半導体素子
【課題】不良品の発生を容易に防止出来て歩留まりの向上と製造条件の確認の容易な半導体素子を実現する。
【解決手段】半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、を具備する半導体素子において、前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜とを具備したことを特徴とする半導体素子である。
【解決手段】半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、を具備する半導体素子において、前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜とを具備したことを特徴とする半導体素子である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に関するものである。
更に詳述すれば、不良品の発生を容易に防止出来て歩留まりの向上と製造条件の確認の容易な半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。
図において、絶縁膜２は、半導体素子本体１の外表面を覆って設けられている。
この場合は、半導体素子本体１は、化合物半導体である。また、絶縁膜２は、ポリイミドが使用されている。
外部接続用端子３は、絶縁膜２に設けられ、半導体素子本体１に一端側が接する。
【０００３】
この場合は、外部接続用端子３は、金材よりなる。また、外部接続用端子３は、ボンディング等によって素子外部よりの配線を素子に接触させている。
配線取出し孔４は、絶縁膜２に穿設され、一端側が外部接続用端子３に接する。
この場合は、配線取出し孔４は、ホトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて開口する。
配線パターン５は、半導体素子本体１と外部接続用端子３とを電気的に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−０１３５８５号公報
【特許文献２】特開平０６−２０８９９４号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような装置においては、以下の問題点がある。
別の配線層や外部からボンディングするためのスルーホールが正しく開口していないと、配線間のコンタクトが取れず、そのため抵抗値が上昇し、製品の歩留まりの低下の原因となる。
【０００６】
一般に、絶縁膜２の材料には透明な材料が多く、透明に見える絶縁膜２の配線取出し孔４の微細な部分の開口完了を調べるのは、一般的な金属顕微鏡で確認するのは困難で、その都度、特殊な顕微鏡を用いて観察したり、実物において電気抵抗を調べるなどの電気検査をおこなう必要があった。
ここで、例えば、開口の大きさは、2μｍ角〜200μｍ角である。
【０００７】
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、不良品の発生を容易に防止出来て歩留まりの向上と製造条件の確認の容易な半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を達成するために、本発明では、請求項１の半導体素子においては、
半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、を具備する半導体素子において、前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項２の半導体素子においては、請求項１記載の半導体素子において、
前記絶縁膜は透明体であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項３の半導体素子においては、請求項１又は請求項２記載の半導体素子において、
前記外部接続用端子は金材を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項４の半導体素子においては、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半導体素子において、
前記識別膜は、前記配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項５の半導体素子においては、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の半導体素子において、
前記識別膜は、チタン材よりなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１によれば、次のような効果がある。
多くの外観検査で用いられる金属顕微鏡による観察で簡単に開口を確認することができ、容易に不良品の食い止めができる半導体素子が得られる。
エッチング条件やフォトリソグラフィの条件をはじめとする、プロセス条件の確認試験を容易に行うことができるようになる半導体素子が得られる。
【００１４】
追加加工できる構造である。追加の加工により、歩留まりの上昇が期待できる。また、追加の加工の際、どの程度の加工が必要かの見極めが識別膜の表面の色判別のみで出来、容易である半導体素子が得られる。
【００１５】
本発明の請求項２によれば、次のような効果がある。
絶縁膜は透明体であるので、半導体プロセスに使用される絶縁膜は透明体が多く、市場性があり、入手し易く、安価な半導体素子が得られる。
【００１６】
本発明の請求項３によれば、次のような効果がある。
外部接続用端子は金材よりなるので、金材は導電性が良好で確実な導電性を有する外部接続用端子を具備する半導体素子が得られる。
【００１７】
本発明の請求項４によれば、次のような効果がある。
識別膜は、配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されるので、製造コストが低減出来る半導体素子が得られる。
【００１８】
本発明の請求項５によれば、次のような効果がある。
識別膜は、チタン材よりなるので、金材を含む外部接続用端子に対して密着性が向上され、且つ、明らかに色の区別がつき、判別性が向上できる半導体素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１の製作説明図である。
【図３】従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例の要部構成説明図、図２は図１の製作説明図である。
図において、図３と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図３との相違部分のみ説明する。
【００２１】
図１において、識別膜１１は、外部接続用端子３の配線取出し孔４に接する面全体に一面が接し、他面が絶縁膜２に接して設けられ、外部接続用端子３の色と絶縁膜２の色と異なる色を有し、配線取出し孔４の穿設時に除去されることにより、配線取出し孔４の穿設完了を識別する。
なお、外部接続用端子３の上の識別膜１１の厚さは、色が確認できる厚さであれば良く、２００Å程度あればよい。
【００２２】
この場合は、絶縁膜２は透明体であり、外部接続用端子は金材を含む。また、識別膜１１は、配線取出し孔４のエッチングによる形成と共にエッチング除去される。また、識別膜１１は、チタン材よりなる。
【００２３】
以上の構成において、図２（ａ）に示す如く、半導体素子本体１、この場合は、化合物半導体層の上に絶縁膜２を成膜し、外部接続用端子３の上に金材と明らかに色の区別がつく識別膜１１、この場合は、チタンを薄く成膜する。
そして、少なくとも、配線取出し孔４が設けられる箇所において、外部接続用端子３の上の識別膜１１が存在するように形成する。
【００２４】
図２（ｃ）に示す如く、絶縁膜２と識別膜１１とを同時に、または、連続してエッチングし、配線取出し孔４を形成する。
開口する絶縁膜２の部分よりも下部にある、薄膜の識別膜１１がエッチングされたところで開口完了が確認できる。
【００２５】
図２（ｂ）は、開口未完了の状態を示す。配線取出し孔４の部分で、識別膜１１が未だ十分に除去されていない状態を示す。
【００２６】
この結果、
多くの外観検査で用いられる金属顕微鏡による観察で簡単に開口を確認することができ、容易に不良品の食い止めができる半導体素子が得られる。
エッチング条件やフォトリソグラフィの条件をはじめとする、プロセス条件の確認試験を容易に行うことができるようになる半導体素子が得られる。
【００２７】
追加加工できる構造である。追加の加工により、歩留まりの上昇が期待できる。また、追加の加工の際、どの程度の加工が必要かの見極めが識別膜の表面の色判別のみで出来、容易である半導体素子が得られる。
【００２８】
絶縁膜は透明体であるので、半導体プロセスに使用される絶縁膜は透明体が多く、市場性があり、入手し易く、安価な半導体素子が得られる。
【００２９】
外部接続用端子３は金材を含むので、金材は導電性が良好で確実な導電性を有する外部接続用端子３を具備する半導体素子が得られる。
【００３０】
識別膜１１は、配線取出し孔４のエッチングによる形成と共にエッチング除去されるので、製造コストが低減出来る半導体素子が得られる。
【００３１】
識別膜１１は、チタン材よりなるので、金材を含む外部接続用端子３に対して密着性が向上され、且つ、明らかに色の区別がつき、判別性が向上できる半導体素子が得られる。
半導体素子が得られる。
【００３２】
要するに、半導体素子本体１、この場合は、化合物半導体の上の絶縁膜２を開口４して、配線金属３を表面に出すときは、主となる配線金属３と容易な区別のつく金属薄膜の識別膜１１を、主となる配線金属３の上に成膜しておく。
【００３３】
開口４のプロセス後、配線金属３上に成膜した金属薄膜１１が残っていなければ、その開口４が確実に取れているということを、目視の外観検査によって簡単に知ることができる。
それによって、ウェハを電気検査することなどの手間や素子の破壊のリスクを避けることができる。
【００３４】
なお、前述の実施例においては、識別膜１１に付いて、チタン（Ｔｉ）が使用されていると説明したが、これに限ることはなく、例えば、ケイ化タンタル（ＴａＳｉＮ）やタンタル（Ｔａ）やモリブデン（Ｍｏ）であっても良く、要するに、外部接続用端子３と色の区別ができるものであれば良い。
また、前述の実施例においては、絶縁膜２に付いて、ポリイミドと説明したが、これに限ることはなく、例えば、酸化膜、窒化膜であっても良く、要するに、絶縁膜であれば良い。
【００３５】
なお、絶縁膜２と共にエッチングができる識別膜１１を選択すると、開口不十分の際の、追加の加工が容易である。
例えば、識別膜１１がチタン（Ｔｉ）であれば、フッ素系ガスのＲＩＥで、絶縁膜２のポリイミドとともにエッチングすることができる。
【００３６】
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
【符号の説明】
【００３７】
１ 半導体素子本体
２ 絶縁膜
３ 外部接続用端子
４ 配線取出し孔
５ 配線パターン
１１ 識別膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子に関するものである。
更に詳述すれば、不良品の発生を容易に防止出来て歩留まりの向上と製造条件の確認の容易な半導体素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３は従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。
図において、絶縁膜２は、半導体素子本体１の外表面を覆って設けられている。
この場合は、半導体素子本体１は、化合物半導体である。また、絶縁膜２は、ポリイミドが使用されている。
外部接続用端子３は、絶縁膜２に設けられ、半導体素子本体１に一端側が接する。
【０００３】
この場合は、外部接続用端子３は、金材よりなる。また、外部接続用端子３は、ボンディング等によって素子外部よりの配線を素子に接触させている。
配線取出し孔４は、絶縁膜２に穿設され、一端側が外部接続用端子３に接する。
この場合は、配線取出し孔４は、ホトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて開口する。
配線パターン５は、半導体素子本体１と外部接続用端子３とを電気的に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−０１３５８５号公報
【特許文献２】特開平０６−２０８９９４号公報
【特許文献３】特開平１０−１２５６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような装置においては、以下の問題点がある。
別の配線層や外部からボンディングするためのスルーホールが正しく開口していないと、配線間のコンタクトが取れず、そのため抵抗値が上昇し、製品の歩留まりの低下の原因となる。
【０００６】
一般に、絶縁膜２の材料には透明な材料が多く、透明に見える絶縁膜２の配線取出し孔４の微細な部分の開口完了を調べるのは、一般的な金属顕微鏡で確認するのは困難で、その都度、特殊な顕微鏡を用いて観察したり、実物において電気抵抗を調べるなどの電気検査をおこなう必要があった。
ここで、例えば、開口の大きさは、2μｍ角〜200μｍ角である。
【０００７】
本発明の目的は、上記の課題を解決するもので、不良品の発生を容易に防止出来て歩留まりの向上と製造条件の確認の容易な半導体素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を達成するために、本発明では、請求項１の半導体素子においては、
半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、を具備する半導体素子において、前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項２の半導体素子においては、請求項１記載の半導体素子において、
前記絶縁膜は透明体であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項３の半導体素子においては、請求項１又は請求項２記載の半導体素子において、
前記外部接続用端子は金材を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項４の半導体素子においては、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半導体素子において、
前記識別膜は、前記配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項５の半導体素子においては、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の半導体素子において、
前記識別膜は、チタン材よりなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１によれば、次のような効果がある。
多くの外観検査で用いられる金属顕微鏡による観察で簡単に開口を確認することができ、容易に不良品の食い止めができる半導体素子が得られる。
エッチング条件やフォトリソグラフィの条件をはじめとする、プロセス条件の確認試験を容易に行うことができるようになる半導体素子が得られる。
【００１４】
追加加工できる構造である。追加の加工により、歩留まりの上昇が期待できる。また、追加の加工の際、どの程度の加工が必要かの見極めが識別膜の表面の色判別のみで出来、容易である半導体素子が得られる。
【００１５】
本発明の請求項２によれば、次のような効果がある。
絶縁膜は透明体であるので、半導体プロセスに使用される絶縁膜は透明体が多く、市場性があり、入手し易く、安価な半導体素子が得られる。
【００１６】
本発明の請求項３によれば、次のような効果がある。
外部接続用端子は金材よりなるので、金材は導電性が良好で確実な導電性を有する外部接続用端子を具備する半導体素子が得られる。
【００１７】
本発明の請求項４によれば、次のような効果がある。
識別膜は、配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されるので、製造コストが低減出来る半導体素子が得られる。
【００１８】
本発明の請求項５によれば、次のような効果がある。
識別膜は、チタン材よりなるので、金材を含む外部接続用端子に対して密着性が向上され、且つ、明らかに色の区別がつき、判別性が向上できる半導体素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１の製作説明図である。
【図３】従来より一般に使用されている従来例の要部構成説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の一実施例の要部構成説明図、図２は図１の製作説明図である。
図において、図３と同一記号の構成は同一機能を表す。
以下、図３との相違部分のみ説明する。
【００２１】
図１において、識別膜１１は、外部接続用端子３の配線取出し孔４に接する面全体に一面が接し、他面が絶縁膜２に接して設けられ、外部接続用端子３の色と絶縁膜２の色と異なる色を有し、配線取出し孔４の穿設時に除去されることにより、配線取出し孔４の穿設完了を識別する。
なお、外部接続用端子３の上の識別膜１１の厚さは、色が確認できる厚さであれば良く、２００Å程度あればよい。
【００２２】
この場合は、絶縁膜２は透明体であり、外部接続用端子は金材を含む。また、識別膜１１は、配線取出し孔４のエッチングによる形成と共にエッチング除去される。また、識別膜１１は、チタン材よりなる。
【００２３】
以上の構成において、図２（ａ）に示す如く、半導体素子本体１、この場合は、化合物半導体層の上に絶縁膜２を成膜し、外部接続用端子３の上に金材と明らかに色の区別がつく識別膜１１、この場合は、チタンを薄く成膜する。
そして、少なくとも、配線取出し孔４が設けられる箇所において、外部接続用端子３の上の識別膜１１が存在するように形成する。
【００２４】
図２（ｃ）に示す如く、絶縁膜２と識別膜１１とを同時に、または、連続してエッチングし、配線取出し孔４を形成する。
開口する絶縁膜２の部分よりも下部にある、薄膜の識別膜１１がエッチングされたところで開口完了が確認できる。
【００２５】
図２（ｂ）は、開口未完了の状態を示す。配線取出し孔４の部分で、識別膜１１が未だ十分に除去されていない状態を示す。
【００２６】
この結果、
多くの外観検査で用いられる金属顕微鏡による観察で簡単に開口を確認することができ、容易に不良品の食い止めができる半導体素子が得られる。
エッチング条件やフォトリソグラフィの条件をはじめとする、プロセス条件の確認試験を容易に行うことができるようになる半導体素子が得られる。
【００２７】
追加加工できる構造である。追加の加工により、歩留まりの上昇が期待できる。また、追加の加工の際、どの程度の加工が必要かの見極めが識別膜の表面の色判別のみで出来、容易である半導体素子が得られる。
【００２８】
絶縁膜は透明体であるので、半導体プロセスに使用される絶縁膜は透明体が多く、市場性があり、入手し易く、安価な半導体素子が得られる。
【００２９】
外部接続用端子３は金材を含むので、金材は導電性が良好で確実な導電性を有する外部接続用端子３を具備する半導体素子が得られる。
【００３０】
識別膜１１は、配線取出し孔４のエッチングによる形成と共にエッチング除去されるので、製造コストが低減出来る半導体素子が得られる。
【００３１】
識別膜１１は、チタン材よりなるので、金材を含む外部接続用端子３に対して密着性が向上され、且つ、明らかに色の区別がつき、判別性が向上できる半導体素子が得られる。
半導体素子が得られる。
【００３２】
要するに、半導体素子本体１、この場合は、化合物半導体の上の絶縁膜２を開口４して、配線金属３を表面に出すときは、主となる配線金属３と容易な区別のつく金属薄膜の識別膜１１を、主となる配線金属３の上に成膜しておく。
【００３３】
開口４のプロセス後、配線金属３上に成膜した金属薄膜１１が残っていなければ、その開口４が確実に取れているということを、目視の外観検査によって簡単に知ることができる。
それによって、ウェハを電気検査することなどの手間や素子の破壊のリスクを避けることができる。
【００３４】
なお、前述の実施例においては、識別膜１１に付いて、チタン（Ｔｉ）が使用されていると説明したが、これに限ることはなく、例えば、ケイ化タンタル（ＴａＳｉＮ）やタンタル（Ｔａ）やモリブデン（Ｍｏ）であっても良く、要するに、外部接続用端子３と色の区別ができるものであれば良い。
また、前述の実施例においては、絶縁膜２に付いて、ポリイミドと説明したが、これに限ることはなく、例えば、酸化膜、窒化膜であっても良く、要するに、絶縁膜であれば良い。
【００３５】
なお、絶縁膜２と共にエッチングができる識別膜１１を選択すると、開口不十分の際の、追加の加工が容易である。
例えば、識別膜１１がチタン（Ｔｉ）であれば、フッ素系ガスのＲＩＥで、絶縁膜２のポリイミドとともにエッチングすることができる。
【００３６】
なお、以上の説明は、本発明の説明および例示を目的として特定の好適な実施例を示したに過ぎない。
したがって本発明は、上記実施例に限定されることなく、その本質から逸脱しない範囲で更に多くの変更、変形をも含むものである。
【符号の説明】
【００３７】
１ 半導体素子本体
２ 絶縁膜
３ 外部接続用端子
４ 配線取出し孔
５ 配線パターン
１１ 識別膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、
この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、
前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、
を具備する半導体素子において、
前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し
前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜と
を具備したことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記絶縁膜は透明体であること
を特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記外部接続用端子は金材を含むこと
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体素子。
【請求項４】
前記識別膜は、前記配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されること
を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半導体素子。
【請求項５】
前記識別膜は、チタン材よりなることを
を特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の半導体素子。
【請求項１】
半導体素子本体の外表面を覆って設けられた絶縁膜と、
この絶縁膜に設けられ前記半導体素子本体に一端側が接する外部接続用端子と、
前記絶縁膜に穿設され一端側が前記外部接続用端子に接する配線取出し孔と、
を具備する半導体素子において、
前記外部接続用端子の前記配線取出し孔に接する面全体に一面が接し他面が前記絶縁膜に接して設けられ前記外部接続用端子の色と前記絶縁膜の色と異なる色を有し
前記配線取出し孔の穿設時に除去されることにより前記配線取出し孔の穿設完了を識別する識別膜と
を具備したことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記絶縁膜は透明体であること
を特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記外部接続用端子は金材を含むこと
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体素子。
【請求項４】
前記識別膜は、前記配線取出し孔のエッチングによる形成と共にエッチング除去されること
を特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の半導体素子。
【請求項５】
前記識別膜は、チタン材よりなることを
を特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の半導体素子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−２１２８３４（Ｐ２０１２−２１２８３４Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７８７４２（Ｐ２０１１−７８７４２）
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００６５０７）横河電機株式会社 (4,443)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（０００００６５０７）横河電機株式会社 (4,443)
【Ｆターム（参考）】
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