４を付加する（図１２のＳ５６及び図１３（Ａ））。これにより、ハンマーヘッド１２４によって先細部分１２６の先端部が埋められ、凹部１２６ａが形成される。
【００６６】
次いで、凹部１２６ａの幅Ｌが基準値以下の場合（Ｓ５６：Ｙｅｓ）、凹部１２６ａを埋める処理を行う（Ｓ５８及び図１３（Ｂ））。凹部１２６ａの幅Ｌが基準値より大きい場合（Ｓ５６：Ｎｏ）、処理を行わない。
このようにして、光近接効果を補正したレイアウトパターンが生成される。
【００６７】
この第４の動作によれば、第３の動作と同一の効果を得ることができる。また、端部１２２にハンマーヘッド１２４を付加することによって微小な凹部１２６ａが形成され、端部１２２近傍の形状が不必要に複雑になってしまう場合には、該凹部１２６ａを埋める処理を行う。このため、さらに的確に光近接効果を補正することができる。
【００６８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば、部分形状補正部７０の機能を補正部分データ生成部６０の機能が兼ねてもよい。この場合、補正部分を示すマークを生成する（Ｓ６、Ｓ２６、及びＳ４６）段階で、マークとともに、ポジセリフ、ネガセリフ又はハンマーヘッドを生成する。そして、ここで生成したポジセリフ、ネガセリフ又はハンマーヘッドを幅補正後パターンデータに付加することにより、全補正後パターンデータを生成する。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図。
【図２】レイアウトパターン補正装置の第１の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図３】第１の動作のフローチャート。
【図４】（Ａ）乃至（Ｄ）の各図は、図３に示す処理を模式的に説明するための図。
【図５】レイアウトパターン補正装置の第２の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図６】第２の動作のフローチャート。
【図７】（Ａ）乃至（Ｄ）の各図は、図６に示す処理を模式的に説明するための図。
【図８】レイアウトパターン補正装置の第３の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図９】第３の動作のフローチャート。
【図１０】（Ａ）乃至（Ｄ）の各図は、図９に示す処理を模式的に説明するための図。
【図１１】レイアウトパターン補正装置の第４の動作の対象となる設計パターンデータを模式的に示す図。
【図１２】第４の動作のフローチャート。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１２に示す処理を模式的に説明するための図。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）それぞれは、従来のＯＰＣの一例を示す図。
【符号の説明】
【００７０】
２０…ＯＰＣルールデータベース、４０…設計パターンデータ取得部、６０…補正部分データ生成部、７０…部分形状補正部、８０…補正後パターン生成部、１００，１１０，１２０，２００，２１０…レイアウトパターン、１００ａ，１１０ａ，１２０ａ…幅補正後のレイアウトパターン、１０２，１０２ａ，１１２，１１２ａ…角部、１０４…ポジセリフ、１０４ａ，１１４ａ，１２４ａ…マーク、１１４…ネガセリフ、１２２，１２２ａ，２１２…端部、１２４，２１２ａ…ハンマーヘッド、１２６…先細部分、１２６ａ…凹部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する補正部分データ生成部と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
光近接効果を補正するために前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項２】
前記パターン幅補正部は、前記補正部分データ生成部と並列に動作する請求項１に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項３】
設計段階における半導体装置内部のレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、前記レイアウトパターンの幅に関する光近接効果を補正した後のパターンを示す幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
前記設計段階のレイアウトパターンの一部である補正部分における光近接効果を補正するために、該補正部分の形状を変形させる補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記幅補正後パターンデータに前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項４】
前記補正部分は、前記レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分において前記外郭線を外側に膨らませるために、前記補正用形状データを生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項５】
前記外郭線は、前記屈曲している部分において、前記レイアウトパターンを区切る方向に略９０°曲がっており、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分の角部に加えられる略長方形を、前記補正用形状データとして生成する請求項４に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項６】
前記補正部分は、前記レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分において前記外郭線を内側に凹ませるために、前記補正用形状データを生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項７】
前記外郭線は、前記屈曲している部分において、前記レイアウトパターンを広げる方向に略９０°曲がっており、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分の角部から除去される略長方形を、前記補正用形状データとして生成する請求項６に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項８】
前記補正部分は、前記レイアウトパターンが有する略長方形の端部であり、
前記部分形状補正部は、前記補正用形状データとして、前記端部に加えられる、該端部より大きな略長方形を生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項９】
前記レイアウトパターンは、前記端部から一定距離ほど内側までの領域が他の部分より細くなっており、
前記略長方形が付加された後において、前記細くなった部分は、先端部分が前記補正用形状データによって太くなることにより凹部を形成し、
前記補正後パターン生成部は、前記凹部の幅が基準値以下の場合には、該凹部を埋める処理を行う請求項８に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項１０】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータを生成する、レイアウトパターン補正方法。
【請求項１１】
コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムであって、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備するプログラム。
【請求項１２】
コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムを格納した記録媒体であって、
前記プログラムは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する記録媒体。
【請求項１３】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータに基づいて形成されたレチクルであって、
前記全補正後パターンデータは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により生成されているレチクル。
【請求項１４】
レチクルが有するレイアウトパターンが転写された部分を有する半導体装置であって、
前記レチクルが有するレイアウトパターンは、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により形成されている、半導体装置。
【請求項１】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する補正部分データ生成部と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
光近接効果を補正するために前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項２】
前記パターン幅補正部は、前記補正部分データ生成部と並列に動作する請求項１に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項３】
設計段階における半導体装置内部のレイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、前記レイアウトパターンの幅に関する光近接効果を補正した後のパターンを示す幅補正後パターンデータを生成するパターン幅補正部と、
前記設計段階のレイアウトパターンの一部である補正部分における光近接効果を補正するために、該補正部分の形状を変形させる補正用形状データを、前記設計パターンデータに基づいて生成する部分形状補正部と、
前記幅補正後パターンデータに前記補正用形状データを合成することにより、光近接効果を補正した後のレイアウトパターンを示す全補正後パターンデータを生成する補正後パターン生成部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項４】
前記補正部分は、前記レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分において前記外郭線を外側に膨らませるために、前記補正用形状データを生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項５】
前記外郭線は、前記屈曲している部分において、前記レイアウトパターンを区切る方向に略９０°曲がっており、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分の角部に加えられる略長方形を、前記補正用形状データとして生成する請求項４に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項６】
前記補正部分は、前記レイアウトパターンの外郭線が屈曲している部分であり、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分において前記外郭線を内側に凹ませるために、前記補正用形状データを生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項７】
前記外郭線は、前記屈曲している部分において、前記レイアウトパターンを広げる方向に略９０°曲がっており、
前記部分形状補正部は、前記屈曲している部分の角部から除去される略長方形を、前記補正用形状データとして生成する請求項６に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項８】
前記補正部分は、前記レイアウトパターンが有する略長方形の端部であり、
前記部分形状補正部は、前記補正用形状データとして、前記端部に加えられる、該端部より大きな略長方形を生成する請求項１〜３のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項９】
前記レイアウトパターンは、前記端部から一定距離ほど内側までの領域が他の部分より細くなっており、
前記略長方形が付加された後において、前記細くなった部分は、先端部分が前記補正用形状データによって太くなることにより凹部を形成し、
前記補正後パターン生成部は、前記凹部の幅が基準値以下の場合には、該凹部を埋める処理を行う請求項８に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項１０】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータを生成する、レイアウトパターン補正方法。
【請求項１１】
コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムであって、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備するプログラム。
【請求項１２】
コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果の補正を加えた全補正後パターンデータを生成するためのプログラムを格納した記録媒体であって、
前記プログラムは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成する機能と、
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成する機能と、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成する機能と、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成することにより、前記全補正後パターンデータを生成する機能と、
を具備する記録媒体。
【請求項１３】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに光近接効果用の補正を加えた全補正後パターンデータに基づいて形成されたレチクルであって、
前記全補正後パターンデータは、
前記設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により生成されているレチクル。
【請求項１４】
レチクルが有するレイアウトパターンが転写された部分を有する半導体装置であって、
前記レチクルが有するレイアウトパターンは、
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに基づいて、前記レイアウトパターンのうち光近接効果を補正するために形状を変えるべき補正部分を特定する補正部分データを生成し
前記設計パターンデータが示す前記レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のデータである幅補正後パターンデータを生成し、
前記補正部分において光近接効果を補正するために、前記設計パターンデータにおける前記補正部分の形状を変形させるための補正用形状データを生成し、
前記補正部分データを用いて、前記幅補正後パターンデータに対し、前記補正用形状データを合成すること
により形成されている、半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２００６−３９２５８（Ｐ２００６−３９２５８Ａ）
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００４−２１９８９４（Ｐ２００４−２１９８９４）
【出願日】平成１６年７月２８日（２００４．７．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年２月９日（２００６．２．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年７月２８日（２００４．７．２８）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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