回路基板の製造方法および回路基板
【課題】接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供する。
【解決手段】第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有している。
【解決手段】第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度化に伴い、これに用いる回路基板の多層化、回路基板に形成される回路の細線化が要求されている。このような、細線化された回路を有する多層基板を形成する方法の一つにバンプめっきによる接合方式があり、例えば次のような方法で形成される。
【０００３】
銅と金属、または銅と合金とで構成される導体２層ポストを有する基版と、前記導体２層ポストと接続するためのランドを有する基板とを用意する。そして、層間接着剤を介して、前記導体２層ポストを有する基板と、前記ランドを有する基板とを接合して多層基板を得ている。
【０００４】
この多層基板において、層間の密着性を向上させることが非常に重要になってくる。層間の密着性が乏しい場合には、多層基板を高温多湿下で処理した際に基板と層間接着剤との間に水分が侵入し、半田耐熱性試験（ＪＩＳ Ｃ５０１６）で層間が剥離し、膨れ等が発生する場合がある。
【０００５】
そこで、層間の密着性を向上させるために、被着物の表面を粗面化する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法では、基板、ランド、回路等を粗面化する。しかし、高周波の信号を伝搬させると、表皮効果により信号が祖化された回路の表面部分のみを伝搬するため、その表面の凹凸に起因して信号にノイズが発生してしまう場合があった。そこで、層間の密着性を粗面化することなく密着性を向上させることが必要となっていた。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１６３４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（５）に記載の本発明により達成される。
（１）第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）前記第２基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有しているものである上記（１）に記載の回路基板の製造方法。
（３）前記第１プラズマ処理工程は、酸素を用いるものである上記（１）または（２）に記載の回路基板の製造方法。
（４）前記第２プラズマ処理工程は、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第２気体を用いるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（５）上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の回路基板の製造方法で得られることを特徴とする回路基板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板を得ることができる。
また、第１プラズマ処理工程で酸素を用いた場合、特に基材表面の有機物を効率良く除去できる。
また、第２プラズマ処理でアルゴンを用いた場合、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の回路基板の製造方法は、第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ工程に用いる気体と異なる気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする。
本発明の回路基板は、上述の回路基板の製造方法で得られることを特徴とするものである。
【００１１】
図１は、第１基材の一例を示す断面図である。図２は、第２基材の一例を示す断面図である。図３は、本発明の回路基板の製造方法で用いるプラズマ装置を模式的に表す側面図である。図４は、回路基板の一例を示す断面図である。
まず、回路基板１００を構成する第１基材１および第２基材２について説明する。
【００１２】
図１に示すように、第１基材１は、フィルム１１と、フィルム１１の一方の面側（図１中上側）に設けられる導体回路１２と、導体回路１２と接続し、かつフィルム１１を貫通して設けられる導体ポスト（突起電極）１３と、導体ポスト１３の先端部を覆う被覆層１３１とで構成されている。
【００１３】
フィルム１１を構成する材料としては、例えばポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマー、シアネート樹脂等が挙げられる。フィルム１１の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特１２．５〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に屈曲性に優れる。
【００１４】
導体回路１２を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、金等が挙げられる。
導体回路１２を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００１５】
導体ポスト１３を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、錫等が挙げられる。
導体ポスト１３を形成する方法としては、例えば上述の材料のペーストを埋め込む方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００１６】
被覆層１３１を構成する材料は、導電性を有し、かつ導体ポスト１３と後述する導体パッドとの接続信頼性に優れるものであれば特に限定されないが、例えば金、銀、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン等の金属単体、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銅から選ばれた２種以上の金属で構成される半田が挙げられる。より具体的には、錫―鉛系、錫―銀系、錫−亜鉛系、錫―ビスマス系、錫―アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系等の半田が挙げられる。
被覆層１３１を形成する方法としては、例えばメッキする方法、ペースト印刷する方法等が挙げられる。
【００１７】
図２に示すように、第２基材２は、フィルム２１の一方の面側に形成された導体パッド２２と、導体回路２３と、フィルム２１の他方の面側に形成された導体回路２３とで構成されている。
【００１８】
フィルム２１を構成する材料としては、例えばポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマー、シアネート樹脂等が挙げられる。フィルム２１の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特に１２．５〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に屈曲性に優れる。
【００１９】
導体パッド２２を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、金等が挙げられる。
導体回路２２を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００２０】
導体回路２３を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、錫等が挙げられる。
導体回路２３を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００２１】
本発明の回路基板の製造方法では、上述したような第１基材１および第２基材２を、後述するプラズマ処理することを特徴とするが、次に本発明で用いるプラズマ装置について説明する。
図３に示すように、プラズマ装置３は、チャンバー３１と、チャンバー３１の上部（図３中上側）に設けられるガス供給部３２と、チャンバー３１の左側（図３中左側）に設けられる真空ポンプ３３とを有している。チャンバー３１の内部には、平行平板式の電極が設けられており、チャンバー３１内部の上側（図３中上側）に上部電極３４と、その下側に下部電極３５とを有している。
【００２２】
ここで、ガス供給部３２は、反応ガスを供給するために設けられており、図示しないマスフローコントローラーが設置されている。
また、真空ポンプ３３は、チャンバー３１内を真空に保つために設けられている。
ここで、基板は、上部電極３４と下部電極３５との間に挿入されることになる。
このプラズマ装置３は、低圧および常圧タイプのどちらの装置を用いても良い。
【００２３】
次に、プラズマ処理について説明する。
本発明でプラズマ処理は、第１基材１の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする。前記第１プラズマ処理工程では、表面に付着する有機物を除去することができる。また、前記第２プラズマ処理工程では、前記第１プラズマ処理工程で除去が困難なように強固に付着している有機物または無機物を除去することができる。
【００２４】
まず、第１基板１のプラズマ処理について説明する。
＜第１プラズマ処理工程＞
第１基板１をプラズマ装置３のチャンバー３１内にある下部電極３５の上に配置する。この際、第１基板１の導体ポスト１３の被覆層１３１が上側（図３中上側）となるように配置する（すなわち、導体回路１２が下側となる）。これにより、導体ポスト１３１側の面がプラズマ処理されることになる。なお、下部電極３５と、第１基板１との間に隙間（例えば、第１基板の撓み等により）が存在すると、その隙間にプラズマが集中する異常放電現象が生じる可能性がある。そのため、異常放電現象を防止するために、専用の冶具または粘着テープ等で固定することが好ましい。
【００２５】
次に、チャンバー３１を閉じて、真空ポンプ３３を稼動させ、チャンバー３１内の真空引きを開始する。真空度は、特に限定されないが、１００Ｐａ以下が好ましく、特に１〜１０Ｐａが好ましい。真空度が前記範囲内であると、特にプラズマを安定に発生することができ、均一な処理を行なうことができる。
【００２６】
チャンバー３１内が所定の真空度に到達したらガス供給部３２より、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体（特に好ましくは、酸素）を所定量供給する。前記第１気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００２７】
ここで、特に前記第１気体として酸素を用いた場合の反応について説明する。
前記第１気体として酸素を用いた場合に第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
酸素原子はイオン（Ｏ+）と、電子と、ラジカル（Ｏ*）とに電離する。ラジカル（Ｏ*）は、第１基板１の表面に吸着し、揮発性物質を形成する化学的反応を行なう。イオン（Ｏ+）は、電圧がかかることにより直進し、付着している炭素／水素／酸素で構成されている有機物に物理的に作用し、この有機物の表面解離または表面解離を誘発する。この表面解離した、または表面解離が誘発された有機物と、ラジカル（Ｏ*）が反応し、二酸化炭素や水となり、有機物が効率良く除去される。
【００２８】
＜第２プラズマ処理工程＞
続いて、第２プラズマ処理工程を行なう。第２プラズマ処理工程は、前記第１プラズマ処理工程の第１気体の供給を停止し、所定の真空度まで真空引きを行なう。所定の真空度に到達したら、前記第１気体と異なる前記第２気体を所定量供給する。前記第２気体は、前記第１気体と異なる気体であれば特に限定されないが、例えばアルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが好ましい。これらの中でも入手が容易、安価、かつ反応性が高いアルゴンガスが好ましい。
前記第１プラズマ処理工程の場合と同様に、前記第２気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００２９】
ここで、特に前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合の反応について説明する。
前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合に第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
アルゴンガスはイオン（Ａｒ+）と、電子とに分離する。アルゴンガスは、前述したような酸素ガスと異なり、反応によって有機物を除去するのではなく、イオン（Ａｒ+）による強力な物理的効果により、付着している有機物、無機物をスパッタリングで除去する。これにより、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。
【００３０】
このような、上記第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程により、第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）と、接着剤層との密着性を向上することができる。さらに、第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）の濡れ性を向上することができ、それによって第１基板１の被覆層１３１と、第２基板２の導体パッド２２との間の半田溶融接合を安定化することができる。
【００３１】
次に、第２基板２のプラズマ処理について説明する。
＜第１プラズマ処理工程＞
第２基板２をプラズマ装置３のチャンバー３１内にある下部電極３５の上に配置する。この際、第２基板２の導体パッド２２が上側（図３中上側）となるように配置する（すなわち、導体回路２３が下側となる）。これにより、導体パッド２２側の面がプラズマ処理されることになる。なお、下部電極３５と、第２基板２との間に隙間（例えば、第２基板の撓み等により）が存在すると、その隙間にプラズマが集中する異常放電現象が生じる可能性がある。そのため、異常放電現象を防止するために、専用の冶具または粘着テープ等で固定することが好ましい。
【００３２】
次に、チャンバー３１を閉じて、真空ポンプ３３を稼動させ、チャンバー３１内の真空引きを開始する。真空度は、特に限定されないが、１００Ｐａ以下が好ましく、特に１〜１０Ｐａが好ましい。真空度が前記範囲内であると、特にプラズマを安定に発生することができ、均一な処理を行なうことができる。
【００３３】
チャンバー３１内が所定の真空度に到達したらガス供給部３２より、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体（特に好ましくは、酸素）を所定量供給する。前記第１気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００３４】
ここで、特に前記第１気体として酸素を用いた場合の反応について説明する。
前記第１気体として酸素を用いた場合に第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
酸素原子はイオン（Ｏ+）と、電子と、ラジカル（Ｏ*）とに電離する。ラジカル（Ｏ*）は、第２基板２の表面に吸着し、揮発性物質を形成する化学的反応を行なう。イオン（Ｏ+）は、電圧がかかることにより直進し、付着している炭素／水素／酸素で構成されている有機物に物理的に作用し、この有機物の表面解離または表面解離を誘発する。この表面解離した、または表面解離が誘発された有機物と、ラジカル（Ｏ*）が反応し、二酸化炭素や水となり、有機物が除去される。
【００３５】
＜第２プラズマ処理工程＞
続いて、第２プラズマ処理工程を行なう。第２プラズマ処理工程は、前記第１プラズマ処理工程の第１気体の供給を停止し、所定の真空度まで真空引きを行なう。所定の真空度に到達したら、前記第１気体と異なる前記第２気体を所定量供給する。前記第２気体は、前記第１気体と異なる気体であれば特に限定されないが、例えばアルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが好ましい。これらの中でも入手が容易、安価、かつ反応性が高いアルゴンガスが好ましい。
前記第１プラズマ処理工程の場合と同様に、前記第２気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００３６】
ここで、特に前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合の反応について説明する。
前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合に第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
アルゴンガスはイオン（Ａｒ+）と、電子とに分離する。アルゴンガスは、前述したような酸素ガスと異なり、反応によって有機物を除去するのではなく、イオン（Ａｒ+）による強力な物理的効果により、付着している有機物、無機物をスパッタリングで除去する。これにより、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。
【００３７】
このような、上記第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程により、第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）と、接着剤層との密着性を向上することができる。さらに、第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）の濡れ性を向上することができ、それによって第２基板２の導体パッド２２と、第１基板１の被覆層１２１との間の半田溶融接合を安定化することができる。
【００３８】
なお、第１基板１と第２基板２との前記プラズマ処理は、上述のような順番でも先に第２基板２のプラズマ処理を行なった後に、第１基板１のプラズマ処理を行なっても良い。
【００３９】
このようにプラズマ処理した第１基板１および第２基板２を用いて、図５に示すような回路基板１００を得る。
まず、プラズマ処理した第１基板１の被覆層１３１面側を覆うように、接着剤４を形成する（図４）。
接着剤４を形成する方法としては、例えば印刷により塗布する方法、シート状の接着剤をラミネートする方法等が挙げられる。これらの中でもラミネートする方法が好ましい。これにより、作業工数を低下することができる。
【００４０】
接着剤４を構成する材料としては、例えばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
【００４１】
次に、第１基板１と、第２基板２とを積層して、位置決めを行なう。この際、導体ポスト１３と、導体パッド２２とが接合できるように位置決めを行なう。その後、被覆層１３１が溶融可能な温度に加熱して、導体ポスト１３と、導体パッド２２とを接合する。次に、接着剤４が熱硬化型の樹脂で構成されている場合は、加熱して硬化させる。これにより、導体ポスト１３と、導体パッド２２とが電気的に接続された回路基板１００を得ることができる。
【００４２】
以上のように本発明の回路基板の製造方法および回路基板について好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第３基材、第４基材等を有する多層構造であっても良い。
また、プラズマ処理工程においても、第１プラズマ処理工程を第１基材および第２基材それぞれについて実施した後、第２プラズマ処理工程を実施しても良い。
【００４３】
次に本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
１．第１基材
第１基材として、厚さ１２μｍの銅箔を有するポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）で構成されている２層片面回路基板（宇部興産社製、ＳＥ１３１０）を用いた。この第１基材に、ポリイミドフィルム側から開口部を形成し、該開口部に電解銅メッキを施して銅ポストを形成した後、半田メッキを施し導体２層ポストを形成した。
【００４４】
２．第１基材の第１プラズマ処理工程
上述の第１基材をプラズマ装置のチャンバー内に挿入し、下部電極の上にポリイミドフィルム面が上側となるように配置した。そして、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった後、酸素を２００ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、１分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４５】
３．第１基材の第２プラズマ処理工程
第１プラズマ処理終了後に、酸素の供給を止めて、もう一度、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった。次に、アルゴンを６０ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、２分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４６】
４．第２基材
第２基材として、厚さ１２μｍの銅箔を有するポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）で構成されている２層両面回路基板（三井化学社製、ＮＦＸ２ＡＢＥＰＦＥ（２５Ｔ））を用いた。この第２基材に、回路エッチングによりランド（導体パッド）を形成した。
【００４７】
５．第２基材の第１プラズマ処理工程
上述の第２基材をプラズマ装置のチャンバー内に挿入し、下部電極の上にランドを形成した面が上側となるように配置した。そして、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった後、酸素を２００ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、１分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４８】
６．第２基材の第２プラズマ処理工程
第１プラズマ処理終了後に、酸素の供給を止めて、もう一度、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった。次に、アルゴンを６０ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、２分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４９】
７．回路基板の製造
プラズマ処理を施した第１基材に熱硬化性の接着シート（住友ベークライト社製、層間シートＤＢＦ、厚さ２２μｍ）をラミネートした。次に、接着シートを有する第１基材と、プラズマ処理を施した第２基材とを、位置合わせ用のピンガイド付き冶具を用いて接着シートとランド側の面が接するように積層し、真空プレスで２６０℃、０．３ＭＰａで５分間プレスした。これにより、導体２層ポストとランドとが半田溶融接合される。次に、温度１８０℃、６０分間加熱し、接着シートを硬化させて最終的に回路基板を得た。
【００５０】
（実施例２）
第１プラズマ処理において酸素の代わりに窒素を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００５１】
（比較例１）
プラズマ処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様にした。
【００５２】
（比較例２）
第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程を共に、同じアルゴンで行なった以外は、実施例１と同様にした。
【００５３】
各実施例および各比較例で得られた回路基板について、以下の評価を行なった。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．密着性
密着性は、第１基材と、第２基材との９０度引き剥がし強度（ＪＩＳ−Ｃ５０１２ ８．１）で評価した。
【００５４】
２．半田耐熱性試験
半田耐熱性試験は、４０℃、９０％の高温高湿槽で９６時間処理した後、２６０℃、１分間の半田耐熱試験（ＪＩＳ Ｃ５０１６）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：外観に膨れ、剥がれ等の異常なし。
○：一部の外観に膨れ、剥がれ等の異常あるが、実用上問題なし。
△：一部の外観に膨れ、剥がれ等の異常あり、実用不可。
×：外観に膨れ、剥がれ等の異常あり。
【００５５】
【表１】
【００５６】
表１から明らかなように、実施例１および実施例２は、基材と接着剤との密着性に優れていた。
また、実施例１および２は、半田耐熱性にも優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を得ることができる。本発明の回路基板の製造方法は、回路基板の中でもフレキシブル回路基板の製造に用いることが好ましく、特に多層フレキシブル回路基板の製造方法に用いることが好ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１基材の一例を示す断面図である。
【図２】第２基材の一例を示す断面図である。
【図３】プラズマ装置の一例を示す模式図である。
【図４】第１基材に接着剤が形成されている状態の一例を示す断面図である。
【図５】回路基板の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ 第１基材
１１ フィルム
１２ 導体回路
１３ 導体ポスト
１３１ 被覆層
２ 第２基材
２１ フィルム
２２ 導体パッド
２３ 導体回路
３ プラズマ装置
３１ チャンバー
３２ ガス供給部
３３ 真空ポンプ
３４ 上部電極
３５ 下部電極
４ 接着剤
１００ 回路基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度化に伴い、これに用いる回路基板の多層化、回路基板に形成される回路の細線化が要求されている。このような、細線化された回路を有する多層基板を形成する方法の一つにバンプめっきによる接合方式があり、例えば次のような方法で形成される。
【０００３】
銅と金属、または銅と合金とで構成される導体２層ポストを有する基版と、前記導体２層ポストと接続するためのランドを有する基板とを用意する。そして、層間接着剤を介して、前記導体２層ポストを有する基板と、前記ランドを有する基板とを接合して多層基板を得ている。
【０００４】
この多層基板において、層間の密着性を向上させることが非常に重要になってくる。層間の密着性が乏しい場合には、多層基板を高温多湿下で処理した際に基板と層間接着剤との間に水分が侵入し、半田耐熱性試験（ＪＩＳ Ｃ５０１６）で層間が剥離し、膨れ等が発生する場合がある。
【０００５】
そこで、層間の密着性を向上させるために、被着物の表面を粗面化する方法がある（例えば、特許文献１参照）。この方法では、基板、ランド、回路等を粗面化する。しかし、高周波の信号を伝搬させると、表皮効果により信号が祖化された回路の表面部分のみを伝搬するため、その表面の凹凸に起因して信号にノイズが発生してしまう場合があった。そこで、層間の密着性を粗面化することなく密着性を向上させることが必要となっていた。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１６３４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（５）に記載の本発明により達成される。
（１）第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）前記第２基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有しているものである上記（１）に記載の回路基板の製造方法。
（３）前記第１プラズマ処理工程は、酸素を用いるものである上記（１）または（２）に記載の回路基板の製造方法。
（４）前記第２プラズマ処理工程は、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第２気体を用いるものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
（５）上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の回路基板の製造方法で得られることを特徴とする回路基板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板を得ることができる。
また、第１プラズマ処理工程で酸素を用いた場合、特に基材表面の有機物を効率良く除去できる。
また、第２プラズマ処理でアルゴンを用いた場合、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の回路基板の製造方法および回路基板について、添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の回路基板の製造方法は、第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ工程に用いる気体と異なる気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする。
本発明の回路基板は、上述の回路基板の製造方法で得られることを特徴とするものである。
【００１１】
図１は、第１基材の一例を示す断面図である。図２は、第２基材の一例を示す断面図である。図３は、本発明の回路基板の製造方法で用いるプラズマ装置を模式的に表す側面図である。図４は、回路基板の一例を示す断面図である。
まず、回路基板１００を構成する第１基材１および第２基材２について説明する。
【００１２】
図１に示すように、第１基材１は、フィルム１１と、フィルム１１の一方の面側（図１中上側）に設けられる導体回路１２と、導体回路１２と接続し、かつフィルム１１を貫通して設けられる導体ポスト（突起電極）１３と、導体ポスト１３の先端部を覆う被覆層１３１とで構成されている。
【００１３】
フィルム１１を構成する材料としては、例えばポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマー、シアネート樹脂等が挙げられる。フィルム１１の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特１２．５〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に屈曲性に優れる。
【００１４】
導体回路１２を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、金等が挙げられる。
導体回路１２を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００１５】
導体ポスト１３を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、錫等が挙げられる。
導体ポスト１３を形成する方法としては、例えば上述の材料のペーストを埋め込む方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００１６】
被覆層１３１を構成する材料は、導電性を有し、かつ導体ポスト１３と後述する導体パッドとの接続信頼性に優れるものであれば特に限定されないが、例えば金、銀、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン等の金属単体、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、銅から選ばれた２種以上の金属で構成される半田が挙げられる。より具体的には、錫―鉛系、錫―銀系、錫−亜鉛系、錫―ビスマス系、錫―アンチモン系、錫−銀−ビスマス系、錫−銅系等の半田が挙げられる。
被覆層１３１を形成する方法としては、例えばメッキする方法、ペースト印刷する方法等が挙げられる。
【００１７】
図２に示すように、第２基材２は、フィルム２１の一方の面側に形成された導体パッド２２と、導体回路２３と、フィルム２１の他方の面側に形成された導体回路２３とで構成されている。
【００１８】
フィルム２１を構成する材料としては、例えばポリイミド、ポリエステル、液晶ポリマー、シアネート樹脂等が挙げられる。フィルム２１の厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍが好ましく、特に１２．５〜２５μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に屈曲性に優れる。
【００１９】
導体パッド２２を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、金等が挙げられる。
導体回路２２を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００２０】
導体回路２３を構成する材料は、導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば銅、銅系合金、錫等が挙げられる。
導体回路２３を形成する方法としては、例えばエッチングする方法、メッキする方法等が挙げられる。
【００２１】
本発明の回路基板の製造方法では、上述したような第１基材１および第２基材２を、後述するプラズマ処理することを特徴とするが、次に本発明で用いるプラズマ装置について説明する。
図３に示すように、プラズマ装置３は、チャンバー３１と、チャンバー３１の上部（図３中上側）に設けられるガス供給部３２と、チャンバー３１の左側（図３中左側）に設けられる真空ポンプ３３とを有している。チャンバー３１の内部には、平行平板式の電極が設けられており、チャンバー３１内部の上側（図３中上側）に上部電極３４と、その下側に下部電極３５とを有している。
【００２２】
ここで、ガス供給部３２は、反応ガスを供給するために設けられており、図示しないマスフローコントローラーが設置されている。
また、真空ポンプ３３は、チャンバー３１内を真空に保つために設けられている。
ここで、基板は、上部電極３４と下部電極３５との間に挿入されることになる。
このプラズマ装置３は、低圧および常圧タイプのどちらの装置を用いても良い。
【００２３】
次に、プラズマ処理について説明する。
本発明でプラズマ処理は、第１基材１の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする。前記第１プラズマ処理工程では、表面に付着する有機物を除去することができる。また、前記第２プラズマ処理工程では、前記第１プラズマ処理工程で除去が困難なように強固に付着している有機物または無機物を除去することができる。
【００２４】
まず、第１基板１のプラズマ処理について説明する。
＜第１プラズマ処理工程＞
第１基板１をプラズマ装置３のチャンバー３１内にある下部電極３５の上に配置する。この際、第１基板１の導体ポスト１３の被覆層１３１が上側（図３中上側）となるように配置する（すなわち、導体回路１２が下側となる）。これにより、導体ポスト１３１側の面がプラズマ処理されることになる。なお、下部電極３５と、第１基板１との間に隙間（例えば、第１基板の撓み等により）が存在すると、その隙間にプラズマが集中する異常放電現象が生じる可能性がある。そのため、異常放電現象を防止するために、専用の冶具または粘着テープ等で固定することが好ましい。
【００２５】
次に、チャンバー３１を閉じて、真空ポンプ３３を稼動させ、チャンバー３１内の真空引きを開始する。真空度は、特に限定されないが、１００Ｐａ以下が好ましく、特に１〜１０Ｐａが好ましい。真空度が前記範囲内であると、特にプラズマを安定に発生することができ、均一な処理を行なうことができる。
【００２６】
チャンバー３１内が所定の真空度に到達したらガス供給部３２より、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体（特に好ましくは、酸素）を所定量供給する。前記第１気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００２７】
ここで、特に前記第１気体として酸素を用いた場合の反応について説明する。
前記第１気体として酸素を用いた場合に第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
酸素原子はイオン（Ｏ+）と、電子と、ラジカル（Ｏ*）とに電離する。ラジカル（Ｏ*）は、第１基板１の表面に吸着し、揮発性物質を形成する化学的反応を行なう。イオン（Ｏ+）は、電圧がかかることにより直進し、付着している炭素／水素／酸素で構成されている有機物に物理的に作用し、この有機物の表面解離または表面解離を誘発する。この表面解離した、または表面解離が誘発された有機物と、ラジカル（Ｏ*）が反応し、二酸化炭素や水となり、有機物が効率良く除去される。
【００２８】
＜第２プラズマ処理工程＞
続いて、第２プラズマ処理工程を行なう。第２プラズマ処理工程は、前記第１プラズマ処理工程の第１気体の供給を停止し、所定の真空度まで真空引きを行なう。所定の真空度に到達したら、前記第１気体と異なる前記第２気体を所定量供給する。前記第２気体は、前記第１気体と異なる気体であれば特に限定されないが、例えばアルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが好ましい。これらの中でも入手が容易、安価、かつ反応性が高いアルゴンガスが好ましい。
前記第１プラズマ処理工程の場合と同様に、前記第２気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００２９】
ここで、特に前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合の反応について説明する。
前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合に第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
アルゴンガスはイオン（Ａｒ+）と、電子とに分離する。アルゴンガスは、前述したような酸素ガスと異なり、反応によって有機物を除去するのではなく、イオン（Ａｒ+）による強力な物理的効果により、付着している有機物、無機物をスパッタリングで除去する。これにより、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。
【００３０】
このような、上記第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程により、第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）と、接着剤層との密着性を向上することができる。さらに、第１基板１の表面（被覆層１３１側の表面）の濡れ性を向上することができ、それによって第１基板１の被覆層１３１と、第２基板２の導体パッド２２との間の半田溶融接合を安定化することができる。
【００３１】
次に、第２基板２のプラズマ処理について説明する。
＜第１プラズマ処理工程＞
第２基板２をプラズマ装置３のチャンバー３１内にある下部電極３５の上に配置する。この際、第２基板２の導体パッド２２が上側（図３中上側）となるように配置する（すなわち、導体回路２３が下側となる）。これにより、導体パッド２２側の面がプラズマ処理されることになる。なお、下部電極３５と、第２基板２との間に隙間（例えば、第２基板の撓み等により）が存在すると、その隙間にプラズマが集中する異常放電現象が生じる可能性がある。そのため、異常放電現象を防止するために、専用の冶具または粘着テープ等で固定することが好ましい。
【００３２】
次に、チャンバー３１を閉じて、真空ポンプ３３を稼動させ、チャンバー３１内の真空引きを開始する。真空度は、特に限定されないが、１００Ｐａ以下が好ましく、特に１〜１０Ｐａが好ましい。真空度が前記範囲内であると、特にプラズマを安定に発生することができ、均一な処理を行なうことができる。
【００３３】
チャンバー３１内が所定の真空度に到達したらガス供給部３２より、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体（特に好ましくは、酸素）を所定量供給する。前記第１気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００３４】
ここで、特に前記第１気体として酸素を用いた場合の反応について説明する。
前記第１気体として酸素を用いた場合に第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
酸素原子はイオン（Ｏ+）と、電子と、ラジカル（Ｏ*）とに電離する。ラジカル（Ｏ*）は、第２基板２の表面に吸着し、揮発性物質を形成する化学的反応を行なう。イオン（Ｏ+）は、電圧がかかることにより直進し、付着している炭素／水素／酸素で構成されている有機物に物理的に作用し、この有機物の表面解離または表面解離を誘発する。この表面解離した、または表面解離が誘発された有機物と、ラジカル（Ｏ*）が反応し、二酸化炭素や水となり、有機物が除去される。
【００３５】
＜第２プラズマ処理工程＞
続いて、第２プラズマ処理工程を行なう。第２プラズマ処理工程は、前記第１プラズマ処理工程の第１気体の供給を停止し、所定の真空度まで真空引きを行なう。所定の真空度に到達したら、前記第１気体と異なる前記第２気体を所定量供給する。前記第２気体は、前記第１気体と異なる気体であれば特に限定されないが、例えばアルゴン、ネオン、クリプトン、ヘリウム等の不活性ガスを用いることが好ましい。これらの中でも入手が容易、安価、かつ反応性が高いアルゴンガスが好ましい。
前記第１プラズマ処理工程の場合と同様に、前記第２気体を数秒間供給した後、下部電極３５に電圧をかけてプラズマ処理を行なう。これにより、安定した状態からプラズマ処理が開始され、処理毎のばらつきを低減することができる。
【００３６】
ここで、特に前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合の反応について説明する。
前記第２気体としてアルゴンガスを用いた場合に第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）では、次のような反応がなされていると考えられる。
アルゴンガスはイオン（Ａｒ+）と、電子とに分離する。アルゴンガスは、前述したような酸素ガスと異なり、反応によって有機物を除去するのではなく、イオン（Ａｒ+）による強力な物理的効果により、付着している有機物、無機物をスパッタリングで除去する。これにより、前記第１プラズマ処理工程では、除去できなかった強固に付着している有機物、無機物を除去することができる。これによって、純度の高い表面を得ることができる。さらに、表面の濡れ性を向上することができる。
【００３７】
このような、上記第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程により、第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）と、接着剤層との密着性を向上することができる。さらに、第２基板２の表面（導体パッド２２側の表面）の濡れ性を向上することができ、それによって第２基板２の導体パッド２２と、第１基板１の被覆層１２１との間の半田溶融接合を安定化することができる。
【００３８】
なお、第１基板１と第２基板２との前記プラズマ処理は、上述のような順番でも先に第２基板２のプラズマ処理を行なった後に、第１基板１のプラズマ処理を行なっても良い。
【００３９】
このようにプラズマ処理した第１基板１および第２基板２を用いて、図５に示すような回路基板１００を得る。
まず、プラズマ処理した第１基板１の被覆層１３１面側を覆うように、接着剤４を形成する（図４）。
接着剤４を形成する方法としては、例えば印刷により塗布する方法、シート状の接着剤をラミネートする方法等が挙げられる。これらの中でもラミネートする方法が好ましい。これにより、作業工数を低下することができる。
【００４０】
接着剤４を構成する材料としては、例えばエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられる。
【００４１】
次に、第１基板１と、第２基板２とを積層して、位置決めを行なう。この際、導体ポスト１３と、導体パッド２２とが接合できるように位置決めを行なう。その後、被覆層１３１が溶融可能な温度に加熱して、導体ポスト１３と、導体パッド２２とを接合する。次に、接着剤４が熱硬化型の樹脂で構成されている場合は、加熱して硬化させる。これにより、導体ポスト１３と、導体パッド２２とが電気的に接続された回路基板１００を得ることができる。
【００４２】
以上のように本発明の回路基板の製造方法および回路基板について好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第３基材、第４基材等を有する多層構造であっても良い。
また、プラズマ処理工程においても、第１プラズマ処理工程を第１基材および第２基材それぞれについて実施した後、第２プラズマ処理工程を実施しても良い。
【００４３】
次に本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
１．第１基材
第１基材として、厚さ１２μｍの銅箔を有するポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）で構成されている２層片面回路基板（宇部興産社製、ＳＥ１３１０）を用いた。この第１基材に、ポリイミドフィルム側から開口部を形成し、該開口部に電解銅メッキを施して銅ポストを形成した後、半田メッキを施し導体２層ポストを形成した。
【００４４】
２．第１基材の第１プラズマ処理工程
上述の第１基材をプラズマ装置のチャンバー内に挿入し、下部電極の上にポリイミドフィルム面が上側となるように配置した。そして、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった後、酸素を２００ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、１分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４５】
３．第１基材の第２プラズマ処理工程
第１プラズマ処理終了後に、酸素の供給を止めて、もう一度、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった。次に、アルゴンを６０ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、２分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４６】
４．第２基材
第２基材として、厚さ１２μｍの銅箔を有するポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）で構成されている２層両面回路基板（三井化学社製、ＮＦＸ２ＡＢＥＰＦＥ（２５Ｔ））を用いた。この第２基材に、回路エッチングによりランド（導体パッド）を形成した。
【００４７】
５．第２基材の第１プラズマ処理工程
上述の第２基材をプラズマ装置のチャンバー内に挿入し、下部電極の上にランドを形成した面が上側となるように配置した。そして、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった後、酸素を２００ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、１分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４８】
６．第２基材の第２プラズマ処理工程
第１プラズマ処理終了後に、酸素の供給を止めて、もう一度、チャンバー内を真空ポンプで５Ｐａまで真空引きを行なった。次に、アルゴンを６０ｓｃｃｍ導入して、電極間に２，５００Ｗとなるように加圧して、２分間保持しながらプラズマ処理を行なった。
【００４９】
７．回路基板の製造
プラズマ処理を施した第１基材に熱硬化性の接着シート（住友ベークライト社製、層間シートＤＢＦ、厚さ２２μｍ）をラミネートした。次に、接着シートを有する第１基材と、プラズマ処理を施した第２基材とを、位置合わせ用のピンガイド付き冶具を用いて接着シートとランド側の面が接するように積層し、真空プレスで２６０℃、０．３ＭＰａで５分間プレスした。これにより、導体２層ポストとランドとが半田溶融接合される。次に、温度１８０℃、６０分間加熱し、接着シートを硬化させて最終的に回路基板を得た。
【００５０】
（実施例２）
第１プラズマ処理において酸素の代わりに窒素を用いた以外は、実施例１と同様にした。
【００５１】
（比較例１）
プラズマ処理を実施しなかった以外は、実施例１と同様にした。
【００５２】
（比較例２）
第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程を共に、同じアルゴンで行なった以外は、実施例１と同様にした。
【００５３】
各実施例および各比較例で得られた回路基板について、以下の評価を行なった。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．密着性
密着性は、第１基材と、第２基材との９０度引き剥がし強度（ＪＩＳ−Ｃ５０１２ ８．１）で評価した。
【００５４】
２．半田耐熱性試験
半田耐熱性試験は、４０℃、９０％の高温高湿槽で９６時間処理した後、２６０℃、１分間の半田耐熱試験（ＪＩＳ Ｃ５０１６）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：外観に膨れ、剥がれ等の異常なし。
○：一部の外観に膨れ、剥がれ等の異常あるが、実用上問題なし。
△：一部の外観に膨れ、剥がれ等の異常あり、実用不可。
×：外観に膨れ、剥がれ等の異常あり。
【００５５】
【表１】
【００５６】
表１から明らかなように、実施例１および実施例２は、基材と接着剤との密着性に優れていた。
また、実施例１および２は、半田耐熱性にも優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明によれば、接着剤層と基材との密着性に優れた回路基板の製造方法および回路基板を得ることができる。本発明の回路基板の製造方法は、回路基板の中でもフレキシブル回路基板の製造に用いることが好ましく、特に多層フレキシブル回路基板の製造方法に用いることが好ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１基材の一例を示す断面図である。
【図２】第２基材の一例を示す断面図である。
【図３】プラズマ装置の一例を示す模式図である。
【図４】第１基材に接着剤が形成されている状態の一例を示す断面図である。
【図５】回路基板の一例を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１ 第１基材
１１ フィルム
１２ 導体回路
１３ 導体ポスト
１３１ 被覆層
２ 第２基材
２１ フィルム
２２ 導体パッド
２３ 導体回路
３ プラズマ装置
３１ チャンバー
３２ ガス供給部
３３ 真空ポンプ
３４ 上部電極
３５ 下部電極
４ 接着剤
１００ 回路基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、
前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有しているものである請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１プラズマ処理工程は、酸素を用いるものである請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２プラズマ処理工程は、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第２気体を用いるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の回路基板の製造方法で得られることを特徴とする回路基板。
【請求項１】
第１基材と、第２基材とを接着剤層を介して電気的に接合して得られる回路基板の製造方法であって、
前記第１基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有していることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２基材の前記接着剤層と接合する面を、酸素、窒素、四フッ化炭素、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第１気体で予めプラズマ処理する第１プラズマ処理工程と、
前記接合面をさらに前記第１プラズマ処理工程に用いる第１気体と異なる第２気体でプラズマ処理する第２プラズマ処理工程とを有しているものである請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１プラズマ処理工程は、酸素を用いるものである請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２プラズマ処理工程は、アルゴン、ネオン、クリプトンおよびヘリウムの中から選ばれる１種以上の第２気体を用いるものである請求項１ないし３のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の回路基板の製造方法で得られることを特徴とする回路基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００６−２１６７５４（Ｐ２００６−２１６７５４Ａ）
【公開日】平成１８年８月１７日（２００６．８．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−２７５２１（Ｐ２００５−２７５２１）
【出願日】平成１７年２月３日（２００５．２．３）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年８月１７日（２００６．８．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月３日（２００５．２．３）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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